JP5240325B2 - 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 12
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 180
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 104
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 807
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 309
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 178
- 239000000463 material Substances 0.000 description 164
- 239000010408 film Substances 0.000 description 136
- 238000000034 method Methods 0.000 description 131
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 119
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 100
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 61
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 61
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 58
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 41
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 38
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 37
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 34
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 34
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 31
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 30
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 25
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 24
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 24
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 23
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 21
- 230000006870 function Effects 0.000 description 21
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 21
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 17
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 15
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 14
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 10
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 7
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 6
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 5
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 4
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 4
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 2
- XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1C=CCC2C(=O)OC(=O)C12 XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N benzene Substances C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 2
- 238000013035 low temperature curing Methods 0.000 description 2
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 125000006158 tetracarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(isocyanatomethyl)benzene Chemical compound O=C=NCC1=CC=CC=C1CN=C=O FKTHNVSLHLHISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-tetramine Chemical compound NCCNCCNCCN VILCJCGEZXAXTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(oxiran-2-ylmethoxy)ethoxymethyl]oxirane Chemical compound C1OC1COCCOCC1CO1 AOBIOSPNXBMOAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 2-aminophenol Chemical compound NC1=CC=CC=C1O CDAWCLOXVUBKRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N Dapsone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=C1 MQJKPEGWNLWLTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004018 acid anhydride group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diol Chemical compound OCCCCCCO XXMIOPMDWAUFGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 1
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QCGKUFZYSPBMAY-UHFFFAOYSA-N methyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1C(C(=O)OC)CCC2OC21 QCGKUFZYSPBMAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- 239000000382 optic material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N ε-Caprolactone Chemical compound O=C1CCCCCO1 PAPBSGBWRJIAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
このような課題を解決するために、表示装置の基板にガラスや金属の蓋を取り付けて水分等を封止する方法が一般的に採用されてきた。しかし、ディスプレイの大型化及び薄型化/軽量化に伴い、外部応力に耐えるパネル強度を保持するため、中空構造からソリッド構造に切り替える必要が出てきている。また、大型化に伴ってTFTや配線回路の面積を十分に確保するため、回路基板の反対側から発光させるトップエミッション構造を用いる必要も提案されている。このような要求を達成するために、封止構造においては、透明でかつ軽量、耐強度性に優れた薄い構造を採用する必要があり、また、乾燥剤を除いても防湿性能が得られる構造が求められている。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、十分な発光特性や発光寿命が得られ、非発光領域の発生を抑制できる有機EL装置の製造方法、有機EL装置、及び電子機器を提供することを目的とする。
具体的に説明すると、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基体上に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、を有する発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた樹脂層と、前記樹脂層を覆うように設けられたガスバリア層と、を備え、前記樹脂層は、前記発光素子を覆う第1の部分と、前記第1の部分よりも外側に位置する第2の部分と、を有し、前記第2の部分は、平面視において波形状となるように形成されており、前記波形状の前記第2の部分は、波形ピッチを0.01〜0.2mm、波形幅を0.01〜0.1mmで形成されていることを特徴とする。
具体的に説明すると、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基体上に、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、を有する発光素子と、前記発光素子を覆うように設けられた樹脂層と、前記樹脂層を覆うように設けられたガスバリア層と、を備え、前記樹脂層は、前記発光素子を覆う第1の部分と、前記第1の部分よりも外側に位置する第2の部分と、を有し、前記第2の部分は、平面視において波形状となるように形成されていることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、前記ガスバリア層は、前記樹脂層を覆い前記基体と接していることを特徴とする。
また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、波形状の前記第2の部分は、波形ピッチを0.01〜0.2mm、波形幅を0.01〜0.1mmで形成されていることを特徴とする。
本発明者らは、緩衝層の塗布形成方法に着目し、本発明を想到した。
具体的に説明すると、緩衝層の塗布形成方法としては、アクリル等の有機材料に溶媒を混合させた液体材料を作成し、当該液体材料を塗布形成するのが一般的であった。これにより、高粘度の有機材料が低粘度化することとなり、当該液体材料を塗布形成することでバンク等の凹凸部が埋設され、緩衝層の表面が平坦かつ均一に形成される。そして、このような緩衝層の上層側にガスバリア層を形成することにより、当該薄膜は平坦かつ均一に
形成される。
しかしながら、本発明者らは、このような緩衝層の塗布形成方法においては、発光機能層に代表される有機機能層各層が変質しない低温プロセス条件では緩衝層内に溶媒が残留してしまうことを見出した。更に、本発明者らは、緩衝層の形成後に充分な乾燥処理を施して溶媒の除去を行っても、緩衝層から完全に溶媒を除去することができないことを確認した。そして、緩衝層内に残留した溶媒が発光機能層に侵入することで、発光機能層の発光特性の低下や発光寿命の短寿命化、また、非発光領域の発生を招いてしまうことを見出した。
また、本発明者らは、緩衝層内に残留した気泡ガス成分が発光機能層に侵入する虞もあり、発光機能層の発光特性の低下や発光寿命の短寿命化、また、非発光領域等の発生を招いてしまうことを見出した。
そこで、本発明者らは、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
ここで、塗布工程においては、真空雰囲気下にて行われるので、水分や酸素が除去された雰囲気で塗布工程が行われることとなり、緩衝層内に水分や酸素が侵入するのを抑制することができる。また、当該塗布工程は、溶媒を用いずに行われるので、緩衝層内に溶媒が残留することがない。従って、緩衝層中には、水分や酸素が殆ど残留しておらず、また、溶媒分子が存在しないので、これらが発光機能層に侵入することに起因する発光特性の低下や発光寿命の短寿命化、非発光領域等の発生を抑制できる。
また、熱硬化工程においては、モノマー/オリゴマー材料を硬化剤によって硬化させるので、モノマーやオリゴマーが架橋し、高分子有機材料(ポリマー)からなる緩衝層を形成することができる。また、熱硬化工程としては、熱処理による熱硬化法が好ましい。このようにすれば、塗布材料を硬化させて緩衝層を形成するだけでなく、緩衝層の周辺部を熱によって溶融(軟化)させ、緩衝層の側面端部に傾斜部を形成することができる。これにより、緩衝層の上方に形成されるガスバリア層が緩衝層の形状に倣って緩やかに形成されるので、ガスバリア性の向上を図ることができる。
また、このような製造方法によって積層形成されたガスバリア層と緩衝層との総厚は、従来よりも薄くすることができる。従って、本発明の有機EL装置においては、厚膜化を行わずに、薄膜の封止構造を実現できる。
なお、本発明においては、発光機能層としては、低分子系又は高分子系のいずれも採用可能である。
本発明によれば、開口部を有する隔壁を形成するので、液滴吐出法等の湿式製膜法により、開口部に高分子系の発光機能層を形成することが可能となる。従って、開口部のみに高分子系の発光機能層を塗布形成することができる。従って、上記の効果が得られるだけでなく、湿式製膜法によって発光機能層を形成できるという利点を有している。
また、スクリーン印刷法を利用することにより、安定した膜厚の確保と気泡の除去による緩衝層の平坦化を施すことができ、さらにスクリーンメッシュと乳剤で作製されるマスクによる塗り分けにより、所定のパターニング形状の精度及び自由度をより高めることができる。
また、緩衝層の表面が平坦化されることにより、その上方に形成されるガスバリア層は均一な膜質となり、欠陥の無い均一なガスバリア層を形成できる。
このようにすれば、塗布膜とマスクとの接触界面において、一方から他方に向けて線上に移動させながら1点に力を集中させずに徐々に剥離させることができる。これに対し、マスクを傾けずに基板とマスクとを略平行に保って剥離した場合では、マスクを剥離した際に生じるマスク自体の反発力が密着力の低い中心部の電極(陰極)1点に集中し、電極の剥離をおこしてしまう。
従って、上記のように、基板に対してマスクを傾けながら剥離することで、電極の剥離防止し、また、傾斜させて剥離することでマスクの剥離速度を一定にできるため、均一な塗布膜を形成し、熱硬化工程後に形成された緩衝層の表面の平坦化を実現できる。
ここで、上記の塗布工程は真空雰囲気で行われるが、塗着手段でマスクを押し当てながら塗布材料を転写する際、塗着手段移動時の撹拌や塗布直後の基板からマスクが離脱する時に、真空状態の気泡が塗布材料中に混入する場合がある。そこで、塗布工程よりも高い圧力の不活性ガス雰囲気で消泡工程を行うことにより、不活性ガス雰囲気の外圧によって緩衝層(硬化前では塗布膜)に圧力が付与され、真空状態の気泡が収縮して極微小にすることができる。また、このように収縮して極微小となった気泡の内部には、殆どガスが存在しておらず、発光機能層に影響を与えることがない。そして、緩衝層内において気泡が極微小となっていることから、緩衝層の表面は平坦性を有するものとなる。また、気泡が破壊されて形成されるクレータ状の塗布抜けした凹凸部が緩衝層の表面に形成されることもない。
このようにすれば、周縁部が直線状の場合と比較して、緩衝層の平面パターンの周縁長さを長くなる。これによって、緩衝層の上層側の膜(ガスバリア層)との密着力を向上させることができ、また、周縁部における緩衝層の応力を分散させることができる。そして、緩衝層の膜強度を向上させることができ、高い信頼性を得ることができる。このような波形状は、スクリーン印刷法のマスク形状によって所望に規定できるので、波形状を形成するための工程が増加することなく、容易に形成することができる。
ここで、上記のように、本発明は無溶媒で緩衝層を形成するものであるため、モノマー/オリゴマー材料を低粘度な状態で塗布形成する必要がある。そして、低分子のモノマーでも熱硬化工程によってポリマー被膜が形成し易い材料が採用される。このような材料として、エポキシ系材料が好適である。
また、エポキシ系材料と、従来まで緩衝層の材料として用いられてきたアクリル系材料とを比較すると、アクリル系材料は、モノマー/オリゴマーからポリマーに硬化する際に、収縮が生じ易いという欠点を有していた。これに対して、エポキシ系材料は、膜の収縮を抑えながら低分子材料であるモノマー/オリゴマーから容易に膜を形成し易いという利点を有する。
また、硬化剤としては、酸無水物を採用することが好ましく、当該酸無水物を使用してエポキシ系のモノマー/オリゴマーを硬化すると三次元的で緻密なエステル結合が形成され、硬度が高く耐熱性、耐水性、及び電気絶縁性に優れた高分子有機材料からなる緩衝層を形成することができ、無機材料からなるガスバリア層を形成する高密度プラズマプロセスにも耐えるため、欠損のない密度の高いガスバリア層が形成できる。また、このように酸無水物を利用して硬化させることにより、高密度に極性の高いエステル結合が形成されるため、異質な材料であるガスバリア層に対する密着性を向上させることができる。
ここで、スクリーン印刷法においては、あまりにも低粘度化された材料や溶媒によって希釈した材料を塗布すると、マスクと基板間のにじみや浸透等が起こり、形状の保持が難しい。また、あまりにも高粘度化された材料は、表面にマスクの凹凸形状や気泡が残留して平坦化が難しい。従って、スクリーン印刷法を施す場合においては、好適な形状保持と表面の平坦化を施すために、塗布材料がある範囲の粘度を有することが好ましい。
そこで、本発明者らは、実験の結果、粘度が500mPa・s以下であると、乳剤部まで材料がはみ出し、緩衝層の形状保持が困難で十分な膜厚が得られないこと確認した。また、20000mPa・s以上となると、緩衝層中に残留している大きな気泡が戻り難くなり、また、膜厚が必要以上に厚くなると共に、側面端部の低角度状態を確保することができないことを確認した。例えば、真空中で塗布形成した後に圧力を上昇させると、塗布材料が低粘度の場合には気泡が極微小になるものの、塗布材料が高粘度の場合には、大きな気泡が残留しやすいため、気泡が小さくなりきらずにその形状が保持されてしまい、膜中の気泡が消えずに残留痕が生じてしまう。また、粘度が高くなると膜厚も必要以上に厚くなり、側面端部の角度も大きく急峻になってしまう。
そこで、塗布材料の室温粘度を500〜20000mPa・sの範囲に設定することで、上記の問題を解決し、緩衝層の形状保持、表面の平坦化、気泡の極微小化、側面端部の低角度化を実現することができる。
本発明者らの知見によれば、塗布材料の室温粘度の範囲が、500〜20000mPa・sである場合よりも、1000〜10000mPa・sである場合において、上記の効果をより一層促進させることができることを確認した。
具体的には、室内粘度が10000mPa・sを超える場合では、緩衝層の気泡が残留してしまうという問題が見出された。また、1000mPa・sを満たさない場合では、スクリーン印刷工程において気泡が弾けてクレータが生じ易くなり、均一な膜が得られないという問題が見出された。また、ダークスポットが顕著に生じてしまうことが確認された。
従って、塗布材料の室温粘度を1000〜10000mPa・sの範囲にすることで、緩衝層の形状保持、表面の平坦化、気泡の極微小化、側面端部の低角度化を確実に実現することができ、ダークスポットの発生を抑制できる。
緩衝層の膜厚をこの範囲にすることで、緩衝層の形状保持、表面の平坦化、気泡の極微小化、側面端部の低角度化を確実に実現することができ、ダークスポットの発生を抑制できる。
この有機密着層は、緩衝層の最表面に薄膜で形成されるもので、プラズマ処理等により緩衝層の表面を酸化させて形成してもよい。このように有機密着層を形成することにより、緩衝層の表面に対する洗浄効果と表面エネルギーが大きくなるため、緩衝層とガスバリア層との間の密着性を向上することができる。従って、ガスバリア層の剥離を抑制し、有機EL装置の耐久性を向上させることができる。
ここで、側面端部の角度が急峻であると、緩衝層に対してガスバリア層を被覆することが難しくなるだけでなく、緩衝層の温度伸縮による側面端部にかかる応力が大きくなる。本発明者らは、当該角度を30°以下に設定することで、緩衝層の上層側にガスバリア層を形成した際に、ガスバリア層を均一な膜厚によって成膜でき、側面端部にかかる応力が分散されることでガスバリア層の破損を防ぐことができることを確認した。これにより、緩衝層の側面端部に対するガスバリア性を確実に得ることができる。
このような側面端部の角度を30°以下にするには、粘度を所定値にすると共に、上記の硬化工程として、塗布時の温度よりも高い温度の熱処理を施すことが好ましい。このようにすれば、緩衝層の周辺部を熱によって溶融(軟化)させ、緩衝層の側面端部に30°の傾斜部を形成することができる。これにより、緩衝層の上方に形成されるガスバリア層が緩衝層の形状に倣って緩やかに形成されるので、ガスバリア性の向上を図ることができる。
電極保護層は、電極を緩衝層の塗布プロセスから保護するだけでなく、電極材料に依存せずに表面エネルギーの高い表面が形成されることで、緩衝層の塗布形成時の平坦性や消泡性を向上させ、緩衝層との密着性も得られる。
本発明者らは、低分子系の有機EL装置において、緩衝層を構成する材料と、電子注入層の構成材料の組み合わせによっては、硬化前の緩衝層成分の低粘度材料が溶出して、電子注入層のダークスポットの発生原因となってしまうことを見出した。そして、鋭意検討した結果、本発明者らは、ダークスポットが発生することがない緩衝層材料と電子注入層材料の組み合わせを見出した。即ち、電極保護層として珪素酸窒化膜を採用し、緩衝層としてエポキシ系化合物とシランカップリング剤を含む材料を採用することにより、電子注入層におけるダークスポットの発生を防止できる。
本発明者らによれば、ガスバリア層の膜厚が300nmよりも小さい場合では、十分なガスバリア性が得られないことが確認された。また、700nmよりも大きい場合では、ガスバリア層自体に内部応力が蓄積してクラックの発生原因となることが確認された。従って、本発明のようにガスバリア層の膜厚を規定することで、ガスバリア性と耐クラック性とを共に得ることができる。
ここで、接着層は、保護基板と基板とを接着させるための層膜である。また、上記のようにガスバリア層と緩衝層とによって薄膜の封止構造を実現していることから、接着層を厚膜化する必要がない。
本発明によれば、保護基板を貼り合わせることで、ガスバリア層や緩衝層、発光機能層に対する外傷防止や、耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性等を実現できる。
ここで、複数色の着色層の各々は、例えばR(赤),G(緑),B(青)からなるものであり、発光機能層に対向して配置される。
また、着色層と発光機能層との距離は、発光機能層の発光光が対向する着色層のみに出射するように、できるだけ短い距離が要求される。これは、その距離が長い場合では、発光機能層の発光光が隣接する着色層に対して出射される可能性が高くなるためであり、これを抑制するためにその距離を短くすることが好ましい。
そして、上記の本発明においては、上記のガスバリア層や緩衝層によって、薄膜の封止構造を実現しているので、発光機能層と着色層との距離は短いものとなっている。従って、発光機能層の発光光が対向する着色層のみに出射することとなり、隣接する着色層に発光光が漏れてしまうのを抑制することができる。
白色有機発光層を採用した場合では、白色光を複数色の着色層に照射することにより、白色光をRGB毎に色分けすることができる。また、低分子系の白色有機発光層を形成するマスク蒸着工程や、高分子系の白色有機発光層を形成する液滴吐出工程等において、1種類の白色有機発光層を1工程で形成するだけでよいので、RGB毎の有機発光層を形成し分ける場合と比較して製造工程が容易になる。
各色有機発光層を採用した場合では、RGBの各色光を、同色の着色層に照射することにより、色補正を行うことができる。
ここで、塗布工程においては、真空雰囲気下にて行われるので、水分や酸素が除去された雰囲気で塗布工程が行われることとなり、緩衝層内に水分や酸素が侵入するのを抑制することができる。また、当該塗布工程は、溶媒を用いずに行われるので、緩衝層内に溶媒が残留することがない。従って、緩衝層中には、水分や酸素が殆ど残留しておらず、また、溶媒分子が存在しないので、これらが発光機能層に侵入することに起因する発光特性の低下や発光寿命の短寿命化、非発光領域等の発生を抑制できる。
また、熱硬化工程においては、モノマー/オリゴマー材料を硬化剤によって硬化させるので、モノマーやオリゴマーが架橋し、高分子有機材料(ポリマー)からなる緩衝層を形成することができる。また、熱硬化工程としては、熱処理による熱硬化法が好ましい。このようにすれば、塗布材料を硬化させて緩衝層を形成するだけでなく、緩衝層の周辺部を熱によって溶融(軟化)させ、緩衝層の側面端部に傾斜部を形成することができる。これにより、緩衝層の上方に形成されるガスバリア層が緩衝層の形状に倣って緩やかに形成されるので、ガスバリア性の向上を図ることができる。
また、このような製造方法によって積層形成されたガスバリア層と緩衝層との層厚は、従来よりも薄くすることができる。従って、本発明の有機EL装置においては、厚膜化を行わずに、薄膜の封止構造を実現できる。
なお、本発明においては、発光機能層としては、低分子系又は高分子系のいずれも採用可能である。
このようにすれば、周縁部が直線状の場合と比較して、緩衝層の平面パターンの周縁長さを長くなる。これによって、緩衝層の下層膜(例えば、第2電極や電極保護層)との密着力を向上させることができ、また、周縁部における緩衝層の応力を分散させることができる。そして、緩衝層の膜強度を向上させることができ、高い信頼性を得ることができる。このような波形状は、スクリーン印刷法のマスク形状によって所望に規定できるので、波形状を形成するための工程が増加することなく、容易に形成することができる。
このような電子機器としては、例えば、携帯電話機、移動体情報端末、時計、ワープロ、パソコンなどの情報処理装置、プリンタ等を例示できる。また、大型の表示画面を有するテレビや、大型モニタ等を例示できる。このように電子機器の表示部に、本発明の電気光学装置を採用することによって、長寿命で表示特性が良好な表示部を備える電子機器を提供できる。また、プリンタなどの光源に適用してもよい。
なお、以下の説明では、有機EL装置1を構成する各部位や各層膜を認識可能とするために、各々の縮尺を異ならせている。
図1は、本発明の第1実施形態に係る有機EL装置1の配線構造を示す図である。
有機EL装置1は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTと略記する)を用いたアクティブマトリクス型の有機EL装置である。
図1に示すように、有機EL装置1は、複数の走査線101と、各走査線101に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線102と、各信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された構成を有するとともに、走査線101と信号線102の各交点付近に画素領域Xが設けられる。
信号線102には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路100が接続される。また、走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路80が接続される。
ここで、図2は、有機EL装置の構成を示す模式図である。また、図3は図2のA−B方向の構成を示す有機EL装置の断面図であり、図4は図2のC−D方向の構成を示す有機EL装置の断面図である。また、図5及び図7は、図3の要部を示す断面拡大図である。図6は、図2の要部を示す平面拡大図である。
なお、本発明においては、基板20と後述するようにこれの上に形成されるスイッチング用TFTや各種回路、及び層間絶縁膜などを含めて、基体と称している(図3、4中では符号200で示している)。
実発光領域4には、それぞれ画素電極を有する発光領域R、G、BがA−B方向およびC−D方向にそれぞれ離間してマトリックス状に配置される。
また、実発光領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置される。これら走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下側に配置されたものである。
なお、発光機能層110としては、代表的には有機発光層(有機エレクトロルミネッセンス層)60であり、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層などのキャリア注入層またはキャリア輸送層を備えるもの、更には、正孔阻止層(ホールブロッキング層)、電子阻止層(エレクトロン阻止層)を備えるものであってもよい。
このような構成のもとに、発光素子はその有機発光層60において、正孔輸送層70から注入された正孔と陰極50からの電子とが結合することにより発光する。
なお、本実施形態においては、正孔輸送層70は有機発光層60の発光機能を誘引させる機能を有するものであることから、発光機能層110の一部として機能する。
正孔輸送層70の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、3,4−ポリエチレンジオシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(PEDOT/PSS)の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に3,4−ポリエチレンジオシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液などを用いて正孔輸送層70を形成することができる。
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
また、必要に応じて、このような有機発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。ここで、電子注入層は有機発光層60の発光機能を誘引させる機能を有するものであることから、発光機能層110の一部として機能する。
なお、有機隔壁層221において、開口部221aの各壁面の基体200表面に対する角度θが、110度以上から170度以下となっている(図7参照)。このような角度としたのは、有機発光層60をウエットプロセスにより形成する際に、開口部221a内に配置されやすくするためである。
なお、陰極保護層55は、基体200の外周部の絶縁層284上まで形成されている。
このような緩衝層210は、基体200側から発生する反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、熱伸縮しやすい不安定な有機隔壁層221や陰極50からの剥離を防止する機能を有する。また、緩衝層210の上面が略平坦化されるので、緩衝層210上に形成される硬い被膜からなるガスバリア層30も平坦化されるので、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層30のクラックや剥離、欠損の発生を防止する。
硬化前の原料主成分としては、減圧真空下で塗布形成するために、流動性に優れかつ溶媒成分がない全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量3000以下のエポキシモノマー/オリゴマーである(モノマーの定義:分子量1000以下、オリゴマーの定義:分子量1000〜3000)。例えば、ビスフェノールA型エポキシオリゴマーやビスフェノールF型エポキシオリゴマー、フェノールノボラック型エポキシオリゴマー、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、アルキルグリシジルエーテル、3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3',4'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、ε−カプロラクトン変性3,4−エポキシシクロヘキシルメチル3',4'−エポキシシクロヘキサンカルボキレートなどがあり、これらが単独もしくは複数組み合わされて用いられる。
また、ジエチレントリアミンやトリエチレンテトラアミンなどの脂肪族アミンや、ジアミノジフェニルメタンやジアミノジフェニルスルホンなどの芳香族アミン、光重合開始剤などを補助硬化剤として添加することで、より低温で硬化しやすくさせてもよい。
更に、陰極50やガスバリア層30との密着性を向上させるシランカップリング剤や、イソシアネート化合物などの捕水剤、フッ素化合物など塗布材料の表面エネルギーを低下させて濡れ性を上げる平坦化剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加剤が全量1%以下に微量添加されていても良い。
このような緩衝層210を形成するための材料の粘性は、室温(25℃)で500〜20000mPa・sの粘度範囲であることが好ましく、本実施形態においては、3000mPa・sの粘度に設定されている。
図5は、図3における緩衝層210の側面端部を示す拡大図である。図5に示すように、緩衝層210は、陰極保護層55上に形成されるようになっており、その側面端部においては陰極保護層55の表面と接触角αで接触している。ここで、接触角αは30°以下であり、より好ましくは、5°〜20°程度であることが好ましい。この接触角αは、塗布後の加熱プロセスによる軟化工程や緩衝層材料自身の粘度調整、平坦化剤等の添加、陰極保護層の表面エネルギーの増加によって達成される。このように緩衝層210が形成されることにより、当該緩衝層210の上層に形成される有機密着層220やガスバリア層30は緩衝層210の形状に倣って形成され、有機隔壁層221が熱伸縮によって体積変化した際にも、側面端部のガスバリア層にかかる応力を分散して破壊を防ぐことができる。また、当該接触角αが急峻な角度、例えば80°程度となっている場合では、その稜部に形成されたガスバリア層30の膜厚が他の部分よりも薄くなってしまうが、接触角αが5°〜20°程度であることから、緩衝層210上に均一な膜厚でガスバリア層30が形成される。
当該有機密着層220は、緩衝層210の表面に酸化処理が施されて形成された表面エネルギー(極性)の高い薄膜である。当該有機密着層220の組成としては、酸素原子の含有量が緩衝層210よりも多くなっている。また、有機密着層220の膜厚は、薄膜であることが好ましく、10nm以下がよい。これらは、ガスバリア層形成の直前に、減圧雰囲気下で緩衝層210の最表面を酸素プラズマ処理等によって薄膜を形成することが好ましい。このような有機密着層220が形成されることにより、緩衝層210の表面洗浄をおこなうと共に、緩衝層210とガスバリア層30の界面の密着性が向上する。
ガスバリア層30は、絶縁層284に接触することなく、有機密着層220上に形成されるものである。ガスバリア層30は、緩衝層210とその内側の陰極50や有機発光層60に酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより陰極50や有機発光層60への酸素や水分の浸入を防止し、発光劣化等を抑えるようにしたものである。
また、ガスバリア層30は、例えば耐水性、耐熱性に優れる無機化合物からなるもので、好ましくは珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などによって形成される。これにより、ガスバリア層30は、透明な薄膜として形成される。更に、水蒸気などのガスを遮断するため緻密で欠陥の無い被膜にする必要があり、好適には低温で緻密な膜を形成できる高密度プラズマ成膜法であるプラズマCVD法やECRプラズマスパッタ法、イオンプレーティング法を用いて形成する。このようにガスバリア層30が珪素化合物から形成されることで、ガスバリア層30が耐水性、耐熱性に優れる欠陥のない緻密な層となって酸素や水分に対するバリア性がより良好になる。また、ガスバリア層30は、膜密度が2.3〜3.0g/cm3の膜質を有していることが好ましい。
なお、ガスバリア層30としては、珪素化合物以外の材料を採用してもよく、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、更には他のセラミックスなどからなっていてもよい。
また、ガスバリア層30の膜厚は、300〜700nmの範囲に設定されている。本実施形態では、特に400nmとしている。ガスバリア層の膜厚が300nmよりも小さい場合では十分なガスバリア性を得ることができず、また、700nmよりも大きい場合ではガスバリア層30に内部応力が蓄積してクラックの発生原因となる。従って、上記の範囲で膜厚を規定することにより、ガスバリア性と耐クラック性とを共に実現したガスバリア層となる。また、特に400〜600nmの膜厚にすることで、ガスバリア性と耐クラック性とを向上させることができる。
接着層205は、表面保護基板206より柔軟でガラス転移点の低い材料からなる接着剤によって形成されたものである。また、接着層205は、ガスバリア層30上に表面保護基板206を固定するものである。その材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリオレフィン樹脂等の透明樹脂材料が好ましく、透明で安価なアクリル樹脂が好適に用いられる。また、接着層205は、表面保護基板206に予め形成されたものであってもよく、ガスバリア層30上に圧着して接着してもよい。また、接着層205は、透明樹脂材料が好ましい。また、低温で硬化させるため硬化剤を添加する2液混合型の材料によって形成されたものでもよい。
なお、このような接着層205には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層205とガスバリア層30との密着性がより良好になり、したがって機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。また、特にガスバリア層30が珪素化合物で形成されている場合などでは、シランカップリング剤やアルコキシシランによってこのガスバリア層30との密着性を向上させることができ、従って、ガスバリア層30のガスバリア性を高めることができる。
なお、この例の有機EL装置においては、トップエミッション型にする場合に表面保護基板206、接着層205を共に透光性のものにする必要があるが、ボトムエミッション型とする場合にはその必要はない。
図6は、図2の要部の拡大平面図であるが、陰極50,緩衝層210,及びガスバリア層30のみを示している。なお、有機EL装置1の他の構成は、図1〜図5,図7に示すように形成されているものとする。
周縁部50E,30Eの間において、緩衝層周縁部210Eは、波形ピッチpは約0.01〜0.2mm程度、振れ幅t1は約0.01〜0.1mm程度に形成されている。なお、振れ幅t1は、必ずしも均一である必要はなく、この範囲内であればよい。
また、緩衝層周縁部210Eが最も陰極周縁部50Eの側に近づく位置をW3とする場合、当該符号W3と陰極周縁部50Eとの幅t3は、約0.1〜1mm程度で形成されている。
このよって、振れ幅t1、及び幅t2,t3の最小値の和は、0.4mmよりも少ない値となる。従って、緩衝層210及びガスバリア層30による、陰極50に対する封止構造は、0.4mm以下の封止幅で形成することが可能となる。
以上に説明した基板20上の第2層間絶縁層284までの層が、回路部11を構成する。
次に、本実施形態に係る有機EL装置1の製造方法の一例を、図8〜図11を参照して説明する。図8及び図9に示す各断面図は、図2中のA−B線の断面図に対応した図である。図10及び図11に示す各断面図は、緩衝層210、有機密着層220、及びガスバリア層30を形成する工程を詳述するための図である。
なお、本実施形態においては、有機EL装置1がトップエミッション型である場合であり、また、基板20の表面に回路部11を形成させる工程については、従来技術と変わらないので説明を省略する。
なお、図3及び図4では、これら画素電極23、ダミーパターン26を総称して画素電極23としている。ダミーパターン26は、第2層間絶縁層284を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされる。すなわち、ダミーパターン26は、島状に配置され、発光領域に形成されている画素電極23の形状とほぼ同一の形状を有する。もちろん、発光領域に形成されている画素電極23の形状と異なる構造であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン26は少なくとも駆動電圧導通部310(340)の上方に位置するものも含むものとする。
なお、この場合、有機隔壁層221は、少なくとも駆動制御信号導通部320の上方に位置するものを含むものとする。
なお、この正孔輸送層形成工程以降は、正孔輸送層70および有機発光層60の酸化を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
なお、この発光層形成工程では、インクジェット法によって例えば青色(B)の発光層形成材料を青色の発光領域に選択的に塗布し、乾燥処理した後、同様にして緑色(G)、赤色(R)についてもそれぞれその発光領域に選択的に塗布し、乾燥処理する。
また、必要に応じて、上述したようにこのような有機発光層60の上に電子注入層を形成してもよい。
次に、図9B,図9Cに示すように、陰極保護層55,緩衝層210,有機密着層220,及びガスバリア層30を順次形成する。
なお、図10及び図11においては、基板20上に回路部11、発光機能層110、陰極50が形成されているものとして説明する。
このように陰極50と陰極保護層55が形成されることにより、図9Aの断面に示す構造が形成される。
緩衝層210を塗布するための材料は、上記のようにエポキシモノマー/オリゴマー材料に硬化剤、反応促進剤が混合された塗布材料が採用される。これらの材料は塗布前に混合されてから用いられるが、混合後の粘度としては、室温(25℃)で500〜20000mPa・sの粘度範囲であることがよい。これよりも粘度が低い場合では、スクリーンメッシュMからの液だれや乳剤層Maへのはみ出しが起こり、膜厚安定性やパターニング性が悪くなる。また、これよりも粘度が高い場合では、平坦性が悪くなるためにメッシュ痕が残留し、またメッシュ離脱時に巻き込む気泡が大きく成長するため、クレータ状の塗布抜けが発生しやすく、消泡工程後でも気泡が残留しやすくなる。
スクリーン印刷法は、減圧真空雰囲気下で塗布形成が可能な方法であるため、比較的中〜高粘度の塗布液を得意とする方式である。特に、スクリーン印刷法は、スキージ(塗着手段)Sの加圧移動により塗出制御が簡便で、スクリーンメッシュ(マスク)Mを用いて膜厚均一性及びパターニング性に優れるという利点を有する。
また、スクリーンメッシュMの平面形状は、図6の緩衝層周縁部210Eを波形状に形成するための型が形成されたものとなっている。
なお、スクリーンメッシュMは、可撓性板体であってもよい。この場合では、スクリーンメッシュMが塗布膜210bに接触する接触面と、塗布膜210bの露出面との境界近傍において、スクリーンメッシュMを湾曲させながら剥離することが可能となる。これによって、スクリーンメシュの剥離角度を極力小さく抑えつつ、マスクと塗布膜との剥離速度を安定させて剥離することができる。
上記のように、図10C〜図10Eに示す処理を行うことにより、緩衝層210の塗布材料の塗布工程が終了となる。
ここで、窒素ガス雰囲気とは、先の真空雰囲気におけるスクリーン印刷法を行った後に、真空雰囲気に保持されている密閉空間内(例えば、真空チャンバ内)に窒素ガスを封入することで形成される雰囲気を意味する。これにより、塗布膜210bが、大気中の水分の取り込みによって吸湿することがない。また、本工程における窒素ガス雰囲気圧力は、スクリーン印刷法を行った際の圧力よりも高くなっている。本実施形態においては、窒素ガス雰囲気は50000〜110000Paの圧力に設定されている。このようにすると、スクリーン印刷法の際に塗布膜210b内に混入した気泡内の圧力と窒素ガス雰囲気の圧力との間で差が生じ、気泡が極小化する。
当該硬化工程は、消泡工程と同じ窒素ガス(または乾燥空気)雰囲気圧力下において緩衝層210bに60〜100℃の加熱処理を施すことで行われる。このような硬化工程を施すことにより、硬化前の緩衝層210bに含まれるエポキシモノマー/オリゴマー材料と、硬化剤、反応促進剤とが反応し、エポキシモノマー/オリゴマーが三次元架橋し、ポリマーのエポキシ樹脂210が形成される。また、加熱処理を施すことにより、このような硬化現象が生じるだけでなく、緩衝層210の側面端部の形状が溶融(軟化)する。このような加熱処理が施されることで、側面端部が接触角α(図5参照)を有することとなる。
具体的な成膜条件としては、高密度プラズマ発生装置を利用し、酸素ガス:アルゴンガス=1:4の比で混合し、真空度0.6Pa、暴露時間30秒間としている。
このような酸化層が形成されることにより、緩衝層210の表面の洗浄も行われる。
このように緩衝層210と有機密着層220が形成されることにより、図9Bの断面に示す構造が形成される。
ガスバリア層30の膜厚は、上記のように300〜700nmの範囲に設定され、本実施形態では400nmとしている。ガスバリア層30は、0.1〜10Pa雰囲気の減圧高密度プラズマ成膜法等により形成される珪素化合物であり、主に珪素酸化物又は珪素酸窒化物、珪素窒化物からなる透明な薄膜が好ましい。また、小さな分子の水蒸気を完全に遮断するため緻密性を持たせており、膜密度は、2.3/cm3以上であることが好ましい。
また、上記の高密度プラズマ成膜法による形成工程は、100nmを成膜単位とする成膜工程と、冷却工程とを繰り返すことによって行う。例えば、400nmの膜厚を一括して成膜する場合では、成膜装置内に発生するプラズマの輻射熱が加わり、これが蓄積されることで発光機能層の劣化原因となる。これに対して、100nm成膜後に冷却し、更に100nm成膜後の冷却、更にその後に100nmを成膜という順に成膜工程と冷却工程と繰り返すことによって、熱による発光機能層の劣化を抑制しつつ、ガスバリア層30を形成することができる。
このようにガスバリア層30上に保護層204を設ければ、表面保護基板206が耐圧性や耐摩耗性、光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能を有していることにより、有機発光層60や陰極50、さらにはガスバリア層もこの表面保護基板206によって保護することができ、したがって発光素子の長寿命化を図ることができる。
また、接着層205が機械的衝撃に対して緩衝機能を発揮するので、外部から機械的衝撃が加わった場合に、ガスバリア層30やこの内側の発光素子への機械的衝撃を緩和し、この機械的衝撃による発光素子の機能劣化を防止することができる。
以上のようにして、有機EL装置1が形成される。
また、有機EL装置1では本発明における第1電極を陽極として機能させ、第2電極を陰極として機能させたが、これらを逆にして第1電極を陰極、第2電極を陽極としてそれぞれ機能させるよう構成してもよい。ただし、その場合には、有機発光層60と正孔輸送層70との形成位置を入れ替えるようにする必要がある。
ここで、塗布工程は、真空雰囲気下にて行われるので、水分や酸素が除去された雰囲気で塗布工程が行われることとなり、緩衝層210内に水分や酸素が侵入するのを抑制することができる。また、当該塗布工程は、溶媒を用いずに行われるので、緩衝層210内に溶媒が残留することがない。従って、緩衝層210中には、水分や酸素が殆ど残留しておらず、また、溶媒分子が存在しないので、これらが有機発光層60や陰極50に侵入することに起因する発光特性の低下や発光寿命の短寿命化、非発光領域等の発生を抑制できる。特に、高分子材料からなる有機発光層60を有する有機EL装置に適用することが好ましい。低分子材料からなる有機発光層60を有する有機EL装置において、一般的に有機発光層60は例えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウムのようなLUMOレベルが3.0eVから3.5eVの電子輸送性の有機材料で構成され、陰極としてはマグネシウムなど仕事関数が3.5eV程度の材料が用いられる。一方、高分子材料からなる有機発光層60を有する有機EL装置に用いられる高分子発光材料のLUMOレベルは、同様の発光色の低分子発光材料に比して1.0eV程度低い。したがって、高分子発光材料では、低分子発光材料の場合と比して、陰極として仕事関数が比較的低く、すなわち、反応性が高い材料を用いる必要がある。本発明を適用することにより、反応性が高い陰極を用いた場合であっても、溶媒分子が陰極と反応しないため、発光素子の信頼性を向上させることができる。
また、熱硬化工程においては、モノマー/オリゴマー材料を硬化剤によって硬化させるので、モノマーやオリゴマーが架橋し、高分子有機材料(ポリマー)からなる緩衝層210を形成することができる。
また、熱硬化工程においては、硬化前の緩衝層210bに熱処理が施されるので、塗布材料を硬化させて緩衝層210を形成するだけでなく、緩衝層210の周辺部を熱によって溶融(軟化)させ、緩衝層210の側面端部に傾斜部を形成することができる。これにより、緩衝層210の上方に形成されるガスバリア層30が緩衝層210の形状に倣って緩やかに形成されるので、ガスバリア性の向上を図ることができる。
また、このような製造方法によって積層形成されたガスバリア層30と緩衝層210との総厚は、従来よりも薄くすることができる。従って、本発明の有機EL装置においては、厚膜化を行わずに、薄膜の封止構造を実現できる。
また、このようにエポキシ系材料を採用することにより、低温硬化工程によって低分子のモノマーから容易に耐水性の高いポリマー被膜を形成することができる。従って、従来のように有機溶媒で粘度を下げて希釈した液体材料を塗布して緩衝層を形成する必要がなくなり、残留溶媒による影響を排除することができる。また、エポキシ系材料においては、モノマー/オリゴマー材料を低粘度な状態で塗布形成することができる。一方、従来まで緩衝層210の材料として用いられてきたアクリル系材料は、モノマー状態では有害性や危険性、吸水性が高くかつ硬化時の収縮が非常に大きいため、ポリマー状態の原料とする必要があり、有機溶剤を使わずに所望の粘度にすることは困難であった。これに対して、エポキシ系材料においては、膜の収縮を抑えながら低粘度のモノマー/オリゴマー材料に調整ができ、容易に膜を形成できる。
また、緩衝層210の表面が平坦化されることにより、その上方に形成されるガスバリア層30は均一な膜質となり、欠陥の無い均一なガスバリア層30を形成できる。
このような側面端部の角度を30°以下にするには、上記の硬化工程として熱処理を施すことによって行われる。これにより、緩衝層210の周辺部を熱によって溶融(軟化)させ、緩衝層210の側面端部に30°以下の傾斜部を形成することができる。これにより、緩衝層210の上方に形成されるガスバリア層30が緩衝層210の形状に倣って緩やかに形成されるので、緩衝層の熱伸縮に対しても破壊されることなく、側面のガスバリア性の向上を図ることができる。
次に、本発明の第2実施形態に係る有機EL装置について説明する。
本実施形態においては、先の第1実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図12は、本実施形態の有機EL装置の断面構造を示す模式断面図である。図12においては、RGBの各画素領域のみを示しているが、実際には図3や図4のように複数の画素領域が有機EL装置における実発光領域4の全面に形成されているものとする。
図12に示すように、本実施形態の有機EL装置1Aにおいては、白色に発光する白色有機発光層60Wを発光機能層110として備えている。また、第1実施形態のようにRGBに形成し分ける必要がないので、有機隔壁層221を跨ぐように各画素電極23上に形成されていてもよい。
また、カラーフィルタ基板207は、基板本体207A上に赤色着色層208R、緑色着色層208G、青色着色層208B、及びブラックマトリクス209が形成されたものである。また、着色層208R,208G,208B,及びブラックマトリクス209の形成面は、基板2に向けて対向して配置されているため、これらは接着層205に接触して固定されている。また、基板本体207Aの材質は、第1実施形態の表面保護基板206と同様のものが採用される。
また、着色層208R,208G,208Bの各々は、画素電極23上の白色有機発光層60Wに対向して配置されており、当該白色有機発光層60Wの発光光は、着色層208R,208G,208Bの各々を透過することで、赤色光、緑色光、青色光の各色光を観察者側に出射するようになっている。従って、本実施形態の有機EL装置1Aにおいては、白色有機発光層60Wの発光光を利用し、かつ、複数色の着色層208を有するカラーフィルタ基板207によってカラー表示を行うようになっている。
次に、本発明の第3実施形態に係る有機EL装置について説明する。
本実施形態においては、先の第1及び第2の実施形態と同一構成には同一符号を付して説明を省略する。
図13は、本実施形態の有機EL装置の断面構造を示す模式断面図である。図13においては、RGBの各画素領域のみを示しているが、実際には図3や図4のように複数の画素領域が有機EL装置における実発光領域4の全面に形成されているものとする。
図13に示すように、低分子系発光機能層300は、画素電極23から陰極50に向けて、多量体正孔注入層301、正孔輸送層302、有機発光層303、電子注入層304、電子注入バッファー層305が順次積層された構成となっている。
ここで、多量体正孔注入層301は、トリアリールアミン(ATP)を含むものであり、正孔輸送層302は、TPD(トリフェニルジアミン)系からなるものである。
また、有機発光層303は、スチリルアミン系発光層(ホスト)とアントラセン系ドーパントとを含んで構成される青色の有機発光層や、スチリルアミン系発光層(ホスト)とルブレン系ドーパントを含んで構成される黄色の有機発光層等を含んで形成されている。
また、電子注入層304は、アルミニウムキノリノール(Alq3)層であり、電子注入バッファー層305は、LiF(フッ化リチウム)である。
また、陰極50は、MgAg等の合金とITOとが積層されてなるものである。
このような有機EL装置1Bにおいては、画素電極23を色毎にパターニングすれば、低分子系発光機能層300及び陰極を形成し分ける必要がなく、高精度が要求されるマスク蒸着を行う必要がない。
陰極50の上方には、電極保護層55が形成されている。当該電極保護層55は、ECRスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法によって形成される。材質は透明性や密着性、耐水性を考慮して珪素酸窒化物などの珪素化合物が好ましい。また、形成前には酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると電極との密着性が向上し、発光ムラが低減する。硬化前の有機緩衝層の浸透を防ぐことも目的としており、膜厚は100nm以上が好ましい。
これらの原料ごとの粘度は1000〜10000mPa・s(室温)が好ましい。理由は、塗布直後に有機発光層へ浸透してダークスポットと呼ばれる非発光領域を発生させず、かつ膜厚を3〜10μm以下にするためである。この膜厚に抑えることで、カラーフィルタ基板207を有機発光層303により近づけることができるため、隣接する着色層に光を漏らさずに、発光領域を広くとることができる。また、これらの原料を配合した緩衝層材料の粘度も、1000mPa・s以上(室温)でなければならない。これらの材料は、60〜100℃の範囲で加熱することで硬化させる。この時点の問題として、加熱直後に反応が開始されるまで一時的に粘度が低下する。この時に、有機緩衝層210を構成する材料が電極保護層55や陰極50を透過してAlq3に達することで、ダークスポットを発生する。そこで、ある程度まで硬化が進むまでは低温で放置し、ある程度高粘度化したところで温度を上げて完全硬化させる方がより好ましい。また、カチオン放出タイプの光重合開始剤を添加して加熱をする前に10mW/cm2以下の低照度で部分的に硬化して粘度の低下を防いでも良い。しかし、光重合開始剤は着色するものが多いため、ボトムエミッション用途に限られる。
また、ダークスポットを発生させないため、緩衝層材料の主成分(例えば70重量%以上)は1000mPa・s以上であることが好ましい。理由として、低粘度成分が多く混入されていると硬化する際の加熱により硬化前に有機発光層に浸透してダークスポットを発生させるためである。
特に、低分子系の有機発光層303の場合には、緩衝層210の材料中にシランカップリング剤を混合、もしくは、シランカップリング剤による層を追加し、さらに陰極保護層を追加している。更に、シランカップリング剤単独による層は膜強度が脆い問題があるため、緩衝層210によって膜強度を補い、陰極保護層55のピンホールへの浸透をシランカップリング剤が防ぐように、緩衝層210の材料にシランカップリング剤を混合したほうが好ましい。
シランカップリング剤は、SiO2、SiON、SiNとの共有結合が生じるので、陰極保護層やガスバリア層、ガラス基板などとの密着性が向上する(アルミなどの金属とも反応する。)。シランカップリング剤としてはエポキシシランが好ましい。エポキシシランは、緩衝層原料の硬化剤成分(酸無水物系硬化剤)とも反応するので好ましい。
また、主剤/硬化剤/硬化促進剤の組成は40〜45/40〜45/10〜20であることが好ましい(低分子・高分子発光素子に共通)。このようにすると、未硬化成分が10〜20%(緩衝層原料内の未反応エポキシ基を100%とした場合、硬化後の未反応エポキシ基残留比率:FTIRのエポキシ基吸収ピーク強度差で比較可能)となり、未硬化成分による発光機能層への浸透による劣化を防止できる(20%以下になると完全硬化と呼んでいる)。
なお、シランカップリング剤以外にも、イソシアネート化合物などの捕水剤、硬化時の収縮を防ぐ微粒子などの添加剤が緩衝層210に混入されていてもよい。
本実施例においては、(1)ダークスポット発生数に関する実験、(2)ダークスポット発生時間に関する実験、(3)陰極変質時間に関する実験、(4)緩衝層周縁部の形状と非発光領域の有無を確認する実験、(5)緩衝層塗布材料の粘度及び緩衝層の膜厚と、初期ダークスポット発生数に関する実験、(6)ガスバリア層の膜厚とダークスポットの有無を確認する実験、及び(7)緩衝層の材料としてシランカップリング剤を使用した場合のダークスポットの有無を確認する実験、の7つの実験結果について説明する。
表1は、ダークスポット発生数を測定した実験結果である。
評価方法は、基体200上に、発光機能層110、陰極50、電極保護層55、緩衝層210、ガスバリア層30、保護層(粘着層付きポリイミドフィルム)204を順次積層した発光パネルにおいて、緩衝層の形成プロセスを下記の3通りで形成した場合の60℃90%RH600時間放置後のダークスポット発生数を観察した。
(A)『真空塗布+窒素置換消泡+窒素置換60℃硬化』
50Paの真空雰囲気内のスクリーン印刷法で緩衝層を塗布形成し、当該緩衝層を窒素ガス注入で約100000Pa雰囲気にて3分間消泡処理を施した後、同圧力のまま60℃で硬化をした場合(上記実施形態の製造方法に相当)。
(B)『大気塗布+大気60℃硬化』
大気雰囲気内のスクリーン印刷法で緩衝層を塗布形成し、当該緩衝層を大気圧雰囲気にて消泡処理せずに60℃硬化を施した場合。
(C)『大気塗布+減圧脱泡+窒素置換60℃硬化』
大気雰囲気内のスクリーン印刷法で緩衝層を塗布形成し、当該緩衝層を100Paの減圧雰囲気にて3分間脱泡処理を施した後、さらに窒素ガス注入で約100000Paに加圧して60℃硬化をした場合。
を意味している。
なお、この実験においては、(A)〜(C)のいずれも40×40mmの領域に無溶媒エポキシモノマーをスクリーン印刷法によって形成、60℃加熱硬化したものを実験対象としている。
これにより、減圧真空下で緩衝層を塗布形成することで、塗布工程で吸湿させることなく、その後の消泡工程で気泡を消失でき、これによりダークスポットを削減できることが明らかになった。
表2は、ダークスポット発生までにかかった時間を測定した実験結果である。
評価対象は、(D)〜(G)であり、表2において、(A)〜(C)の各々は、
(D)無溶媒エポキシモノマーと酸無水物系硬化剤、反応促進剤とを混合して塗布形成し、硬化させて緩衝層を形成した場合(上記実施形態の製造方法に相当)。
(E)アクリルポリマー材料とXDl(低沸点溶媒:酢酸エチル)とを混合した材料から緩衝層を形成した場合。
(F)アクリルポリマー材料とXDl(高沸点溶媒:酢酸ブチル)とを混合した材料から緩衝層を形成した場合。
(G)緩衝層がない場合。
を意味している。
また、(D)においては、緩衝層としてエポキシ樹脂を50Paの真空スクリーン印刷法にて10μm塗布形成している。更に、(D)においては無溶媒で緩衝層を形成しているため減圧乾燥工程を省略し、窒素で約100000Paに加圧消泡した後に60℃硬化している。
また、(E)及び(F)においては、緩衝層としてアクリル樹脂を大気圧のスリットコート法にて10μm形成している。更に、(E)及び(F)においては、室温での減圧雰囲気(100Pa、30分間)で溶媒の乾燥工程を施した後、窒素パージ後に約100000Paにて60℃で硬化している。
また、(G)においては、陰極保護層及び緩衝層を形成しておらず、また、乾燥工程も行っていない。ガスバリア層と保護層(粘着層付きポリイミドフィルム)のみを形成している。
なお、(E)及び(F)におけるXDIは、キシリレンジイソシアネートを意味する。
これにより、緩衝層材料に溶媒成分が入っていないことで、残留する溶媒成分の発光素子への影響がないため、高い信頼性が得られることが明らかになった。また、(D)の方法では、溶媒成分の除去が必要なくなるため、減圧真空下でも液粘度が安定するため膜厚が安定し、乾燥工程が必要なくなるため工程時間も短縮ができる。
表3は、発光機能層110上に形成したカルシウムとアルミニウムの積層体からなる陰極50の変質が始まるまでの時間を測定した実験結果である。
評価対象は、
(H)有機密着層がある場合、
(I)有機密着層がない場合、の2つである。
また、(H)及び(I)の各々においては、酸窒化珪素膜(SiON)からなる陰極保護層を100nm形成し、緩衝層として真空スクリーン印刷法にてエポキシ系緩衝層材料を10μm塗布形成し窒素パージによる消泡工程後に60℃で硬化、酸窒化珪素膜(SiON)からなるガスバリア層を200nmで形成、保護層として粘着層付きポリイミドフィルムを形成している。また、(H)においては緩衝層に減圧酸素プラズマ処理を施しており、(I)においては緩衝層に減圧酸素プラズマ処理を施していない。
これにより、有機密着層を形成することでガスバリア層と緩衝層との密着性が向上し、特に高温条件下でのガスバリア層の剥離がなくなるため、高い信頼性が得られる。
表4は、緩衝層周縁部(図6参照)の形状が波形状(波打ちあり)の場合と、直線状(波打ちなし)の場合とを比較して、非発光領域の有無を確認した実験結果である。
評価方法としては、110℃85%RHにおいて100時間のエージング(有機EL装置の連続動作)を行ったものである。
表4において、(J)及び(K)は、
(J)緩衝層周縁部が『波打ちあり(波形状)』の場合
(K)緩衝層周縁部が『波打ちなし(直線状)』の場合
を意味している。
なお、同一条件としては、SiONからなる電極保護層を100nmとし、エポキシからなる緩衝層を5μmとし、SiONからなるガスバリア層30を400nmとしている。
表5は、緩衝層塗布材料の粘度及び緩衝層の膜厚と、初期ダークスポット発生数に関する実験結果である。
評価方法は、有機EL装置の動作を開始した初期におけるダークスポット発生数を調べたものである。
表5において、(L)〜(R)は、
(L)緩衝層塗布材料の粘度が10000mPa・s、その膜厚が9μmの場合(M)緩衝層塗布材料の粘度が5000mPa・s、その膜厚が5μmの場合
(N)緩衝層塗布材料の粘度が1000mPa・s、その膜厚が3μmの場合
(O)緩衝層塗布材料の粘度が500mPa・s、その膜厚が3μmの場合
(P)緩衝層塗布材料の粘度が500mPa・s、その膜厚が2μmの場合
(Q)緩衝層塗布材料の粘度が5000mPa・s、その膜厚が5μm、かつ、電極保護層がない場合
(R)緩衝層塗布材料を形成せず、電極保護層が2000nmの場合
を意味している。
なお、同一条件としては、(Q)及び(R)を除いて電極保護層を100nmとし、(R)を除いてガスバリア層30の膜厚を400nmとしている。
このように、緩衝層の粘度を1000〜10000mPa・sにすることで、緩衝層の膜厚を10μm以下に抑えながら、初期ダークスポットを抑制する効果があることが確認された。また、緩衝層の膜厚を抑えることで、カラーフィルタ基板を15μm以下のギャップで有機発光層に近づけることができるため、画素の開口率をより大きくできる。
表6は、ガスバリア層の膜厚とダークスポットの有無を確認した実験結果である。
評価方法としては、60℃90%RHにおいて600時間のエージング(有機EL装置の連続動作)を行ったものである。
表6において、(S)〜(V)は、
(S)ガスバリア層が200nmである場合
(T)ガスバリア層が400nmである場合
(U)ガスバリア層が600nmである場合
(V)ガスバリア層が800nmである場合
を意味している。
なお、同一条件としては、SiONからなる電極保護層を100nmとし、エポキシからなる緩衝層を5μmとしている。
表7は、緩衝層の材料としてシランカップリング剤を使用した場合のダークスポットの有無を確認した実験結果である。
表7において、(W)〜(Y)は、
(W)陰極保護層を非形成とし、緩衝層がエポキシとシランカップリング剤とを含有する場合
(X)SiONからなる陰極保護層を100nm形成し、緩衝層がエポキシとシランカップリング剤とを含有する場合
(Y)SiONからなる陰極保護層を100nm形成し、緩衝層がエポキシを含有する場合
を意味している。
なお、この実験は、高分子系の有機EL装置(第1及び第2の実施形態)と、低分子系の有機EL装置(第3実施形態)とにおいて行っている。
このように低分子系の有機EL装置においては、SiONの陰極保護層と、エポキシとシランカップリング剤からなる緩衝層とを組み合わせると、シランカップリング剤が陰極保護層と結合して陰極保護層が穴埋めされ、これによって、ダークスポット発生を抑制することが考えられる。
次に、本発明の電子機器について説明する。
電子機器は、上述した有機EL装置(有機EL装置)1を表示部として有したものであり、具体的には図14に示すものが挙げられる。
図14(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図14(a)において、携帯電話1000は、上述した有機EL装置1を用いた表示部1001を備える。
図14(b)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図14(b)において、時計1100は、上述した有機EL装置1を用いた表示部1101を備える。
図14(c)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図14(c)において、情報処理装置1200は、キーボードなどの入力部1201、上述した有機EL装置1を用いた表示部1202、情報処理装置本体(筐体)1203を備える。
図14(a)〜(c)に示すそれぞれの電子機器は、上述した有機EL装置(有機EL装置)1を有した表示部1001,1101,1202を備えているので、表示部を構成する有機EL装置の発光素子の長寿命化が図られたものとなる。
Claims (3)
- 基体上に、
第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、を有する発光素子と、
前記発光素子を覆うように設けられた樹脂層と、
前記樹脂層を覆うように設けられたガスバリア層と、を備え、
前記樹脂層は、前記発光素子を覆う第1の部分と、前記第1の部分よりも外側に位置する第2の部分と、を有し、
前記第2の部分は、平面視において波形状となるように形成されており、
前記波形状の前記第2の部分は、波形ピッチを0.01〜0.2mm、波形幅を0.01〜0.1mmで形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記ガスバリア層は、前記樹脂層を覆い前記基体と接していることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011150713A JP5240325B2 (ja) | 2004-10-22 | 2011-07-07 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004307756 | 2004-10-22 | ||
JP2004307756 | 2004-10-22 | ||
JP2011150713A JP5240325B2 (ja) | 2004-10-22 | 2011-07-07 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008145482A Division JP2008226859A (ja) | 2004-10-22 | 2008-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011192660A JP2011192660A (ja) | 2011-09-29 |
JP5240325B2 true JP5240325B2 (ja) | 2013-07-17 |
Family
ID=36748214
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008145482A Withdrawn JP2008226859A (ja) | 2004-10-22 | 2008-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
JP2011150713A Expired - Fee Related JP5240325B2 (ja) | 2004-10-22 | 2011-07-07 | 有機エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008145482A Withdrawn JP2008226859A (ja) | 2004-10-22 | 2008-06-03 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2008226859A (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101182673B1 (ko) * | 2009-05-13 | 2012-09-14 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP5636837B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2014-12-10 | 凸版印刷株式会社 | 太陽電池バックシート |
CN105349946A (zh) * | 2012-01-12 | 2016-02-24 | 大日本印刷株式会社 | 蒸镀掩模及有机半导体元件的制造方法 |
US9331297B2 (en) | 2012-06-21 | 2016-05-03 | Joled Inc. | Organic EL display device and method for manufacturing same |
TWI492374B (zh) * | 2012-12-03 | 2015-07-11 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板 |
KR102066079B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2020-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR20150011231A (ko) | 2013-07-22 | 2015-01-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR102092842B1 (ko) * | 2013-08-07 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조 방법 |
JP2015185479A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN110419264A (zh) * | 2017-03-28 | 2019-11-05 | 索尼公司 | 显示装置和电子设备 |
JP6750651B2 (ja) | 2018-08-24 | 2020-09-02 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、および電子機器 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0666350B2 (ja) * | 1991-10-24 | 1994-08-24 | 日本レック株式会社 | 電気部品の樹脂封止法 |
JP3162313B2 (ja) * | 1997-01-20 | 2001-04-25 | 工業技術院長 | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JPH118069A (ja) * | 1997-02-17 | 1999-01-12 | Nippon Steel Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
JP3426913B2 (ja) * | 1997-05-09 | 2003-07-14 | 東レエンジニアリング株式会社 | 電子部品の樹脂封止装置 |
JP3484985B2 (ja) * | 1998-08-17 | 2004-01-06 | 東亞合成株式会社 | 光硬化型接着剤組成物 |
JP3848012B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2006-11-22 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法、および半導体装置 |
JP2001155855A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の封止方法 |
JP2002141167A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-05-17 | Jsr Corp | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
JP3903204B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2007-04-11 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
JP4573444B2 (ja) * | 2001-01-24 | 2010-11-04 | 株式会社スリーボンド | 貼合装置及び貼合方法 |
JP4887585B2 (ja) * | 2001-08-24 | 2012-02-29 | パナソニック株式会社 | 表示パネルおよびそれを用いた情報表示装置 |
JP2004095416A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Hitachi Chem Co Ltd | 封止用条部材及びこれを用いた実装体、封止材の製造方法及び有機el素子実装体の製造方法 |
JP4465951B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-05-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
JP2004186525A (ja) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | エリア実装型半導体装置 |
JP3650101B2 (ja) * | 2003-02-04 | 2005-05-18 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
JP2004272199A (ja) * | 2003-02-18 | 2004-09-30 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像表示媒体用リブ及びその製造方法、並びに、それを用いた画像表示媒体 |
JP2004265776A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Hitachi Ltd | 有機elディスプレイ装置 |
JP2004296139A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sony Corp | 貼合装置および貼合方法、ならびに表示装置の製造方法 |
JP2005019151A (ja) * | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Tohoku Pioneer Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP4373161B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光表示装置 |
KR100553758B1 (ko) * | 2004-02-02 | 2006-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
JP2005222807A (ja) * | 2004-02-05 | 2005-08-18 | Seiko Epson Corp | 封止構造体、電子機器及び画像形成装置 |
JP3951055B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
ATE476757T1 (de) * | 2004-10-21 | 2010-08-15 | Lg Display Co Ltd | Organische elektrolumineszente vorrichtung und herstellungsverfahren |
JP4215750B2 (ja) * | 2005-07-05 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
-
2008
- 2008-06-03 JP JP2008145482A patent/JP2008226859A/ja not_active Withdrawn
-
2011
- 2011-07-07 JP JP2011150713A patent/JP5240325B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011192660A (ja) | 2011-09-29 |
JP2008226859A (ja) | 2008-09-25 |
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