JP2006008416A - Iii族窒化物基板として使用可能なiii族窒化物結晶およびその製造方法並びにそれを用いた半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 III族窒化物結晶の製造方法において、組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層11を形成し、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素とアルカリ金属とを含む融液に第1の層11の表面を接触させることによって、第1の層11よりも転位密度等の結晶構造の欠陥が大きい第2の層12を形成し、窒素を含む雰囲気下において、上記融液中で、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなり転位密度等の結晶構造の欠陥が第2の層12よりも小さい第3の層13を結晶成長させる。
【選択図】 図1
Description
しかしながら、従来の技術では、得られるIII族窒化物結晶の品質は十分とはいえず、より高品質の結晶を製造する技術が求められている。また、従来の技術により得られるIII族窒化物結晶は、その製造方法が煩雑であったり、また半導体製造プロセスの基板として用いる場合に問題があった。
前記第1の層上に形成された第2の層と、
液相成長法によって前記第2の層上に形成された組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなる第3の層とを含み、
前記第2の層は、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つの元素と窒素とを含み、
前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層は、少なくともその一部に結晶構造を有し、前記第2の層の前記結晶構造の欠陥密度が、前記第1の層および第3の層の欠陥密度よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶である。なお、前記本発明のIII族窒化物結晶は、III族窒化物基板として使用可能である。すなわち、本発明のIII族窒化物結晶は、III族窒化物基板そのものとして使用してもよい。
(i)組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層を形成する工程。
(ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に、前記第1の層の表面を接触させることによって、前記第1の層の表面に、欠陥密度が第1の層よりも大きい第2の層を形成する工程。
(iii)窒素を含む雰囲気下において、前記融液中で、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体から形成され、かつ欠陥密度が前記第2の層よりも小さい第3の層を、前記第2の層上に形成する工程。
本発明のIII族窒化物結晶において、前記第2の層の不純物密度が、100ppm以上であることが好ましく、より好ましくは100ppm〜1000ppmの範囲である。
ましい。この場合、前記第3の層の露出表面側の可視光領域における吸収係数(K2)が、0を超え100/cm以下であることが好ましく、より好ましくは0を超え10/cm以下であり、さらに好ましくは0〜5/cmの範囲である。前記吸収係数は、例えば、分光光度計等を使用して各波長の透過率を測定し、その透過率と測定したサンプルの厚みとを用いて求めることができる。
混合融液温度T GaN結晶発生最低圧力P
(℃) (atm(×1.013×10 5 Pa))
600 50
700 5
750 5
800 10
850 15
880 25
900 40
950 70
本発明の製造方法の前記(iii)の工程において、前記第3の層の成長レートを、その厚み方向の成長において、段階的または連続的に減少させることが好ましい。また、この第3の層と同様に、前記第2の層の形成においても、成長レートを変化させてもよい。前記成長レートは、例えば、1μm/時間〜50μm/時間であり、好ましくは5μm/時間〜25μm/時間である。なお、成長レートは、加熱条件、加圧条件、攪拌状態、フラックス成分、坩堝の形状、雰囲気ガスとの接触面積などにより、変化するものである。例えば、大きな成長レートを得るために、攪拌よる窒素の溶解促進、Na−Caなど窒素溶解度の大きな混合フラックス、窒素雰囲気ガスとの接触面積の拡大等を行ってもよい。前記成長レートの減少させる程度は、特に制限されず、例えば、最小値が1μm/時間〜100μm/時間、最大値が20μm/時間〜500μm/時間であり、好ましくは最小値が5μm/時間〜70μm/時間、最大値が30μm/時間〜300μm/時間であり、より好ましくは最小値が10μm/時間〜50μm/時間、最大値が50μm/時間〜100μm/時間である。前記成長レートを減少させる割合(最小値/最大値)は、例えば、1%〜99%であり、好ましくは20%〜90%であり、より好ましくは30%〜80%である。前記成長レートを減少させる方法は、特に制限されないが、例えば、成長温度を増加させること、成長圧力を低減させることなどが好ましい。具体的には以下のとおりである。
(atm(×1.013×10 5 Pa)) (℃)
20 700〜850
30 700〜900
40 700〜930
前記温度を段階的に変化させる場合、2段階に変化させても、それ以上の段階に変化させてもよい。前記温度を連続的に変化させる場合、前記温度(T℃)は、例えば、0.1℃/時間〜10℃/時間で変化させることが好ましく、より好ましくは0.5℃/時間〜5℃/時間である。
P<P1<(P+45) (I)
(P+5)≦P1≦(P+15) (II)
前記式(I)において、P(atm(×1.013×105Pa))は前記混合融液の温度(T℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力である。
この方法では、まず、気相成長法によって、組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体結晶からなる第1の層11を形成する(工程(i))。第1の層11は、図1(a)に示すように、基板10上に形成される。基板10には、たとえば、サファイア基板(表面がたとえば(0001)面)やGaAs基板(表面がたとえば(111)面)、Si基板(表面がたとえば(111)面)、SiC基板(表面がたとえば(0001)面)などを用いることができる。第1の層11は、種結晶となるシード層であり、たとえば、GaNや、AlsGa1-sNからなる。これらの半導体層は、たとえば、有機金属気相成長(Metalorganic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)法や、分子線エピタキシー(Moleculer Beam Epitaxy:MBE)法、ハイドライド気相成長法(HVPE)といった気相成長法によって形成することができる。第1の層11の厚さは特に限定はないが、たとえば、0.5μm〜20μm程度とすることができる。第1の層の転位密度は、5×108cm-2程度であるが、ELOG成長法などを用いることによって、形成される結晶の転位密度は105cm-2〜106cm-2程度となる。
s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される第1の層のみからなるものを用いてもよい。このような第1の層のみからなるものは、例えば、HVPE法を用いて形成できる。まず、サファイア基板上に、MOCVD法によりGaN層を形成する。次に、金属Tiを成膜して、NH3の熱処理により熱処理すると、ボイドのあるTiN膜が形成される。このTiN膜上に、HVPE法によりGaN結晶を、例えば、600μm形成する。その後、GaN結晶をサファイア基板から剥離させると、GaN層(前記第1の層)のみからなる自立基板が得られる。
ことができる。たとえば、第2の層12は、工程(ii)において、最初に未飽和の状態の融液を用い、その後融液を過飽和の状態に移行させることによって形成できる。そして、その過飽和の融液を用いて引き続き結晶成長を行うことによって、第3の層13を形成できる。未飽和の状態の融液と接触した第1の層11が一度融解することによって、転位密度が高い第2の層12が形成される。また、過飽和の状態の融液と接触している第2の層12上に、転位密度が低い第3の層13が形成される。
実施形態2では、本発明の半導体素子について説明する。本発明の半導体素子は、実施形態1で説明したIII族窒化物基板を用いて形成された半導体素子である。すなわち、実施形態2の半導体素子は、実施形態1のIII族窒化物基板に含まれるIII族窒化物結晶層(
たとえば窒化ガリウムの結晶層)を用いて形成される。本発明は、III族窒化物基板を使用する任意の半導体素子に適用でき、たとえば、レーザダイオード、発光ダイオード、トランジスタなどに適用できる。これらの半導体素子の具体的な例については、後述の実施例で説明する。
にし、その後、成長温度まで下げることによって形成できる。また別の方法では、雰囲気ガスである窒素ガス圧力をLPE−GaN層23の成長条件よりも低圧にし、その後高圧にすることで形成できる。すなわち、未飽和状態の融液を用いてシード層を溶解させ、その後、融液を過飽和状態にしてGaN層を成長させることで、高欠陥層22を形成できる。そして、引き続き融液を過飽和状態で維持することによって、高欠陥層22上にLPE−GaN層23を成長させる。これについて、図10を用いて説明する。同図は、GaN結晶が生成する最低圧力(閾値圧力)と、前記結晶の成長条件と、前記結晶のメルトバック条件を示す図である。同図において、●で示す曲線は、それぞれの育成温度におけるGaN結晶の発生の最低圧力(閾値圧力)を示す曲線である。この曲線は、つぎのようにして求めた。すなわち、まず、窒素置換されたグローボックス内で、ナトリウム1gとガリウム0.88g(モル比率:Ga/(Ga+Na)=27%)を秤量し、BN坩堝内に入れた。坩堝を、ステンレス製耐圧耐熱容器内に配置し、電気炉内にセットした。雰囲気圧力と育成温度は圧力調整器と電気炉により調整した。そして、室温から育成温度まで1時間で温度を上昇させ、96時間育成温度で保持し、1時間で室温まで温度降下させた。なお、育成温度は、600℃〜900℃の範囲とした。そして、結晶の生成は、BN坩堝側壁に生成される不均一核の発生有無の観測によって判断した。この結果を温度と圧力の条件でプロットし、図10のグラフを得た。
有することで、サファイア結晶とGaN結晶の線膨張係数の差による歪を緩和できる。第2の層は、高濃度に不純物を含んでいるため、基板間の歪みを利用して部分的に分離することもできる。
。プロペラ70は、回転モータ69bによって回転される。本実施例では、雰囲気圧力が10atm(10×1.013×105Pa)以下であるため通常の回転モータを使用できるが、10atm(10×1.013×105Pa)以上の雰囲気圧力下では、電磁誘導型の回転機構が使用される。雰囲気ガスは、ガス源71から供給される。雰囲気圧力は、圧力調整器72によって調整される。この装置を用いたGaN結晶の育成は、例えば、つぎのようにして実施される。
させることで行った。すなわち、まず、20mm角のGaNシード層の上にGaN層が形成された基板をアルミナ坩堝に入れた。つぎに、ナトリウム10gとガリウム8.8g(モル比率:Ga/(Ga+Na)=27%)とを秤量し、前記アルミナ坩堝内に入れた。ハステロイ製耐圧耐熱容器に前記坩堝を設置し、前記容器の内圧力を35atm(35×1.013×105Pa)に設定した。前記容器を温度制御が可能な電気炉内に設置し、育成を開始した。
得られた結晶を光学顕微鏡で観察した。その結果を図17に示す。サファイア基板上のシード層上の第2の層から成長したGaN結晶において、シード基板近傍では、GaN結晶に着色が見られるが、成長したGaN結晶の表面部分では透明な結晶が観察された。シード基板近傍から表面部分に向かって成長レートが遅くなることで、成長初期においては、着色するが高速の成長レートを確保でき、成長後期では成長レートを遅くすることにより、可視領域においても吸収の小さい透明な結晶が得られた。なお、この光学顕微鏡写真では、第2の層は薄いため認識困難である。
つぎに、SIMS分析により厚み方向の不純物分布の測定を行った。サファイア基板(シード層)近傍では、黒色結晶の結果と同様、不純物として、Na、Mg、Ca、Li(Na金属中の不純物)、O(雰囲気)、Fe、C(高圧容器や坩堝材料など)などが大量に検出された。一方、表面部分の透明領域では、微量のMg、Ca、Fe、Oしか検出されなかった。
また、HeCdレーザ(325nm)で結晶を励起し、フォトルミネッセンス強度を測定した。波長362nm近傍のバンド端発光では、シード基板近傍におけるGaN結晶の発光スペクトラムの半値幅が、表面近傍におけるGaN結晶の発光スペクトラムの半値幅
よりも広かった。一方、波長420nm近傍のブルーバンド発光では、シード基板近傍のGaN結晶の発光強度が、表面近傍のGaN結晶の発光強度よりも大きかった。
11 第1の層
12 第2の層
13 第3の層
20 サファイア基板
21 シード層
22 高欠陥層
23 LPE−GaN層
31 原料ガスタンク
32 圧力調整器
33 電気炉
34 容器
35 坩堝
36 バルブ
37 バルブ
60 LPE装置
61 チャンバー
62 炉蓋
63 ヒータ
64 熱電対
65 炉心管
66 坩堝
67 融液
68 基板固定部
69a モータ
69b モータ
70 プロペラ
71 ガス源
72 圧力調整器
81 シード基板
82 C軸
83 刃状転位
84 メルトバック面
85 転位密集部
86 液相成長GaN層
90 レーザ
91 基板
92 コンタクト層
93 クラッド層
94 光ガイド層
95 活性層
96 光ガイド層
97 クラッド層
98 コンタクト層
99 絶縁膜
100 p側電極
101 n側電極
110 トランジスタ
111 基板
112 GaN層
113 AlGaN層
114 ソース電極
115 ゲート電極
116 ドレイン電極
117 2次元電子ガス濃度
Claims (53)
- 組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層と、
前記第1の層上に形成された第2の層と、
液相成長法によって前記第2の層上に形成された組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体からなる第3の層とを含み、
前記第2の層は、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つの元素と窒素とを含み、
前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層は、少なくともその一部に結晶構造を有し、前記第2の層の前記結晶構造の欠陥密度が、前記第1の層および第3の層の欠陥密度よりも大きいことを特徴とするIII族窒化物結晶。 - 前記欠陥密度が、転位密度を含む請求項1に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記転位密度が、刃状転位および螺旋転位の少なくとも一方の転位密度である請求項2に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第2の層の転位密度が、前記第1の層および第3の層の転位密度よりも、100倍以上大きい請求項2または3に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第2の層の転位密度が、108cm-2以上である請求項2または3に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の転位密度が、0を超え106cm-2以下である請求項2または3に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第1の層と前記第2の層の界面が、凹凸形状である請求項1から6のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第2の層および第3の層が、窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に前記第1の層を浸漬して結晶成長させることによって形成された層である請求項1から7のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が、窒化ガリウム(GaN)の結晶から形成された層である請求項1から8のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が、窒化アルミニウム(AlN)の結晶から形成された層である請求項1から8のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記欠陥密度が、不純物密度を含む請求項1から10のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層の少なくとも一つが、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を用いた液相法により形成され、前記不純物密度が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方に由来する不純物密度である請求項11に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層の少なくとも一つが、坩堝を用いて製造され、前記不純物密度が、Y(イットリウム)、Sm(サマリウム)、Zr(ジルコニウム)、W(タングステン)、B(ボロン)、Ta(タンタル)、Si(シリコン)、C(カーボン)およびCe(セリウム)からなる群から選択される少なくとも一つの前記坩堝の構成材料成分に由来する不純物密度である請求項11に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第1の層、前記第2の層および前記第3の層の少なくとも一つが、反応容器を用いて製造され、前記不純物密度が、Fe(鉄)、Ni(ニッケル)、Cr(クロム)、Cu(銅)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Y(イットリウム)、Sm(サマリウム)、Zr(ジルコニウム)、B(ボロン)、Si(シリコン)、C(カーボン)およびCe(セリウム)からなる群から選択される少なくとも一つの前記反応容器の構成材料成分に由来する不純物密度である請求項11に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の不純物密度が、0を超え1ppm以下である請求項11から14のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の不純物密度が、0を超え0.1ppm以下である請求項11から14のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第2の層の不純物密度が、100ppm以上である請求項11から16のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第1の層が、基板上に形成されている請求項1から17のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記基板が、表面が(111)面であるGaAs基板、表面が(111)面であるSi基板、表面が(0001)面であるサファイア基板、または表面が(0001)面であるSiC基板である請求項18に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記基板と前記第3の層とが、前記第2の層で分離可能であり、前記第3の層のみを半導体製造用の基板として使用可能である請求項18または19に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記III族窒化物結晶の第3の層において、前記第2の層側の欠陥密度(N1)と、前記第3の層の露出表面側の欠陥密度(N2)とが、N1>N2の関係である請求項1から20のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記欠陥密度が、不純物密度を含む請求項21に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方を用いた液相法により形成され、前記不純物密度が、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方に由来する不純物密度である請求項22に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が、坩堝を用いて製造され、前記不純物密度が、Y(イットリウム)、Sm(サマリウム)、Zr(ジルコニウム)、W(タングステン)、B(ボロン)、Ta(タンタル)、Si(シリコン)、C(カーボン)およびCe(セリウム)からなる群から選択される少なくとも一つの前記坩堝の構成材料成分に由来する不純物密度である請求項22に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が、反応容器を用いて製造され、前記不純物密度が、Fe(鉄)、Ni(ニッケル)、Cr(クロム)、Cu(銅)、W(タングステン)、Ta(タンタル)、Y(イットリウム)、Sm(サマリウム)、Zr(ジルコニウム)、B(ボロン)、Si(シリコン)、C(カーボン)およびCe(セリウム)からなる群から選択される少なくとも一つの前記反応容器の構成材料成分に由来する不純物密度である請求項22に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の不純物密度が、0を超え1ppm以下である請求項22から25のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の不純物密度が、0を超え0.1ppm以下である請求項22から25のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層が可視光領域を有し、この第3の層において、前記第2の層側の可視光領域における吸収係数(K1)と、前記第3の層の露出表面側の可視光領域における吸収係数(K2)とが、K1>K2の関係である請求項1から27のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の可視光領域における吸収係数(K2)が、0を超え100/cm以下であることを特徴とする請求項28に記載のIII族窒化物結晶。
- 前記第3の層の露出表面側の可視光領域における吸収係数(K2)が、0を超え10/cm以下であることを特徴とする請求項28に記載のIII族窒化物結晶。
- III族窒化物結晶を用いて形成された半導体素子であって、前記III族窒化物結晶が請求項1から30のいずれかに記載のIII族窒化物結晶である半導体素子。
- レーザダイオードまたは発光ダイオードである請求項31に記載の半導体素子。
- 請求項1に記載のIII族窒化物結晶の製造方法であって、下記の(i)、(ii)および(iii)の工程を含む製造方法。
(i)組成式AlsGatIn1-s-tN(ただし、0≦s≦1、0≦t≦1、s+t≦1)で表される半導体からなる第1の層を形成する工程。
(ii)窒素を含む雰囲気下において、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムから選ばれる少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方と、窒素とを含む融液に、前記第1の層の表面を接触させることによって、前記第1の層の表面に、欠陥密度が第1の層よりも大きい第2の層を形成する工程。
(iii)窒素を含む雰囲気下において、前記融液中で、組成式AluGavIn1-u-vN(ただし、0≦u≦1、0≦v≦1、u+v≦1)で表される半導体から形成され、かつ欠陥密度が前記第2の層よりも小さい第3の層を、前記第2の層上に形成する工程。 - 前記欠陥密度が、転位密度を含む請求項33に記載の製造方法。
- 前記転位密度が、刃状転位および螺旋転位の少なくとも一方の転位密度である請求項34に記載の製造方法。
- 前記第2の層の転位密度が、前記第1の層および第3の層の転位密度よりも、100倍以上大きい請求項34または35に記載の製造方法。
- 前記第2の層の転位密度が、108cm-2以上である請求項34または35に記載の製造方法。
- 前記(ii)の工程において、前記融液を未飽和の状態から過飽和の状態に移行させ、前記(iii)の工程において、前記融液を過飽和の状態とする請求項33から37のいずれかに記載の製造方法。
- 前記(ii)の工程において、前記未飽和の融液により前記第1の層の表面の少なくとも一部分を溶解させ、その後、第2の層を形成する請求項38に記載の製造方法。
- 前記第3の層として、窒化ガリウム(GaN)結晶層を形成する請求項33から39のいずれかに記載の製造方法。
- 前記第3の層として、窒化アルミニウム(AlN)結晶層を形成する請求項33から39のいずれかに記載の製造方法。
- 前記(ii)および(iii)の両工程における前記窒素を含む雰囲気が、ともに加圧雰囲気である請求項33から41のいずれかに記載の製造方法。
- 前記(i)の工程において、基板上に前記第1の層を形成する請求項33から42のいずれかに記載の製造方法。
- 前記基板が、表面が(111)面であるGaAs基板、表面が(111)面であるSi基板、表面が(0001)面であるサファイア基板、または表面が(0001)面であるSiC基板である請求項43に記載の製造方法。
- 前記(iii)の工程後、さらに前記基板と前記第3の層を前記第2の層で分離する(iv)の工程を有する請求項43または44に記載の製造方法。
- 前記分離する(iv)の工程が、前記第2の層に光を照射する工程である請求項45に記載の製造方法。
- 前記(ii)の工程が、前記第2の層として窒化ガリウム(GaN)層を形成する工程であり、前記融液がガリウムとナトリウムを含む融液であり、前記(ii)の工程が、前記融液の温度(T℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力P(atm(×1.013×105Pa))未満で開始し、その後、前記最低圧力P(atm(×1.013×105Pa))以上で実施する請求項33から46のいずれかに記載の製造方法。
- 前記融液の温度が、600℃〜950℃の範囲であり、その各温度(T℃)におけるGaN結晶発生の最低圧力P(atm(×1.013×105Pa))が、下記の表に示す圧力である請求項47に記載の製造方法。
混合融液温度T GaN結晶発生最低圧力P
(℃) (atm(×1.013×10 5 Pa))
600 50
700 5
750 5
800 10
850 15
880 25
900 40
950 70
- 前記(iii)の工程において、前記第3の層の成長レートを、その厚み方向の成長において、段階的または連続的に減少させる請求項33から48のいずれかに記載の製造方法。
- 成長温度を増加させることで、前記第3の層の成長レートを段階的または連続的に減少させる請求項49に記載の製造方法。
- 成長圧力を低減させることで前記第3の層の成長レートを段階的または連続的に減少させる請求項49に記載の製造方法。
- III族窒化物基板として使用可能である請求項1から30のいずれかに記載のIII族窒化物結晶。
- 請求項33から51のいずれかに記載の製造方法によりIII族窒化物結晶を成長させる工程を含むIII族窒化物基板の製造方法。
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