JP5205683B2 - 光学装置、露光装置、および露光方法 - Google Patents

Description

本発明は光学薄膜を備えた光学装置に関し、特に広波長域にわたり良好な波長特性を有する光学装置に関する。さらに、本発明は、当該光学装置を備えた露光装置及び露光方法に関する。

露光装置等にはレンズ（光学装置）が組み込まれているが、レンズにおける光の漏れを無くすために、一般的にレンズには反射防止膜を形成する。そして、この反射防止膜によって、使用波長域内においてできるだけ反射率を低減させる試みがなされていた。

発明が解決しようとする課題

しかしながら、上記従来の光学装置には、次のような問題があった。すなわち、光学装置における反射防止膜が設けられている位置では、垂直入射の光束のみならず斜入射光束も存在する。この斜入射光束は、視野または照射における周辺部に達する光束に対応する。そして、従来の反射防止膜では、視野または照射における周辺部の光エネルギーが中心部に対して低下するという問題点があった。つまり、従来の反射防止膜（または反射増加膜）では、広い波長域の光に対して、視野全体における透過率ムラや照野全体における照明ムラ等のエネルギー伝達ムラが発生する問題点があったのである。

そこで、本発明は、広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達特性（反射率特性、透過率特性）を実現できる光学装置、これを備えた露光装置、および露光方法を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

【課題を解決するための手段】 上述の目的を達成するために、本発明は、少なくとも
２つの輝線を含む光源からの照明光で照明されたマスク上に形成された所定パターンをワ
ーク上へ転写する露光装置において、
前記照明光の波長帯域である使用波長帯域において波長依存性を持った反射率または透
過率を有する薄膜が光学面上に形成された光学装置を備え、
前記光学装置中の前記光学面とは別の光学面上に形成されて、前記使用波長帯域におけ
る前記波長依存性を抑圧する薄膜である抑圧部を備え、
前記抑圧部の反射率の波長特性は、該波長特性の１次微分値が正である第１領域を短波
長側に有し、かつ前記波長特性の２次微分値が負である領域を前記第１領域よりも長波長
側の第２領域に有する特性であり、
前記使用波長帯域の両端が前記第１領域の極値および前記第２領域の極値が位置する波
長の±３％の範囲に位置するように前記抑圧部の反射率の波長特性を設定したことを特徴
とする。

抑圧部によって反射防止膜等の薄膜の波長依存性を抑圧することで、広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達特性を実現することができる。
また、本発明の光学装置において、前記抑圧部は、前記光学装置中の前記光学面とは別の光学面上に形成してもよい。

また、本発明の光学装置において、前記抑圧部は、前記別の光学面上に形成される薄膜としてもよい。
さらに、本発明の光学装置において、前記薄膜の光学特性は反射率または透過率であることが好ましい。

また、本発明の光学装置において、前記抑圧部の反射率の波長特性は、該波長特性の１次微分値が正である第１領域を短波長側に有し、かつ前記波長特性の２次微分値が負である領域を前記第１領域よりも長波長側の第２領域に有する特性であることが好ましい。

本発明者らは、鋭意研究によって、従来の光学装置の薄膜では、斜入射光束に対する特性は、垂直入射光束に対する特性と比較して、長波長側での反射率が短波長側での反射率と比較して増加してしまう傾向にあることを見出した。そして、上記本発明の構成を採用することで、抑圧部の反射率特性は、垂直入射から斜入射になるのに従って、短波長側の反射率が増加し、且つ長波長側の反射率が減少することになる。これにより、広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達特性を図ることができる。

また、本発明の光学装置においては、前記所定の波長帯域を前記第１領域と第２領域との間の近傍とすることが好ましく、前記第１領域と第２領域との間とすることがさらに好ましい。
また、本発明の光学装置において、前記所定の波長帯域の中心波長をλとし、前記所定の波長帯域の幅をΔλとするとき、
０．０５≧Δλ／λ（１）
を満足することが好ましい。この場合、さらに前記所定の波長帯域の幅Δλは１０ｎｍ以上であることが好ましい。

また、本発明の光学装置において、前記抑圧部が設けられる前記別の光学面へ入射する光線の入射角度の最大角度を５°以上してもよい。
また、本発明の露光装置は、照明されたマスク上に形成された所定パターンをワーク上へ転写する露光装置であって、上記光学装置を備えるものである。

本発明の露光装置によれば、上記のような広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達をできる光学装置を用いるため、ワーク上での照度分布を略均一にすることができる。
また、本発明の露光装置において、前記照明光を供給するための光源を備え、該光源は少なくとも２つの輝線を含む照明光を供給し、前記少なくとも２つの輝線は前記所定の波長帯域内としてもよい。この場合、前記光源は放電ランプであることが好ましく、前記光源が水銀ランプであることがさらに好ましい。

また、本発明の露光装置において、光源からの照明光に基づいて前記マスクを照明するための照明光学系と、前記マスクのパターン像をワーク上に形成する投影光学系とを備え、前記抑圧部を前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも何れか一方に設けるように構成してもよい。

また、本発明の露光方法は、上記本発明の露光装置を用いて前記マスク上の前記パターンを前記ワーク上に形成することを特徴とする。
本発明の露光方法によれば、上記のような広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達をできる光学装置を用いるため、ワーク上での照度分布を略均一にすることができる。

以下、本発明に係る光学装置、露光装置、及び露光方法の好適な実施形態を詳細に説明する。図１においては、マスクＭおよびワークＷがＸＹ平面に沿って配置され、ＸＹ平面のうち走査方向をＸ方向、Ｘ方向と直交する非走査方向をＹ方向とし、ＸＹ平面に直交する方向をＺ方向として説明する。

本実施形態の投影露光装置は、後述する照明装置によりマスクＭ上の複数の照明領域ＩＡＡ，ＩＡＢ，ＩＡＣを照明し、これら複数の照明領域ＩＡＡ〜ＩＡＣのそれぞれに対応して配置された複数の投影光学系ＰＬＡ，ＰＬＢ，ＰＬＣにより、複数の照明領域ＩＡＡ〜ＩＡＣ内のマスクＭのパターンの正立正像をワークＷ上の投影領域ＰＡＡ，ＰＡＢ，ＰＡＣ内に形成するものである。

図１に示すように、投影領域ＰＡＡ〜ＰＡＣは、平面視台形状であり、Ｙ方向に沿って隣り合う領域どうし（例えばＰＡＡとＰＡＢ、ＰＡＢとＰＡＣ）が図の
Ｘ方向に所定量変位するように、且つ隣り合う領域の端部同士がＹ方向に重複するように、Ｙ方向に沿って並列配置されている。なお、上記各投影光学系ＰＬＡ〜ＰＬＣも各投影領域ＰＡＡ〜ＰＡＣの配置に応じてＸ方向に所定量変位すると共にＹ方向に重複して配置されている。

これらの各投影領域ＰＡＡ〜ＰＡＣがワークＷ上を走査することにより、ワークＷ上には、投影領域ＰＡＡによる露光領域、投影領域ＰＡＢによる露光領域、及び投影領域ＰＡＣによる露光領域が実質的に同時に形成される。
また、マスクステージＭＳは、不図示の駆動装置によってＸ方向に移動自在とされている。このマスクステージＭＳ上の端縁には、直交する方向に移動鏡３１ａ、３１ｂがそれぞれ設置されている。移動鏡３１ａにはレーザ干渉計３２ａが対向して配置されている。また、移動鏡３１ｂにはレーザ干渉計３２ｂが対向して配置されている。

これらのレーザ干渉計３２ａ、３２ｂがそれぞれ移動鏡３１ａ、３１ｂにレーザ光を射出して当該移動鏡３１ａ、３１ｂとの間の距離を計測することにより、マスクステージＭＳのＸ方向の移動距離及び走査時のマスクステージＭＳの回転量を検出することが可能になっている。そして、レーザ干渉計３２ａ，３２ｂの出力によってマスクステージＭＳの位置をモニターし、上記駆動装置をサーボ制御することでマスクステージＭＳを所望の位置へ移動することができるようになっている。

ワークステージＷＳは、不図示の駆動装置によってＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向にそれぞれ移動自在になっている。このワークステージＷＳの端縁には、直交する方向に移動鏡３３ａ、３３ｂがそれぞれ設置されている。移動鏡３３ａにはレーザ干渉計３４ａが対向して配置されており、移動鏡３３ｂにはレーザ干渉計３４ｂが対向して配置されている。

これらのレーザ干渉計３４ａ、３４ｂがそれぞれ移動鏡３３ａ、３３ｂにレーザ光を射出して当該移動鏡３３ａ、３３ｂとの間の距離を計測することにより、ワークステージＷＳのＸ方向・Ｙ方向の移動距離、及び走査時のワークステージＷＳの回転量を検出することが可能になっている。そして、レーザ干渉計３４ａ、３４ｂの出力によってワークステージＷＳの位置をモニターし、上記駆動装置をサーボ制御することでワークステージＷＳを所望の位置へ移動することができるようになっている。

次に、本実施形態の照明装置について説明する。図１に示すように、本実施形態の照明装置は、１つの光源１１と、当該光源１１からの光を３分岐するライトガイド４０と、ライトガイド４０の複数の射出端からの光をそれぞれの光軸ＡｘＡ、ＡｘＢ、ＡｘＣに沿ってマスクＭ上の照明領域ＩＡＡ〜ＩＡＣへ導く複数の照明光学系と、を備えるものである。

なお、図１では、ライトガイド４０が有する複数の射出端のうちの２つの射出端４２Ａ，４２Ｃのみを図示し、複数の照明光学系も光軸ＡｘＡに沿って配置されるものしか図示していない。ただし、ライトガイド４０が有する複数の射出端は、光軸ＡｘＢ，ＡｘＣ上にも配置されており、これらの光軸ＡｘＢ，ＡｘＣ上には、光軸ＡＸＡに沿って配置される照明光学系と等価な照明光学系が配置されている。

図２は、光軸ＡｘＡに沿って配置される照明光学系の光路図である。以下の説明においては、光軸ＡｘＡに沿って配置される照明光学系について代表して説明し、光軸ＡｘＢ，ＡｘＣに関する照明光学系の説明は省略する。
図２において、例えば超高圧水銀ランプ等からなり、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）の３つの輝線を含む光を供給する光源１１が、楕円鏡１２の第１焦点位置に配置されており、光源１１からの光は楕円鏡１２の第２焦点位置に集光し、この位置に光源像を形成する。楕円鏡１２の第２焦点位置の近傍には、ライトガイド４０の入射端４１が位置決め固定されている。このライトガイド４０は、ランダムに束ねられた複数の光ファイバーを有し、これらの光ファイバーの入射端が一つにまとめられ、射出側が複数（本実施形態では３つ）にまとめられている。従って、ライトガイド４０の入射端４１から入射した光束は、３つの射出端（図１では射出端４２Ａのみ図示）からほぼ均等に射出する。

ライトガイド４０の射出端４２Ａから射出される光は、この射出端４２Ａの近傍に前側焦点が位置決めされたインプットレンズ群１４Ａを介してほぼ平行光束に変換される。この平行光束がフライアイレンズ１６Ａに入射することにより、フライアイレンズ１６Ａの射出面には面光源（２次光源）が形成される。この２次光源位置には図示なき照明開口絞りが配置される。

２次光源からの光は、この２次光源が形成される位置に前側焦点が位置決めされたコンデンサレンズ系１７により集光され、照明領域ＩＡＡ（投影領域ＰＡＡ）とほぼ相似形状である等脚台形状の開口部を有する照明視野絞りＩＦＳを重畳的に照明する。

照明視野絞りＩＦＳを通過した光束は、照明視野絞りＩＦＳとマスクＭのパターン面（ワークＷ面）とを光学的に共役にする照明視野絞り結像光学系１９ａＡ，１９ｂＡ、及び照明視野絞り結像光学系内に配置された光路折り曲げ鏡ＦＬＡを通過してマスクＭ上に達する。このとき、マスクＭ上には、照明視野絞りＩＦＳの開口部の像である照明領域ＩＡＡが形成される。

なお、本実施形態では３組の投影光学系を用いたが、投影光学系の数（照明領域の数、投影領域の数）は３組には限られず、例えば５組、７組等の複数組の投影光学系を用いることができる。また、本実施形態では、１つの光源からの光を複数の光束に分岐したが、光源の数は１組には限られず、例えば特開平8-17223号公報や特開平10-199800号公報に開示されるような複数の光源からの光を複数の光束に分岐するものも適用できる。また、本実施形態における投影光学系としては、例えば特開平8-211294号公報、特開平8-255746号公報、特開平11-329935号公報、特開2000-39557号公報に開示されているものを用いることができる。

さて、本実施形態では、以下に示す特性を有する反射防止膜（抑圧部）をフライアイレンズ１６Ａ（１６Ｂ，１６Ｃ）よりもワークＷ側のレンズ面のうちの数面のレンズ面に設けており、従来の反射防止膜をそれ以外のレンズ面に設けている。

例えば、図３に示すように、コンデンサレンズ１７Ａの光源１１側のレンズ面（光学面）２２には、従来の反射防止膜２２が形成され、別のレンズ面には抑圧部としての反射防止膜２０が形成されている。従来の反射防止膜２２は、波長依存性を持った光学特性を有する薄膜であり、反射防止膜２０は、所定の波長領域における反射防止膜２２の上記波長依存性を抑圧する、換言すれば補正する薄膜である。

ここで、図４を参照して、本実施形態で用いる反射防止膜２０の説明に先立ち、従来のレンズに形成されている反射防止膜２２の光学特性（反射率の波長特性）について説明する。図４において、縦軸は反射率Ｒ（％）を示し、横軸は波長λ（ｎｍ）を示す。また、反射防止膜２２に対して垂直入射する光線の特性を図中実線で示し、薄膜に対して斜入射する光線の特性を図中破線で示す。そして、λ₀は基準波長、λ₁は使用波長域における短波長側の波長、λ₂は使用波長域における長波長側の波長をそれぞれ示す。図４に実線で示すように、従来の反射防止膜２２では、使用波長域内において、できるだけ反射率を低減させるような波長特性としていた。

そして、本発明者らは、斜入射光束に対する特性が垂直入射光束に対する特性と比べて短波長側ヘシフトするため、図４に示したような単純にフラットな特性を持つ反射防止膜では、長波長λ₂での反射率が短波長λ₁での反射率と比較してより増加する傾向にあることに着目した。

ここで、コンデンサレンズ１７Ａにおける反射防止膜２２が設けられている位置では、垂直入射の光束のみならず斜入射光束も存在する。この斜入射光束は、視野における周辺部に達する光束に対応する。従って、反射防止膜２２では、視野における周辺部では波長によって反射率が大きく異なり、本発明者らは、このことが、従来のレンズにおいて、広い波長域の光に対して視野全体における透過率ムラ等のエネルギー伝達ムラを引き起こしていることを見出した。

図５は、本実施形態の反射防止膜２０の反射率特性を示す図である。図５において、縦軸は反射率Ｒ（％）を示し、横軸は波長λ（ｎｍ）を示す。また、図５において、反射防止膜に対して垂直入射する光線の特性を図中実線で示し、薄膜に対して斜入射する光線の特性を図中破線で示している。そして、ｉはｉ線（λ＝３６５ｎｍ）を示し、ｈはｈ線（λ＝４０５ｎｍ）を示し、ｇはｇ線（λ＝４３６ｎｍ）を示す。

図５に示すように、本実施形態の反射防止膜の反射率特性は、この反射率特性の１次微分値が正である第１領域Ｓ１を短波長側に有し、２次微分値が負である第２領域Ｓ２を上記第１領域Ｓ１よりも長波長側に有する。そして、本実施形態における使用波長域（ｇ線〜ｉ線）は、これら第１領域Ｓ１と第２領域Ｓ２との間の領域近傍に設定される。ここで、使用波長域を第１領域Ｓ１と第２領域Ｓ２との間に設定することが一番好ましい。

言い換えると、反射防止膜２０の反射率特性は、垂直入射から斜入射になるのに従って短波長側の反射率が増加し、かつ長波長側の反射率が減少するような特性である。すなわち、短波長側における垂直入射の反射率をできるだけ低くなるような、かつ長波長側の垂直入射の反射率を当該波長の周辺の波長に対して大きくなるような特性である。

このような特性に設定された反射防止膜２０を、図３に示したように従来の反射防止膜２２が設けられた光学装置の一部のレンズ面に適用することにより、従来の反射防止膜２２のように斜入射になるのに従って長波長側での反射率が短波長側での反射率よりも増加する特性をうち消すことが可能となる。つまり、反射防止膜２０によって、反射防止膜２０の波長依存性を抑制することができる。

尚、このような反射防止膜２０は、公知の薄膜形成方法によって作製することができる。このような薄膜形成方法は、例えば"Thin Film Optical Filters",H.A.MacLeod, 3rd ed., IOP Publishingに記載されている。
また、図６に示すように、使用波長域の短波長端を第１領域Ｓ１を越えてわずかに短波長側に設定し、使用波長域の長波長端を第２領域を越えてわずかに短波長側に設定すれば、実用上の効果を得ることができ、使用波長域の拡大も図ることが可能である。このように、使用波長域の両端は反射特性を示す曲線の極値となる位置と一致している必要はなく、第１領域Ｓ１および第２領域Ｓ２の近傍にあればよい。具体的には、波長の±３％、好ましくは±２％の範囲に位置していればよい。例えば、第１領域Ｓ１の極値が３６５ｎｍの場合、波長の±３％として３６５±１１ｎｍが使用波長域の下限となればよい。

次に、図７及び図８を参照して本実施形態と従来例との比較結果を示す。図７は、図５に示した反射率特性を有する反射防止膜２２を図１及び図２に示した露光装置の光学系の一部のレンズ面に適用（残りは従来（図４）の反射率特性）した場合のワークＷ上での照度分布を示し、図８は、図４に示した反射率特性を有する反射防止膜を図１及び図２に示した露光装置の光学系の全てのレンズ面に適用した場合のワークＷ上での照度分布を示す。なお、図７及び図８は、マスクＭの透過率分布が均一なものである場合のワーク上での照度分布を示している。

図７及び図８において、縦軸は照度不均一性（％）を示し、横軸はワーク上での像高を示す。また、図７及び図８において、ｉはｉ線、ｈはｈ線、ｇはｇ線、Ａｖｅ．は全ての波長の平均値（但し各波長毎にウエイトをつけてある）を示す。

なお、図２より明らかな通り、破線で示す光軸外の位置に像を形成する軸外光束と、実線で示す光軸上の位置に像を形成する軸上光束とを比較すると、軸外光束は軸上光束よりも屈折面に対して斜入射で入射する光束の割合が圧倒的に多い。

従って、斜入射になるのに従って長波長側での反射率が短波長側での反射率よりも増加する特性の反射防止膜のみ、すなわち従来の反射防止膜２２のみの場合には、図８に示すように、各波長毎に照度ムラの差が大きくなり、波長によっては像面上において大きな照度ムラとなる。

一方、図５に示した反射率特性を有する反射防止膜を一部のレンズ面に適用すれば、図７に示すように、全ての使用波長域（ｉ線、ｈ線、ｇ線）にわたりほぼ均一な照度の像を得ることができる。このように、本実施形態の露光装置によって露光を行えば、ワーク上での照度分布を略均一にすることができる。

また、本実施形態において、所定の波長帯域としての使用波長域の中心波長をλとし、当該使用波長域の幅をΔλとするとき、
０．０５≧Δλ／λ （１）
を満足することが好ましい。

この条件式（１）は、本実施形態にかかる抑圧手法が有効な範囲を示し、使用波長域の幅が条件式（１）を満足しないような場合には、このような抑圧手法を採用する必然性は薄くなる。
また、図５に示した如く特性を有する反射防止膜は、光学面（屈折面、反射面、回折面等）へ入射する光束の角度範囲が５°以上となる光学面に設けることが好ましい。このような角度範囲が５°以上となる光学面に従来の反射防止膜を設けると、透過率の入射角依存性による照明ムラの影響が大きくなり過ぎるため好ましくない。なお、従来の反射防止膜の波長特性をうち消し過ぎて照明ムラを引き起こすような場合には、角度範囲が５°以上となる光学面の全てに本実施形態の反射防止膜を設ける必要はなく、一部の光学面に設ければよい。

図９は、一方の面に上記反射防止膜２２を形成し他方の面に反射防止膜２０を形成したレンズに関して、実際の入射光束の波長と反射率との関係を示す図である。斜入射の最大入射角は、２２度であった。同図に示すように、短波長側（ｉ線付近）および長波長側（ｇ線付近）のいずれにおいても、垂直入射の場合と斜入射の場合において反射率はほぼ等しくなっている。

さて、上述の例では、反射防止膜に本発明を適用したが、本発明は反射防止膜には限られず反射増加膜にも適用することができる。ただし、この場合には、反射増加膜の反射率特性において反射率をＲとしたとき、（１−Ｒ）の反射率特性が前述の波長特性となるように設定すれば良い。

なお、上述の各実施形態における投影露光装置を液晶表示素子やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等の表示デバイス製造の製造のリソグラフィ工程で用いる場合、ワークＷとしてガラス基板を用いる。なお、上述の各実施形態における投影露光装置は、ワークＷとしてウエハを用いる半導体デバイス製造のリソグラフィ工程、ワークＷとしてローバーと呼ばれるバー形状の基板を用いる磁気ヘッド製造のリソグラフィ工程、ワークＷとしてエポキシ樹脂等の樹脂基板を用いるプリント配線基板のリソグラフィ工程等の様々な用途のリソグラフィ工程に適用することができる。

また、上述の各実施形態では、投影光学系ＰＬとして等倍の正立正像を形成するものを用いたが、投影光学系の倍率は縮小倍率であっても良く、また拡大倍率であっても良い。
また、上述の実施形態では、オプティカルインテグレータとして、実像からなる複数の光源像を形成するフライアイレンズを用いたが、虚像からなる複数の光源像を形成する内面反射型インテグレータ（ロッド型インテグレータ、光パイプ、光トンネル）を用いても良い。

次に、デバイス製造方法について説明する。以下の説明においては、プレート（ガラス基板）上に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の製造方法について述べる。以下、このときの動作の一例につき図１０のフローチャートを参照して説明する。

図１０において、パターン形成工程５０１では、上記実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンをワークとしての感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィー工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。

その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レチクル剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程５０２へ移行する。
次に、カラーフィルター形成工程５０２では、Ｒ（Red)、Ｇ(Green)、Ｂ(Blue)に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程５０２の後に、セル組み立て工程５０３が実行される。

セル組み立て工程５０３では、パターン形成工程５０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程５０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。セル組み立て工程５０３では、例えば、パターン形成工程５０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程５０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。

その後、モジュール組み立て工程５０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。
以上の製造方法によれば、例えばｇ線〜ｉ線の広い波長帯域の露光光を用いて露光パワーを上げているにもかかわらず、この広い波長帯域に起因する照明ムラの発生が十分に低減できるため、スループット良く高精度なパターンを得ることが可能であり、ワークが大型化しても良好なるデバイス（半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。

上記の実施の態様は、あくまでも本発明の技術的内容を明らかにする意図のものであって、本発明は上記の実施の態様に限定して狭義に解釈されるものではなく、本発明の精神と特許請求の範囲に述べる範囲内で、さまざまな変形をとりうる。

発明の効果

以上の通り本発明によれば、広い波長域の光に対して視野または照野全体において良好なエネルギー伝達特性（反射率特性、透過率特性）を達成できる。

本発明の投影露光装置を概略的に示す図である。 図１に示した投影露光装置の光路図である。 図１の投影露光装置に用いたコンデンサレンズを示す拡大図である。 従来の光学装置に用いた反射防止膜の光学特性を示す図である。 本発明の光学装置に用いた反射防止膜（抑圧部）の光学特性を示す図である。 図５において使用波長域をシフトさせた場合を示す図である。 図５に示した反射率特性を有する反射防止膜を図１及び図２に示した露光装置の光学系の一部に適用した場合のワーク上での照度分布を示す図である。 図４に示した反射率特性を有する反射防止膜を図１及び図２に示した露光装置に適用した場合のワーク上での照度分布を示す。 本発明の光学装置（レンズ）の実際の入射光束の波長と反射率との関係を示す図である。 デバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。

１１…光源、２０…反射防止膜（抑圧部）、２２…反射防止膜（薄膜）、Ｍ…マスク、Ｗ…ワーク。

Claims (7)

1. 少なくとも２つの輝線を含む光源からの照明光で照明されたマスク上に形成された所定パ
   ターンをワーク上へ転写する露光装置において、
   前記照明光の波長帯域である使用波長帯域において波長依存性を持った反射率または透
   過率を有する薄膜が光学面上に形成された光学装置を備え、
   前記光学装置中の前記光学面とは別の光学面上に形成されて、前記使用波長帯域におけ
   る前記波長依存性を抑圧する薄膜である抑圧部を備え、
   前記抑圧部の反射率の波長特性は、該波長特性の１次微分値が正である第１領域を短波
   長側に有し、かつ前記波長特性の２次微分値が負である領域を前記第１領域よりも長波長
   側の第２領域に有する特性であり、
   前記使用波長帯域の両端が前記第１領域の極値および前記第２領域の極値が位置する波
   長の±３％の範囲に位置するように前記抑圧部の反射率の波長特性を設定したことを特徴
   とする露光装置。
   
2. 前記抑圧部は、垂直入射から斜入射になるのに伴って、短波長側の反射率が増加し、且つ
   、長波長側の反射率が減少する反射率特性を有することを特徴とする請求項１記載の露光
   装置。
   
3. 前記使用波長帯域は、前記第１領域と第２領域との間であることを特徴とする請求項１ま
   たは２記載の露光装置。
   
4. 前記抑圧部が形成される光学面へ入射する光束は所定の角度範囲を有することを特徴とす
   る請求項１〜３の何れか一項に記載の露光装置。
   
5. 前記所定の角度範囲は５°以上であることを特徴とする請求項４記載の露光装置。
   
6. 前記光源からの前記照明光で前記マスクを照明するための照明光学系と、前記マスクのパ
   ターン像をワーク上に形成する投影光学系とを備え、
   前記抑圧部は、前記照明光学系及び前記投影光学系の少なくとも何れか一方に設けられ
   ることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項記載の露光装置。
   
7. 請求項６に記載の露光装置を用いて前記マスク上の前記パターンを前記ワーク上に形成す
   ることを特徴とする露光方法。

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