JP5181475B2 - 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、処理基板を保持する基板保持装置、処理基板を露光する露光装置、及びデバイス製造方法に関するものである。
本願は、２００４年１２月１５日に出願された特願２００４−３６３４７８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。

半導体デバイス、液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンの像を感光性の基板上に投影する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを支持するマスクステージと基板を支持する基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンの像を投影光学系を介して基板に投影するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれており、その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、投影光学系と基板との間を気体よりも屈折率の高い液体で満たした状態で露光処理を行う液浸露光装置が案出されている。
国際公開第９９／４９５０４号パンフレット 特開２００４−２８９１２７号公報

基板と基板ステージとの間のギャップ等を介して液体が基板の裏面側に浸入すると、様々な不具合が発生する可能性がある。例えば基板の裏面側に浸入した液体によって基板の裏面が濡れると、基板ホルダ（基板保持装置）で基板を良好に保持できなくなる虞がある。あるいは、所定の搬送系を使って基板ホルダから基板を搬出（アンロード）する際、濡れた基板の裏面を保持した搬送系に液体が付着したり、搬送経路に液体が飛散したりする等、被害が拡大する虞もある。

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、基板の裏面側に液体が浸入した場合でも、その浸入した液体を迅速に回収することができる基板保持装置及び露光装置、その露光装置を用いたデバイス製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。

本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）の液浸領域（ＬＲ）が表面（Ｐａ）上に形成される処理基板（Ｐ）を保持する基板保持装置であって、基材（ＰＨＢ）と、基材（ＰＨＢ）上に形成され、処理基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）を支持する第１支持部（４６）と、基材（ＰＨＢ）上に形成され、処理基板（Ｐ）の裏面（Ｐｂ）に対向し、第１支持部（４６）を囲むように設けられた第１周壁部（４２）と、第１周壁部（４２）の外側に設けられた第１回収口（５１）とを備え、第１周壁部（４２）に沿う気体の流れによって、第１周壁部（４２）の外側の液体（ＬＱ）を第１回収口（５１）まで移動して回収する基板保持装置（ＰＨ）が提供される。

本発明の第１の態様によれば、第１周壁部に沿う気体の流れによって、第１周壁部の外側の液体を第１回収口まで移動することで、基板の裏面側に液体が浸入しても、その液体を第１回収口を使って迅速に回収することができる。

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の基板保持装置（ＰＨ）を備え、当該基板保持装置に保持された処理基板（Ｐ）を液体（ＬＱ）を介して露光する露光装置（ＥＸ）が提供される。

本発明の第２の態様によれば、浸入した液体を迅速に回収することができるので、処理基板を良好に露光することができる。

本発明の第３の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。

本発明の第３の態様によれば、処理基板を良好に露光することができる露光装置を使ってデバイスを製造することができる。

本発明によれば、処理基板の裏面側に液体が浸入した場合でも、その浸入した液体を迅速に回収することができる。また、処理基板を良好に露光することができる。

第１の実施形態に係る露光装置を示す概略構成図である。 第１の実施形態に係る基板ホルダの側断面図である。 第１の実施形態に係る基板ホルダを上方から見た平面図である。 第１の実施形態に係る基板ホルダが基板を保持した状態を示す平面図である。 図２の要部拡大図である。 露光動作の一例を示すフローチャート図である。 露光処理位置と基板交換位置との間で移動する基板ホルダを説明するための図である。 気体の流れを説明するための図である。 気体の流れを説明するための図である。 気体の流れを説明するための図である。 気体の流れを説明するための図である。 第２の実施形態に係る基板ホルダを上方から見た平面図である。 第２の実施形態に係る基板ホルダの要部を拡大した側断面図である。 気体の流れを説明するための図である。 スリット部の一例を示す斜視図である。 スリット部の一例を示す平面図である。 スリット部の別の例を示す平面図である。 スリット部の別の例を示す平面図である。 孔の一例を示す斜視図である。 図１３の変形例を示す図である。 第３の実施形態に係る基板ホルダの側断面図である。 第３の実施形態に係る基板ホルダからプレート部材が外された状態を示す平面図である。 第３の実施形態に係る基板ホルダが基板を保持した状態を示す平面図である。 図２１の要部拡大図である。 マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。

符号の説明

３１…第１空間、３２…第４空間、３３、３３Ａ…第２空間、３３Ｂ…第３空間、３４…第５空間、４２…第１周壁部、４２Ｎ…凹部、４４…第２周壁部、４４Ａ…上面、４６…第１支持部、５０、５０’…吸引装置、５１…第１回収口、５３…スリット部、５５…孔、５７…第２回収口、６２…第３周壁部（外壁部）、６３…第４周壁部（外壁部）、６６…第２支持部、Ａ、Ｃ、Ｆ…ギャップ（隙間）、ＥＸ…露光装置、Ｈ１、Ｈ２…オーバーハング部、Ｊ１…露光処理位置、Ｊ２…基板交換位置、ＬＱ…液体、ＮＴ…ノッチ部、Ｐ…基板、Ｐａ…表面、Ｐｂ…裏面、ＰＨ…基板ホルダ、ＰＨＢ…基材、ＰＳＴＤ…基板ステージ駆動装置、Ｔ…プレート部材、Ｔｂ…裏面

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。

＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら説明する。図１は第１の実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨと、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＰＳＴと、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐ上に投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。

本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬの像面側における露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすための液浸機構１００を備えている。液浸機構１００は、投影光学系ＰＬの像面近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２を有するノズル部材７０と、ノズル部材７０に設けられた供給口１２を介して投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋ１に液体ＬＱを供給する液体供給機構１０と、ノズル部材７０に設けられた回収口２２を介して投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収する液体回収機構２０とを備えている。ノズル部材７０は、基板Ｐ（基板ホルダＰＨ）の上方において、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１を囲むように環状に形成されている。

露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に投影している間、液体供給機構１０から供給した液体ＬＱにより投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲを含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲよりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する局所液浸方式を採用している。具体的には、露光装置ＥＸは、液浸機構１００を使って、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１の下面ＬＳＡと、基板ホルダＰＨに保持され、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐの表面Ｐａとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによってマスクＭのパターンの像で基板Ｐを露光する。制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０を使って基板Ｐ上に液体ＬＱを所定量供給するとともに、液体回収機構２０を使って基板Ｐ上の液体ＬＱを所定量回収することで、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、基板Ｐ上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを局所的に形成する。

本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとをそれぞれの走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、ここでいう「基板」は半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）を塗布したものを含み、「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。

照明光学系ＩＬは、露光用光源、露光用光源から射出された光束の照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。照明光学系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、あるいはＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。

本実施形態においては、液体ＬＱとして純水が用いられている。純水は、ＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば、水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。

マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、マスクＭを真空吸着（又は静電吸着）により保持する。マスクステージＭＳＴは、制御装置ＣＯＮＴにより制御されるリニアモータ等を含むマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤの駆動により、マスクＭを保持した状態で、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微少回転可能である。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡９１が設けられている。また、移動鏡９１に対向する位置にはレーザ干渉計９２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角（場合によってはθＸ、θＹ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計９２によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計９２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、レーザ干渉計９２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＳＴＤを駆動し、マスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。

投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子で構成されており、それら光学素子は鏡筒ＰＫで保持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、本実施形態においては、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１は、鏡筒ＰＫより露出している。

基板ステージＰＳＴは、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを投影光学系ＰＬの像面側において移動可能である。基板ステージＰＳＴは、基板ホルダＰＨを支持するＺチルトステージ９５と、Ｚチルトステージ９５を支持するＸＹステージ９０とを備えている。ＸＹステージ９０はベースＢＰ上に移動可能に支持されている。

基板ホルダＰＨは、Ｚチルトステージ９５上に支持されており、例えば真空吸着等により基板Ｐを保持する。基板ホルダＰＨ上には凹部９６が設けられている。凹部９６には、後に詳述する、基板Ｐを保持するための第１保持部ＰＨ１が配置されている。そして、基板ホルダＰＨのうち凹部９６周囲の上面９７は、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの表面Ｐａとほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面（平坦部）となっている。なお、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし続けることができるならば、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの表面Ｐａと基板ホルダＰＨの上面９７との間に段差があっても構わない。

基板ステージＰＳＴは基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤにより駆動される。基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは、例えばリニアモータ等を含み、ＸＹステージ９０をベースＢＰ上でＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動するＸＹ駆動機構と、例えばボイスコイルモータ等を含み、Ｚチルトステージ９５をＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動するＺ駆動機構とを備えている。Ｚチルトステージ９５及びＸＹステージ９０の駆動により、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面Ｐａは、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダＰＨの側面には移動鏡９３が設けられている。また、移動鏡９３に対向する位置にはレーザ干渉計９４が設けられている。基板ホルダＰＨ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計９４によりリアルタイムで計測される。また、露光装置ＥＸは、例えば特開平８−３７１４９号公報に開示されているような、基板ホルダＰＨに支持されている基板Ｐの表面Ｐａの面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系（不図示）を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板Ｐの表面Ｐａの面位置情報（Ｚ軸方向の位置情報、及びθＸ及びθＹ方向の傾斜情報）を露光前及び／又は露光中に検出する。なお、フォーカス・レベリング検出系は、静電容量型センサを使った方式のものを採用してもよい。レーザ干渉計９４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを駆動し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角（θＸ、θＹ）を制御して基板Ｐの表面Ｐａを投影光学系ＰＬの像面に合わせ込むとともに、レーザ干渉計９４の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向における位置制御を行う。

次に、液浸機構１００の液体供給機構１０及び液体回収機構２０について説明する。液体供給機構１０は、液体ＬＱを投影光学系ＰＬの像面側に供給するためのものであって、液体ＬＱを送出可能な液体供給部１１と、液体供給部１１にその一端を接続する供給管１３とを備えている。供給管１３の他端はノズル部材７０に接続されている。ノズル部材７０の内部には、供給管１３の他端と供給口１２とを接続する内部流路（供給流路）が形成されている。液体供給部１１は、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整機構、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。液体供給部１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、液体供給機構１０のタンク、加圧ポンプ、温度調整機構、フィルタユニット等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。

液体回収機構２０は、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱを回収するためのものであって、液体ＬＱを回収可能な液体回収部２１と、液体回収部２１にその一端を接続する回収管２３とを備えている。回収管２３の他端はノズル部材７０に接続されている。ノズル部材７０の内部には、回収管２３の他端と回収口２２とを接続する内部流路（回収流路）が形成されている。液体回収部２１は例えば真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。なお、液体回収機構２０の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。

液体ＬＱを供給する供給口１２及び液体ＬＱを回収する回収口２２はノズル部材７０の下面７０Ａに形成されている。ノズル部材７０の下面７０Ａは、基板Ｐの表面Ｐａ、及び基板ホルダＰＨの上面９７と対向する位置に設けられている。ノズル部材７０は、第１光学素子ＬＳ１の側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口１２は、ノズル部材７０の下面７０Ａにおいて、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１（投影光学系ＰＬの光軸ＡＸ）を囲むように複数設けられている。また、回収口２２は、ノズル部材７０の下面７０Ａにおいて、第１光学素子ＬＳ１に対して供給口１２よりも外側に設けられており、第１光学素子ＬＳ１及び供給口１２を囲むように設けられている。

液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給部１１及び液体回収部２１のそれぞれを駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで液体供給部１１から液体ＬＱが送出されると、その液体供給部１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３を流れた後、ノズル部材７０の供給流路を介して、供給口１２より投影光学系ＰＬの像面側に供給される。また、制御装置ＣＯＮＴのもとで液体回収部２１が駆動されると、投影光学系ＰＬの像面側の液体ＬＱは回収口２２を介してノズル部材７０の回収流路に流入し、回収管２３を流れた後、液体回収部２１に回収される。

基板Ｐを液浸露光するときには、制御装置ＣＯＮＴは、液浸機構１００を使って投影光学系ＰＬと基板ホルダＰＨに保持されている基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと液体ＬＱとを介して基板Ｐ上に露光光ＥＬを照射することによって、基板Ｐを露光する。

次に、図２〜図５を参照しながら基板ホルダＰＨについて説明する。図２は基板Ｐを保持した状態の基板ホルダＰＨの側断面図、図３は基板ホルダＰＨを上方から見た平面図、図４は基板Ｐを保持した状態の基板ホルダＰＨを上方から見た平面図、図５は図２の要部拡大図である。

基板ホルダＰＨは、基材ＰＨＢと、基材ＰＨＢに形成され、基板Ｐを吸着保持する第１保持部ＰＨ１とを備えている。基板ホルダＰＨの第１保持部ＰＨ１は、基材ＰＨＢ上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する第１支持部４６と、基材ＰＨＢ上に形成され、基板Ｐの裏面Ｐｂに対向し、第１支持部４６を囲むように設けられた第１周壁部４２とを備えている。第１保持部ＰＨ１は、基板ホルダＰＨに形成された凹部９６の内側に配置されている。

第１支持部４６は凸状に形成されており、その上面４６Ａで基板Ｐの裏面Ｐｂを支持する。本実施形態においては、第１支持部４６は、第１周壁部４２の内側において複数一様に形成された支持ピンを含む。第１周壁部４２は、基板Ｐの形状に応じて略円環状に形成されており、第１周壁部４２の上面４２Ａは基板Ｐの裏面Ｐｂの周縁領域（エッジ領域）に対向するように設けられている。第１周壁部４２の上面４２Ａは平坦面となっている。本実施形態においては、第１支持部４６の上面４６Ａは、第１周壁部４２の上面４２Ａと同じ高さか、上面４２Ａよりも僅かに高く形成されている。そして、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂ側には、基板Ｐと第１周壁部４２と基材ＰＨＢとで囲まれた第１空間３１が形成される。

第１周壁部４２の内側の基材ＰＨＢ上には第１吸引口４１が形成されている。第１吸引口４１は基板Ｐを吸着保持するためのものであって、第１周壁部４２の内側において基材ＰＨＢの上面のうち第１支持部４６以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。本実施形態においては、第１吸引口４１は第１周壁部４２の内側において複数一様に配置されている。第１吸引口４１のそれぞれは流路４５を介して第１真空系４０に接続されている。第１真空系４０は、基板Ｐと第１周壁部４２と基材ＰＨＢとで囲まれた第１空間３１を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述したように、第１支持部４６は支持ピンを含む、本実施形態における第１保持部ＰＨ１は所謂ピンチャック機構の一部を構成している。制御装置ＣＯＮＴは、第１真空系４０を駆動し、基板Ｐと第１周壁部４２と基材ＰＨＢとで囲まれた第１空間３１内部のガス（空気）を吸引してこの第１空間３１を負圧にすることによって、基板Ｐの裏面Ｐｂを第１支持部４６で吸着保持する。

図５に示すように、基板ホルダＰＨの凹部９６の内側には、上面９７と接続し、第１保持部ＰＨ１に吸着保持された基板Ｐの側面Ｐｃと対向する内側面９８が形成されている。そして、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐのエッジ部と、その基板Ｐの周囲に設けられた内側面９８（上面９７）との間には、所定のギャップＡが形成されている。本実施形態においては、ギャップＡは０．１〜１．０ｍｍ程度である。

また、図５に示すように、基板ホルダＰＨの凹部９６の内側には、第１周壁部４２の外側面に沿って段部９９が形成されている。段部９９は、内側面９８とほぼ垂直に、かつ内側面９８と連続的に形成された上面９９Ａと、上面９９Ａとほぼ垂直に、且つ上面９９Ａと連続的に形成された内側面９９Ｓを有している。段部９９の内側面９９Ｓと第１周壁部４２の外側面４２Ｓとの間には、その外側面４２Ｓに沿ってギャップＢが形成されている。本実施形態において、ギャップＢは約１．０ｍｍに設定されている。このように、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの裏面側の第１周壁部４２の外側には、ギャップＢの第２空間３３が形成される。

また、第１保持部ＰＨ１のうち、環状の第１周壁部４２の外径は基板Ｐの外径よりも小さく形成されている。換言すれば、第１周壁部４２は、基板Ｐのエッジ部よりも内側（基板Ｐの中央部側）になるように設けられている。そして、基板Ｐのエッジ領域は、第１周壁部４２の外側に所定量オーバーハングしている（図５参照）。以下の説明においては、基板Ｐのうち第１周壁部４２より外側にオーバーハングした領域を適宜、「オーバーハング部Ｈ１」と称する。本実施形態においては、オーバーハング部Ｈ１は、約１．５ｍｍである。

また段部９９は、凹部９６の内側面９８より第１周壁部４２側へ突設され、段部９９の内側面９９Ｓの内径は、基板Ｐの外径よりも小さい。さらに段部９９の上面９９Ａは、第１周壁部４２の上面４２Ａよりも僅かに低い。このため、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐのオーバーハング部Ｈ１の一部（基板Ｐの裏面Ｐｂの外周エッジ）と、段部９９の上面９９Ａの内側エッジとが所定のギャップＧを介して対向する。本実施形態においては、ギャップＧは１〜１０μｍに設定されている。ギャップＧは、第１周壁部４２と段部９９との間の第２空間３３と、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの側面と内側面９８との間の空間とを流通する流路を形成している。

また、図４に示すように、本実施形態における基板Ｐには、位置合わせのための切欠部であるノッチ部ＮＴが形成されている。ノッチ部ＮＴにおける基板Ｐの側面Ｐｃと基板ホルダＰＨの内側面９８（上面９７）との間のギャップも、上述のギャップＡとほぼ同じ大きさに設定されるように、基板Ｐの外形（ノッチ部ＮＴの形状）に応じて、内側面９８（上面９７の内側エッジ）の形状が設定されている。具体的には、内側面９８（上面９７の内側エッジ）には、基板Ｐのノッチ部ＮＴの形状に対応するように、第１周壁部４２に向かって突出する凸部９８Ｎが設けられている。また、第１周壁部４２（上面４２Ａ）には、基板Ｐに形成されたノッチ部ＮＴの形状に応じた凹部４２Ｎが設けられている。また、段部９９（上面９９Ａ）には、基板Ｐに形成されたノッチ部ＮＴの形状に応じた凸部９９Ｎが設けられている。第１周壁部４２の凹部４２Ｎは、段部９９の凸部９９Ｎと対向する位置に設けられており、凹部４２Ｎと凸部９９Ｎとの間には、上述のギャップＢとほぼ同じ大きさのギャップが形成されている。これにより、ノッチ部ＮＴを含む基板Ｐのエッジの全域と内側面９８（上面９７）との間に、０．１〜１．０ｍｍのギャップＡが確保されるとともに、第１周壁部４２の外側面４２Ｓと段部９９の内側面９９Ｓとの間に、約１．０ｍｍのギャップＢが確保される。

なおここでは、基板Ｐの切欠部としてノッチ部ＮＴを例にして説明したが、切欠部が無い場合、あるいは切欠部として基板Ｐにオリエンテーションフラット部（オリフラ部）が形成されている場合には、第１周壁部４２、段部９９、及び内側面９８のそれぞれを、基板Ｐの外形に応じた形状にし、基板Ｐとその周囲の内側面９８（上面９７）との間において所定のギャップＡを確保するとともに、第１周壁部４２の外側面４２Ｓとその周囲の段部９９の内側面９９Ｓとの間において所定のギャップＢを確保するようにすればよい。なお、ノッチ部ＮＴなどの基板Ｐの切欠部が非常に小さい場合には、第１周壁部４２、段部９９、及び内側面９８のそれぞれに、切欠部に応じて、凹部及び／又は凸部を設けなくてもよい。

基板ホルダＰＨは、第１周壁部４２の外側面４２Ｓと段部９９の内側面９９Ｓとの間に設けられた第１回収口５１を備えている。第１回収口５１は、液体ＬＱを回収可能であり、段部９９の内側面９９Ｓと第１周壁部４２の外側面４２Ｓとの間における基材ＰＨＢの上面５４に設けられている。

図５などに示すように、第１回収口５１は、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１と対向する位置に設けられている。すなわち、第１回収口５１は、基材ＰＨＢの上面５４において、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐのエッジ部よりも内側（基板Ｐの中央部側）に設けられている。

また、図３などに示すように、第１回収口５１は、第１周壁部４２の外側であって、第１周壁部４２に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、第１回収口５１のそれぞれは平面視ほぼ円形状であり、基材ＰＨＢの上面５４において、第１周壁部４２の周方向に沿って７箇所に所定間隔で設けられている。また、第１回収口５１は、基板Ｐのノッチ部ＮＴに応じて形成された第１周壁部４２の凹部４２Ｎの内側にも１つ設けられている。

図２及び図５に示すように、第１回収口５１のそれぞれには、真空系を含む吸引装置５０が流路５２を介して接続されている。第１回収口５１に接続された吸引装置５０と、第１空間３１を負圧にするための第１真空系４０とは互いに独立している。制御装置ＣＯＮＴは、吸引装置５０及び第１真空系４０それぞれの動作を個別に制御可能であり、吸引装置５０による吸引動作と、第１真空系４０による吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。

基板Ｐの露光面である表面Ｐａにはフォトレジスト（感光材）が被覆されている。本実施形態において、感光材はＡｒＦエキシマレーザ用の感光材であって、液体ＬＱに対して撥液性を有している。また、基板Ｐの露光面である表面Ｐａに塗布された感光材の上層にトップコート層と呼ばれる保護層（液体から感光材を保護する膜）を塗布する場合があるが、このトップコート層を形成するための材料として、例えばフッ素系樹脂材料等の撥液性材料を用いてもよい。

また、基板ホルダＰＨの少なくとも一部には撥液化処理が施されており、基板ホルダＰＨは、液体ＬＱに対して撥液性を備えている。本実施形態においては、基板ホルダＰＨの基材ＰＨＢうち、第１保持部ＰＨ１の第１周壁部４２の上面４２Ａ及び外側面４２Ｓ、第１支持部４６の上面４６Ａが撥液性を有している。また、上面９７及び内側面９８も撥液性を備えている。また、段部９９の上面９９Ａ及び内側面９９Ｓも撥液性を有している。基板ホルダＰＨの撥液化処理としては、フッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料などの撥液性材料を被覆する処理が挙げられる。

次に、露光装置ＥＸの動作の一例について、図６のフローチャート図及び図７の模式図を参照しながら説明する。

まず、図７に示す基板交換位置Ｊ２において、露光処理されるべき基板Ｐが搬送系３００によって基板ホルダＰＨに搬入（ロード）される（ステップＳＡ１）。ここで、基板交換位置Ｊ２とは、搬送系３００の近傍の位置を含み、搬送系３００が基板ホルダＰＨに対して基板Ｐを搬入（ロード）及び搬出（アンロード）可能な位置を含む。基板Ｐを基板ホルダＰＨにロードするときには、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを使って、基板ホルダＰＨを支持した基板ステージＰＳＴを基板交換位置Ｊ２に移動し、搬送系３００によって基板Ｐをロード可能な状態とする。

基板ホルダＰＨに対して基板Ｐがロードされた後、制御装置ＣＯＮＴは第１空間３１を負圧空間にして、基板ホルダＰＨの第１保持部ＰＨ１でロードされた基板Ｐを保持する。このとき、第１支持部４６で支持された基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２とが接触（密着）している。制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを使って、基板ホルダＰＨを支持した基板ステージＰＳＴを、露光を行う露光処理位置Ｊ１に移動する（ステップＳＡ２）。ここで、露光処理位置Ｊ１とは、投影光学系ＰＬの直下の位置を含む。制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと基板Ｐ（基板ホルダＰＨ）とを対向させた状態で、液浸機構１００を使って液体ＬＱの供給及び回収動作を開始し、投影光学系ＰＬの像面側に液体ＬＱの液浸領域ＬＲを形成する（ステップＳＡ３）。制御装置ＣＯＮＴは、液浸領域ＬＲを形成することによって、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間の光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たした後、照明光学系ＩＬより露光光ＥＬを射出し、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐに露光光ＥＬを照射することによって、その基板Ｐを液浸露光する（ステップＳＡ４）。

本実施形態における露光装置ＥＸは、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向（走査方向）に移動しながらマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。走査露光時には、液浸領域ＬＲの液体ＬＱ及び投影光学系ＰＬを介してマスクＭの一部のパターン像が投影領域ＡＲ内に投影され、マスクＭが−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に速度Ｖで移動するのに同期して、基板Ｐが投影領域ＡＲに対して＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に速度β・Ｖ（βは投影倍率）で移動する。基板Ｐ上には複数のショット領域が設定されており、１つのショット領域への露光終了後に、基板Ｐのステッピング移動によって次のショット領域が走査開始位置に移動し、以下、ステップ・アンド・スキャン方式で基板Ｐを移動しながら各ショット領域に対する走査露光処理が順次行われる。

基板Ｐの液浸露光処理が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、液体供給機構１０による液体供給動作を停止する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐを基板ホルダＰＨに保持した状態で、液体回収機構２０を使って、基板Ｐ表面及び基板ホルダＰＨの上面９７に残留する液体ＬＱを回収する（ステップＳＡ５）。基板Ｐ表面及び基板ホルダＰＨの上面９７に残留する液体ＬＱを回収した後、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤを使って、基板ホルダＰＨを支持した基板ステージＰＳＴを、基板交換位置Ｊ２に移動する（ステップＳＡ６）。そして、基板交換位置Ｊ２において、露光処理された後の基板Ｐが搬送系３００によって基板ホルダＰＨから搬出（アンロード）される（ステップＳＡ７）。

このように、基板ステージ駆動装置ＰＳＴＤは、基板Ｐの露光を行う露光処理位置Ｊ１と、露光処理位置Ｊ１とは別の基板交換位置Ｊ２との間で基板ホルダＰＨ（基板ステージＰＳＴ）を移動可能である。

次に、基板ホルダＰＨの液体回収作用について説明する。

上述のステップＳＡ４において、基板Ｐの表面Ｐａのエッジ領域Ｅｇを液浸露光するとき、図５に示すように、投影光学系ＰＬの像面側に形成された液浸領域ＬＲの一部が基板Ｐの外側に形成される。すなわち、液浸領域ＬＲは基板Ｐ及び上面９７上に形成される。この状態においては、ギャップＡの上に液体ＬＱの液浸領域ＬＲが形成される。その場合、第１保持部ＰＨ１で保持された基板Ｐと上面９７（内側面９８）との間のギャップＡは、０．１〜１．０ｍｍに設定されているので、液体ＬＱの表面張力によって、ギャップＡに液体ＬＱが浸入することが抑制されている。

また、基板ホルダＰＨの上面９７及び内側面９８は撥液性を備えているので、ギャップＡを介して第２空間３３に液体ＬＱが浸入することが抑制されている。したがって、基板Ｐのエッジ領域Ｅｇを露光する場合にも、上面９７により投影光学系ＰＬの下に液体ＬＱを保持することができる。

このように、ギャップＡを小さくしたり、基板ホルダＰＨの上面９７および内側面９８を撥液性にしたりするなどして、ギャップＡからの液体ＬＱの浸入を抑制するようにしているが、基板ホルダＰＨの移動及び／又は液浸領域ＬＲを形成している液体ＬＱの圧力変化などに起因して、基板Ｐの周囲に形成されているギャップＡを介して、基板ホルダＰＨの凹部９６内に液体ＬＱが浸入する可能性がある。ギャップＡを介して第２空間３３に液体ＬＱが浸入した場合、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２Ａとがほぼ密着しているため、第１周壁部４２の内側への液体ＬＱの浸入は防止できるが、図５に示すように、第２空間３３に浸入した液体ＬＱは、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、第１周壁部４２よりも外側の領域、すなわち基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１に付着する可能性が高い。あるいは、ギャップＡから浸入した液体ＬＱは、第１周壁部４２の外側面４２Ｓ、内側面９８、段部９９の上面９９Ａ、内側面９９Ｓ、基材ＰＨＢの上面５４などに付着する可能性が高い。

本実施形態において、ギャップＡを介して第２空間３３に浸入した液体ＬＱは、吸引装置５０を駆動することによって回収することができる。吸引装置５０が駆動されると、図８の模式図に示すように、第１回収口５１の周囲の気体（すなわち第２空間３３の気体）は、第１回収口５１に吸引される。すなわち、吸引装置５０が第１回収口５１を介して、第２空間３３の気体を吸引することによって、基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１と段部９９との間の微小ギャップＧには、基板Ｐの内側へ向かう気体の流れが発生するとともに、段部９９の内側面９９Ｓと第１周壁部４２の外側面４２Ｓとの間の微小ギャップには、第１回収口５１に向かう気体の流れが生成される（図８中、矢印ｙ１参照）。すなわち、第２空間３３には、第１周壁部４２にガイドされた気体の流れが生成される。換言すれば、ギャップＢの溝状に形成された第２空間３３には、第１周壁部４２に沿うように、第１回収口５１に向かう気体の流れが生成される。

この吸引装置５０によって生成された第１周壁部４２に沿う気体の流れによって、ギャップＡを介して第２空間３３に浸入した液体ＬＱは、第１回収口５１まで移動する。具体的には、ギャップＡを介して第２空間３３に浸入し、例えば基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１に付着した液体ＬＱ、第１周壁部４２の外側面４２Ｓなどに付着した液体ＬＱなどは、第１周壁部４２に沿う気体の流れによって第１回収口５１まで移動する。そして、第１回収口５１まで移動した液体ＬＱは、第１回収口５１を介して回収される。このように、第１周壁部４２の周囲に約１ｍｍのギャップＢを有する第２空間３３を形成するとともに、第１周壁部４２の周囲に所定の間隔で第１回収口５１を複数設けることで、吸引装置５０の駆動により、第１周壁部４２に沿って流速の大きい気体の流れが生成され、ギャップＡから浸入して、第１周壁部４２の外側面４２Ｓ、段部９９の内側面９９Ｓ等に付着している液体ＬＱを第１回収口５１へ移動させて、回収することができる。また、凹部９６内に段部９９を設け、基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１と段部９９の上面９９Ａとの間に微小ギャップＧを設けているので、吸引装置５０の駆動によりギャップＧには第２空間３３へ向かって流速の大きな気体の流れが発生し、基板Ｐと内側面９８との間、基板Ｐと段部９９との間などに付着している液体ＬＱを速やかに第２空間３３へ移動させて、第１回収口５１から回収することができる。

なお、第２空間３３は、ギャップＡを介して大気開放されているので、第１回収口５１を介して第２空間３３の気体を吸引した場合でも、ギャップＡを介して第２空間３３の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。

また、図９の拡大図に示すように、第１周壁部４２の外側面４２Ｓの一部に形成された凹部４２Ｎの内側にも第１回収口５１Ｎが設けられているため、ギャップＡを介して凹部４２Ｎ近傍に浸入した液体ＬＱも、第１周壁部４２の凹部４２Ｎに向かう気体の流れによって、第１回収口５１Ｎまで移動され、その第１回収口５１Ｎを介して回収される。

なお、不図示ではあるが、第１回収口５１と真空系を含む吸引装置５０との間の流路５２の途中には、第１回収口５１より回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器が設けられており、吸引装置５０に液体ＬＱが流入することを防止している。

また、本実施形態においては、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作は、液体ＬＱを介した基板Ｐの露光終了後、つまり、上述のステップＳＡ４の処理が終了した後に行われる。すなわち、本実施形態においては、液体ＬＱを介した基板Ｐの露光中には、吸引装置５０は停止しており、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作は停止している。露光中に第１回収口５１を用いた回収動作を停止することで、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作に起因する振動、基板Ｐ表面の平坦度の悪化などを抑えることができる。そして、液体ＬＱを介した露光終了後（ステップＳＡ４の後）、基板Ｐを基板ホルダＰＨに保持した状態で、第１回収口５１を用いた回収動作を行うことで、第１回収口５１を使って液体ＬＱを円滑に回収することができる。

また、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作は、基板Ｐの露光終了後（ステップＳＡ４の後）であって、基板Ｐを基板ホルダＰＨよりアンロードする前であればいつでもよい。例えば、基板Ｐの露光終了後、液体回収機構２０を用いた基板Ｐ上及び基板ホルダＰＨ上の液体ＬＱの回収動作（すなわちステップＳＡ５の動作）と、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作とを並行して行ってもよい。この場合、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作は、露光処理位置Ｊ１において行われる。

あるいは、基板Ｐの露光終了後、基板ホルダＰＨ（基板ステージＰＳＴ）を露光処理位置Ｊ１から基板交換位置Ｊ２までの移動中に、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作を行うようにしてもよい。すなわち、基板Ｐの露光終了後、基板ホルダＰＨの移動動作と、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作とを並行して行うようにしてもよい。露光処理位置Ｊ１から基板交換位置Ｊ２までの移動中に、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作を行うことで、基板ホルダＰＨを基板交換位置Ｊ２に移動した直後に、露光処理済の基板Ｐの搬出（アンロード）を介しすることができる。

あるいは、基板Ｐの露光終了後、基板ホルダＰＨ（基板ステージＰＳＴ）を基板交換位置Ｊ２に移動した後、基板Ｐを基板ホルダＰＨよりアンロードする前に、基板交換位置Ｊ２において、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作を行うようにしてもよい。

以上説明したように、第１回収口５１を介して第１周壁部４２の外側の第２空間３３の液体ＬＱを回収するようにしたので、仮にギャップＡを介して第２空間３３に液体ＬＱが浸入しても、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２Ａとの間を介して第１空間３１に液体ＬＱが浸入したり、液体ＬＱが基板Ｐの裏面Ｐｂ（オーバーハング部Ｈ１）に付着したままの状態が放置されたりするなどの不都合を防止できる。したがって、第１空間３１に浸入した液体ＬＱが、第１吸引口４１を介して第１真空系４０に流入して第１真空系４０を故障させる等の不都合の発生を防止できる。また、第１回収口５１を用いて液体ＬＱを回収することで、第１支持部４６の上面４１Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとの間に液体ＬＱが浸入して基板Ｐのフラットネスが劣化したり、基板Ｐを良好に保持できなくなったり、基板ホルダＰＨが濡れたままの状態を放置して、基板ホルダＰＨが錆びたり、液体ＬＱが気化するときの気化熱により基板ホルダＰＨが熱変形したりするなどの不都合の発生も防止できる。また、第１回収口５１を用いて液体ＬＱを回収することで、基板Ｐの裏面Ｐｂに液体ＬＱが付着したまま搬送系３００によって搬送されることが無いので、搬送系３００に液体ＬＱが付着したり、搬送経路に液体ＬＱが飛散するなど、被害が拡大することを防止することもできる。

特に、第１回収口５１を使って、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、第１周壁部４２よりも外側のオーバーハング部Ｈ１に付着している液体ＬＱを回収することで、基板Ｐを搬出するときに搬送系３００が濡れてしまったり、基板Ｐの裏面Ｐｂ側に浸入した液体ＬＱの表面張力の影響により基板Ｐの裏面Ｐｂと基板ホルダＰＨの第１周壁部４２の上面４２Ａとが吸着し、基板Ｐの交換作業を円滑に行うことができなくなったりするといった不都合を防止することができる。

また、基板Ｐの裏面側に、微小なギャップＢおよびギャップＧを形成するとともに、吸引装置５０が第１回収口５１を介して吸引することによって、第１回収口５１に向かう流速の大きい気体の流れが生成されるため、簡易な構成でギャップＡから浸入した液体ＬＱを回収することができる。

なお、オーバーハング部Ｈ１の大きさは、所望の気体の流れを生成することができ、且つ基板Ｐのエッジ部における撓み量を許容値以下に抑えることができるように、基板Ｐの寸法公差、搬送系３００による基板Ｐの基板ホルダＰＨに対する載置精度などを考慮して適宜設定することができる。また、第２空間３３のギャップＢは、流速の大きい気流を形成するために、０．５〜１．５ｍｍに設定されることが望ましい。

また、第１周壁部４２に沿う気体の流れによって、第１周壁部４２の外側のギャップＢの液体ＬＱを第１回収口５１まで移動することで、例えば基材ＰＨＢの上面５４と第１周壁部４２の外側面４２Ｓと段部９９の内側面９９Ｓとで形成される第２空間３３の隅部、角部など（図５中、符号Ｋ参照）に液体ＬＱが付着しても、その隅部Ｋの液体ＬＱを気体の流れによって第１回収口５１まで円滑に移動し、回収することができる。特に本実施形態においては、第１回収口５１は、基材ＰＨＢの上面５４における第１周壁部４２近傍に所定間隔で複数の位置に設けられているため、隅部Ｋに沿った気体の流れを良好に生成することができ、隅部Ｋに溜まっている液体ＬＱを円滑に回収することができる。

また、凹部４２Ｎの内側にも第１回収口５１Ｎを設けたので、凹部４２Ｎの内側に液体ＬＱが溜まることも防止できる。なお、図１０に示すように、凹部４２Ｎの近傍ではあるももの、凹部４２Ｎの外側に第１回収口５１Ｎが設けられている場合、吸引装置５０が第１回収口５１Ｎを介して気体を吸引しても、凹部４２Ｎの内側には気体の流れが生成されない領域（よどみ領域）Ｙが形成される可能性が高いため、凹部４２Ｎの内側に溜まった液体ＬＱを第１回収口５１Ｎまで移動することが困難となる。本実施形態においては、凹部４２Ｎの内側に第１回収口５１Ｎを設けたため、凹部４２Ｎに溜まった液体ＬＱも円滑に回収できる。

また、例えば設計上の都合などによって、凹部４２Ｎの内側に第１回収口５１Ｎを設けることが困難な場合には、図１１に示すように、凹部４２Ｎの中心位置ｅ１から第１周壁部４２の周方向に所定距離αずれた位置に第１回収口５１Ｎを設けてもよい。こうすることにより、第１回収口５１Ｎを凹部４２Ｎの外側に設けた場合でも、凹部４２Ｎの内側に気体の流れを生成できるため、凹部４２Ｎの内側に溜まった液体ＬＱを第１回収口５１Ｎまで移動して回収することができる。なお、凹部４２Ｎの幅をβとした場合、距離αは、α≦β／２の条件を満足することが好ましい。こうすることにより、凹部４２Ｎの内側に気体の流れを生成することができる。

＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態の特徴的な部分は、第１周壁部４２の外側に、第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドする第２周壁部４４を設けた点にある。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。

図１２は第２の実施形態に係る基板ホルダＰＨを上方から見た平面図、図１３は第２の実施形態に係る基板ホルダＰＨの要部拡大断面図である。図１２及び図１３において、基板ホルダＰＨは、第１周壁部４２の外側に、第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドする第２周壁部４４を備えている。第２周壁部４４は平面視においてほぼ環状であり、第１周壁部４２を囲むように設けられている。

図１３に示すように、第２周壁部４４の上面４４Ａと、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの裏面Ｐｂとは対向するように設けられている。そして第２周壁部４４の上面４４Ａは、第１周壁部４２の上面４２Ａよりも僅かに低くなっている。そして、第１空間３１を負圧空間にすることによって基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２Ａとが接触するとき、基板Ｐの裏面Ｐｂと第２周壁部４４の上面４４Ａとの間にはわずかなギャップ（隙間）Ｃが設けられる。第１周壁部４２の上面４２Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとが接触することで、第１空間３１の気密性が維持されるため、第１保持部ＰＨ１による基板Ｐの吸着保持を良好に行うことができるとともに、第１空間３１に液体ＬＱが浸入することを抑制することができる。

また、本実施形態においても、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐのエッジ部と内側面９８（上面９７）との間には０．１〜１．０ｍｍのギャップＡが形成されている。

ギャップＣは、第１周壁部４２と第２周壁部４４との間の第２空間３３Ａと、その第２空間３３Ａの外側の空間とを流通する流路を形成している。ここで、第２空間３３Ａの外側の空間とは、内側面９８と第２周壁部４４の外側面４４Ｓとの間の第３空間３３Ｂを含む大気空間を含む。第２空間３３Ａは、第１周壁部４２と第２周壁部４４と基材ＰＨＢの上面５４と第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐとで囲まれた空間であり、ギャップＣ及びギャップＡを介して大気開放されている。

第２周壁部４４の外側面４４Ｓと内側面９８との間には所定のギャップＤが形成されている。ギャップＤはギャップＡより大きく、例えば約２．５ｍｍである。また、環状の第２周壁部４４の外径は基板Ｐの外径よりも小さく形成されている。換言すれば、第２周壁部４４は、基板Ｐのエッジ部よりも内側（基板Ｐの中央部側）に設けられている。そして、基板Ｐのエッジ領域は、第２周壁部４４の外側に所定量オーバーハングしてオーバーハング部Ｈ１を形成している。

図１２に示すように、第２周壁部４４の一部には、第１周壁部４２と第２周壁部４４との間の第２空間３３Ａとその第２空間３３Ａの外側の空間（第３空間３３Ｂを含む大気空間）とを流通するためのスリット部５３が設けられている。すなわち、第２空間３３Ａは、スリット部５３及び上述のギャップＣ及びギャップＡを介して大気開放されている。

スリット部５３は、第２周壁部４４の周方向における複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、スリット部５３のそれぞれは、第２周壁部４４の周方向において所定間隔で７箇所に設けられている。図１５に示すように、本実施形態におけるスリット部５３は、上下方向（Ｚ軸方向）に延びるように形成され、スリット部５３の下端部は基板ホルダＰＨの基材ＰＨＢまで達している。一方、スリット部５３の上端部は第２周壁部４４の上面４４Ａまで達している。したがって、本実施形態における第２周壁部４４は、平面視円弧状の円弧部材を複数組み合わせて形成されたものであり、それら円弧部材を第１周壁部４２に沿って複数設けることにより、全体としてほぼ環状となっている。

第１回収口５１は、第１周壁部４２と第２周壁部４４との間における基材ＰＨＢの上面５４において、第１周壁部４２に沿って複数設けられている。第１回収口５１のそれぞれは、互いに隣り合うスリット部５３どうしの間に設けられている。換言すれば、スリット部５３のそれぞれが、互いに隣り合う第１回収口５１どうしの間に設けられている。

次に、第２の実施形態に係る基板ホルダＰＨの液体回収作用について説明する。

図１３に示すように、ギャップＡを介して第３空間３３Ｂに浸入した液体ＬＱは、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、第２周壁部４４よりも外側の領域、すなわち基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１に付着する可能性が高い。更に、ギャップＡから浸入した液体ＬＱは、ギャップＣを介して第２空間３３Ａに浸入し、第２空間３３Ａを形成する基板Ｐの裏面Ｐｂ、第１周壁部４２の外側面４２Ｓ、あるいは第１周壁部４２と第２周壁部４４との間における基材ＰＨＢの上面５４などに付着する可能性が高い。

ギャップＡを介して第２空間３３Ａに浸入した液体ＬＱは、吸引装置５０を駆動することによって回収することができる。吸引装置５０が駆動されると、図１４の模式図に示すように、第１回収口５１の周囲の気体（第２空間３３Ａの気体）は、第１回収口５１に吸引される。すなわち、吸引装置５０が第１回収口５１を介して、第２空間３３Ａの気体を吸引することによって、第１回収口５１の近傍（第２空間３３Ａ）には、第１回収口５１に向かう気体の流れが生成される（図１３中、矢印ｙ２参照）。

ここで、第２周壁部４４は、第１周壁部４２の外側において第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置５０が第１回収口５１を介して吸引することによって、第１回収口５１に向かう気体の流れを良好に生成することができる。また、第１周壁部４２の外側に、約１ｍｍのギャップＥを介して第２周壁部４４を設けたことにより、第２空間３３Ａにおいて、流速が大きい気体の流れを生成することができる。したがって、その気体の流れによって、第１周壁部４２の外側（第２空間３３Ａ）の液体ＬＱを、第１回収口５１まで円滑に移動して回収することができる。この場合、第２空間３３Ａの内側の例えば隅部Ｋに溜まっている液体ＬＱもより確実に回収することができる。なお、第１周壁部４２と第２周壁部４４との間のギャップＥは、流速の大きい気体の流れを生成するために０．５〜１．５ｍｍに設定されることが望ましい。

なお、第２空間３３Ａは、ギャップＣ及びスリット部５３及びギャップＡを介して大気開放されているので、第１回収口５１を介して第２空間３３Ａの気体を吸引した場合でも、ギャップＣ及びスリット部５３を介して第２空間３３Ａの外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。

また、ギャップＣには、第２空間３３Ａの外側から内側へ向かう気体の流れが生成されるので、基板Ｐの裏面Ｐｂのうち、第２周壁部４４よりも外側のオーバーハング部Ｈ１に付着した液体ＬＱは、そのギャップＣに生成される気体の流れによって、第２空間３３Ａに引き込まれ、第１回収口５１まで移動して回収される。すなわち、基板Ｐの裏面Ｐｂとの間にギャップＣを形成する第２周壁部４４を設けたことによって、基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１に付着した液体ＬＱも、より確実に第１回収口５１を使って回収することができる。

本実施形態においては、ギャップＣは１〜１０μｍに設定されているが、その大きさは、第１回収口５１を介した吸引力、液体ＬＱの粘度などに応じて最適化されることが望ましい。ギャップＣを、第１回収口５１を介した吸引力、液体ＬＱの粘度などに応じて最適化することにより、ギャップＣにおける気体の流れの流速を十分に高めて、オーバーハング部Ｈ１に付着している液体ＬＱを第２空間３３Ａに引き込んで、第１回収口５１を使って良好に回収することができる。

本実施形態における第１回収口５１を使った液体ＬＱの回収動作は、上述の第１の実施形態同様、基板Ｐの露光中には停止され、基板Ｐの露光を行っていないときに実行される。

以上説明したように、第１周壁部４２の外側に第２周壁部４４を設けたので、第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドし、所望の気体の流れを生成し、その生成された気体の流れによって液体ＬＱを第１回収口５１まで良好に移動して回収することができる。

図１６は、第２周壁部４４のスリット部５３近傍におけるＸＹ平面に沿った断面図である。図１６に示すように、スリット部５３のエッジはほぼ直角に形成されているが、図１７に示すように、第２空間３３Ａから第３空間３３Ｂに向かって漸次窄まるテーパ状であってもよい。あるいは、図１８に示すように、スリット部５３のエッジは円弧状であってもよい。

また、上述の実施形態においては、第２周壁部４４は、第２空間３３Ａとその外側の空間とを流通する流路としてスリット部５３を備えているが、図１９に示すように、第２周壁部４４の一部に孔（貫通孔）５５を設けてもよい。また、図１９に示す例では、孔５５はほぼ円形状であるが、矩形状、あるいはその他の形状であってもよい。すなわち、第１周壁部４２に沿う気体の流れを生成可能なように、第２空間３３Ａの外側の空間から気体を流入させることができれば（第２空間３３Ａを大気開放することができれば）、流路の形状及び／又は流路の位置は任意に設定可能である。

なお、第１周壁部４２に沿ってスムースな気体の流れを生成するためにスリット部５３及び／又は孔５５が形成されていることが望ましいが、それらを設けずに、ギャップＣからの気体に流入によって、第１周壁部４２に沿った気体の流れを生成することもできる。

また、第２実施形態において、図２０に示すように、第２周壁部４４の更に外側に、第１回収口５１と同等の機能を有する第２回収口５７を設けるようにしてもよい。例えば、第１周壁部４２と第２周壁部４４との間における基材ＰＨＢの上面５６に第２回収口５７を設けることができる。第２回収口５７には流路５２’を介して吸引装置５０’が接続されている。こうすることにより、第３空間３３Ｂの上面５６などに溜まった液体ＬＱを第２回収口５７を介して回収することができる。なお、第２回収口５７を使った液体ＬＱの回収動作は、第１回収口５１を使った液体ＬＱの回収動作同様、基板Ｐの露光中には停止され、基板Ｐの露光を行っていないときに実行される。

なお、吸引装置５０と吸引装置５０’とを同時に動作させる場合には、ギャップＣに生成される気体の流速を低下させないように、吸引装置５０’は、吸引装置５０よりも弱い吸引力で動作させることが望ましい。あるいは、吸引装置５０を動作させて、基板Ｐの裏面Ｐｂのオーバーハング部Ｈ１に付着した液体ＬＱ及び／又は第２空間３３Ａ内に浸入、付着した液体ＬＱを回収した後に、吸引装置５０’を動作させて、第３空間３３Ｂに浸入、付着した液体ＬＱを回収するようにしてもよい。

＜第３の実施形態＞
次に、図２１〜図２４を参照しながら第３の実施形態について説明する。図２１は基板Ｐを保持した状態の基板ホルダＰＨの側断面図、図２２は基板ホルダＰＨの一部を上方から見た平面図、図２３は基板Ｐを保持した状態の基板ホルダＰＨを上方から見た平面図、図２４は図２２の要部拡大図である。

本実施形態の基板ホルダＰＨは、基材ＰＨＢと、基材ＰＨＢに形成され、基板Ｐを吸着保持する第１保持部ＰＨ１と、基材ＰＨＢに形成され、第１保持部ＰＨ１で吸着保持された基板Ｐの周囲を囲むようにプレート部材Ｔを吸着保持する第２保持部ＰＨ２とを備えている。プレート部材Ｔは、基材ＰＨＢとは別の部材であって、第２保持部ＰＨ２に対して脱着（交換）可能に設けられている。また、図２３に示すように、プレート部材Ｔは略環状部材であって、その中央部には、基板Ｐを配置可能な略円形状の開口ＴＨが形成されている。そして、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。また、プレート部材Ｔの外形は基材ＰＨＢの形状に沿うように平面視矩形状に形成されている。

図２１において、プレート部材Ｔの表面Ｔａ及び裏面Ｔｂのそれぞれは平坦面（平坦部）となっている。また、プレート部材Ｔは基板Ｐとほぼ同じ厚さである。そして、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの表面（平坦面）Ｔａと、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの表面Ｐａとはほぼ面一となる。すなわち、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲に、その基板Ｐの表面Ｐａとほぼ面一の平坦面Ｔａを形成する。

なお、投影光学系ＰＬの像面側の光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たし続けることができるならば、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐ表面と第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔ表面との間に段差があっても構わない。

上述の第２実施形態と同様に、基板ホルダＰＨの第１保持部ＰＨ１は、基材ＰＨＢ上に形成された第１支持部４６と、第１支持部４６の周囲を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された環状の第１周壁部４２と、第１周壁部４２の内側の基材ＰＨＢ上に設けられた第１吸引口４１とを備えている。また、第１周壁部４２の外側には、第２周壁部４４が設けられている。本実施形態における第２周壁部４４の上面４４Ａの幅は、上述の第２の実施形態に比べて大きく（幅広に）形成されている。

上述の第２実施形態同様、第２周壁部４４の周方向における複数の所定位置のそれぞれにはスリット部５３が設けられている。また、上述の実施形態同様、第１回収口５１は、第１周壁部４２に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。そして、スリット部５３のそれぞれが、互いに隣り合う第１回収口５１どうしの間に設けられている。

基板ホルダＰＨの第２保持部ＰＨ２は、第２周壁部４４を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された略円環状の第３周壁部６２と、第３周壁部６２の外側に設けられ、第３周壁部６２を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された環状の第４周壁部６３と、第３周壁部６２と第４周壁部６３との間の基材ＰＨＢ上に形成された凸状の第２支持部６６とを備えている。第２支持部６６は、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂを支持するものであって、第３周壁部６２と第４周壁部６３との間において複数一様に形成されている。本実施形態においては、第２支持部６６も、第１支持部４６同様、複数の支持ピンを含む。第３周壁部６２は第１空間３１に対して第２周壁部４４の外側に設けられており、第４周壁部６３は第３周壁部６２の更に外側に設けられている。また、第３周壁部６２は、プレート部材Ｔの開口ＴＨの形状に応じて略円環状に形成されている。一方、第４周壁部６３は、プレート部材Ｔの外形に応じて略矩形環状に形成されている。第３周壁部６２の上面６２Ａは、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂのうち、開口ＴＨ近傍の内縁領域（内側のエッジ領域）に対向するように形成されている。第４周壁部６３の上面６３Ａは、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂのうち、外縁領域（外側のエッジ領域）に対向するように形成されている。第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側には、基材ＰＨＢと第３、第４周壁部６２、６３とプレート部材Ｔの裏面Ｔｂとで囲まれた第４空間３２が形成される。

第３周壁部６２と第４周壁部６３との間における基材ＰＨＢ上には第２吸引口６１が形成されている。第２吸引口６１はプレート部材Ｔを吸着保持するためのものであって、第３周壁部６２と第４周壁部６３との間において、基材ＰＨＢの上面のうち第２支持部６６以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。本実施形態においては、第２吸引口６１は第３周壁部６２と第４周壁部６３との間において複数一様に配置されている。

第２吸引口６１のそれぞれは、流路６５を介して第２真空系６０に接続されている。第２真空系６０は、基材ＰＨＢと第３、第４周壁部６２、６３とプレート部材Ｔの裏面Ｔｂとで囲まれた第４空間３２を負圧にするためのものであって、真空ポンプを含む。上述したように、第２支持部６６は支持ピンを含み、本実施形態における第２保持部ＰＨ２も、第１保持部ＰＨ１同様、所謂ピンチャック機構の一部を構成している。第３、第４周壁部６２、６３は、第２支持部６６を含む第４空間３２の外側を囲む外壁部として機能しており、制御装置ＣＯＮＴは、第２真空系６０を駆動し、基材ＰＨＢと第３、第４周壁部６２、６３とプレート部材Ｔとで囲まれた第４空間３２内部のガス（空気）を吸引してこの第４空間３２を負圧にすることによって、プレート部材Ｔを第２支持部６６で吸着保持する。

第１空間３１を負圧にするための第１真空系４０と、第４空間３２を負圧にするための第２真空系６０とは互いに独立している。制御装置ＣＯＮＴは、第１真空系４０及び第２真空系６０それぞれの動作を個別に制御可能であり、第１真空系４０による第１空間３１に対する吸引動作と、第２真空系６０よる第４空間３２に対する吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。また、制御装置ＣＯＮＴは、第１真空系４０と第２真空系６０とをそれぞれ制御し、第１空間３１の圧力と第４空間３２の圧力とを互いに異ならせることもできる。

図２４に示すように、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの外側のエッジ部（側面Ｐｃ）と、その基板Ｐの周囲に設けられたプレート部材Ｔの内側（開口ＴＨ側）のエッジ（側面Ｔｃ）との間には、０．１〜１．０ｍｍのギャップ（隙間）Ａが形成されている。

また、図２３に示すように、ノッチ部ＮＴにおける基板Ｐとプレート部材Ｔとの間にも、ギャップＡと同程度のギャップが形成されるように、基板Ｐの外形（ノッチ部ＮＴの形状）に応じて、プレート部材Ｔの形状が設定されている。具体的には、プレート部材Ｔには、基板Ｐのノッチ部ＮＴの形状に対応するように、開口ＴＨの内側に向かって突出する突起部１５０が設けられている。これにより、ノッチ部ＮＴを含む基板Ｐのエッジ部の全域とプレート部材Ｔとの間に、０．１〜１．０ｍｍのギャップＡが確保されている。なお、ノッチ部ＮＴが非常に小さい場合には、プレート部材Ｔに突起部１５０を設けなくてもよい。

図２４に示すように、基板Ｐの裏面Ｐｂと第２周壁部４４の上面４４Ａの一部の領域とが対向するとともに、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと第２周壁部４４の上面４４Ａの他の領域とが対向するようになっている。すなわち、基板Ｐとプレート部材Ｔとの間に形成されるギャップＡの直下に、第２周壁部４４の上面４４Ａが配置される。また、基板Ｐの裏面Ｐｂと第２周壁部４４の上面４４Ａとの間には所定のギャップＣが形成されるとともに、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと第２周壁部４４の上面４４Ａとの間には所定のギャップ（隙間）Ｆが形成される。

また、第２周壁部４４の更に外側には、第１回収口５１と同等の機能を有する第２回収口５７が設けられている。第２回収口５７には流路５２’を介して吸引装置５０’が接続されており、吸引装置５０’が第２回収口５７を介して吸引することによって、第２回収口５７に向かう気体の流れを生成する。第２回収口５７に向かう気体は、第２周壁部４４の外側面４４ＡＳに沿うように流れ、第２周壁部４４の外側の液体ＬＱを第２回収口５７まで移動して回収する。

第２回収口５７は、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側の第５空間３４に設けられている。第２保持部ＰＨ２は、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側に第５空間３４が形成されるように、プレート部材Ｔを保持しており、第２回収口５７は、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側に設けられている。本実施形態においては、第２回収口５７は、第２周壁部４４の外側面４４Ｓと、第３周壁部６２の内側面６２Ｔとの間における基材ＰＨＢの上面５８に設けられている。

第２保持部ＰＨ２の環状の第３周壁部６２の内径は、プレート部材Ｔの開口ＴＨの径よりも大きく、プレート部材Ｔの開口ＴＨ近傍の内縁領域は第３周壁部６２よりも内側（基板Ｐ側）に所定量オーバーハングしてオーバーハング部Ｈ２を形成している。第２回収口５７は、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの裏面Ｔｂのオーバーハング部Ｈ２と対向する位置に設けられている。第２回収口５７は、第２周壁部４４と第３周壁部６２との間における基材ＰＨＢの上面５８において、第２周壁部４４の外側面４４Ｓ近傍の所定位置に設けられている。また、第２回収口５７は、第２周壁部４４に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。第２回収口５７のそれぞれは、互いに隣り合うスリット部５３どうしの間に設けられている。

第５空間３４は、ギャップＡ及びギャップＦを介して大気開放されており、ギャップＦ及び第５空間３４に円滑に気体の流れを生成することができる。

本実施形態においては、ギャップＦへの液体ＬＱの吸引力が、ギャップＣへの液体ＬＱの吸引力よりも大きくなるようにギャップＣ、ギャップＦ、第１回収口５１を介した吸引力、及び第２回収口５７を介した吸引力が設定されている。ここで、第１回収口５１に接続する吸引装置５０と第２回収口５７に接続する吸引装置５０’とは互いに独立している。制御装置ＣＯＮＴは、吸引装置５０、５０’それぞれの動作を個別に制御可能であり、吸引装置５０による第１回収口５１を介した吸引動作と、吸引装置５０’による第２回収口５７を介した吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。また、制御装置ＣＯＮＴは、吸引装置５０と吸引装置５０’とをそれぞれ制御し、第１回収口５１を介した吸引力と第２回収口５７を介した吸引力とを互いに異ならせることもできる。

図２１に戻って、第４周壁部６３の上面６３Ａは平坦面であって、第４周壁部６３は、第２支持部６６よりも僅かに低い。そして、第４周壁部６３の上面６３Ａとプレート部材Ｔの下面Ｔｂとの間には所定のギャップが形成されている。また、プレート部材Ｔは、第４周壁部６３の外形よりも大きく形成されており、プレート部材Ｔの外縁領域は第４周壁部６３の外側に所定量オーバーハングしている。プレート部材Ｔ上の液体ＬＱがプレート部材Ｔの外側に流出した場合、基板ホルダＰＨの側面に設けられている移動鏡９３に付着するおそれがあるが、プレート部材Ｔが第４周壁部６３の外側に、ひいては移動鏡９３の外側にオーバーハングしているので、プレート部材Ｔの外側に流出した液体ＬＱが移動鏡９３に付着することが防止されている。また、プレート部材Ｔと第４周壁部６３の上面６３Ａとの間にはギャップが形成されているため、第２真空系６０によって第４空間３２を負圧にすることで、第４空間３２の外側から内側に向かうギャップを介した気体の流れが生成される。したがって、プレート部材Ｔの外側に流出した液体ＬＱは、移動鏡９３を含む基板ホルダＰＨの側面に流れる前に（付着する前に）、ギャップを介して第４空間３２に引き込まれる。したがって、移動鏡９３に液体ＬＱが付着する不都合を更に確実に防止することができる。

プレート部材Ｔの表面Ｔａ、裏面Ｔｂ、及び側面Ｔｃのそれぞれには、液体ＬＱに対して撥液性を有する撥液性材料が被覆されている。撥液性材料としては、ポリ四フッ化エチレン等のフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料等が挙げられる。あるいは、プレート部材Ｔを石英によって形成した場合には、そのプレート部材Ｔに旭硝子社製「サイトップ(R)」を被覆することができる。なお、プレート部材Ｔを撥液性にするために、プレート部材Ｔ自体を撥液性材料（フッ素系の材料など）で形成してもよい。

また、第２保持部ＰＨ２の第３周壁部６２の上面６２Ａ及び内側面６２Ｔ、第２支持部６６の上面６６Ａも撥液性を有している。基板ホルダＰＨの撥液化処理としては、上述したようなフッ素系樹脂材料、アクリル系樹脂材料、トップコート層形成用材料等を被覆する処理が挙げられる。

また、第３周壁部６２は、第２支持部６６とほぼ同じ高さ、あるいは僅かに低くなっており、第２支持部６６にプレート部材Ｔを保持した状態で、プレート部材Ｔの裏面Ｔｂと第３周壁部６２の上面６２Ａとがほぼ密着する。

次に、第３の実施形態に係る基板ホルダＰＨの液体回収作用について説明する。

基板Ｐとプレート部材Ｔとの間のギャップＡを介して液体ＬＱが浸入した場合、その浸入した液体ＬＱは、図２４に示すように、ギャップＣを介して第２空間３３に流入する可能性があるとともに、ギャップＦを介して第５空間３４に浸入する可能性がある。

ギャップＡを介して第２空間３３及び第５空間３４の少なくともいずれか一方に浸入した液体ＬＱは、吸引装置５０及び吸引装置５０’の少なくともいずれか一方を駆動することによって回収することができる。

例えば、吸引装置５０が駆動されることにより、第１回収口５１の近傍（第２空間３３）には、第１周壁部４２に沿って第１回収口５１に向かう気体の流れが生成され、この気体の流れによって、液体ＬＱを第１回収口５１を介して回収することができる。ここで、第２周壁部４４は、第２の実施形態と同様に、第１周壁部４２の外側において第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置５０が第１回収口５１を介して吸引することによって、第１回収口５１に向かう気体の流れを良好に生成することができる。

また、ギャップＣ及び第２周壁部４４に形成されたスリット部５３は、第２空間３３とその外側の空間（大気空間）とを流通している。すなわち、第２空間３３は、ギャップＣ及びスリット部５３及びギャップＡを介して大気開放されているので、第１回収口５１を介して第２空間３３の気体を吸引した場合でも、ギャップＣ、スリット部５３及びギャップＡを介して第２空間３３の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。

また、ギャップＣには、第２の実施形態と同様に、第２空間３３の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップＣに留まっている液体ＬＱは、その気体の流れによって、第２空間３３に引き込まれ、第１回収口５１まで円滑に移動して回収される。

一方、吸引装置５０’が駆動されることにより、第２回収口５７の近傍（第５空間３４）には、第２回収口５７に向かう気体の流れが生成され、この気体の流れによって、液体ＬＱを第２回収口５７を介して回収することができる。このとき、第２周壁部４４は、第２周壁部４４の外側において第２回収口５７に向かう気体の流れをガイドする機能を備えている。したがって、吸引装置５０’が第２回収口５７を介して吸引することによって、第２回収口５７に向かう気体の流れを良好に生成することができる。

すなわち、第２周壁部４４と第３周壁部６２との間には、約１ｍｍに設定されたギャップＪの第５空間３４が形成されており、吸引装置５０’が第２回収口５７を介して吸引することによって、溝状の第５空間３４に第２回収口５７に向かう流速な大きい気体の流れを生成することができる。なお、ギャップＪはギャップＢと同様に、流速の大きい気体の流れを生成するために０．５〜１．５ｍｍ程度に設定することが望ましい。

なお、第５空間３４は、ギャップＦ及びスリット部５３及びギャップＡを介して大気開放されているので、第２回収口５７を介して第５空間３４の気体を吸引した場合でも、ギャップＦ、スリット部５３、及び／又はギャップＡを介して第５空間３４の外部より内部に気体が流入するので、所望の気体の流れを円滑に生成することができる。

また、ギャップＦは、ギャップＣと同様に１〜１０ｍｍに設定され、ギャップＦには、第５空間３４の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップＦに留まっている液体ＬＱは、その気体の流れによって、第５空間３４に引き込まれ、第２回収口５７まで円滑に移動して回収される。

このように、第１回収口５１及び第２回収口５７は、基板Ｐとプレート部材Ｔとの間のギャップＡから浸入した液体ＬＱを回収することができる。そして、第２周壁部４４は、第１回収口５１に向かう気体の流れをガイドする機能と、第２回収口５７に向かう気体の流れをガイドする機能とのそれぞれを有しているので、所望の気体の流れを生成することができる。

第１回収口５１及び第２回収口５７を使った液体ＬＱの回収動作は、上述の実施形態同様、基板Ｐの露光中には停止され、基板Ｐの露光を行っていないときに実行される。

制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光終了後、ギャップＡから浸入した液体ＬＱを回収するとき、吸引装置５０及び吸引装置５０’のそれぞれを駆動し、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作と、第２回収口５７を用いた液体ＬＱの回収動作とを並行して行うことができる。

あるいは、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光終了後、ギャップＡから浸入した液体ＬＱを回収するとき、まず、吸引装置５０’を駆動して、第２回収口５７を用いた液体ＬＱの回収動作を行った後、吸引装置５０を駆動して、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作を行うこともできる。あるいは、制御装置ＣＯＮＴは、第１回収口５１を用いた液体ＬＱの回収動作を行った後、第２回収口５７を用いた液体ＬＱの回収動作を行うこともできる。

本実施形態においては、ギャップＦへの液体ＬＱの吸引力が、ギャップＣへの液体ＬＱの吸引力よりも大きくなるようにギャップＣ、ギャップＦ、第１回収口５１を介した吸引力、及び第２回収口５７を介した吸引力が設定されている。したがって、ギャップＡから浸入した液体ＬＱをプレート部材Ｔの裏面Ｔｂ側に円滑に引き込むことができるので、ギャップＡから浸入した液体ＬＱが基板Ｐの裏面Ｐｂ側に回り込む不都合を防止することができる。なお上述のように、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２Ａとは接触（密着）しているため、ギャップＡから浸入した液体ＬＱが、基板Ｐの裏面Ｐｂと第１周壁部４２の上面４２Ａとの間を介して第１空間３１に浸入することが防止されている。

なお、第３の実施形態においても、第２周壁部４４のスリット部５３を省略して、ギャップＣ及びギャップＦから流入した気体によって、第２周壁部４４及び第３周壁部６２に沿った気体の流れを生成するようにしてもよい。

＜その他の実施形態＞
なお、上述の第１〜第３の各実施形態においては、吸引装置５０が第１回収口５１を介して気体を吸引することで、第１回収口５１に向かう気体の流れを生成しているが、例えば、第１周壁部４２の外側面４２Ｓに沿った気体の流れを生成可能な気体吹出口を有する気体供給装置を設け、気体吹出口より吹き出した気体によって、第１回収口５１に向かう気体の流れを生成するようにしてもよい。同様に、第２回収口に向かう気体の流れを、気体吹出口より吹き出した気体によって生成してもよい。

なお、第１回収口５１の位置及び／又は数は上述の例に限定されない。例えば、上述の第１〜第３の各実施形態においては、第１回収口５１は、第１周壁部４２の外側における基材ＰＨＢの上面５４に設けられているが、第１周壁部４２の外側面４２Ｓの一部に設けてもよい。

また、上述の第１〜第３の各実施形態においては、第１回収口５１は第１周壁部４２近傍に設けられているが、第１周壁部４２から離れた位置に設けられていてもよい。第１回収口５１を第１周壁部４２から離れた位置に設けた場合であっても、基板Ｐのオーバーハング部Ｈ１に対向している位置であれば、第１回収口５１を使って液体ＬＱを回収することができる。

なお、上述の第１〜第３の各実施形態においては、第１回収口５１は、第１周壁部４２に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられているが、第１回収口５１は１つであってもよい。

なお、上述の第１〜第３の実施形態においては、例えば図９に示すように、基板Ｐに形成されたノッチ部ＮＴに合わせて第１周壁部４２に凹部４２Ｎが形成され、その凹部４２Ｎの内側に第１回収口５１Ｎを形成しているが、第１周壁部４２の複数箇所に所定の間隔で凹部４２Ｎを設け、第１回収口５１の全て、あるいは一部を凹部４２Ｎの内側にそれぞれ配置してもよい。この場合、第１回収口５１を一箇所しか設けない場合には、基板Ｐに形成されたノッチ部ＮＴに合わせて第１周壁部４２に形成された凹部４２Ｎの内側の第１回収口５１Ｎだけを残せばよい。

なお、上述の第１〜第３の各実施形態においては、基板Ｐの吸着保持にはピンチャック機構を採用しているが、その他のチャック機構を採用してもよい。同様に、第３の実施形態において、プレート部材Ｔの吸着保持にはピンチャック機構を採用しているが、その他のチャック機構を採用してもよい。また、基板Ｐ及びプレート部材Ｔの双方の吸着保持に真空吸着機構を採用してもよいし、少なくとも一方を静電吸着機構などの他の機構を用いて保持するようにしてもよい。
また、上述の各実施形態においては、第１周壁部４２の上面４２の高さを、第１支持部４６の上面４６Ａより低くしているが、第１周壁部４２の上面４２の高さと第１支持部４６の上面４６Ａとが同じであってもよい。この場合、第１支持部４６の上面４６Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとがより密着して第１空間３１への液体ＬＱの浸入をより確実に抑えることができる。
また、上述の第３実施形態において、第３周壁部６２の上面６２Ａの高さを第２支持部６６の上面６６Ａの高さよりも低くしているが、第３周壁部６２の高さと第２支持部６６の上面６６Ａの高さとが同じであってもよい。この場合、第３周壁部６２の上面６２Ａと基板Ｐの裏面Ｐｂとがより密着して、第４空間３２への液体ＬＱの浸入を抑制することができる。

上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水である。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジスト、光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。

そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４程度と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。なお、液体ＬＱは純粋に限定されず、例えば屈折率が１．６〜２．０の高屈折率液体を用いてもよい。

本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＬＳ１が取り付けられており、この光学素子ＬＳ１により投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。

なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。

なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。

また、上述の実施形態の投影光学系は、先端の光学素子の像面側の光路空間を液体で満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、先端の光学素子のマスク側の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。

なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ_２レーザである場合、このＦ_２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ_２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）あるいはフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬ及び／又は基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。この場合も表面処理は用いる液体ＬＱの極性に応じて行われる。

なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスク（レチクル）を用いたが、このレチクルに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて、透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いても良い。また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞をウエハＷ上に形成することによって、ウエハＷ上にライン・アンド・スペースパターンを形成する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。

また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。

また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているツインステージ型の露光装置にも適用できる。

更に、特開平１１−１３５４００号公報に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材、各種の光電センサなどを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも本発明を適用することができる。

また、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。

基板ステージＰＳＴ及び／又はマスクステージＭＳＴにリニアモータ（USP5,623,853またはUSP5,528,118参照）を用いる場合は、エアベアリングを用いたエア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステージＰＳＴ、ＭＳＴは、ガイドに沿って移動するタイプでもよく、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよい。

各ステージＰＳＴ、ＭＳＴの駆動機構としては、二次元に磁石を配置した磁石ユニットと、二次元にコイルを配置した電機子ユニットとを対向させ電磁力により各ステージＰＳＴ、ＭＳＴを駆動する平面モータを用いてもよい。この場合、磁石ユニットと電機子ユニットとのいずれか一方をステージＰＳＴ、ＭＳＴに接続し、磁石ユニットと電機子ユニットとの他方をステージＰＳＴ、ＭＳＴの移動面側に設ければよい。

基板ステージＰＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−１６６４７５号公報（USP5,528,118）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

マスクステージＭＳＴの移動により発生する反力は、投影光学系ＰＬに伝わらないように、特開平８−３３０２２４号公報（USP5,874,820）に記載されているように、フレーム部材を用いて機械的に床（大地）に逃がしてもよい。

本実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。
各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２５に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する処理を含むステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。

Claims (29)

1. 投影光学系と、該投影光学系の像面側に供給される液体により形成される液浸領域とを介して照射される露光光に対し、基板を保持して移動可能な基板保持装置であって、
   前記基板の裏面を支持する複数の支持部と、
   前記複数の支持部を囲むように設けられた第１の周壁部と、
   前記複数の支持部に支持された前記基板の裏面および前記第１の周壁部によって囲まれる第１空間を負圧にするために、前記第１空間内の気体を吸引可能に該第１空間に面して設けられた複数の吸引口と、
   前記第１の周壁部の外側面に沿って、該外側面との間に第１のギャップを介して配置される側面部または第２の周壁部と、
   前記外側面と前記側面部または前記第２の周壁部と間の第２空間に接続された複数の第１流路を含み、前記第２空間に浸入した前記液体を前記複数の第１流路を介して回収する第１回収部と、を備え、
   前記複数の第１流路の回収口は、前記第１の周壁部の周方向に沿って前記第２空間に面して配置され、
   前記第１回収部は、前記第１空間が負圧にされた状態で、前記複数の第１流路の回収口を介して前記第２空間内の気体を吸引し、該第２空間内に前記第１の周壁部に沿って前記周方向に気体の流れを生成し、前記第２空間に浸入した前記液体を前記気体の流れによって前記回収口へ移動させる基板保持装置。
2. 前記複数の第１流路の回収口は、前記第１の周壁部の外側であって、前記複数の支持部に支持された前記基板のエッジ部よりも内側になるように設けられる請求項１に記載の基板保持装置。
3. 前記複数の第１流路の回収口は、前記複数の支持部に支持された前記基板の裏面に対向するように設けられる請求項２に記載の基板保持装置。
4. 前記複数の第１流路の回収口は、前記第１の周壁部の外側面に設けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
5. 前記第１の周壁部は、該第１の周壁部の上面の少なくとも一部が、前記複数の支持部に支持された前記基板の裏面と対向するように設けられる請求項１に記載の基板保持装置。
6. 前記第２空間を形成する側面部は、前記複数の支持部に支持された前記基板のエッジ部より外側になるように設けられる請求項５に記載の基板保持装置。
7. 前記第２空間を形成する第２の周壁部は、該第２の周壁部の上面が、前記複数の支持部に支持された前記基板の裏面と対向するように設けられる請求項５に記載の基板保持装置。
8. 前記第２の周壁部の上面は、前記第１の周壁部の上面よりも低い請求項７に記載の基板保持装置。
9. 前記第２空間を形成する第２の周壁部は、前記複数の支持部に支持された前記基板のエッジ部より外側に設けられる請求項５に記載の基板保持装置。
10. 前記第１の周壁部は、前記基板に形成された切欠部に対応する凹部を有し、
    前記複数の第１流路の回収口の少なくとも１つは、前記凹部の内側に設けられている請求項１〜９のいずれか一項記載の基板保持装置。
11. 前記複数の第１流路の回収口の少なくとも１つは、前記凹部の中心位置から前記第１の周壁部の周方向に所定距離ずれた位置に設けられている請求項１０記載の基板保持装置。
12. 前記第１回収部は、前記複数の第１流路に接続された吸引装置を有し、該吸引装置によって前記第１の空間内の気体を前記複数の第１流路の回収口を介して吸引する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板保持装置。
13. 前記第１回収部は、前記複数の第１流路の回収口と前記吸引装置との間における該第１流路の途中に、前記第１流路の回収口を介して回収する液体と気体とを分離する気液分離器が設けられている請求項１２に記載の基板保持装置。
14. 前記第２空間に接続された吹出口を含み、該吹出口から前記第２空間に気体を吹き出す気体供給装置を備え、
    前記第２空間内における前記第１の周壁部に沿った前記周方向への前記気体の流れは、前記吹出口から吹出された気体を含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板保持装置。
15. 前記第２の周壁部の外側に、該第２の周壁部との間に第２のギャップを介して配置される側面部または第３の周壁部と、
    前記第２の周壁部と前記側面部または前記第３の周壁部との間の第３空間に接続された複数の第２流路を含み、前記第３空間に浸入した前記液体を前記複数の第２流路を介して回収する第２回収部と、を備え、
    前記複数の第２流路の回収口は、前記第２の周壁部の周方向に沿って前記第３空間に面して配置され、
    前記第２回収部は、前記複数の第２流路の回収口を介して前記第３空間内の気体を吸引し、該第３空間内に前記第２の周壁部に沿って前記周方向に気体の流れを生成し、前記第３空間に浸入した前記液体を前記第２の周壁部に沿った気体の流れによって前記第２流路の回収口へ移動させる請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
16. 前記第２の周壁部は、前記第２空間と前記第３空間との間で気体を流通させる複数の第３流路を含む請求項１５に記載の基板保持装置。
17. 前記第２の周壁部の外側に、該第２の周壁部との間に第２のギャップを介して配置される側面部または第３の周壁部を備え、
    前記第２の周壁部は、前記第２空間と前記第３空間との間で気体を流通させる複数の第３流路を含み、
    前記第１回収部は、前記複数の第３流路、前記第２空間および前記複数の第１流路の回収口を介して前記第３空間内の気体を吸引する請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板保持装置。
18. 前記第３空間に接続された複数の第２流路を含み、前記第３空間に浸入した前記液体を前記複数の第２流路を介して回収する第２回収部を備え、
    前記複数の第２流路の回収口は、前記第２の周壁部の周方向に沿って前記第３空間に面して配置され、
    前記第２回収部は、前記複数の第２流路の回収口を介して前記第３空間内の気体を吸引し、該第３空間内に前記第２の周壁部に沿って前記周方向に気体の流れを生成し、前記第３空間に浸入した前記液体を前記第２の周壁部に沿った気体の流れによって前記第２流路の回収口へ移動させる請求項１７に記載の基板保持装置。
19. 前記複数の第３流路は、スリット状または孔状の流路を含む請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の基板保持装置。
20. 前記複数の第３流路は、前記第２の周壁部の周方向に沿って設けられ、
    前記複数の第３流路のそれぞれは、前記第１の周壁部の周方向に沿って互いに隣り合う前記第１流路の回収口の間に設けられる請求項１６〜１９のいずれか一項に記載の基板保持装置。
21. 前記第１の周壁部の上面は、前記複数の支持部に支持された前記基板の裏面と接触する請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板保持装置。
22. 前記複数の支持部に支持された前記基板を囲むように設けられる平坦部を備え、
    前記第１回収部は、前記複数の支持部に支持された前記基板と前記平坦部との間に形成され前記液浸領域下に移動される第３のギャップを介して前記第２空間に浸入した前記液体を回収する請求項１〜２１のいずれか一項に記載の基板保持装置。
23. 前記複数の支持部に支持された前記基板を囲むように設けられる平坦部を備え、
    前記第１回収部は、前記複数の支持部に支持された前記基板と前記平坦部との間に形成され前記液浸領域下に移動される第３のギャップを介して前記第２空間に浸入した前記液体を回収し、
    前記第２回収部は、前記第３のギャップを介して前記第３空間に浸入した前記液体を回収する請求項１５または１８に記載の基板保持装置。
24. 前記平坦部は、脱着可能に設けられている請求項２２または２３記載の基板保持装置。
25. 投影光学系と、該投影光学系の像面側に供給される液体により形成される液浸領域とを介して照射する露光光によって基板を露光する露光装置であって、
    前記基板を保持し、前記露光光に対して移動する請求項１〜２４のいずれか一項に記載の基板保持装置を備える露光装置。
26. 前記第２空間に浸入した前記液体を前記第１回収部によって回収する回収動作を制御する制御部を備え、
    前記制御部は、前記基板の露光中、前記回収動作を停止させる請求項２５に記載の露光装置。
27. 前記制御部は、前記基板の露光終了後、前記基板保持装置が前記基板を保持した状態で、前記回収動作を行う請求項２６に記載の露光装置。
28. 前記基板保持装置は、前記基板の露光が行われる第１位置と前記第１位置とは別の第２位置との間を移動し、
    前記制御部は、前記基板保持装置が前記第１位置から前記第２位置まで移動中に、前記回収動作を行う請求項２６または２７に記載の露光装置。
29. 基板に形成されるデバイスの製造方法であって、
    請求項２５〜２８のいずれか一項に記載の露光装置を用いて、前記基板にパターンを露光することと、
    前記パターンが露光された前記基板を現像することと、を含むデバイスの製造方法。

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