JP5187848B2 - 単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
この結果、フラックス液面における窒素の溶け込みが阻害され、ガリウムの窒化率が低くなり、かつ黒く着色した窒化ガリウム単結晶が得られることとなった。
易酸化性物質を含む原料混合物を非酸化性雰囲気中で秤量する工程;
非酸化性雰囲気中において反応容器内で前記原料混合物を溶融および固化させることによって固化物を生成させる固化物生成工程;および
反応容器および固化物を、結晶育成装置内で非酸化性雰囲気下で加熱し、固化物を溶融させることによって溶液を生成させ、この溶液から単結成を育成する育成工程
を有することを特徴とする。
原料混合物を構成する各原料を非酸化性雰囲気のグローブボックス内で秤量し、反応容器1の内側空間1aに非酸化性雰囲気内で封入する(図1)。この反応容器1には蓋を設けても良い。本例では、原料は、易酸化性物質と、それ以外の物質との混合物からなる。反応容器1の底部には種結晶基板6を設置しておく。この状態で反応容器1をグローブボックス内で加熱し、原料を溶融する。
(1) 原料混合物の全体を反応容器内で溶融させ、次いで固化させる。例えば、図1に模式的に示すように、グローブボックス18内に反応容器1を収容する。グローブボックス18内は非酸化性雰囲気からなる。反応容器の底部には種結晶基板6が設置されている。反応容器1内で、原料混合物を溶融および固化させ、ほぼ均一な組成物からなる固化物19を生成させる。次いで、この状態で反応容器1を外側容器に入れ、グローブボックス18から取り出して単結晶育成装置内にセットする。
アルミニウム、ガリウム、インジウム、錫、亜鉛、ビスマス、アンチモン
またドーパントとして少量の不純物元素を添加することができる。例えば、n型ドーパントとしてシリコンを添加することができる。
GaN、AlN、InN、これらの混晶(AlGaInN)、BN
(窒化ガリウム単結晶の育成例)
本発明を利用し、少なくともナトリウム金属を含むフラックスを使用して窒化ガリウム単結晶を育成できる。このフラックスには、ガリウム原料物質を混合する。ガリウム原料物質としては、ガリウム単体金属、ガリウム合金、ガリウム化合物を適用できるが、ガリウム単体金属が取扱いの上からも好適である。
好適な実施形態においては、窒化ガリウム単結晶の育成温度は、950℃以上であり、1000℃以上とすることが更に好ましく、このような高温領域においても良質な窒化ガリウム単結晶が育成可能である。また、高温・高圧での育成により、生産性を向上させ得る可能性がある。
本発明は、少なくともアルミニウムとアルカリ土類を含むフラックスを含む融液を特定の条件下で窒素含有雰囲気中で加圧することによって、AlN単結晶を育成する場合にも有効であることが確認できた。
図1、図3および図4を参照しつつ説明した方法に従い、GaN単結晶を種結晶基板6上に育成した。具体的には、まず種結晶基板6をるつぼ1の底に配置した。種結晶基板としてφ2インチのAlNテンプレート基板、GaNテンプレート基板やGaN単結晶自立基板を用いた。るつぼの底に、テンプレートの単結晶薄膜が上向きになるように、またはGaN単結晶自立基板のGa面が上向きになるように水平に配置した。ここで用いるAlNテンプレート基板は、サファイア基板上にAlN単結晶薄膜を1ミクロンエピタキシャル成長させた基板であり、GaNテンプレート基板は、サファイア基板上にGaN単結晶薄膜を3ミクロンエピタキシャル成長させた基板である。
原料調合手順以外は実施例1と同様にして、GaN単結晶を種結晶基板6上に育成した。原料調合は以下の手順でおこなった。金属Na30g、金属Ga20g、金属Li30mgをグローブボックス中で秤量した。金属Naと金属Liをるつぼ1に入れ、200℃に加熱して溶解し、その後、室温まで冷却し、固化させた。この作業中に酸化した原料を薄く削り取ってから、Gaをるつぼ1に入れ、50℃に加熱し、Gaを溶解させた。溶解したGa17によって、先に充填した原料16の表面全体を覆うようにして、冷却し、固化させた。
実施例1と同様にしてGaN育成実験を行った。ただし、図1、図2に示したようなるつぼ内での原料混合物の溶解は行わなかった。前記大気暴露の時間は約10分と短くした。GaN単結晶は褐色〜薄墨色の着色が見られた。育成した結晶の不純物分析をEPMAにより行ったところ、酸素が検出された。この原因は大気暴露、ガス置換の間に、ステンレス容器の内部に大気が混入し、金属Naが酸化したことによると思われる。
Claims (6)
- 易酸化性物質を含む原料混合物を非酸化性雰囲気中で秤量する工程;
非酸化性雰囲気中において反応容器内で前記原料混合物を溶融および固化させることによって固化物を生成させる固化物生成工程;および
前記反応容器および前記固化物を、結晶育成装置内で非酸化性雰囲気下で加熱し、前記固化物を溶融させることによって溶液を生成させ、この溶液から単結成を育成する育成工程
を有することを特徴とする、単結晶の製造方法。 - 前記固化物が、前記原料混合物のうち前記易酸化性物質を含む下側固化物、および前記易酸化性物質以外の物質からなる表面側固化物を含み、前記表面側固化物が前記下側固化物を実質的に被覆していることを特徴とする、請求項1記載の単結晶の製造方法。
- 前記固化物が、前記原料混合物の略均一な組成物からなることを特徴とする、請求項1記載の単結晶の製造方法。
- 前記易酸化性物質が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属からなる群より選ばれた一種以上の金属を含有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一つの請求項に記載の単結晶の製造方法。
- 窒素含有雰囲気下で加圧しながら前記単結晶を育成することを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一つの請求項に記載の単結晶の製造方法。
- 熱間等方圧プレス装置内で前記単結晶を育成することを特徴とする、請求項5記載の方法。
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