JP6106162B2 - 縁部、側部及び裏面の保護を備えたドライエッチングのための装置及び方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態は、概して、基板をプラズマエッチングするための方法及び装置に関し、より具体的には、処理される基板の縁部、側部及び裏面に対する保護を備えた方法及び装置に関する。
フォトリソグラフィの際、基板(フォトマスク等)又は「レチクル」は、通常、光源と処理されるウェハとの間に配置され、これによってウェハ上にパターニングされた構造を形成する。基板は、ウェハ上に形成される構造の構成を反映したパターンを含む。
Claims (10)
- 処理容積を画定するチャンバ本体と、
処理容積内に配置され、処理中に基板を支持するための凸部を含む支持アセンブリと、
処理容積内にプラズマを発生させる又は供給するように構成されたプラズマ源と、
支持アセンブリの上方の処理容積内に移動可能に配置され、中央領域に開口が形成された縁部保護板と、
縁部保護板に結合され、処理容積内を鉛直方向に移動可能であるリフトフープと、
縁部保護板をリフトフープに固定して取り付ける複数の支持ピンと、
処理容積内で縁部保護板の上方に配置されたイオンラジカルシールドと、
イオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚を含み、縁部保護板は複数の貫通穴を有し、複数の支持脚の各々が縁部保護板の複数の貫通孔のうちの1つを通過し、これによって縁部保護板はイオンラジカルシールドとは独立して移動でき、複数の支持ピンの各々は、イオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚の1つに近接して配置され、これによって支持ピン間においてチャンバ本体の内外に基板を搬送でき、縁部保護板が位置決めされた鉛直方向の高さによって、開口を通って基板縁部表面に沿って基板の外方部分を通ってチャンバ本体の下部へと流れる処理ガス又は活性種の経路を制御することができる基板処理装置。 - リフトフープから延びるシャフトを含み、リフトフープは支持アセンブリの周りに配置され、シャフトはリフトフープをアクチュエータに接続する請求項1記載の装置。
- 縁部保護板の周辺部の周囲に配置された縁部シールドを含む請求項1記載の装置。
- 開口は処理される基板と実質的に類似した形状で基板よりも小さい請求項1記載の装置。
- 処理容積を画定し、チャンバ壁と、チャンバ壁の上に配置されたチャンバ蓋とを含むチャンバ本体と、
処理容積内に配置され、処理中に基板を支持するための凸部を含む支持アセンブリと、
処理容積内にプラズマを発生させるように構成されたチャンバ蓋の上方に配置されたアンテナと、
処理容積内に配置された縁部保護アセンブリであって、縁部保護アセンブリは、
アクチュエータと、
支持アセンブリの上方に配置された開口を有する縁部保護板と、
縁部保護板に結合され、処理容積内を鉛直方向に移動可能であるリフトフープと、
縁部保護板をリフトフープに固定して取り付ける複数の支持ピンと、
リフトフープをアクチュエータに結合するシャフトを含み、縁部保護板の昇降はアクチュエータによって制御される縁部保護アセンブリと、
処理容積内で縁部保護板の上方に配置されたイオンラジカルシールドと、
縁部保護板を貫通してイオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚を含み、縁部保護板はイオンラジカルシールドとは独立して移動でき、複数の支持ピンの各々は、イオンラジカルシールドを支持する複数の支持脚の1つに近接して配置され、これによって支持ピン間においてチャンバ本体の内外に基板を搬送でき、縁部保護板が位置決めされた鉛直方向の高さによって、開口を通って基板縁部表面に沿って基板の外方部分を通ってチャンバ本体の下部へと流れる処理ガス又は活性種の経路を制御することができる縁部保護アセンブリを含む基板処理装置。 - 縁部保護板の開口は正方形である請求項5記載の装置。
- 縁部保護板は石英又はセラミックスから形成される請求項1又は5記載の装置。
- プラズマ処理チャンバ用縁部保護板であって、
少なくとも6インチ(152.4mm)の外径を有するディスクを含み、ディスクの中央部を貫通して矩形状の開口が形成され、イオンラジカルシールドの平板を支持する複数の支持脚を収容するための複数の穴が、縁部保護板をリフトフープに固定して取り付ける複数の支持ピンの取り付け部分に近接してディスクの周辺部に形成され、ディスクは石英又はセラミックスを含む縁部保護板。 - 開口の内壁は段差のある断面形状を有する請求項8記載の縁部保護板。
- 開口は上穴及び下穴によって画定され、下穴が上穴よりも大きい請求項4、6、又は9のいずれか1項記載の発明。
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US20060000802A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Ajay Kumar | Method and apparatus for photomask plasma etching |
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US7909961B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-03-22 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7943005B2 (en) * | 2006-10-30 | 2011-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for photomask plasma etching |
US7780866B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-08-24 | Applied Materials, Inc. | Method of plasma confinement for enhancing magnetic control of plasma radial distribution |
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JP4623055B2 (ja) | 2007-05-23 | 2011-02-02 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | メタル成膜装置におけるメタル膜剥離防止構造及び当該構造を用いる半導体装置の製造方法 |
US7988815B2 (en) | 2007-07-26 | 2011-08-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with reduced electrical skew using electrical bypass elements |
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JP5086192B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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JP5250445B2 (ja) * | 2009-02-16 | 2013-07-31 | Sppテクノロジーズ株式会社 | プラズマ処理装置 |
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