JP5223116B2 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5223116B2 JP5223116B2 JP2009074879A JP2009074879A JP5223116B2 JP 5223116 B2 JP5223116 B2 JP 5223116B2 JP 2009074879 A JP2009074879 A JP 2009074879A JP 2009074879 A JP2009074879 A JP 2009074879A JP 5223116 B2 JP5223116 B2 JP 5223116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing layer
- emitting device
- led chip
- sealing
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Description
そこで、本発明は、光取り出し効率が向上されるとともに、光取り出し効率の低下が防止される発光装置の構成または製造方法を提供することを目的とする。
ケースの凹部底面に表出する金属リードに搭載されたLEDチップと、
前記金属リードを被覆し、かつ前記LEDチップが表出するように設けられ、光拡散材が分散されてなる第1の封止層と、
前記第1の封止層の上に設けられる第2の封止層と、
を備える発光装置であって、
前記第1の封止層は第1の硬さを有し、前記第2の封止層は第2の硬さを有し、該第1の硬さは該第2の硬さよりも硬い、ことを特徴とする発光装置である。
以下、本発明の実施の形態につき、図例を参照しながら説明をする。
LEDチップ10は封止部材40によって封止される。封止部材40は第1の封止層41と、第2の封止層42とからなる。第1の封止層41はレジン型のシリコーン樹脂からなり、その硬度はShoreD30である。さらに、第1の封止層41には、10重量%の酸化チタン製の白色フィラーが分散されている。一方、第2の封止層42はエラストマ型のシリコーン樹脂からなり、その硬度はShoreA40である。図2に示すように、第1の封止層41は金属リード30の表出領域とLEDチップ10実装領域を除く凹部21の表面の略全域を覆うように設けられている。ただし、凹部21の底部21aにおける第1の封止層41の厚さは、LEDチップ10の高さよりも小さく、LEDチップ10の上面(凹部21の開口側の面)には第1の封止層41は形成されていない。第2の封止層42は第1の封止層41の上及びLEDチップ10の上に形成されて、凹部21を充填している。なお、第2の封止層42には10重量%の蛍光材が含有されている。
比較実験の実験条件は以下の通りである。まず、比較実験1は、1000時間の高温通電後の光度維持率を測定する。当該光度維持率が80%以上のものを○とし、80%未満のものを×とする。比較実験2は、雰囲気温度を−40℃から100℃への温度変化させて再度−40℃に戻すことを一サイクルとして、当該温度サイクルを1000回実施した後の点灯状態について、不点灯のものがないもの○とし、不点灯のものがあるもの×とする。なお、比較実験1、2はともに20個の発光装置を対象に行った。実施例及び比較例1、2の封止樹脂の種類と比較実験の結果を表1に示す。
さらに、実施例の発光装置1によれば、表1に示すように、第1の封止層41は第2の封止層42よりも硬度が高いため、第1の封止層41は第2の封止層42よりも高いガスバリア性を有する。これにより、銀メッキが施された金属リード30の変色が防止され、光取り出し効率の低下が防止される。さらに、第1の封止層41には光拡散材である白色フィラーが分散されているため、金属リード30が変色した場合にも、当該白色フィラーによりLEDチップ10の光を反射して取り出せるため、光取り出し効率の低下がより一層防止される。加えて、第1の封止層41はナイロン製のケース20の凹部21の内側面の略全域を覆っているため、当該凹部21の内側面の変色も防止され、光取り出し効率の低下が一層防止される。また、封止部材40は、第1の封止層41と第2の封止層42とからなる二層構造であるが、第1の封止層41と第2の封止層42はともにシリコーン樹脂からなるため、その接着性が高く、剥離などが生じにくい。
10 LEDチップ
20 ケース
21 凹部
30 金属リード
40 封止部材
41 第1の封止層
42 第2の封止層
Claims (6)
- ケースの凹部底面に表出する金属リードに搭載されたLEDチップと、
前記金属リードを被覆し、かつ前記LEDチップが表出するように設けられ、白色フィラーが分散されてなる第1の封止層と、
前記第1の封止層の上に設けられる第2の封止層と、
を備える発光装置であって、
前記第1の封止層は第1の硬さを有し、前記第2の封止層は第2の硬さを有し、該第1の硬さは該第2の硬さよりも硬く、前記第1の封止層はレジン型のシリコーン樹脂からなり、前記第2の封止層はエラストマ型のシリコーン樹脂からなる、ことを特徴とする発光装置。 - 前記第1の封止層は、前記ケースの凹部の表面の実質的に全域を被覆する、請求項1に記載の発光装置。
- ケースの凹部底面に表出された金属リードへLEDチップを搭載するLEDチップ搭載ステップと、
前記金属リードを被覆し、かつLEDチップが表出するように第1の封止層を形成する第1の封止層形成ステップと、
前記第1の封止層の上に第2の封止層を形成する第2の封止層形成ステップと、
を含む発光装置の製造方法であって、
前記第1の封止層はレジン型シリコーン樹脂へ白色フィラーを分散させてなる第1の封止部材からなり、前記第2の封止層はエラストマ型シリコーン樹脂からなる第2の封止部材からなる、ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記第2の封止層形成ステップにおいて、前記第1の封止層及び前記第2の封止層は未硬化状態であり、前記第2の封止層形成ステップの後に、前記第1の封止層及び前記第2の封止層を同時に硬化する硬化ステップをさらに含む、請求項3に記載の製造方法。
- 前記第1の封止層及び前記第2の封止層が未硬化の状態において、前記第1の封止層の粘度は前記第2の封止層の粘度よりも大きい、請求項3又は4に記載の製造方法。
- 前記第2の封止層には蛍光材が分散され、前記第2の封止層における該蛍光材の重量比が、前記第1の封止層における白色フィラーの重量比より小さい、請求項3〜5のいずれか一項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009074879A JP5223116B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 発光装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009074879A JP5223116B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 発光装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010232203A JP2010232203A (ja) | 2010-10-14 |
JP5223116B2 true JP5223116B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=43047804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009074879A Active JP5223116B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5223116B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5666265B2 (ja) * | 2010-11-24 | 2015-02-12 | セイコーインスツル株式会社 | 発光部品、発光器、及び発光部品の製造方法 |
WO2012081247A1 (ja) * | 2010-12-17 | 2012-06-21 | パナソニック株式会社 | Led装置、およびその製造方法 |
KR101241511B1 (ko) | 2011-03-22 | 2013-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치 |
CN103403892A (zh) * | 2011-03-31 | 2013-11-20 | 松下电器产业株式会社 | 半导体发光装置 |
JP5817297B2 (ja) * | 2011-06-03 | 2015-11-18 | 東芝ライテック株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JPWO2013011628A1 (ja) * | 2011-07-19 | 2015-02-23 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP5938912B2 (ja) * | 2012-01-13 | 2016-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JP6192377B2 (ja) * | 2013-06-18 | 2017-09-06 | ローム株式会社 | Led光源モジュール |
JP6523597B2 (ja) | 2013-09-30 | 2019-06-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6369266B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US10174886B2 (en) | 2015-07-31 | 2019-01-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion member and light emitting device |
JP6150446B1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-06-21 | シャープ株式会社 | 波長変換部材および発光装置 |
JP6237826B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 |
JP6728676B2 (ja) | 2015-12-26 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7178761B2 (ja) * | 2019-02-04 | 2022-11-28 | 日機装株式会社 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4611617B2 (ja) * | 2002-04-26 | 2011-01-12 | 株式会社カネカ | 発光ダイオード |
JP4443188B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2010-03-31 | 京セラ株式会社 | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置 |
JP4729281B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-07-20 | 株式会社フジクラ | 発光ダイオード及び発光ダイオード製造方法 |
JP2007043074A (ja) * | 2005-06-27 | 2007-02-15 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
JP5233087B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2013-07-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法、パッケージ、発光素子実装用の基板 |
JP3139038U (ja) * | 2007-11-12 | 2008-01-31 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置 |
-
2009
- 2009-03-25 JP JP2009074879A patent/JP5223116B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010232203A (ja) | 2010-10-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5223116B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5956167B2 (ja) | 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法 | |
US10586901B2 (en) | LED module having a highly reflective carrier | |
US20110062470A1 (en) | Reduced angular emission cone illumination leds | |
JP5922326B2 (ja) | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008041699A (ja) | Ledパッケージ | |
JP2009231510A (ja) | 照明装置 | |
JP2009290180A (ja) | Ledパッケージ及びその製造方法 | |
KR20090017346A (ko) | 산란수단을 갖는 led 패키지 | |
US11686436B2 (en) | LED filament and light bulb using LED filament | |
CN101030572A (zh) | 发光二极管封装及其制造方法 | |
JP2011176234A (ja) | 半導体発光装置 | |
CN101752352A (zh) | 发光二极管封装及其制造方法 | |
JP5455720B2 (ja) | 光半導体パッケージおよび光半導体装置 | |
JP2010199513A (ja) | 発光装置及びこの発光装置を備えた照明装置 | |
JP2011222603A (ja) | 光半導体装置用リードフレームおよび光半導体装置 | |
JP6985286B2 (ja) | 発光素子およびこれを備えた発光モジュール | |
CN103050582A (zh) | 具胶墙的发光二极管封装方法 | |
JP2017034134A (ja) | 発光装置、及び、照明装置 | |
JP2004088004A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2010171130A (ja) | ランプおよびランプの製造方法 | |
JP6788860B2 (ja) | 発光装置、及び照明装置 | |
KR20150029641A (ko) | 광 반도체 장치 | |
KR101334314B1 (ko) | 발광 다이오드 램프 및 그것을 제조하는 방법 | |
US20170077369A1 (en) | Light-emitting apparatus, illumination apparatus, and method of manufacturing light-emitting apparatus |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120815 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130205 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130218 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5223116 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160322 Year of fee payment: 3 |