JP5250445B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
閉塞空間を有する処理チャンバと、
高周波電圧が印加される電極、及び、この電極の上面を覆うように設けられた絶縁体を有し、前記処理チャンバ内に配設されて、前記絶縁体上に基板が載置される基台と、
前記基台の絶縁体上に載置された基板を吸着してこの基台上に固定する吸着手段と、
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理チャンバ内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、
前記基台の電極に高周波電圧を印加する電圧印加手段と、
前記処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧する排気手段と、
環状且つ板状に形成され、その内周側縁部によって、前記基台上に載置された基板の外周側縁部上面を覆う、絶縁性を備えた保護部材と、
前記基台及び保護部材のいずれか一方を昇降させ、これを、前記基台上の基板が前記保護部材により覆われる保護位置と、覆われない退避位置との間で移動させる駆動手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記保護部材の少なくとも前記基板を覆う部分は、前記保護位置において、前記基板上面から前記保護部材上面までの高さが1mm以上5mm以下となる板厚に形成されたプラズマ処理装置に係る。
α=tan−1(W1/D)、β=tan−1(W2/D)
γ=(α+β)/2
11 処理チャンバ
15 基板保持装置
16 静電チャック
17 第1電極
18 第1絶縁体
19 直流電源
20 下部部材
21 第2電極
22 第2絶縁体
23 昇降シリンダ
25 保護部材
26 支持部材
30 排気装置
35 ガス供給装置
40 プラズマ生成装置
41 コイル
42 コイル用高周波電源
45 基台用高周波電源
Claims (3)
- 閉塞空間を有する処理チャンバと、
高周波電圧が印加される電極、及び、この電極の上面を覆うように設けられた絶縁体を有し、前記処理チャンバ内に配設されて、前記絶縁体上に基板が載置される基台と、
前記基台の絶縁体上に載置された基板を吸着してこの基台上に固定する吸着手段と、
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理チャンバ内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、
前記基台の電極に高周波電圧を印加する電圧印加手段と、
前記処理チャンバ内のガスを排気して内部を減圧する排気手段と、
環状且つ板状に形成され、その内周側縁部によって、前記基台上に載置された基板の外周側縁部上面を覆う絶縁性を備えた保護部材と、
前記基台及び保護部材のいずれか一方を昇降させ、これを、前記基台上の基板が前記保護部材により覆われる保護位置と、覆われない退避位置との間で移動させる駆動手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記保護部材の少なくとも前記基板を覆う部分は、前記保護位置において、前記基板上面から前記保護部材上面までの高さが1mm以上5mm以下となる板厚に形成され、
前記電極は、前記基板の外径よりも小径の領域である第1電極部と、これより外側の領域である第2電極部とからなり、該第2電極部は、その外径が前記基板の外径よりも大径に形成されて、その外周部が該基板よりも外側に張り出すように設けられるとともに、その上面が、前記第1電極部の上面よりも高くなるように設けられ、
前記絶縁体は、前記第1電極部の上面を覆うように設けられ、前記基板が載置される第1絶縁体部と、前記第2電極部の上面を覆うように設けられた第2絶縁体部とから構成されるとともに、該第2絶縁体部は、その前記基板の直下に対応する部分の上面が、前記第1絶縁体部の上面よりも低くなるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記第2電極部は、その外周部の、前記基台上の基板からの張出量が29mm以下となるように構成されてなることを特徴とする請求項1記載のプラズマ処理装置。
- 前記絶縁体と保護部材は同一材料から構成され、
前記絶縁体の厚さは、前記第1絶縁体部の厚さ(X)が、前記基板の直下に対応する部分の前記第2絶縁体部の厚さ(Y)よりも厚く形成され、
前記厚さ(X)は、前記厚さ(Y)と、前記基板を覆う部分の前記保護部材の板厚(Z)とを合計した値と略等しいことを特徴とする請求項1又は2記載のプラズマ処理装置。
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