JP5253329B2 - バンドパスフィルタならびに無線通信モジュールおよび無線通信機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば携帯電話，無線ＬＡＮ（Local Area Network），ＵＷＢ（Ultra Wide Band）等の無線通信機器その他の各種通信機器等において使用されるバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器に関するものである。

近年、携帯電話機や無線ＬＡＮ等の様々な用途で無線通信機器が用いられるようになっており、各無線通信機器において使用される周波数が互いに近くなっていることから、これらの無線通信機器には、所望周波数帯域の信号のみを選択的に通過させるとともに、通過帯域の低周波側および高周波側に近接した信号帯域における不所望信号の混入を防止して良質の通信を行ない得るようにするために、通過周波数帯域の低周波側および高周波側の減衰帯域にそれぞれ減衰極を備えた帯域通過特性を有するバンドパスフィルタが搭載されている。

情報伝送容量の増加に伴い、無線通信機器は使用可能な周波数帯域において、高周波化と広帯域化とで利用帯域幅を拡張して情報伝送容量を確保するようになってきている。そのため、通過帯域が広く、かつ通過帯域の近傍に減衰極を有する（急峻な減衰特性を有する）バンドパスフィルタが求められるようになってきている。

例えば、新しい通信手段として着目されているＵＷＢは、10ｍ程度の短い距離において広い周波数帯域を使用して大容量のデータ転送を実現するものであり、例えば米国ＦＣＣ（Federal Communication Commission）の規定によると、3.1〜10.6ＧＨｚという非常に広い周波数帯域を使用する計画となっている。そして、日本では、無線ＬＡＮのＩＥＥＥ802.11.ａにおいて使用される5.15ＧＨｚ〜5.25ＧＨｚを避ける形で、3.4ＧＨｚ〜4.8ＧＨｚ程度の帯域を使用するローバンドと7.25ＧＨｚ〜10.25ＧＨｚ程度の帯域を使用するハイバンドとに分割された規格が立案されている。このため、ローバンド用のバンドパスフィルタであれば、3.4ＧＨｚ〜4.8ＧＨｚ程度の広い帯域を使用する（この帯域の周波数の信号を通過させる）のに対して、わずかに0.35ＧＨｚしか離れていない5.15ＧＨｚでは減衰するという非常に急峻な減衰特性が求められている。また、ハイバンド用のバンドパスフィルタであれば、例としてＥＵ諸国では6.4ＧＨｚ〜8.9ＧＨｚ程度の広い帯域を使用する。

このような広帯域で通過帯域の両側近傍に減衰極を有するバンドパスフィルタの要求に対して、複数の共振電極の接地端を電気的に接続する結合電極を備えたＵＷＢ用途に好適なバンドパスフィルタが提案されている。このバンドパスフィルタにおいては、結合電極を備えていることにより、複数の共振電極間において、容量性の結合だけでなく誘導性の結合も生じさせることができる。これにより、所定の通過帯域近傍の周波数帯域における信号を急峻に減衰させることができるというものである（特許文献１を参照。）。

特開2008−118615号公報

このようなＵＷＢ用のローバンド用フィルタおよびハイバンド用フィルタを上下に重ねることによって小型で、非常に広い２つの通過帯域を有するバンドパスフィルタを構成することができる。

しかしながら、さらに薄型化しようとすると、ローバンド用の通過帯域を形成する共振電極とハイバンド用の通過帯域を形成する共振電極との間の電磁気的な結合が強くなり過ぎて良好なフィルタ特性を得るのが困難になる場合があるという問題を有していた。

本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、非常に広い２つの通過帯域を有するとともに、薄型化しても良好なフィルタ特性を得ることができ、かつ、ハイバンド用の通過帯域の高域側に発生する、ローバンド用の共振電極による高調波を抑えて高域側の減衰量を大きくすることできるバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器を提供することにある。

本発明のバンドパスフィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、該積層体を挟んで対向するように配置された接地電極と、前記積層体の第１の層間に一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて第１の周波数で共振するとともに相互に電磁界結合する帯状の４個以上の第１の共振電極と、前記積層体の前記第１の層間とは異なる第２の層間に相互に電磁界結合するように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて前記第１の周波数よりも高い第２の周波数で共振する帯状の複数の第２の共振電極と、前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する第３の層間に配置された、前記４個以上の第１の共振電極のうち初段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、電気信号が入力される電気信号入力点を有する帯状の第１の入力結合電極と、前記積層体の前記第３の層間に配置された、前記４個以上の第１の共振電極のうち最終段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、電気信号が出力される電気信号出力点を有する帯状の第１の出力結合電極と、前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記複数の第２の共振電極のうち初段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合する第２の入力結合電極と、前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記複数の第２の共振電極のうち最終段の第２の共振電極と対向して電磁界結合する第２の出力結合電極とを備え、前記第１の共振電極および前記第２の共振電極は、前記積層体の積層方向から見て互いに直交するように配置されるとともに、前記第２の共振電極の群の幅方向の中心が、前記第１の共振電極の群の長さ方向の端から略１／３の位置に重なることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記積層体の前記第１の層間を間に挟んで前記第３の層間と反対側に位置する第４の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の前記第１の共振電極からなる第１の共振電極の群を構成する初段の第１の共振電極の前記一方端の近傍で一方端が接地され、前記第１の共振電極の群を構成する最終段の第１の共振電極の前記一方端の近傍で他方端が接地されており、前記初段の第１の共振電極および前記最終段の第１の共振電極の前記一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第１の共振電極結合導体を備えることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記積層体の前記第２の層間を間に挟んで前記第３の層間と反対側に位置する第５の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の前記第２の共振電極からなる第２の共振電極の群を構成する初段の第２の共振電極の前記一方端の近傍で一方端が接地され、前記第２の共振電極の群を構成する最終段の第２の共振電極の前記一方端の近傍で他方端が接地されており、前記初段の第２の共振電極および前記最終段の第２の共振電極の前記一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第２の共振電極結合導体を備えることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記積層体の前記第１の層間に平面視で前記第１の共振電極を取り囲むように形成された第１の内部接地電極を備えるとともに、前記積層体の前記第２の層間に平面視で前記第２の共振電極を取り囲むように形成された第２の内部接地電極を備えることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記第２の入力結合電極は前記第３の層間に配置されて前記第１の入力結合電極と一体化しており、前記第２の出力結合電極は前記第３の層間に配置されて前記第１の出力結合電極と一体化していることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、前記第２の入力結合電極は前記第３の層間よりも前記第２の層間に近い層間に配置されて入力側接続導体を介して前記第１の入力結合電極に接続されており、前記第２の出力結合電極は前記第３の層間よりも前記第２の層間に近い層間に配置されて出力側接続導体を介して前記第１の出力結合電極に接続されていることを特徴とするものである。

本発明の無線通信モジュールは、上記各構成のいずれかの本発明のバンドパスフィルタを備えることを特徴とするものである。

本発明の無線通信機器は、上記各構成のいずれかの本発明のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とするものである。

本発明のバンドパスフィルタによれば、第１の共振電極および第２の共振電極は積層体の積層方向から見て互いに直交するように配置されていることから、積層体の厚みが薄くて第１の共振電極と第２の共振電極とが近接する場合においても、第１の共振電極と第２の共振電極との間に生じる電磁界結合を最小限にすることができるので、第１の共振電極と第２の共振電極との間の電磁界結合が強くなり過ぎることによる通過帯域における通過特性の悪化を防止することができる。

また、第２の共振電極の群の幅方向の中心が、第１の共振電極の群の長さ方向の端部から略１／３の位置に重なることから、ローバンド用の通過帯域を形成する複数の第１の共振電極のうちの半数に対して、３／４波長の共振の電界最大点となる接地端から１／３の位置に第２の共振電極の群が対向することで電界が強められて、この半数の第１の共振電極による３／４波長の共振周波数が低域側にシフトする。一方、残り半数の第１の共振電極にはこのような作用が働かず、これによる３／４波長の共振周波数はシフトしないので、結果として第１の共振電極による３／４波長の共振によって発生する高調波が抑えられ、ハイバンド用の通過帯域より高域側の減衰量が大きいバンドパスフィルタを提供することができる。

また、本発明のバンドパスフィルタによれば、上記構成において、積層体の第１の層間を間に挟んで第３の層間と反対側に位置する第４の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の第１の共振電極からなる第１の共振電極の群を構成する初段の第１の共振電極の一方端の近傍で一方端が接地され、第１の共振電極の群を構成する最終段の第１の共振電極の一方端の近傍で他方端が接地されており、初段の第１の共振電極および最終段の第１の共振電極の一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第１の共振電極結合導体を備えるときには、結合の弱い初段の第１の共振電極と最終段の第１の共振電極との間の結合を強めることができるので、第１の共振電極による通過帯域により近い位置の周波数（通過帯域の低域側または高域側）に減衰極を形成することができ、より急峻な減衰特性を有するバンドパスフィルタを提供することができる。

また、本発明のバンドパスフィルタによれば、上記各構成において、積層体の第２の層間を間に挟んで第３の層間と反対側に位置する第５の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の第２の共振電極からなる第２の共振電極の群を構成する初段の第２の共振電極の一方端の近傍で一方端が接地され、第２の共振電極の群を構成する最終段の第２の共振電極の一方端の近傍で他方端が接地されており、初段の第２の共振電極および最終段の第２の共振電極の一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第２の共振電極結合導体を備えるときには、結合の弱い初段の第２の共振電極と最終段の第２の共振電極との間の結合を強めることができるので、第２の共振電極による通過帯域により近い位置の周波数（通過帯域の低域側または高域側）に減衰極を形成することができ、より急峻な減衰特性を有するバンドパスフィルタを提供することができる。

また、本発明のバンドパスフィルタによれば、上記各構成において、積層体の第１の層間に平面視で第１の共振電極を取り囲むように形成された第１の内部接地電極を備えるとともに、積層体の第２の層間に平面視で第２の共振電極を取り囲むように形成された第２の内部接地電極を備えるときには、それぞれの内部接地電極が複数の共振電極の周囲を環状に取り囲むことによって、共振電極から発生する電磁波の周囲への漏洩を低減することができる。この効果は、モジュール基板の中の一部の領域に本発明のバンドパスフィルタが形成される場合に、モジュール基板の他の領域への悪影響を防止する上で特に有用である。

また、本発明のバンドパスフィルタによれば、上記各構成において、第２の入力結合電極は第３の層間に配置されて第１の入力結合電極と一体化しており、第２の出力結合電極は前記第３の層間に配置されて第１の出力結合電極と一体化しているときには、第１の入力結合電極と第２の入力結合電極とを接続する接続導体および第１の出力結合電極と第２の出力結合電極とを接続する接続導体が不要であるため、接続導体による損失をなくすことができるとともに単純な構造を備える薄型のバンドパスフィルタを得ることができる。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記各構成において、第２の入力結合電極が第３の層間よりも第２の層間に近い層間に配置されて入力側接続導体を介して第１の入力結合電極に接続されているときには、第１の入力結合電極と初段の第１の共振電極との間隔および第２の入力結合電極と初段の第２の共振電極との間隔を維持したままで、初段の第１の共振電極と初段の第２の共振電極との間隔を広げることが可能になるため、第１の入力結合電極と初段の第１の共振電極との電磁界結合および第２の入力結合電極と初段の第２の共振電極との電磁界結合を弱めることなく、初段の第１の共振電極と初段の第２の共振電極との電磁界結合を弱めることができ、これによって、第１の入力結合電極と初段の第１の共振電極との電磁界結合および第２の入力結合電極と初段の第２の共振電極との電磁界結合をさらに強めることができる。同様に、第２の出力結合電極が第３の層間よりも第２の層間に近い層間に配置されて出力側接続導体を介して第１の出力結合電極に接続されているときには、第１の出力結合電極と最終段の第１の共振電極との間隔および第２の出力結合電極と最終段の第２の共振電極との間隔を維持したままで、最終段の第１の共振電極と最終段の第２の共振電極との間隔を広げることが可能になるため、第１の出力結合電極と最終段の第１の共振電極との電磁界結合および第２の出力結合電極と最終段の第２の共振電極との電磁界結合を弱めることなく、最終段の第１の共振電極と最終段の第２の共振電極との電磁界結合を弱めることができ、これによって、第１の出力結合電極と最終段の第１の共振電極との電磁界結合および第２の出力結合電極と最終段の第２の共振電極との電磁界結合をさらに強めることができる。

本発明の無線通信モジュールおよび本発明の無線通信機器によれば、通信帯域の全域に渡って通過する信号の損失が小さい本発明のバンドパスフィルタを送信信号および受信信号の濾波に用いることにより、バンドパスフィルタを通過する受信信号および送信信号の減衰が少なくなるため、受信感度が向上し、また、送信信号および受信信号の増幅度を小さくできるため増幅回路における消費電力が少なくなる。よって受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュールおよび無線通信機器を得ることができる。さらに、１つのフィルタで２つの通信帯域をカバーすることができるとともに、薄型化しても良好なフィルタ特性が得られる本発明のバンドパスフィルタを用いることにより、小型で製造コストが低い無線通信モジュールおよび無線通信機器を得ることができる。

本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の一例を模式的に示す外観斜視図である。 図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。 図１に示すバンドパスフィルタの例の第１の層間と第２の層間を模式的に示す平面図である。 本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例の模式的な分解斜視図である。 本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例の模式的な分解斜視図である。 本発明のバンドパスフィルタの伝送特性のシミュレーション結果を示す図である。 本発明のバンドパスフィルタを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器の構成例を示すブロック図である。

本発明のバンドパスフィルタならびにそれを用いた無線通信モジュールおよび無線通信機器について添付の図面を参照しつつ以下に詳細に説明する。

（実施の形態の第１の例）
本例のバンドパスフィルタは、図１〜図３に示す例のように、複数の誘電体層11が積層されてなる積層体10と、積層体10を挟んで対向するように積層体10の下面と上面に配置されて接地される接地電極21と、積層体10の第１の層間に一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて第１の周波数で共振するとともに相互に電磁界結合して共振器として機能する帯状の複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと、積層体10の第１の層間とは異なる第２の層間に相互に電磁界結合するように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて第１の周波数よりも高い第２の周波数で共振する帯状の複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄとを備えている。第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄおよび前記第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄは、積層体10の積層方向から見て互いに直交するように配置されるとともに、第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄからなる第２の共振電極の群の幅方向の中心は、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄからなる第１の共振電極の群の長さ方向の端から略１／３の位置に重なるように配置されている。

また、本例のバンドパスフィルタは、積層体10の第１の層間と第２の層間との間に位置する第３の層間に配置された、初段の第１の共振電極30ａに沿った形状で対向して電磁界結合するとともに電気信号が入力される電気信号入力点45ａを有する帯状の第１の入力結合電極40ａと、最終段の第１の共振電極30ｂに沿った形状で対向して電磁界結合するとともに電気信号が出力される電気信号出力点45ｂを有する帯状の第１の出力結合電極40ｂと、初段の第２の共振電極31ａに沿った形状で対向して電磁界結合する第２の入力結合電極41ａと、最終段の第２の共振電極31ｂに沿った形状で対向して電磁界結合する第２の出力結合電極41ｂとを備えている。なお、第１の入力結合電極40ａと第２の入力結合電極41ａとは一体化されており、第１の出力結合電極40ｂと第２の出力結合電極41ｂとは一体化されている。第１の入力結合電極40ａは誘電体層11を貫通する貫通導体50を介して積層体10の上面に配置された入力端子電極60ａに接続されており、第１の出力結合電極40ｂは誘電体層11を貫通する貫通導体50を介して積層体10の上面に配置された出力端子電極60ｂに接続されている。よって、第１の入力結合電極40ａと貫通導体50との接続点が第１の入力結合電極40ａにおける電気信号入力点45ａになっており、第１の出力結合電極40ｂと貫通導体50との接続点が第１の出力結合電極40ｂにおける電気信号出力点45ｂになっている。

また、本例のバンドパスフィルタは、積層体10の第１の層間に複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの周囲を取り囲むように環状に形成され、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの一方端が接続された、接地電位に接続される第１の内部接地電極23と、第２の層間に複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの周囲を取り囲むように環状に形成され、複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの一方端が接続された、接地電位に接続される第２の内部接地電極24とを備えている。

このような構成を備える本例のバンドパスフィルタは、入力端子電極60ａおよび貫通導体50を介して第１の入力結合電極40ａに外部回路からの電気信号が入力されると、第１の入力結合電極40ａと電磁界結合する初段の第１の共振電極30ａが励振されることによって、相互に電磁界結合する複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄが共振し、最終段の第１の共振電極30ｂと電磁界結合する第１の出力結合電極40ｂから貫通導体50および出力端子電極60ｂを介して外部回路に電気信号が出力される。このとき、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄが共振する第１の周波数を含む第１周波数帯域の信号が選択的に通過するため、これによって第１の通過帯域が形成される。また、同時に、入力端子電極60ａ，貫通導体50および第１の入力結合電極40ａを介して第２の入力結合電極41ａにも外部回路からの電気信号が入力されるので、第２の入力結合電極41ａと電磁界結合する初段の第２の共振電極31ａが励振されることによって、相互に電磁界結合する複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄが共振し、最終段の第２の共振電極31ｂと電磁界結合する第２の出力結合電極41ｂから第１の出力結合電極40ｂ，貫通導体50および出力端子電極60ｂを介して外部回路に電気信号が出力される。このとき、複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄが共振する第２の周波数を含む第２周波数帯域の信号が選択的に通過するため、これによって、第２の通過帯域が形成される。このようにして、本例のバンドパスフィルタは、周波数の異なる２つの通過帯域を有するバンドパスフィルタとして機能する。そして、第１の周波数よりも第２の周波数の方が高いので、第２周波数帯域をＵＷＢにおけるハイバンドの周波数帯域に合わせ、第１周波数帯域をＵＷＢにおけるローバンドの周波数帯域に合わせることでＵＷＢ用のバンドパスフィルタとすることができる。

本例のバンドパスフィルタにおいて、帯状の複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄは、電気長が第１の周波数における波長の１／４程度に設定されており、それぞれ一方端が第１の内部接地電極23に接続されて接地されることによって１／４波長共振器として機能する。同様に、帯状の複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄは、電気長が第２の周波数における波長の１／４程度に設定されており、それぞれ一方端が第２の内部接地電極24に接続されて接地されることによって１／４波長共振器として機能する。また、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄは積層体10の第１の層間にそれぞれの一方端が互い違いになるように横並びに配置されてインターデジタル型に電磁界結合しており、複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄは積層体10の第２の層間にそれぞれの一方端が互い違いになるように横並びに配置されてインターデジタル型に電磁界結合している。磁界による結合と電界による結合とが加算されたインターデジタル型の強い結合によって、通過帯域を形成するそれぞれの共振モードの共振周波数の間隔を、比帯域で10％を超える非常に広い通過帯域幅を得るのに適度なものにすることが容易になる。横並びに配置されたそれぞれの共振電極同士の間隔は小さい方が強い結合が得られるが、間隔を小さくすると製造が困難になるので、例えば、0.05〜0.5ｍｍ程度に設定される。

また、本例のバンドパスフィルタにおいて、第１の入力結合電極40ａおよび第１の出力結合電極40ｂの形状寸法は初段の第１の共振電極30ａおよび最終段の第１の共振電極30ｂと同程度に設定されるのが好ましい。また、第１の入力結合電極40ａおよび第１の出力結合電極40ｂと初段の第１の共振電極30ａおよび最終段の第１の共振電極30ｂとの間隔、ならびに第２の入力結合電極41ａおよび第２の出力結合電極41ｂと初段の第２の共振電極31ａおよび最終段の第２の共振電極31ｂとの間隔については、小さくすると結合は強くなるが製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

また、本例のバンドパスフィルタにおいて、第２の入力結合電極41ａは帯状であり、初段の第２の共振電極31ａに沿って対向するように配置されており、第１の入力結合電極40ａと交差して第１の入力結合電極40ａと一体化している。よって、第１の入力結合電極40ａと第２の入力結合電極41ａとが交わる部分は、第１の入力結合電極40ａとして機能するとともに第２の入力結合電極41ａとしても機能する。また、第２の出力結合電極41ｂは帯状であり、最終段の第２の共振電極31ｂに沿って対向するように配置されており、第１の出力結合電極40ｂと交差して第１の出力結合電極40ｂと一体化している。よって、第１の出力結合電極40ｂと第２の出力結合電極41ｂとが交わる部分は、第１の出力結合電極40ｂとして機能するとともに第２の出力結合電極41ｂとしても機能する。

また、本例のバンドパスフィルタによれば、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄとは積層体10の積層方向から見て互いに直交するように配置されていることから、積層体10の厚みが薄く複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄとが近接する場合においても、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄとの間に生じる電磁界結合を最小限にすることができるので、複数の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと複数の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄとの間の電磁界結合が強くなり過ぎることによる通過帯域における通過特性の悪化を防止することができる。

また、本例のバンドパスフィルタにおいて、第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの群の幅方向の中心は、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの群の長さ方向の端から略１／３の位置に重なるように配置されているので、第１の共振電極30ａ，30ｄに対しては３／４波長共振器としての電界最大点（接地端から１／３の位置）近傍に第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄからなる共振器の群が対向するために、電界が強められて３／４波長の共振周波数が低域側にシフトする。一方、第１の共振電極30ｂ，30ｃには３／４波長共振器としての電界最大点に第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの群が対向しないため、３／４波長の共振周波数はシフトしない。結果、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄによる３／４波長の共振による高調波が抑えられる。この３／４波長の共振による高調波は、第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄによって形成される第２周波数帯域（ハイバンド用の通過帯域）の高域側の近傍で発生するため、不要な信号を除去するための減衰量を確保することが可能となる。このようなことから、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの群の長さ方向の端から略１／３の位置とは、図３に示すように、長さＬである、接地端が第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの群に近い第１の共振電極30ａ，30ｄの接地端からの距離がＬ／３である位置の近傍のことである。

また、本例のバンドパスフィルタによれば、第２の入力結合電極41ａは初段の第１の共振電極30ａの長さ方向の中央よりも一方端（接地端）側と対向するように配置されており、第２の出力結合電極41ｂは最終段の第１の共振電極30ｂの長さ方向の中央よりも一方端（接地端）側と対向するように配置されているので、第２の入力結合電極41ａと初段の第１の共振電極30ａとの間の電界による結合を小さくするとともに、第２の出力結合電極41ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの電界による結合を小さくすることができるので、第２の入力結合電極41ａと初段の第１の共振電極30ａとの間および第２の出力結合電極41ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの間の不要な電磁界結合が大きくなることに起因するフィルタ特性の悪化を防止することができる。

また、本例のバンドパスフィルタによれば、第２の入力結合電極41ａは第３の層間に配置されて第１の入力結合電極40ａと一体化しており、第２の出力結合電極41ｂは第３の層間に配置されて第１の出力結合電極40ｂと一体化しているので、第１の入力結合電極40ａと第２の入力結合電極41ａとを接続する接続導体および第１の出力結合電極40ｂと第２の出力結合電極41ｂとを接続する接続導体が不要であるため、接続導体による損失をなくすことができるとともに単純な構造を備える薄型のバンドパスフィルタを得ることができる。

また、本例のバンドパスフィルタによれば、初段の第１の共振電極30ａの一方端と最終段の第１の共振電極30ｂの一方端とが互い違いになるように配置されているとともに、初段の第２の共振電極31ａの一方端と最終段の第２の共振電極31ｂの一方端とが互い違いになるように配置されていることから、第１の入力結合電極40ａと初段の第１の共振電極30ａとの電磁界結合および第１の出力結合電極40ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの電磁界結合が充分に強く、且つ対称性を有する構造および回路構成を備えたバンドパスフィルタを得ることができる。

（実施の形態の第２の例）
図４は本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例を模式的に示す分解斜視図である。なお、本例においては、前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。

本例のバンドパスフィルタによれば、積層体10の第１の層間を間に挟んで第３の層間と反対側に位置する第４の層間に配置された、隣り合う４個の第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄからなる第１の共振電極の群を構成する初段の第１の共振電極30ａの一方端の近傍で一方端が接地され、第１の共振電極の群を構成する最終段の第１の共振電極30ｂの一方端の近傍で他方端が接地されており、初段の第１の共振電極30ａおよび最終段の第１の共振電極30ｂの一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第１の共振電極結合導体71を備えることから、第１の共振電極の群の初段の第１の共振電極30ａと最終段の第１の共振電極30ｂとの間で、第１の共振電極結合導体71を介した誘導性の結合により伝達された信号と、隣り合う第１の共振電極同士の容量性の結合により伝達された信号との間に180°の位相差が生じて互いに打ち消し合う現象を生じさせることができる。これにより、バンドパスフィルタの通過特性において、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄによって形成される通過帯域の両側近傍において信号が殆ど伝達されない減衰極を形成することができる。

また、積層体10の第２の層間を間に挟んで第３の層間と反対側に位置する第５の層間に配置された、隣り合う４個の第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄからなる第２の共振電極の群を構成する初段の第２の共振電極31ａの一方端の近傍で一方端が接地され、第２の共振電極群を構成する最終段の第２の共振電極31ｂの一方端の近傍で他方端が接地されており、初段の第２の共振電極31ａおよび最終段の第２の共振電極31ｂの一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第２の共振電極結合導体72とを備えることから、第２の共振電極の群の初段の第２の共振電極31ａと最終段の第２の共振電極31ｂとの間で、第２の共振電極結合導体72を介した誘導性の結合により伝達された信号と、隣り合う第２の共振電極同士の容量性の結合により伝達された信号との間に180°の位相差が生じて互いに打ち消し合う現象を生じさせることができる。これにより、バンドパスフィルタの通過特性において、第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄによって形成される通過帯域の両側近傍において信号が殆ど伝達されない減衰極を形成することができる。

（実施の形態の第３の例）
図５は本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例を模式的に示す分解斜視図である。なお、本例においては、前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。

本例のバンドパスフィルタによれば、第２の入力結合電極41ａが第３の層間よりも第２の層間に近い層間Ａに配置されているので、第１の入力結合電極40ａと初段の第１の共振電極30ａとの間隔および第２の入力結合電極41ａと初段の第２の共振電極31ａとの間隔を維持したままで、初段の第１の共振電極30ａと初段の第２の共振電極31ａとの間隔を広げることが可能になるため、第１の入力結合電極40ａと初段の第１の共振電極30ａとの電磁界結合および第２の入力結合電極41ａと初段の第２の共振電極31ａとの電磁界結合を弱めることなく、初段の第１の共振電極30ａと初段の第２の共振電極31ａとの電磁界結合を弱めることができ、これによって、第１の入力結合電極40ａと初段の第１の共振電極30ａとの電磁界結合および第２の入力結合電極41ａと初段の第２の共振電極31ａとの電磁界結合をさらに強めることができる。

また、本例のバンドパスフィルタによれば、第２の出力結合電極41ｂが第３の層間よりも第２の層間に近い層間Ａに配置されているので、第１の出力結合電極40ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの間隔および第２の出力結合電極41ｂと最終段の第２の共振電極31ｂとの間隔を維持したままで、最終段の第１の共振電極30ｂと最終段の第２の共振電極31ｂとの間隔を広げることが可能になるため、第１の出力結合電極40ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの電磁界結合および第２の出力結合電極41ｂと最終段の第２の共振電極31ｂとの電磁界結合を弱めることなく、最終段の第１の共振電極30ｂと最終段の第２の共振電極31ｂとの電磁界結合を弱めることができ、これによって、第１の出力結合電極40ｂと最終段の第１の共振電極30ｂとの電磁界結合および第２の出力結合電極41ｂと最終段の第２の共振電極31ｂとの電磁界結合をさらに強めることができる。

また、本例のバンドパスフィルタにおいては、積層体10の下面と第１の層間との間に位置する層間Ｂに、第１の内部接地電極23に対向する領域と第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄに対向する領域とを有するように配置され、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄに対向する領域が誘電体層11を貫通する貫通導体50によって第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの他方端側にそれぞれ接続された共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄが、それぞれの第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄに対応して配置されている。

このような構造を備える本例のバンドパスフィルタによれば、共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄと第１の内部接地電極23との間に生じる静電容量が、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄと接地電位との間に生じる静電容量に加算されるため、第１の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄの長さを短縮することができるので、より小型のバンドパスフィルタを得ることができる。

なお、共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄと第１の内部接地電極23との対向部の面積は、必要な静電容量に応じて、例えば、0.01〜3ｍｍ^２程度に設定される。また、第１の共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄと第１の内部接地電極23との間隔は、小さい方が大きな静電容量を生じさせることができるが、製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

なお、このような共振補助電極32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄは第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄに対しても同様に設置でき、第２の共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄの長さを短縮することができる。

誘電体層11としては、例えば、アルミナ，ムライト，窒化アルミニウム，ＢａＯ−ＴｉＯ_２系，ＣａＯ−ＴｉＯ_２系，ＭｇＯ−ＴｉＯ_２系およびガラスセラミックス等のセラミック材料、あるいは四ふっ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン：ＰＴＦＥ），四ふっ化エチレン−エチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−エチレン共重合樹脂：ＥＴＦＥ），四ふっ化エチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂（テトラフルオロエチレン−パーフルテロアルキルビニルエーテル共重合樹脂：ＰＦＡ）等のフッ素樹脂やガラスエポキシ樹脂，ポリイミド等の有機樹脂材料が用いられる。これらの材料による誘電体層11の形状や寸法（厚みや幅，長さ）は、使用される周波数や用途等に応じて設定される。セラミック材料の場合は、より高周波の信号を伝送することが可能な、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の低抵抗金属からなる導体材料と同時焼成が可能な低温焼成セラミックスが好ましい。

接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24，第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ，第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ，第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄは、誘電体層11がセラミック材料からなる場合は、Ｗ，Ｍｏ，Ｍｏ−Ｍｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の金属を主成分とするメタライズ層により形成される。また、誘電体層11が有機樹脂材料からなる場合は、厚膜印刷法，各種の薄膜形成方法，めっき法あるいは箔転写法等により形成した金属層や、このような金属層上にめっき層を形成したもの、例えばＣｕ層，Ｃｒ−Ｃｕ合金層またはＣｒ−Ｃｕ合金層上にＮｉめっき層およびＡｕめっき層を被着させたもの，ＴａＮ層上にＮｉ−Ｃｒ合金層およびＡｕめっき層を被着させたもの，Ｔｉ層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの，Ｎｉ−Ｃｒ合金層上にＰｔ層およびＡｕめっき層を被着させたもの等が挙げられる。その厚みや幅は、伝送される高周波信号の周波数や用途等に応じて設定される。

誘電体層11，接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24、第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ，第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ，第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄの形成は、周知の方法を用いればよい。例えば誘電体層11がガラスセラミックスから成る場合であれば、まずそれら誘電体層11となるガラスセラミックスのグリーンシートを準備し、グリーンシート上にスクリーン印刷法によりＡｇ等の導体ペーストを所定形状で印刷塗布して接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24，第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ，第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ，第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄの各電極パターンを形成する。次に、これらの電極パターンが形成されたグリーンシートを重ねて圧着するなどして積層体を作製し、この積層体を850〜1000℃で焼成することにより形成する。その後、外表面に露出している導体層上には、ＮｉめっきおよびＡｕめっき等のめっき皮膜を形成する。誘電体層１ａが有機樹脂材料から成る場合であれば、例えば有機樹脂シート上に接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24、第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ，第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ，第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄの各電極パターン形状に加工したＣｕ箔を転写し、Ｃｕ箔が転写された有機樹脂シートを積層して接着剤で接着することによって形成する。

接地電位に接続される接地電極21，第１の内部接地電極23および第２の内部接地電極24を互いに接続する接続導体は、それらの間に位置する誘電体層11内に形成された貫通導体または誘電体層11の端面に形成された端面導体の形態で形成することによって、積層されたそれら誘電体層11の内部に形成するバンドパスフィルタの設計自由度が向上するとともに、より小型で高性能なバンドパスフィルタとすることができる。

貫通導体50は、誘電体層11がガラスセラミックス等のセラミックスから成る場合には、貫通導体50は、例えば前述の製造方法において接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24，第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ，第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ，第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄの各電極パターンを形成する前に、グリーンシートに金型加工やレーザー加工によってあらかじめ形成しておいた貫通孔内に導体ペーストを印刷法等によって充填することで形成することができ、端面導体は、例えば第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンの接地端を端面に露出させたグリーンシート積層体を形成した後、同様の導体ペーストをグリーンシート積層体の側面に印刷することによって形成することができる。また、端面導体は、グリーンシートに第１の共振電極30ａ〜30ｄの列の幅程度の貫通孔を形成しておき、第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンの接地端をこの貫通孔に接するように形成した後、グリーンシートの積層前または積層後に導体ペーストを貫通孔の内面に印刷し、または貫通孔に充填して、貫通孔の部分で切断することによっても形成することができる。誘電体層11が樹脂系材料から成る場合も同様に、グリーンシートに代えて有機樹脂シートを用い、導体ペーストの印刷やめっきによって貫通孔内に貫通導体を形成したり、薄膜法等によって側面導体を形成したりすればよい。第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンの接地端を積層体の側面に露出させるには、第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンの接地端がグリーンシート（あるいは有機樹脂シート）の端部に位置するように形成したり、第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンを形成したグリーンシート（有機樹脂シート）を積層した後に、第１の共振電極30ａ〜30ｄの電極パターンの接地端が側面に露出するように積層体を切断したりすればよい。

具体的には、ＵＷＢの規格に用いられるような、通過帯域の中心周波数が3.9ＧＨｚのローバンド用バンドパスフィルタと、通過帯域の中心周波数が7.65ＧＨｚのハイバンド用バンドパスフィルタを重ねた本例のようなバンドパスフィルタは、図５に示すような形態であれば、例えば誘電体層１ａとして比誘電率が7.5のガラスセラミックスを用い、接地電極21，第１の内部接地電極23，第２の内部接地電極24，第１の共振電極30ａ〜30ｄ，第２の共振電極31ａ〜31ｄ、第１の入力結合電極40ａ，第１の出力結合電極40ｂ，第２の入力結合電極41ａ、第２の出力結合電極41ｂおよび共振補助電極32ａ〜32ｄおよび貫通導体50にＣｕメタライズを用いることによって得られる。比誘電率が7.5のガラスセラミックスは、例えば、ガラス成分としてＰｂＯ，Ｂ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｎＯおよびアルカリ土類金属酸化物を主成分とする結晶化ガラスが50質量％と、フィラー成分としてアルミナが50質量％とからなるものを用いればよい。

このとき、誘電体層11の寸法は、3.8ｍｍ×5.0ｍｍで厚みを上から順に、150μｍ，50μｍ，25μｍ，25μｍ，125μｍとする。接地電極21は、寸法を3.8ｍｍ×5.0ｍｍとする。第１の層間の第１の内部接地電極23は外寸を3.8ｍｍ×5.0ｍｍで内寸（開口の寸法）を3.1ｍｍ×3.65ｍｍとする。この開口内に寸法が0.175ｍｍ×3.4ｍｍの第１の共振電極30ａ〜30ｄを順に0.08ｍｍ，0.095ｍｍ，0.08ｍｍの間隔で横並びに整列し、各接地端を第１の内部接地電極23に接続して、各開放端と第１の内部接地電極23との間隔が0.25ｍｍとなり、共振器電極30ａおよび30ｂと第１の内部接地電極23との間隔が1.0725ｍｍとなるように配置する。また、第２の層間の第２の内部接地電極24は外寸を3.8ｍｍ×5.0ｍｍで内寸（開口の寸法）を3.1ｍｍ×3.79ｍｍとする。この開口内に寸法が2.87ｍｍ×0.175ｍｍの第２の共振電極31ａ〜31ｄを順に0.075ｍｍ，0.11ｍｍ，0.075ｍｍの間隔で横並びに整列し、各接地端を第２の内部接地電極24に接続して、各開放端と第２の内部接地電極24との間隔が0.23ｍｍとなり、共振器電極31ａと第２の内部接地電極24との間隔が0.815ｍｍ、共振器電極31ｄと第２の内部接地電極24との間隔が2.015ｍｍとなるように配置する。第２の共振電極31ａ〜31ｄの群の中心は、第１の共振電極30ａ、30ｄの接地端から1.225ｍｍの位置で重なる。第１の内部接地電極23と第２の内部接地電極24と積層体10の上下面の接地電極21とは、外周部に配列した直径0.1ｍｍの貫通導体（図５には図示せず）で接続する。第３の層間の第１の入力結合電極40aは寸法が0.15ｍｍ×4.1ｍｍであり、第１の共振電極30ａと平面視で0.15ｍｍ×3.4ｍｍの範囲で重なるように配置し、0.2ｍｍ×0.2ｍｍの外部入力端子電極60ａと直径0.1ｍｍの貫通導体50で接続する。第１の出力結合電極40ｂも同様に、寸法が0.15ｍｍ×4.1ｍｍであり、第１の共振電極30ｂと平面視で0.15ｍｍ×3.4ｍｍの範囲で重なるように配置し、0.2ｍｍ×0.2ｍｍの外部出力端子電極60ｂと直径0.1ｍｍの貫通導体50で接続する。層間Ａの第２の入力結合電極41ａは寸法が1.735ｍｍ×0.175ｍｍであり、第２の共振電極31ａと1.735ｍｍ×0.175ｍｍの範囲で重なるように配置し、第１の入力結合電極40ａと直径0.1ｍｍの貫通導体50で接続する。第２の出力結合電極41ｂも同様に、寸法が1.735ｍｍ×0.175ｍｍであり、第２の共振電極31ｂと1.735ｍｍ×0.175ｍｍの範囲で重なるように配置し、第１の出力結合電極40ｂと直径0.1ｍｍの貫通導体50で接続する。層間Ｂの共振補助電極32ａ、32ｂは0.2ｍｍ×0.5ｍｍおよび0.28ｍｍ×0.31ｍｍの２つの矩形を接続した凸型で、第１の内部接地電極23と0.28ｍｍ×0.31ｍｍの範囲で重なり、共振補助電極32ｃ、32ｄは0.2ｍｍ×0.5ｍｍおよび0.35ｍｍ×0.39ｍｍの２つの矩形を接続した凸型で、第１の内部接地電極23と0.35ｍｍ×0.39ｍｍの範囲で重なる。第１の共振電極30ａ〜30ｄの開放端部と平面視で0.2ｍｍ×0.175ｍｍの範囲で重なるように配置し、重なる部分の中心で直径0.1ｍｍの貫通導体50により接続する。

このような例の本発明のバンドパスフィルタのフィルタ特性は、図６の線図に実線の特性曲線で示すようなものとなる。また、このような例の本発明のバンドパスフィルタによるフィルタ特性に対して、共振器電極31ａと第２の内部接地電極24との間隔および共振器電極31ｄと第２の内部接地電極24との間隔が共に1.415ｍｍとなるように配置して、第２の共振電極31ａ〜31ｄの群の中心が、第１の共振電極30ａ、30ｄの接地端から1.825ｍｍの位置で重なるようにしたバンドパスフィルタのフィルタ特性は、図６に破線の特性曲線で示すようなものとなる。図に示す線図において、縦軸は挿入損失（単位：ｄＢ）を、横軸は周波数（単位：ＧＨｚ）を示す。

図６に示すフィルタ特性から、本発明のバンドパスフィルタのフィルタ特性は、積層体10の厚みが0.375ｍｍと非常に薄いにもかかわらず、２つの非常に広い通過帯域の全体に渡って良好にインピーダンスが整合されて、平坦で低損失な優れたものであることが分かる。また、第２の共振電極の群の幅方向の中心が、第１の共振電極群の長さ方向の端部から略１／３の位置に重なるように配置されていることで、略１/２の位置に重なるように配置したものにおいて12ＧＨｚ付近に現れる第１の共振電極の３／４波長の共振による高域の不要な通過帯域が形成されにくくなる（高調波が抑えられる）ので、ハイバンドの通過帯域より高域側の減衰量が大きい減衰特性を有することが分かる。

（実施の形態の第４の例）
図７は本発明のバンドパスフィルタを用いた無線通信モジュール80および無線通信機器85の構成例を示すブロック図である。

本発明の無線通信モジュール80は、例えば、ベースバンド信号が処理されるベースバンド部81と、ベースバンド部81に接続されベースバンド信号の変調後および復調前のＲＦ信号が処理されるＲＦ部82とを備えている。ＲＦ部82には前述の本発明のバンドパスフィルタ821が含まれており、ベースバンド信号が変調されてなるＲＦ信号または受信したＲＦ信号における通信帯域以外の信号をバンドパスフィルタ821によって減衰させている。具体的な構成としては、ベースバンド部81にはベースバンドＩＣ811が配置され、ＲＦ部82にはバンドパスフィルタ821とベースバンド部81との間にＲＦＩＣ822が配置されている。なお、これらの回路間には別の回路が介在していてもよい。そして、無線通信モジュール80のバンドパスフィルタ821にアンテナ84を接続することによってＲＦ信号の送受信がなされる本発明の無線通信機器85が構成される。

このような構成を有する本例の無線通信モジュール80および無線通信機器85によれば、通信に使用する周波数帯域の全域に渡って入力インピーダンスが良好に整合されて通過する信号の損失が小さい本発明のバンドパスフィルタ821を送信信号および受信信号の濾波に用いることにより、バンドパスフィルタ821を通過する受信信号および送信信号の減衰が少なくなるため、受信感度が向上し、また、送信信号および受信信号の増幅度を小さくできるため増幅回路における消費電力が少なくなる。よって、受信感度が高く消費電力が少ない高性能な無線通信モジュール80および無線通信機器85を得ることができる。

10：積層体
11：誘電体層
21：接地電極
23：第１の内部接地電極
24：第２の内部接地電極
30ａ，30ｂ，30ｃ，30ｄ：第１の共振電極
31ａ，31ｂ，31ｃ，31ｄ：第２の共振電極
32ａ，32ｂ，32ｃ，32ｄ：共振補助電極
40ａ：第１の入力結合電極
40ｂ：第１の出力結合電極
41ａ：第２の入力結合電極
41ｂ：第２の出力結合電極
45ａ：電気信号入力点
45ｂ：電気信号出力点
50：貫通導体
60ａ：入力端子電極
60ｂ：出力端子電極
71：第１の共振電極結合導体
72；第２の共振電極結合導体
80：無線通信モジュール
81：ベースバンド部
811：ベースバンドＩＣ
82：ＲＦ部
821：バンドパスフィルタ
822：ＲＦＩＣ
84：アンテナ
85：無線通信機器

Claims (8)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   該積層体を挟んで対向するように配置された接地電極と、
   前記積層体の第１の層間に一方端と他方端とが互い違いになるように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて第１の周波数で共振するとともに相互に電磁界結合する帯状の４個以上の第１の共振電極と、
   前記積層体の前記第１の層間とは異なる第２の層間に相互に電磁界結合するように横並びに配置された、それぞれ一方端が接地されて前記第１の周波数よりも高い第２の周波数で共振する帯状の複数の第２の共振電極と、
   前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する第３の層間に配置された、前記４個以上の第１の共振電極のうち初段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、電気信号が入力される電気信号入力点を有する帯状の第１の入力結合電極と、
   前記積層体の前記第３の層間に配置された、前記４個以上の第１の共振電極のうち最終段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合するとともに、電気信号が出力される電気信号出力点を有する帯状の第１の出力結合電極と、
   前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記複数の第２の共振電極のうち初段の前記共振電極に沿った形状で対向して電磁界結合する第２の入力結合電極と、
   前記積層体の前記第１の層間と前記第２の層間との間に位置する層間に配置された、前記複数の第２の共振電極のうち最終段の第２の共振電極と対向して電磁界結合する第２の出力結合電極とを備え、
   前記第１の共振電極および前記第２の共振電極は、前記積層体の積層方向から見て互いに直交するように配置されるとともに、前記第２の共振電極の群の幅方向の中心が、前記第１の共振電極の群の長さ方向の端から略１／３の位置に重なることを特徴とするバンドパスフィルタ。
2. 前記積層体の前記第１の層間を間に挟んで前記第３の層間と反対側に位置する第４の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の前記第１の共振電極からなる第１の共振電極の群を構成する初段の第１の共振電極の前記一方端の近傍で一方端が接地され、前記第１の共振電極の群を構成する最終段の第１の共振電極の前記一方端の近傍で他方端が接地されており、前記初段の第１の共振電極および前記最終段の第１の共振電極の前記一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第１の共振電極結合導体を備えることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
3. 前記積層体の前記第２の層間を間に挟んで前記第３の層間と反対側に位置する第５の層間に配置された、隣り合う４以上の偶数個の前記第２の共振電極からなる第２の共振電極の群を構成する初段の第２の共振電極の前記一方端の近傍で一方端が接地され、前記第２の共振電極の群を構成する最終段の第２の共振電極の前記一方端の近傍で他方端が接地されており、前記初段の第２の共振電極および前記最終段の第２の共振電極の前記一方端側にそれぞれ対向して電磁界結合する第２の共振電極結合導体を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
4. 前記積層体の前記第１の層間に平面視で前記第１の共振電極を取り囲むように形成された第１の内部接地電極を備えるとともに、前記積層体の前記第２の層間に平面視で前記第２の共振電極を取り囲むように形成された第２の内部接地電極を備えることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
5. 前記第２の入力結合電極は前記第３の層間に配置されて前記第１の入力結合電極と一体化しており、前記第２の出力結合電極は前記第３の層間に配置されて前記第１の出力結合電極と一体化していることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
6. 前記第２の入力結合電極は前記第３の層間よりも前記第２の層間に近い層間に配置されて入力側接続導体を介して前記第１の入力結合電極に接続されており、前記第２の出力結合電極は前記第３の層間よりも前記第２の層間に近い層間に配置されて出力側接続導体を介して前記第１の出力結合電極に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のバンドパスフィルタ。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のバンドパスフィルタを備えることを特徴とする無線通信モジュール。
8. 請求項１乃至請求項６のいずれかに記載のバンドパスフィルタを含むＲＦ部と、該ＲＦ部に接続されたベースバンド部と、前記ＲＦ部に接続されたアンテナとを備えることを特徴とする無線通信機器。

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