JP5242352B2 - 半導体メモリ装置及びそれの読み出しフェイル分析方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明による半導体メモリ装置を例示的に示すブロック図である。図1を参照すると、半導体メモリ装置10は、フラッシュメモリ100及びメモリコントローラ200を含む。ここで、フラッシュメモリ100は不揮発性メモリであって、メモリコントローラ200の制御によって書込み、読み出し、消去などの動作を行う。
100 フラッシュメモリ装置
200 メモリコントローラ
210 メモリインタフェース
220 ホストインタフェース
230 ECC
240 CPU
250 RAM
Claims (16)
- データを格納するための不揮発性メモリと、
前記不揮発性メモリの動作を制御するためのメモリコントローラと、を含み、
前記メモリコントローラは、エラー訂正コード(ECC)分析を通じて、読み出しフェイルが電荷リークによるものであるか否かを判断し、読み出しフェイルが電荷リークによるものでないと判断された場合には、選択読み出し電圧Vrdを変化させて再び読み出し動作を行い、読み出しフェイルが復旧されるか否かによって、読み出しフェイルが、ソフトプログラムによるものであるか、それとも、オーバープログラムによるものであるかを判断することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記メモリコントローラは、前記選択読み出し電圧Vrdを上昇させて再び読み出し動作を行い、読み出しフェイルが復旧されるか否かによって、読み出しフェイルが、ソフトプログラムによるものであるか、それとも、オーバープログラムによるものであるかを判断することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、前記選択読み出し電圧Vrdを上昇させることによって読み出しフェイルが復旧されれば、前記ソフトプログラムによる読み出しフェイルと判断し、読み出しフェイルが復旧されなければ、オーバープログラムによる読み出しフェイルと判断することを特徴とする請求項2に記載の半導体メモリ装置。
- 読み出しフェイルがソフトプログラムによる場合に、前記メモリコントローラは再プログラムによる電荷リフレッシュ(charge refresh)で読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 読み出しフェイルがオーバープログラムによる場合に、前記メモリコントローラは非選択読み出し電圧Vreadを上昇させることで読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項3に記載の半導体メモリ装置。
- 前記メモリコントローラは、ECC分析を通じてオフセル(データ0のセル)の読み出しフェイルを検出することで、電荷リークによる読み出しフェイルを判明することを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 読み出しフェイルが電荷リークによる場合に、前記メモリコントローラは再プログラムによる電荷リフレッシュ(charge refresh)で読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項6に記載の半導体メモリ装置。
- 前記不揮発性メモリはNANDフラッシュメモリであることを特徴とする請求項1に記載の半導体メモリ装置。
- 前記NANDフラッシュメモリ及び前記メモリコントローラは一つの半導体集積回路に具現されることを特徴とする請求項8に記載の半導体メモリ装置。
- 半導体メモリ装置の読み出しフェイルを分析する方法であって、
前記半導体メモリ装置はデータを格納するための不揮発性メモリと、前記不揮発性メモリの動作を制御するためのメモリコントローラとを含み、
前記半導体メモリ装置の読み出しフェイル分析方法は、
前記不揮発性メモリから読み出したデータのエラー訂正コード(ECC)分析を通じて、読み出しフェイルが電荷リークによるものであるか否かを判断し、
前記読み出しフェイルの原因が電荷リークによるものではないと判断された場合には、選択読み出し電圧Vrdを変化させて再び読み出し動作を行い、読み出しフェイルが復旧されるか否かによって、読み出しフェイルがソフトプログラムによるものであるか、それとも、オーバープログラムによるものであるかを判断することを特徴とする読み出しフェイル分析方法。 - 前記選択読み出し電圧Vrdを上昇させて再び読み出し動作を行い、読み出しフェイルが復旧されるか否かによって、読み出しフェイルが前記ソフトプログラムによるものであるか、それとも、オーバープログラムによるものであるかを判断することを特徴とする請求項10に記載の読み出しフェイル分析方法。
- 前記選択読み出し電圧Vrdを上昇させることによって読み出しフェイルが復旧されれば、前記ソフトプログラムによる読み出しフェイルと判断し、読み出しフェイルが復旧されなければ、オーバープログラムによる読み出しフェイルと判断することを特徴とする請求項11に記載の読み出しフェイル分析方法。
- 読み出しフェイルがソフトプログラムによる場合に、前記メモリコントローラは再プログラムによる電荷リフレッシュ(charge refresh)で読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項12に記載の読み出しフェイル分析方法。
- 読み出しフェイルがオーバープログラムによる場合に、前記メモリコントローラは非選択読み出し電圧Vreadを上昇させることで読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項12に記載の読み出しフェイル分析方法。
- 前記メモリコントローラは、ECC分析を通じてオフセル(データ0のセル)の読み出しフェイルを検出することで、電荷リークによる読み出しフェイルを判明することを特徴とする請求項10に記載の読み出しフェイル分析方法。
- 読み出しフェイルが電荷リークによる場合に、前記メモリコントローラは再プログラムによる電荷リフレッシュ(charge refresh)で読み出しフェイルを復旧することを特徴とする請求項15に記載の読み出しフェイル分析方法。
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