JP2007318661A - バンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 超広帯域であり、且つＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして適度な通過帯域幅を有するバンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれを用いた無線通信機器を提供する。
【解決手段】 上下面に第１および第２のアース電極21，22が配置された複数の誘電体層11からなる積層体の一つの層間に、一方端が接地された共振電極30ａ，30ｂ，30ｃが互いにインターデジタル型に配置され、積層体の異なる層間に、入力段の共振電極30ａにインターデジタル型に対向する入力結合電極40ａと、出力段の共振電極30ｂにインターデジタル型に対向する出力結合電極40ｂとが配置されたバンドパスフィルタとする。これによって、従来の１／４波長共振器を用いたバンドパスフィルタでは実現できなかった広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有する高性能なバンドパスフィルタを得ることができる。
【選択図】 図２

Description

本発明はバンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにこれを用いた無線通信機器に関するものであり、特にＵＷＢ（Ultra Wide Band）に好適に使用可能な非常に広い通過帯域を有するバンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器に関するものである。

近年、新しい通信手段としてＵＷＢが着目されている。ＵＷＢは10ｍ程度の短い距離において広い周波数帯域を使用して大容量のデータ転送を実現するものであり、例えば米国ＦＣＣ（Federal Communication Commission）の規定によると3.1〜10.6ＧＨｚの周波数帯域を使用する計画となっている。このようにＵＷＢの特徴は非常に広い周波数帯域を用いることである。

このようなＵＷＢに使用可能な超広帯域のフィルタに関する研究は近年盛んに行なわれており、例えば、方向性結合器の原理を応用したバンドパスフィルタによって、通過帯域幅が比帯域（帯域幅／中心周波数）で100％を超える広帯域な特性が得られたとの報告がある（例えば、非特許文献１を参照。）。

一方、従来よく使用されるフィルタとして、複数の１／４波長ストリップライン共振器を併設して相互に結合させて構成したバンドパスフィルタが知られている（例えば、特許文献１を参照。）。
「マイクロストリップ−ＣＰＷブロードサイド結合構造を用いた超広帯域バンドパスフィルタ」2005年３月電子情報通信学会総合大会講演論文集 C-2-114 p.147 特開2004−180032号公報（第１図）

しかしながら、上述したバンドパスフィルタはそれぞれ問題点を有しており、ＵＷＢ用のバンドパスフィルタには適さないものであった。

例えば、非特許文献１にて提案されたバンドパスフィルタは通過帯域幅が広すぎるという問題があった。すなわち、ＵＷＢは最終的に3.1ＧＨｚ〜10.6ＧＨｚの周波数帯域を使用するが、当初は3.1ＧＨｚ〜4.9ＧＨｚの周波数帯域を使用する計画となっており、比帯域で45％となる。よって、これに使用されるフィルタには比帯域で40％程度の通過帯域幅が要求される。また、Ｗ−ＬＡＮ（802.11.a）との間の影響を考慮する必要があり、5.15ＧＨｚにおける減衰が要求されている。よって、通過帯域幅が比帯域で100％を超えるような特性を有する非特許文献１にて提案されたバンドパスフィルタは通過帯域幅が広すぎて使えないものであった。

また、従来の１／４波長共振器を使用したバンドパスフィルタの通過帯域幅は狭すぎ、広帯域化を図った特許文献１に記載のバンドパスフィルタの通過帯域幅であっても比帯域で10％にも満たないものであった。よって、比帯域で40％に相当する広い通過帯域幅を要求されるＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして使えるものではなかった。

本発明はこのような従来の技術における問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、超広帯域であり、且つＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして適度な通過帯域幅を有するバンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器を提供することにある。

本発明のバンドパスフィルタは、複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、該積層体の下面に配置された、アース電位に接続される第１のアース電極と、前記積層体の上面に配置された、アース電位に接続される第２のアース電極と、前記積層体の一つの層間に相互に電磁界結合するように横並びに配置された、それぞれ一方端がアース電位に接続されて１／４波長共振器として機能する帯状の複数の共振電極と、前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に配置された、前記複数の共振電極のうち入力段の共振電極と電磁界結合する帯状の入力結合電極と、前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に配置された、前記複数の共振電極のうち出力段の共振電極と電磁界結合する帯状の出力結合電極と
を備えるバンドパスフィルタであって、前記複数の共振電極は、それぞれの前記一方端と他方端とが互い違いに配置されており、前記入力結合電極は、前記入力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路から入力される電気信号が供給される位置が長さ方向の中央よりも前記入力段の共振電極の前記他方端に近い側とされており、前記出力結合電極は、前記出力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路へ出力される電気信号が取り出される位置が長さ方向の中央よりも前記出力段の共振電極の前記他方端に近い側とされていることを特徴とするものである。

また、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記一つの層間に前記複数の共振電極の周囲を取り囲む環状に形成され、前記複数の共振電極の前記一方端が接続された、アース電位に接続される環状アース電極が配置されていることを特徴とするものである。

さらに、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に前記環状アース電極に対向する領域と前記共振電極に対向する領域とを有するように配置され、前記共振電極に対向する領域が前記共振電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第１の貫通導体によって前記共振電極の前記他方端側に接続された補助共振電極が、前記複数の共振電極の各々に対応して配置されていることを特徴とするものである。

またさらに、本発明のバンドパスフィルタは、上記構成において、前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間とさらに異なる層間に前記複数の補助共振電極のうち前記入力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域と前記入力結合電極に対向する領域とを有するように配置され、前記入力結合電極に対向する領域が前記入力結合電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第２の貫通導体によって前記入力結合電極の長さ方向の中央よりも前記入力段の共振電極の前記他方端に近い側に接続された補助入力結合電極と、前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間とさらに異なる層間に前記複数の補助共振電極のうち前記出力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域と前記出力結合電極に対向する領域とを有するように配置され、前記出力結合電極に対向する領域が前記出力結合電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第３の貫通導体によって前記出力結合電極の長さ方向の中央よりも前記出力段の共振電極の前記他方端に近い側に接続された補助出力結合電極とを備えることを特徴とするものである。

本発明の高周波モジュールは、上記各構成のいずれかの本発明のバンドパスフィルタを備えることを特徴とするものである。

本発明の無線通信機器は、上記各構成のいずれかの本発明のバンドパスフィルタまたは上記構成の本発明の高周波モジュールを用いたことを特徴とするものである。

本発明のバンドパスフィルタは、一方端がアース電位に接続されて１／４波長共振器として機能する帯状の複数の共振電極が積層体の一つの層間に相互に電磁界結合するように横並びに、且つ複数の共振電極のそれぞれの一方端と他方端とが互い違いに配置されている。複数の共振電極のそれぞれの一方端と他方端とが互い違いに配置されていることから、複数の共振電極がインターデジタル型に結合するので、磁界による結合と電界による結合とが加算され、コムライン型の結合と比較してより強い結合が生じる。これにより、それぞれの共振モードにおける共振周波数の間の周波数間隔を、従来の１／４波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた、ＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして好適な比帯域で40％程度という広い通過帯域幅を得るのに適度なものとしている。

その上で、本発明のバンドパスフィルタによれば、入力結合電極は、入力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路から入力される電気信号が供給される位置が長さ方向の中央よりも入力段の共振電極の他方端に近い側とされており、出力結合電極は、出力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路へ出力される電気信号が取り出される位置が長さ方向の中央よりも出力段の共振電極の他方端に近い側とされている。この構成により、入力結合電極と入力段の共振電極とがインターデジタル型に結合し、同様に出力結合電極と出力段の共振電極とがインターデジタル型に結合するため、前述した共振電極同士の場合と同様に、磁界による結合と電界による結合とが加算されて強い結合が生じる。これにより、従来の１／４波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた広い通過帯域であっても、それぞれの共振モードの共振周波数の間に位置する周波数における挿入損失が大きく増加することのない、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。

また、本発明のバンドパスフィルタによれば、一つの層間に複数の共振電極の周囲を取り囲む環状に形成され、複数の共振電極の一方端が接続された、アース電位に接続される環状アース電極が配置されているときには、共振電極の長さ方向の両側にアース電位に接続される電極が存在することになるため、互い違いに配置された各々の共振電極の一方端を容易にアース電位に接続することができる。

さらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、環状アース電極に対向する領域を有するように配置されて第１の貫通導体によって共振電極に接続された補助共振電極が、複数の共振電極の各々に対応して配置されているときには、各々の補助共振電極と環状アース電極との対向部において両者の間に静電容量が生じるので、各々の共振電極の長さを短縮することができ、小型のバンドパスフィルタを得ることができる。

またさらに、本発明のバンドパスフィルタによれば、入力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域を有するように配置され、入力結合電極に接続された補助入力結合電極と、出力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域を有するように配置され、出力結合電極に接続された補助出力結合電極とを備えているときには、入力段の共振電極に接続された補助共振電極と補助入力結合電極との間に電磁界結合が生じて、入力段の共振電極と入力結合電極との間の電磁界結合に加算され、同様に、出力段の共振電極に接続された補助共振電極と補助出力結合電極との間に電磁界結合が生じ、出力段の共振電極と出力結合電極との間の電磁界結合に加算される。これらによって、入力結合電極と入力段の共振電極との間の電磁界結合、および出力結合電極と出力段の共振電極との間の電磁界結合がさらに強まるので、非常に広い通過帯域幅であっても、それぞれの共振モードの共振周波数の間に位置する周波数における挿入損失の増加がさらに低減された、広い通過帯域の全域に渡ってより平坦でより低損失な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。

なお、補助入力結合電極が第２の貫通導体によって入力結合電極の長さ方向の中央よりも入力段の共振電極の他方端に近い側に接続され、同様に、補助出力結合電極が第３の貫通導体によって出力結合電極の長さ方向の中央よりも出力段の共振電極の他方端に近い側に接続されることにより、外部から入力される電気信号が補助入力結合電極を介して入力結合電極に供給され、出力結合電極から取り出される電気信号が補助出力結合電極を介して外部回路へ出力される場合においても、入力結合電極と入力段の共振電極とがインターデジタル型に結合され、出力結合電極と出力段の共振電極とがインターデジタル型に結合されることになり、磁界による結合と電界による結合とが加算された強い結合を生じさせることができる。

本発明の高周波モジュールおよび本発明の無線通信機器によれば、通信帯域の全域に渡って通過する信号の損失が小さい本発明のバンドパスフィルタを送信信号および受信信号の濾波に用いることにより、バンドパスフィルタを通過する受信信号および送信信号の減衰が少なくなるため、受信感度が向上し、また、送信信号をおよび受信信号の増幅度を小さくできるため増幅回路における消費電力が少なくなる。よって受信感度が高く消費電力が少ない高性能な高周波モジュールおよび無線通信機器を得ることができる。

以下、本発明のバンドパスフィルタおよびそれを用いた高周波モジュールならびにそれらを用いた無線通信機器を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。

（実施の形態の第１の例）
図１は本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の一例を模式的に示す外観斜視図である。図２は図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図３は図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。図４は図１のＡ−Ａ’線断面図である。

本例のバンドパスフィルタは、複数の誘電体層11が積層されてなる積層体10と、積層体10の下面に配置された第１のアース電極21と、積層体10の上面に配置された第２のアース電極22と、積層体10の層間Ａに横並びに配置された帯状の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃと、同じく積層体10の層間Ａに共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの周囲を取り囲む環状に形成され、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの一方端が接続された、環状アース電極23と、積層体10の異なる層間Ｂに入力段の共振電極30ａに対向するように配置された帯状の入力結合電極40ａと、同じく積層体10の層間Ｂに出力段の共振電極30ｂに対向するように配置された帯状の出力結合電極40ｂと、同じく積層体10の層間Ｂに環状アース電極23に対向するように配置され、誘電体層11を貫通する第１の貫通導体51ａ，51ｂ，51ｃによって共振電極30ａ，30ｂ，30ｃにそれぞれ接続された補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと、積層体10の更に異なる層間Ｃに補助共振電極31ａに対向するように配置されて誘電体層11を貫通する第２の貫通導体52ａによって入力段の共振電極30ａに接続された補助入力結合電極41ａと、同じく積層体10の層間Ｃに補助共振電極31ｂに対向するように配置されて誘電体層11を貫通する第３の貫通導体52ｂによって出力段の共振電極30ｂに接続された補助出力結合電極41ｂと、積層体10の上面に配置され、誘電体層11を貫通する第４の貫通導体53ａによって補助入力結合電極41ａに接続された入力端子電極60ａと、同じく積層体10の上面に配置され、誘電体層11を貫通する第５の貫通導体53ｂによって補助出力結合電極41ｂに接続された出力端子電極60ｂとで構成されている。

第１のアース電極21は積層体10の下面の全面に、第２のアース電極22は積層体10の上面の入力端子電極60ａおよび出力端子電極60ｂの周囲を除いたほぼ全面に配置されており、どちらもアース電位に接続されて、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃと共にストリップライン共振器を構成している。

帯状の共振電極30ａ，30ｂ，30ｃは、第１のアース電極21および第２のアース電極22と共にストリップライン共振器を構成しており、それぞれ一方端が環状アース電極23に接続されてアース電位に接続されることによって１／４波長共振器として機能する。それぞれの長さは、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと環状アース電極23との間に生じる静電容量の効果を考慮して、バンドパスフィルタの中心周波数における波長の１／４よりも短かく設定されている。例えば、中心周波数を４ＧＨｚとして誘電体層11の比誘電率を10程度とすると２〜６ｍｍ程度の長さに設定される。

また、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃは、積層体10の層間Ａに横並びに配置されて相互にエッジ結合している。共振電極30ａ，30ｂ，30ｃ同士の間隔は小さい方が強い結合が得られるが間隔を小さくすると製造が困難になるので、例えば、0.05〜0.5ｍｍ程度に設定される。さらに、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃは、それぞれの一方端と他方端とが互い違いに配置されて相互にインターデジタル型に結合しており、電界による結合と磁界による結合とが加算されて、コムライン型に結合する場合と比較して強く結合している。このように共振電極30ａ，30ｂ，30ｃを相互にエッジ結合し、且つインターデジタル型に結合することによって、それぞれの共振モードにおける共振周波数の間の周波数間隔を、従来の１／４波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた、ＵＷＢ用のバンドパスフィルタとして好適な比帯域で40％程度という広い通過帯域幅を得るのに適度なものとしている。

なお、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃをインターデジタル型に結合させ、且つ相互にブロードサイド結合させると、今度は結合が強くなりすぎて、比帯域で40％程度の通過帯域幅を実現するためには好ましくないことが検討によって分かった。

環状アース電極23は、積層体10の層間Ａに共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの周囲を取り囲む環状に形成されており、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの一方端に接続されている。そして、自身がアース電位に接続されることにより、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの一方端をアース電位に接続する機能を有する。環状アース電極23の存在によって、モジュール基板の中の一部の領域にバンドパスフィルタが形成されるような場合においても、インターデジタルに配置された共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの一方端を容易にアース電極に接続することができる。また、環状アース電極23が共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの周囲を環状に取り囲むことによって、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃから発生する電磁波の周囲への漏洩を低減することができる。この効果はモジュール基板の中の一部の領域にバンドパスフィルタが形成される場合に、モジュール基板の他の領域への悪影響を防止する上で特に有用である。さらに、環状アース電極23と補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃとの間に生じる静電容量によって、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの長さを短縮し、小型のバンドパスフィルタを実現する機能も有する。

帯状の入力結合電極40ａは、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃが配置された層間Ａとは異なる層間Ｂに、その全体が入力段の共振電極30ａに対向するように配置されており、入力段の共振電極30ａの長さ方向の半分以上に渡る領域に対向している。よって、入力結合電極40ａと入力段の共振電極30ａとはブロードサイド結合しており、エッジ結合する場合と比較して強く結合している。また、帯状の入力結合電極40ａは補助入力結合電極41ａと第２の貫通導体52ａによって接続されており、入力結合電極40ａと第２の貫通導体52ａとの接続点71ａは入力結合電極40ａの長さ方向の中央よりも入力段の共振電極30ａの他方端に近い側の端部に位置しており、反対側の端部は開放端とされている。そして、外部回路から入力される電気信号は、この接続点71ａから入力結合電極40ａに供給される。これによって、入力結合電極40ａと入力段の共振電極30ａとはインターデジタル型に結合しており、磁界による結合と電界による結合とが加算されて、コムライン型に結合する場合や単に容量結合する場合と比較してより強く結合している。このように、入力結合電極40ａは、その全体に渡って入力段の共振電極30ａとブロードサイド結合しており、且つインターデジタル型に結合しているので、入力段の共振電極30ａと非常に強く結合している。

同様に、帯状の出力結合電極40ｂは、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃが配置された層間Ａとは異なる層間Ｂに、その全体が出力段の共振電極30ｂに対向するように配置されており、出力段の共振電極30ｂの長さ方向の半分以上に渡る領域に対向している。よって、出力結合電極40ｂと出力段の共振電極30ｂとはブロードサイド結合しており、エッジ結合する場合と比較して強く結合している。また、帯状の出力結合電極40ｂは補助出力結合電極41ｂと第３の貫通導体52ｂによって接続されており、出力結合電極40ｂと第３の貫通導体52ｂとの接続点71ｂは出力結合電極40ｂの長さ方向の中央よりも出力段の共振電極30ｂの他方端に近い側の端部に位置しており、反対側の端部は開放端とされている。そして、外部回路から入力される電気信号は、この接続点71ｂから出力結合電極40ｂに供給される。これによって、出力結合電極40ｂと出力段の共振電極30ｂとはインターデジタル型に結合しており、磁界による結合と電界による結合とが加算されて、コムライン型に結合する場合や単に容量結合する場合と比較してより強く結合している。このように、出力結合電極40ｂは、その全体に渡って出力段の共振電極30ｂとブロードサイド結合しており、且つインターデジタル型に結合しているので、出力段の共振電極30ｂと非常に強く結合している。

このように入力結合電極40ａと入力段の共振電極30ａとが非常に強く結合し、出力結合電極40ｂと出力段の共振電極30ｂとが非常に強く結合しているので、従来の１／４波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた広い通過帯域であっても、それぞれの共振モードの共振周波数の間に位置する周波数における挿入損失が大きく増加することのない、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。

なお、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂの形状寸法は入力段の共振電極30ａおよび出力段の共振電極30ｂと同程度に設定されるのが好ましい。入力結合電極40ａと入力段の共振電極30ａとの間隔、および出力結合電極40ｂと出力段の共振電極30ｂとの間隔については、小さくすると結合は強くなるが製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、積層体10の層間Ｂに、それぞれ共振電極30ａ，30ｂ，30ｃに対向する領域と環状アース電極23に対向する領域とを有するように配置され、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃに対向する領域が共振電極30ａ，30ｂ，30ｃとの間に位置する誘電体層11を貫通する第１の貫通導体51ａ，51ｂ，51ｃによって共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの他方端側に接続されている。環状アース電極23に対向する領域において環状アース電極23との間に静電容量が発生し、これによって共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの長さを短縮することができるため、これによって小型のバンドパスフィルタを得ることができる。

また、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃはそれぞれ共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの他方端部分に接続されて、そこから共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの一方端と反対側に向かって延出されていることから、後に詳しく述べるように、入力段の共振電極30ａおよびそれに接続された補助共振電極31ａの接合体と、入力結合電極40ａおよびそれに接続された補助入力結合電極41ａの接合体とが、全体的にブロードサイド結合し、且つインターデジタル型に結合することによって非常に強く結合し、同様に、出力段の共振電極30ｂおよびそれに接続された補助共振電極31ｂの接合体と、出力結合電極40ｂおよびそれに接続された補助出力結合電極41ｂの接合体とが全体的にブロードサイド結合し、且つインターデジタル型に結合することによって非常に強く結合することを可能にしている。

補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと環状アース電極23との対向部の面積は、必要な大きさと得られる静電容量との兼ね合いから、例えば、0.01〜３ｍｍ^２程度に設定される。補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと環状アース電極23との対向部の間隔は小さい方が大きな静電容量を生じさせることができるが製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

補助入力結合電極41ａは帯状であり、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂが配置された層間Ｂとは異なる層間Ｃに、入力段の共振電極30ａに接続された補助共振電極31ａに対向する領域と、入力結合電極40ａに対向する領域とを有するように配置され、入力結合電極40ａに対向する領域が入力結合電極40ａとの間に位置する誘電体層11を貫通する第２の貫通導体52ａによって入力結合電極40ａに接続されている。これによって、入力結合電極40ａに接続された補助入力結合電極41ａと、入力段の共振電極30ａに接続された補助共振電極31ａとがブロードサイド結合し、この結合が入力結合電極40ａと入力段の共振電極30ａとの間の結合に加算されるため、全体としてより強い結合となる。

さらに、補助入力結合電極41ａの長さ方向における第２の貫通導体52ａに接続された側と反対側の端部が第４の貫通導体53ａによって積層体10の上面に配置された入力端子電極60ａに接続されていることから、入力段の共振電極30ａおよびそれに接続された補助共振電極31ａの接合体と、入力結合電極40ａおよびそれに接続された補助入力結合電極41ａの接合体とが、全体的にインターデジタル型に結合することになるので、磁界による結合と電界による結合とが加算された強い結合となる。よって、補助入力結合電極41ａの長さ方向において、入力結合電極40ａに接続される側と同じ側で入力端子電極60ａに接続される場合と比較して、より強い結合を実現することができる。

補助出力結合電極41ｂは帯状であり、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂが配置された層間Ｂとは異なる層間Ｃに、出力段の共振電極30ｂに接続された補助共振電極31ｂに対向する領域と、出力結合電極40ｂに対向する領域とを有するように配置され、出力結合電極40ｂに対向する領域が出力結合電極40ｂとの間に位置する誘電体層11を貫通する第３の貫通導体52ｂによって出力結合電極40ｂに接続されている。これによって、出力結合電極40ｂに接続された補助出力結合電極41ｂと、出力段の共振電極30ｂに接続された補助共振電極31ｂとがブロードサイド結合し、この結合が出力結合電極40ｂと出力段の共振電極30ｂとの間の結合に加算されるため、全体としてより強い結合となる。

さらに、補助出力結合電極41ｂの長さ方向における第３の貫通導体52ｂに接続された側と反対側の端部が第５の貫通導体53ｂによって積層体10の上面に配置された出力端子電極60ｂに接続されていることから、出力段の共振電極30ｂおよびそれに接続された補助共振電極31ｂの接合体と、出力結合電極40ｂおよびそれに接続された補助出力結合電極41ｂの接合体とが、全体的にインターデジタル型に結合することになるので、磁界による結合と電界による結合とが加算された強い結合となる。よって、補助出力結合電極41ｂの長さ方向において、出力結合電極40ｂに接続される側と同じ側で出力端子電極60ｂに接続される場合と比較して、より強い結合を実現することができる。

このように、入力段の共振電極30ａおよびそれに接続された補助共振電極31ａの接合体と、入力結合電極40ａおよびそれに接続された補助入力結合電極41ａの接合体とが、全体的にブロードサイド結合し、且つインターデジタル型に結合することによって非常に強く結合し、同様に、出力段の共振電極30ｂおよびそれに接続された補助共振電極31ｂの接合体と、出力結合電極40ｂおよびそれに接続された補助出力結合電極41ｂの接合体とが全体的にブロードサイド結合し、且つインターデジタル型に結合することによって非常に強く結合するので、非常に広い通過帯域であっても、それぞれの共振モードの共振周波数の間に位置する周波数における挿入損失の増加がさらに小さくなり、広い通過帯域の全域に渡ってより平坦でより低損失な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。

なお、補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂの幅は、例えば、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂと同程度に設定され、補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂの長さは、例えば、補助共振電極31ａ，31ｂの長さよりも若干長めに設定される。補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂと補助共振電極31ａ，31ｂとの間の間隔は、小さい方が強い結合を生じさせる点で望ましいが製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

このようにして、本例のバンドパスフィルタによれば、従来の１／４波長共振器を利用したフィルタで実現可能だった領域を遙かに超えた比帯域で40％という非常に広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失な通過特性を有する、高性能でＵＷＢ用フィルタとして好適に使用可能なバンドパスフィルタを得ることができる。

（実施の形態の第２の例）
図５は本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例を模式的に示す外観斜視図である。図６は図５に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図７は図５に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。図８は図５のＡ−Ａ’線断面図である。なお、本例においては前述した第１の例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。

本例のバンドパスフィルタにおける特徴的な部分は、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃおよび環状アース電極23が配置された層間Ａに対して補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが配置された層間Ｂと反対側に位置する層間Ｄに、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃに対向する領域と環状アース電極23に対向する領域とを有するように配置され、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃに対向する領域が共振電極30ａ，30ｂ，30ｃとの間に位置する誘電体層11を貫通する第６の貫通導体54ａ，54ｂ，54ｃによって共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの他方端側に接続された第２の補助共振電極32ａ，32ｂ，32ｃが配置されていることである。

これによって、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃと環状アース電極23との間の静電容量に、第２の補助共振電極32ａ，32ｂ，32ｃと環状アース電極23との間の静電容量が加算されるので、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの開放端とアース電位との間の静電容量がさらに増加し、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの長さをさらに短縮することができるので、より小型のバンドパスフィルタを得ることができる。また、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの開放端とアース電位との間の静電容量を増加させない場合は、前述した本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタと比較して、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃおよび第２の補助共振電極32ａ，32ｂ，32ｃの平面形状を小さくできるため、この場合においても、より小型のバンドパスフィルタを得ることができる。第２の補助共振電極32ａ，32ｂ，32ｃと環状アース電極23との対向部の面積は、必要な大きさと得られる静電容量との兼ね合いから、例えば、0.01〜３ｍｍ^２程度に設定される。第２の補助共振電極32ａ，32ｂ，32ｃと環状アース電極23との対向部の間隔は小さい方が大きな静電容量を生じさせることができるが製造上は難しくなるので、例えば、0.01〜0.5ｍｍ程度に設定される。

このように、本例のバンドパスフィルタによれば、前述した本発明の実施の形態の第１の例のバンドパスフィルタと比較して、より小型のバンドパスフィルタを得ることができる。

（実施の形態の第３の例）
図９は本発明のバンドパスフィルタの実施の形態のさらに他の例を模式的に示す外観斜視図である。図10は図９に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。図11は図９に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。図12は図９のＡ−Ａ’線断面図である。なお、本例においては前述した例と異なる点のみについて説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略する。

本例のバンドパスフィルタにおける特徴的な部分は、補助入力結合電極41ａ，補助出力結合電極41ｂが配置された層間Ｃに対して、入力結合電極40ａ，出力結合電極40ｂ，補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが配置された層間Ｂと反対側に位置する積層体10の層間Ｅに、
その一部が補助入力結合電極41ａに対向する第１の入力結合強化電極81ａ、およびその一部が補助出力結合電極41ｂに対向する第１の出力結合強化電極81ｂが配置されており、さらに、第１の入力結合強化電極81ａ，第１の出力結合強化電極81ｂが配置された層間Ｅに対して、補助入力結合電極41ａ，補助出力結合電極41ｂが配置された層間Ｃと反対側に位置する積層体10の層間Ｆに、その一部が第１の入力結合強化電極81ａに対向する第２の補助入力結合電極42ａ、およびその一部が第１の出力結合強化電極81ｂに対向する第２の補助出力結合電極42ｂが配置されており、さらに、第２の補助入力結合電極42ａ，第２の補助出力結合電極42ｂが配置された層間Ｆに対して、第１の入力結合強化電極81ａ，第１の出力結合強化電極81ｂが配置された層間Ｅと反対側に位置する積層体10の層間Ｇに、その一部が第２の補助入力結合電極42ａに対向する第２の入力結合強化電極82ａ、およびその一部が第２の補助出力結合電極42ｂに対向する第２の出力結合強化電極82ｂが配置されていることである。

また、第２の補助入力結合電極42ａは、補助入力結合電極41ａと入力端子電極60ａとを接続する第４の貫通導体53ａに接続されており、第２の補助出力結合電極42ｂは、補助出力結合電極41ｂと出力端子電極60ｂとを接続する第５の貫通導体53ｂに接続されている。そして、第１の入力結合強化電極81ａおよび第２の入力結合強化電極82ａは第７の貫通導体55ａによって、入力段の共振電極30ａに接続された補助共振電極31ａに接続されており、第１の出力結合強化電極81ｂおよび第２の出力結合強化電極82ｂは第８の貫通導体55ｂによって、出力段の共振電極30ｂに接続された補助共振電極31ｂに接続されている。

このような構成を有する本例のバンドパスフィルタによれば、第１の入力結合強化電極81ａおよび第２の入力結合強化電極82ａと補助入力結合電極41ａおよび第２の補助入力結合電極42ａとの結合が、入力結合電極40ａおよび補助入力結合電極41ａと入力段の共振電極30ａおよびそれに接続された補助共振電極31ａとの結合に加算されて、より強い結合になる。同様に、第１の出力結合強化電極81ｂおよび第２の出力結合強化電極82ｂと補助出力結合電極41ｂおよび第２の補助出力結合電極42ｂとの結合が、出力結合電極40ｂおよび補助出力結合電極41ｂと出力段の共振電極30ｂおよびこれに接続された補助共振電極31ｂとの結合に加算されて、より強い結合になる。これによって、非常に広い通過帯域幅であっても、それぞれの共振モードの共振周波数の間に位置する周波数における挿入損失の増加がさらに小さくなり、非常に広い通過帯域の全域に渡ってより平坦でより低損失な通過特性を有するバンドパスフィルタを得ることができる。

（実施の形態の第４の例）
図13は本発明のバンドパスフィルタを用いた高周波モジュール80およびそれを用いた無線通信機器85の構成例を示すブロック図である。

本発明の高周波モジュール80は、媒体アクセス制御を行なうＭＡＣ（Medium Access Control）ＩＣ81と、それに接続された、マルチバンドのＯＦＤＭ（Orthogonal Frequency Division Multiplexing）信号の送受信を行なうＰＨＹ（physical layer）ＩＣ82と、それに接続されたバンドパスフィルタ83とによって構成されており、このバンドパスフィルタ83にアンテナ84を接続することによって本発明の無線通信機器85が構成される。ＰＨＹ IＣ82から出力された送信信号は、バンドパスフィルタ83を通過する際に通信帯域以外の周波数の信号が減衰されてアンテナ84から送信される。また、アンテナ84で受信された受信信号は、バンドパスフィルタ83を通過する際に通信帯域以外の周波数の信号が減衰されてＰＨＹ ＩＣに入力される。

本発明の高周波モジュール80および無線通信機器85によれば、通信帯域の全域に渡って通過する信号の損失が小さい本発明のバンドパスフィルタを送信信号および受信信号の濾波に用いることにより、バンドパスフィルタを通過する受信信号および送信信号の減衰が少なくなるため、受信感度が向上し、また、送信信号をおよび受信信号の増幅度を小さくすることができるため増幅回路における消費電力が少なくなる。よって、受信感度が高く消費電力が少ない高性能な高周波モジュール80および無線通信機器85を得ることができる。

本発明のバンドパスフィルタにおいて、誘電体層11の材質としては、例えばエポキシ樹脂等の樹脂や例えば誘電体セラミックス等のセラミックスを用いることができる。例えば、ＢａＴｉＯ_３，Ｐｂ_４Ｆｅ_２Ｎｂ_２Ｏ_１２，ＴｉＯ_２などの誘電体セラミック材料と、Ｂ_２Ｏ_３，ＳｉＯ_２，Ａｌ_２Ｏ_３，ＺｎＯなどのガラス材料とからなり、800〜1200℃程度の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられる。また、誘電体層11の厚みとしては、例えば0.01〜0.1ｍｍ程度に設定される。

上述した各種の電極および貫通導体の材質としては、例えば、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｔ等のＡｇ合金を主成分とする導電材料やＣｕ系，Ｗ系，Ｍｏ系，Ｐｄ系導電材料等が好適に用いられる。各種の電極の厚みは、例えば0.001〜0.2ｍｍに設定される。

本発明のバンドパスフィルタは、例えば、次のようにして作製できる。まず、セラミック原料粉末に適当な有機溶剤等を添加・混合して泥漿状にするとともに、ドクターブレード法によってセラミックグリーンシートを形成する。次に、得られたセラミックグリーンシートにパンチングマシーン等を用いて貫通導体となる貫通孔を形成し、Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ａｕ，Ｃｕ等の導体ペーストを充填することで貫通導体を形成する。次に、セラミックグリーンシートに印刷法を用いて上述した各種の電極を形成する。次に、これらを積層し、ホットプレス装置を用いて圧着し、800〜1050℃で焼成することにより作製される。

（変形例）
本発明は上述した実施の形態の第１〜第４の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更，改良が可能である。

図14は本発明のバンドパスフィルタの第１の変形例を模式的に示す分解斜視図である。図15は本発明のバンドパスフィルタの第２の変形例を模式的に示す分解斜視図であり、モジュール基板中の一領域に本発明のバンドパスフィルタが形成されている場合におけるバンドパスフィルタの形成領域のみを示すものである。

なお、これらの変形例においても、上述した実施の形態の例と異なる点についてのみ説明し、同様の構成要素については同一の参照符号を用いて重複する説明を省略するものとする。

例えば、上述した実施の形態の例においては、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃおよび補助入力結合電極41ａ，補助出力結合電極41ｂを備えた例を示したが、例えば、図14に示すバンドパスフィルタのように、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃおよび補助入力結合電極41ａ，補助出力結合電極41ｂを備えない構成にしても構わない。平面形状が大型化しても問題とならない場合においては補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは必ずしも必要ではなく、その場合は当然のことながら補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂも不要となる。

また、上述した実施の形態の例においては、入力端子電極60ａおよび出力端子電極60ｂを備えた例を示したが、モジュール基板の中の一領域にバンドパスフィルタが形成される場合は入力端子電極60ａおよび出力端子電極60ｂは必ずしも必要なく、例えば、図15に示すバンドパスフィルタのように、モジュール基板内の外部回路からの入力配線電極90ａおよびモジュール基板内の外部回路への出力配線電極90ｂが、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂに直接接続するようにしても構わない。この場合は、入力結合電極40ａと入力配線電極90ａとの接続点91ａが、外部回路から入力される電気信号が入力結合電極40ａに供給される位置となり、出力結合電極40ｂと出力配線電極90ｂとの接続点92ｂが、外部回路へ出力される電気信号が出力結合電極40ｂから取り出される位置となる。

さらに、上述した実施の形態の例においては、入力結合電極40ａ，出力結合電極40ｂ，補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃが、積層体10の同じ層間Ｂに配置された例を示したが、入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂと補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃとが、積層体10の異なる層間に配置されるようにしてもよく、入力結合電極40ａと出力結合電極40ｂとが積層体10の異なる層間に配置されるようにしてもよく、補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃ同士が積層体10の異なる層間に配置されるようにしても構わない。

またさらに、上述した実施の形態の例においては、補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂが積層体10の同じ層間Ｃに配置された例を示したが、補助入力結合電極41ａと補助出力結合電極41ｂとが積層体10の異なる層間に配置されるようにしても構わない。

さらにまた、上述した実施の形態の例においては、３つの共振電極30ａ，30ｂ，30ｃを電磁界結合させてバンドパスフィルタを構成した例を示したが、例えば、２つ或いは４つ以上の共振電極を電磁界結合させてバンドパスフィルタを構成しても構わない。要求される電気特性および許容される形状寸法に応じて選択することができる。

またさらに、上述した実施の形態の例においては、積層体10の下面に第１のアース電極21を配置し、積層体10の上面に第２のアース電極22を配置した例を示したが、例えば、第１のアース電極21の下にさらに誘電体層を配置しても構わないし、第２のアース電極22の上にさらに誘電体層を配置しても構わない。

さらにまた、上述した実施の形態の例においては、媒体アクセス制御を行なうＭＡＣ ＩＣ81と、それに接続された、ＰＨＹ ＩＣ82と、それに接続されたバンドパスフィルタ83とによって構成された高周波モジュール80の例を示したが、ＭＡＣ ＩＣ81とＰＨＹ ＩＣ82とが一体化した１チップＩＣを用いても構わない。また、例えば、ＰＨＹ ＩＣ82およびそれに接続されたバンドパスフィルタ83のみによって高周波モジュールを構成し、それにＭＡＣ ＩＣ81およびアンテナ84を接続することによって無線通信機器85を構成するようにしても構わない。

またさらに、ＵＷＢに用いられるバンドパスフィルタを例示してこれまで説明を行なってきたが、広帯域を要求される他の用途においても本発明のバンドパスフィルタが有効であることは言うまでもない。

次に、本発明の電子部品の具体例について説明する。

図１〜図５に示す構造を有するバンドパスフィルタの電気特性を有限要素法を用いたシミュレーションによって算出した。算出条件は、物性値としては、誘電体層11の比誘電率＝9.4，誘電体層11の誘電正接＝0.0005，各種電極の導電率＝3.0×10^７Ｓ／ｍとした。形状寸法としては、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃは幅0.4ｍｍ，長さ2.9ｍｍとし、隣り合う共振電極同士の間隔は0.13ｍｍとした。入力結合電極40ａおよび出力結合電極40ｂは幅0.3ｍｍ，長さ2.5ｍｍとし、補助入力結合電極41ａおよび補助出力結合電極41ｂは幅0.3ｍｍ，長さ1.45ｍｍとした。補助共振電極31ａ，31ｂ，31ｃは、共振電極30ａ，30ｂ，30ｃの他方端から0.3ｍｍ離れた場所に配置した幅0.45ｍｍ，長さ0.8ｍｍの矩形と、それから共振電極30ａ，30ｂ，30ｃに向かう幅0.2ｍｍ，長さ0.4ｍｍの矩形とを接合した形状とした。入力端子電極60ａおよび出力端子電極60ｂは一辺が0.3ｍｍの正方形とし、第２のアース電極22との間隔は0.2ｍｍとした。第１のアース電極21，第２のアース電極22，環状アース電極23の外形は幅３ｍｍ，長さ５ｍｍとし、環状アース電極23の開口部は幅2.4ｍｍ，長さ３ｍｍとした。バンドパスフィルタ全体の形状は幅３ｍｍ，長さ５ｍｍ，厚み0.91ｍｍとし、厚み方向の中央に層間Ａが位置するようにした。層間Ａと層間Ｂとの間、および層間Ｂと層間Ｃとの間の間隔はそれぞれ0.065ｍｍとした。各種電極の厚みは0.01ｍｍとし、各種貫通導体の直径は0.1ｍｍとした。

図16はそのシミュレーション結果を示すグラフであり、横軸は周波数，縦軸は損失を表しており、通過特性（Ｓ21）と反射特性（Ｓ11）を示している。図16に示すグラフによれば、通過特性（Ｓ21）において、従来の１／４波長共振器を用いたフィルタで実現されていた領域よりも遙かに広い、比帯域で40％に相当する3.2ＧＨｚ〜4.7ＧＨｚの周波数範囲で1.5ｄＢ未満の損失となっている。このように、広い通過帯域の全域に渡って平坦で低損失である優れた通過特性が得られており、本発明の有効性が確認できた。

本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の一例を模式的に示す外観斜視図である。 図１に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。 図１に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。 図１のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明のバンドパスフィルタの実施の形態の他の例を模式的に示す外観斜視図である。 図５に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。 図５に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。 図５のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明のバンドパスフィルタの実施の形態のさらに他の例を模式的に示す外観斜視図である。 図９に示すバンドパスフィルタの模式的な分解斜視図である。 図９に示すバンドパスフィルタの上下面および層間を模式的に示す平面図である。 図９のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明のバンドパスフィルタを用いた高周波モジュールおよびそれを用いた無線通信機器の構成例を示すブロック図である。 本発明のバンドパスフィルタの第１の変形例を模式的に示す分解斜視図である。 本発明のバンドパスフィルタの第２の変形例を模式的に示す分解斜視図である。 本発明のバンドパスフィルタの電気特性のシミュレーション結果を示す図である。

符号の説明

10：積層体
11：誘電体層
21：第１のアース電極
22：第２のアース電極
23：環状アース電極
30ａ，30ｂ，30ｃ：共振電極
31ａ，31ｂ，31ｃ：補助共振電極
40ａ：入力結合電極
40ｂ：出力結合電極
41ａ：補助入力結合電極
41ｂ：補助出力結合電極
51ａ，51ｂ，51ｃ：第１の貫通導体
52ａ：第２の貫通導体
52ｂ：第３の貫通導体
80：高周波モジュール
85：無線通信機器

Claims (6)

1. 複数の誘電体層が積層されてなる積層体と、
   該積層体の下面に配置された、アース電位に接続される第１のアース電極と、
   前記積層体の上面に配置された、アース電位に接続される第２のアース電極と、
   前記積層体の一つの層間に相互に電磁界結合するように横並びに配置された、それぞれ一方端がアース電位に接続されて１／４波長共振器として機能する帯状の複数の共振電極と、
   前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に配置された、前記複数の共振電極のうち入力段の共振電極と電磁界結合する帯状の入力結合電極と、
   前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に配置された、前記複数の共振電極のうち出力段の共振電極と電磁界結合する帯状の出力結合電極と
   を備えるバンドパスフィルタであって、
   前記複数の共振電極は、それぞれの前記一方端と他方端とが互い違いに配置されており、
   前記入力結合電極は、前記入力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路から入力される電気信号が供給される位置が長さ方向の中央よりも前記入力段の共振電極の前記他方端に近い側とされており、
   前記出力結合電極は、前記出力段の共振電極の長さ方向の半分以上に渡る領域に対向するように配置され、且つ外部回路へ出力される電気信号が取り出される位置が長さ方向の中央よりも前記出力段の共振電極の前記他方端に近い側とされていることを特徴とするバンドパスフィルタ。
2. 前記一つの層間に前記複数の共振電極の周囲を取り囲む環状に形成され、前記複数の共振電極の前記一方端が接続された、アース電位に接続される環状アース電極が配置されていることを特徴とする請求項１に記載のバンドパスフィルタ。
3. 前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間に前記環状アース電極に対向する領域と前記共振電極に対向する領域とを有するように配置され、前記共振電極に対向する領域が前記共振電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第１の貫通導体によって前記共振電極の前記他方端側に接続された補助共振電極が、前記複数の共振電極の各々に対応して配置されていることを特徴とする請求項２に記載のバンドパスフィルタ。
4. 前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間とさらに異なる層間に前記複数の補助共振電極のうち前記入力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域と前記入力結合電極に対向する領域とを有するように配置され、前記入力結合電極に対向する領域が前記入力結合電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第２の貫通導体によって前記入力結合電極の長さ方向の中央よりも前記入力段の共振電極の前記他方端に近い側に接続された補助入力結合電極と、
   前記積層体の前記一つの層間とは異なる層間とさらに異なる層間に前記複数の補助共振電極のうち前記出力段の共振電極に接続された補助共振電極に対向する領域と前記出力結合電極に対向する領域とを有するように配置され、前記出力結合電極に対向する領域が前記出力結合電極との間に位置する前記誘電体層を貫通する第３の貫通導体によって前記出力結合電極の長さ方向の中央よりも前記出力段の共振電極の前記他方端に近い側に接続された補助出力結合電極と
   を備えることを特徴とする請求項３に記載のバンドパスフィルタ。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のバンドパスフィルタを備えることを特徴とする高周波モジュール。
6. 請求項１乃至請求項４のいずれかに記載のバンドパスフィルタまたは請求項５に記載の高周波モジュールを用いたことを特徴とする無線通信機器。

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