JP2006222691A - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】誘電体基体1は、第1の誘電体部分41と、第2の誘電体部分42とを含む。第2の誘電体部分42は、第1の誘電体部分41よりも高い比誘電率を持ち、第1の誘電体部分41の内部に層状に備えられている。キャパシタンス成分は、第2の誘電体部分42を容量層とする。インダクタンス成分は、誘電体基体1の内部に備えられ、キャパシタンス成分と接続され、共振器を構成する。
【選択図】 図1
Description
上述のようにして得られた各集合シートを、図1に示したような順序で積層し、かつ、圧着させる。次に、単一の電子部品毎に切断し、切断して得られたものを焼成する。焼成後は、端部にゴム転写等により電極ぺーストを塗布して、入出力端子や接地端子を形成し、その後焼付ける。ここで、シート工法において説明したが、印刷工法においても製造できることはいうまでもない。
実施例1の試料として、図1〜図3に示す構成のチップ型フィルタを、シート工法により作製した。得られたチップ型積層フィルタの形状は2.0mm×1.2mm×1.0mmである。誘電体層111、112、114、115、116、及び、誘電体層113の第1の誘電体部分41は、誘電率ε1が6のセラミック誘電体材料で構成した。誘電体層113の第2の誘電体部分42は、比誘電率ε2が75のセラミック誘電体材料を用いた。
実施例2の試料として、図4に示す構成のチップ型フィルタを、シート工法により作製した。得られたチップ型積層フィルタの形状は、実施例1と同様に、2.0mm×1.2mm×1.0mmとした。誘電体層111、112、114、115、116、及び、誘電体層113の第1の誘電体部分41は、誘電率ε1が6のセラミック誘電体材料で構成した。誘電体層113の第2の誘電体部分421、422は、比誘電率ε2=75のセラミック誘電体材料を用いた。
図12は比較例として供されたチップ型フィルタの分解斜視図である。このチップ型フィルタは、基本的には、図1〜図4に示したものと基本的構造を共通にし、ただ、誘電体層113の全体を、比誘電率ε=75の高誘電率セラミック誘電体材料によって構成した点で異なる。
まず、比較例の特性を示す図13を参照すると、主たる通過帯域の3倍程度より高い周波数に於いて主モード(TEM)の高次共振による通過帯域と、更にその他のモードによる通過帯域が形成される。
41 第1の誘電体部分
42、421、422 第2の誘電体部分
111〜117 誘電体層
211、212、215 キャパシタ電極
216、219、220 キャパシタ電極
234〜237 キャパシタ電極
Claims (6)
- 誘電体基体と、キャパシタンス成分と、インダクタンス成分とを含む電子部品であって、
前記誘電体基体は、第1の誘電体部分と、第2の誘電体部分とを含み、前記第2の誘電体部分は、前記第1の誘電体部分よりも高い比誘電率を持ち、前記第1の誘電体部分の内部に層状に備えられ、
前記キャパシタンス成分は、前記第2の誘電体部分を容量層としており、
前記インダクタンス成分は、前記誘電体基体の内部に備えられ、前記キャパシタンス成分と接続され、共振器を構成する、
電子部品。 - 請求項1に記載された電子部品であって、前記共振器は、前記インダクタンス成分を生じる導体と、前記キャパシタンス成分を生じる導体とより構成されている電子部品。
- 請求項1又は2に記載された電子部品であって、前記共振器は、前記誘電体基体の内部に形成され、帯域通過又は帯域阻止フィルタの機能を有する電子部品。
- 請求項1乃至3の何れかに記載された電子部品であって、
前記共振器は、前記誘電体基体の内部に少なくとも2つ以上形成されており、
前記第2の誘電体部分は、前記共振器毎に互いに分離独立している、
電子部品。 - 請求項1乃至4の何れかに記載された電子部品であって、前記第2の誘電体部分は、少なくとも片面が、比誘電率が前記第2の誘電体部分の比誘電率よりも低い誘電体層に接している、電子部品。
- 請求項1乃至5の何れかに記載された電子部品であって、前記第2の誘電体部分は、前記キャパシタ電極の形成領域に限定して配置されている、
電子部品。
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