JP5249121B2 - 低温焼成高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法 - Google Patents
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[1](A)Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物であって、a1とa2とa3とa4の割合(質量%比)α:β:γ:δ=7.6〜13.2:4.0〜10.3:13.0〜30.4:53.7〜72.8の範囲にある仮焼物75〜96質量%と
(B)Bi2O34〜25質量%を含有し、850〜900℃の温度で焼成して式(1)
で示される高強度低熱膨張性磁器を生成する高強度低熱膨張性磁器用組成物。
[2]Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物を750〜1000℃の温度で焼成した仮焼物を0.2〜5μmに微粉砕して、これにBi2O3を所定量混合して850〜900℃で焼結させた前項1に記載の高強度低熱膨張性磁器用組成物。
[3]前記a1、a2、a3及びa4の混合物の一部として、Li2OとAl2O3とSiO2との複合酸化物であるβ−スポジュメンを含む前項1または2に記載の高強度低熱膨張性磁器用組成物。
[4]式(1)
で示される組成を有する複合酸化物を含む高強度低熱膨張性磁器。
[5]前記複合酸化物が、β−スポジュメン系結晶相及び/またはLi2O・Al2O3・SiO2系結晶相、Li2O・SiO2系結晶相、及びMgO・SiO2系結晶相を含む前項4に記載の高強度低熱膨張性磁器。
[6]β−スポジュメン系結晶相及び/またはLi2O・Al2O3・SiO2系結晶相、Li2O・SiO2系結晶相、及びMgO・SiO2系結晶相を前記磁器の全体積の80%以上含む前項5に記載の高強度低熱膨張性磁器。
[7]抗折強度が150MPa以上である前項4〜6のいずれか1項記載の高強度低熱膨張性磁器。
[8]25〜400℃における線熱膨張係数が0〜5×10-6/℃である前項4〜7のいずれか1項記載の高強度低熱膨張性磁器。
[9]陽極接合時の伝導イオンをLiイオンとし、300〜350℃の温度で陽極接合可能な、式(1)
で示される組成を有する複合酸化物を含む高強度低熱膨張性磁器。
[10]
シリコン、GaAs、コバール、Al、またはTiと陽極接合可能な前項9に記載の高強度低熱膨張性磁器。
[11](A)Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物であって、a1とa2とa3とa4の質量%比α:β:γ:δ=7.6〜13.2:4.0〜10.3:13.0〜30.4:53.7〜72.8の範囲にある混合物を750〜1000℃の温度で焼成粉砕した仮焼物75〜96質量%に
(B)Bi2O34〜25質量%を添加混合して、バインダーを含む成形助剤を加え所定形状に成形後、850〜900℃で焼成して、式(1)
で示される組成を有する複合酸化物を形成することを特徴とする高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
[12]テープ成形法により成形した絶縁層形成用のグリーンシートを焼成する前項11記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
本発明の低温焼成可能な高強度低熱膨張性磁器用組成物は、
(A)Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物であって、a1とa2とa3とa4の割合(質量%比)α:β:γ:δ=7.6〜13.2:4.0〜10.3:13.0〜30.4:53.7〜72.8の範囲にある仮焼物75〜96質量%と
(B)Bi2O34〜25質量%を含有し、850〜900℃の温度で焼成して式(1)
本発明の高強度低熱膨張性磁器は、前記組成物からなる原料粉を750〜1000℃で仮焼後粉砕して粉末とし、これにBi2O3を加え、バインダーを含む成形助剤を加え所定形状に成形後、850〜900℃の温度で焼成して複合酸化物を形成することにより製造できる。
本発明の磁器用組成物によれば850〜900℃の低温焼成可能で、Ag、Au、Cu等の低融点・低抵抗な導体との同時焼成が可能であり、本発明の磁器用組成物を焼結した磁器は、室温(RT=25℃)〜400℃での線熱膨張係数が0〜5×10-6/℃と小さく、かつ抗折強度が150MPa以上の高強度を有する。
本発明の高強度低熱膨張性磁器は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)実装用基板の作成に必須な接合技術である陽極接合が可能である。
本発明の高強度低熱膨張性磁器は、陽極接合時の伝導イオンを従来のNaから、よりイオン半径の小さいLiに変えたことによって、MEMSに与える影響の少ない好適な温度範囲(300〜350℃)での陽極接合が可能である。
平均粒径が1μm以下の、Li2CO3、MgO、Al2O3、SiO2を酸化物換算の含有比が表1の割合となるようにボールミル中で混合し、750〜1000℃で仮焼後、0.2〜5μmまで微粉砕して粉末とした。これらの仮焼物に表1の割合でBi2O3を添加し、有機バインダー(ポリビニルアルコール)、可塑剤(ジブチルフタレート)、トルエンを添加混合して、ドクターブレード法により厚さ150μmのグリーンシートを作成した。このグリーンシートを5枚積層し、70℃の温度で150kg/cm2の圧力を加えて熱圧着した。得られた積層体を大気中で、500℃で脱バインダーした後、大気中で表1の温度条件下で焼成して多層基板用磁器を得た。
Lithium Silicate:Li2SiO3、Li2Si2O5など、
Lithium Aluminum Silicate :スポジュメン(LiAlSi2O6)など、
Enstatite :MgSiO3、
Bismuth Silicate:Eulytite、Bi2O2・SiO3など、
Forsterite:Mg2SiO4。
これに対して、Li2Oの含有量が過少の場合には焼結せず(比較例1)、過多の場合には線熱膨張係数が5×10-6/℃を超え(比較例2)、MgOを含まない場合には焼結せず(比較例9)、MgOの含有量が過多の場合には線熱膨張係数が5×10-6/℃を超え(比較例5〜6)、Al2O3の含有量が過多の場合には焼結しない(比較例7)。またBi2O3の含有量が過少の場合には焼結せず(比較例3)、過多の場合には抗折強度が低くなる(比較例4)。
実施例で焼結した基板8水準を準備し、陽極接合性能を評価した。前記基板8水準、各1枚を20mm□にダイシングし、板厚み0.3mmに鏡面研磨した。この基板とシリコンとを加熱したホットプレート上でシリコンが正極、基板が負極になるように直流電圧(600VDC)を印加して陽極接合を行った。陽極接合回路上に電圧検出用の抵抗素子を挿入し、その抵抗素子にかかる電圧をモニタリングし、接合電流が接合時間とともにどのように変化するかをチェックした。
なお、焼き上がった状態の基板の表面粗さ(Ra:中心線平均粗さ)は200nm程度であったが、本発明では、鏡面研磨加工レベルを上げることにより、パイレックス(登録商標)ガラス(商品名;コーニング社製のホウケイ酸ガラス)と同等の表面粗さ(数nmRa)にまで仕上げた。この鏡面研磨した基板を用いて、300℃、330℃、及び360℃で陽極接合を行った。
得られた陽極接合体にガラス切りで傷をつけて手で分割し、破断面をSEMで観察した。結果は表2に示す通り、全水準でシリコンと低温焼結基板が連続した破断面になっており、不連続点(デラミネーション)はなく、強固に接合できている(OK)ことが観察された。
すなわち、陽極接合できるガラスとして市販されているガラス粉末(SiO2:81.9〜82.4質量%、Al2O3:2.9〜3.2質量%、B2O3:10.5〜11.0質量%、Na2O:3.9〜4.7質量%、K2O、Fe2O3、CaO、MgOはいずれも0.1%以下)55〜60質量%を平均粒径(D50)で0.6〜2.5μmに粉砕し、平均粒径1〜3μmのアルミナ粉末8〜25質量%および平均粒径1〜3μmのコージェライト粉末(ガラス再結晶タイプ)18〜34質量%と混合した。この混合物に溶剤としてトルエンを加えてボールミル中で分散したあと、バインダーとしてポリビニルアルコール、可塑剤としてジブチルフタレート(DBP)を加えスラリーを作製した。得られたスラリーをドクターブレード法でシート状に成形し、乾燥し、厚み125μmのグリーンシートを得た。これを所定の大きさに切断し、8層に積層後、大気中、835℃または850℃で1時間焼成を行い、Naを陽極接合時の伝導イオンとするガラス・フィラー複合LTCC(BSW)を作製した。この基板(BSW)は、330℃で陽極接合できなかった(NG)。
Claims (10)
- (A)Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物であって、リチウム化合物(a1)の割合αがLi 2 O換算で、7.6〜13.2質量%、マグネシウム化合物(a2)の割合βがMgO換算で4〜10.3質量%、Al 2 O 3 (a3)の割合γが13〜30.4質量%、SiO 2 (a4)の割合δが53.7〜72.8質量%の範囲にある混合物を750〜1000℃の温度で焼成粉砕した仮焼物75〜96質量%に
(B)Bi2O34〜25質量%を添加混合して、バインダーを含む成形助剤を加え所定形状に成形後、850〜900℃で焼成して、式(1)
で示される組成を有する複合酸化物を形成することを特徴とする、抗折強度が150MPa以上、25〜400℃における線熱膨張係数が0〜5×10 -6 /℃である高強度低熱膨張性磁器の製造方法。 - 前記a1、a2、a3及びa4の混合物の一部として、Li 2 OとAl 2 O 3 とSiO 2 との複合酸化物であるβ−スポジュメンを含む請求項1に記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
- 前記複合酸化物が、β−スポジュメン系結晶相及び/またはLi 2 O・Al 2 O 3 ・SiO 2 系結晶相、Li 2 O・SiO 2 系結晶相、及びMgO・SiO 2 系結晶相を含む請求項1または2に記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
- β−スポジュメン系結晶相及び/またはLi 2 O・Al 2 O 3 ・SiO 2 系結晶相、Li 2 O・SiO 2 系結晶相、及びMgO・SiO 2 系結晶相を前記磁器の全体積の80%以上含む請求項3に記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
- シリコン、GaAs、コバール、Al、またはTiと陽極接合可能な請求項5に記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
- テープ成形法により成形したグリーンシートを焼成する請求項1〜6のいずれかに記載の高強度低熱膨張性磁器の製造方法。
- (A)Li2Oまたは焼成したときにLi2Oとなるリチウム化合物(a1)とMgOまたは焼成したときにMgOとなるマグネシウム化合物(a2)とAl2O3(a3)とSiO2(a4)との混合物であって、リチウム化合物(a1)の割合αがLi2O換算で、7.6〜13.2質量%、マグネシウム化合物(a2)の割合βがMgO換算で4〜10.3質量%、Al2O3(a3)の割合γが13〜30.4質量%、SiO2(a4)の割合δが53.7〜72.8質量%の範囲にある仮焼物75質量%以上90質量%未満と
(B)Bi2O3 10質量%超25質量%以下を含有し、850〜900℃の温度で焼成して式(1)
で示され、抗折強度が150MPa以上、25〜400℃における線熱膨張係数が0〜5×10-6/℃である高強度低熱膨張性磁器を生成する高強度低熱膨張性磁器用組成物。
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