JP5172287B2 - 集積回路装置 - Google Patents
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Description
先ず、本発明の第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図であり、
図2は、図1に示すA−A’線による断面図であり、
図3は、本実施形態のコイルを例示する斜視図である。
主配線21に電流が流れると、アンペールの法則により、主配線21の周囲に磁界が発生する。この磁界の方向は、所謂「右ネジの法則」に従って主配線21の周りを回るような方向となる。例えば、主配線21に+X方向の電流が流れると、コイル25の位置では、略−Y方向の磁界が発生する。すなわち、コイル25の中心軸Cに沿ってコイル25を貫くような方向に磁界が発生する。これにより、コイル25の内部の磁界が変化して、コイル25には誘導電流が発生する。そして、この誘導電流を測定することにより、主配線21に流れた電流の大きさを測定することができる。
本実施形態によれば、コイル25は主配線21とは接していないため、主配線21に印加された電圧を消費することなく、電流を測定することができる。この結果、例えば、低出力電圧のスイッチング電源用ICの出力電流を、高精度で測定することができる。
このように、本実施形態に係る集積回路装置1は、簡単な構成で内部の配線を流れる電流の大きさを精度よく測定することができる。
図4は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図であり、
図5(a)は、図4に示すコイル32を例示する平面図であり、(b)はその側面図であり、
図6(a)は、図4に示すコイル33を例示する平面図であり、(b)はその側面図であり、
図7は、図4に示すB−B’線による断面図である。
図8は、本実施形態の動作を例示する平面図であり、
図9は、図4に示すC−C’線による断面図であり、
図10は、図4に示すD−D’線による断面図である。
なお、図8乃至図10においては、図を見易くするために、配線、ビア、端子以外の部材は図示が省略されている。
本実施形態においては、上述の如く、部分31a及び31cの直下域に、一対のコイル32及び33をそれぞれ配置することにより、外部磁界の影響を遮断することができる。また、前述の第1の実施形態と同様に、主配線31とコイル32及び33とが同一の基板11上に集積されており、両者間の相対的な位置関係は固定されており、両者間の相対的な位置関係の変動に起因して誘導電流の大きさが変動することがない。これらにより、主配線31の下方側のみにコイル32及び33を設けても、主配線31の周囲に全周にわたってロゴスキーコイルを設けた場合と同様な効果を得ることができる。この結果、主配線31を流れる電流の大きさを精度よく測定することができる。
図11は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図である。
図11に示すように、本実施形態に係る集積回路装置3は、半導体ICチップである。集積回路装置3においては、前述の第2の実施形態に係る集積回路装置2(図4参照)の構成に加えて、基板11上に積分回路41が設けられている。積分回路41は、主配線32及び誘導電流経路と共に、多層配線CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor:相補型金属酸化膜半導体)プロセスによって基板11上に形成されたものである。積分回路41は配線35及び36に接続されており、前述のコイル32及び33の起電力から求めた主配線31を流れる電流Iの微分値を積分する。この積分結果が、主配線31を流れる電流Iの大きさに相当する。
図12は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する分解斜視図であり、
図13は、図12に示す半導体ICチップを例示する平面図である。
図12に示すように、本実施形態に係る集積回路装置4においては、回路基板51及び半導体ICチップ52が設けられている。半導体ICチップ52は、例えばフリップチップ接続により、回路基板51に実装されている。
回路基板51の主配線31に電流が流れると、この電流によって発生した磁界が半導体ICチップ52のコイル32及び33を貫き、起電力を発生させる。そしてこの起電力(電流Iの微分に比例)を積分回路41が積分する。これにより、主配線31に流れた電流の大きさを、回路基板51の主回路にセンス部品を挿入することなく測定することができる。このとき、コイル32及び33の位置は、主配線31に対して固定されているため、コイル32及び33が主配線31の片側のみに配置されていても、主配線31を流れる電流を精度よく測定することができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第3の実施形態と同様である。
図14は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図である。
図14に示すように、本実施形態に係る集積回路装置5においては、前述の第3の実施形態に係る集積回路装置3(図11参照)の構成から、主配線31の部分31bが除かれており、主配線31の部分31aと部分31cとの間に、半導体スイッチSWが接続されている。半導体スイッチSWは、基板11上には集積されておらず、独立した素子を構成している。集積回路装置5は、スイッチング電源として機能する。このように、本実施形態によれば、半導体スイッチSWを流れる電流の大きさを測定することができる。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第3の実施形態と同様である。
図15は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図である。
図15に示すように、本実施形態は、前述の第5の実施形態(図14参照)において、半導体スイッチSW(図14参照)をハイサイドMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor:金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)とした例である。
図16は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図である。
図16に示すように、本実施形態においては、ハイサイドMOSFET73、ローサイドMOSFET74、積分回路41及びドライバー回路66が1つのチップ72上に集積されている。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第6の実施形態と同様である。
図17は、本実施形態に係る集積回路装置を例示する平面図である。
図17に示すように、本実施形態においては、前述の第7の実施形態におけるチップ72に、制御回路77も集積されている。また、ドライバー回路が、ハイサイドMOSFET73を制御するドライバー回路66aと、ローサイドMOSFET74を制御するドライバー回路66bとに分割されている。本実施形態における上記以外の構成、動作及び効果は、前述の第7の実施形態と同様である。
Claims (4)
- 第1配線層、第1絶縁層、第2配線層、第2絶縁層及び第3配線層がこの順に積層された集積回路装置であって、
前記第3配線層内に形成され、前記第1配線層の表面に対して平行な第1方向に延びる主配線と、
前記第1配線層内に形成された配線、前記第2配線層内に形成された配線、及び前記第1絶縁層内に形成されたビアによって形成され、中心軸が前記第1配線層の表面に対して平行で且つ前記第1方向に対して交差する方向に延びるコイルと、
を備えたことを特徴とする集積回路装置。 - 第1配線層、第1絶縁層、第2配線層、第2絶縁層及び第3配線層がこの順に積層された集積回路装置であって、
前記第3配線層内に形成され、前記第1配線層の表面に対して平行な第1方向に延びる第1部分と、前記第1方向に対して逆方向に延びる第2部分と、を有する主配線と、
前記第1配線層内に形成された配線、前記第2配線層内に形成された配線、及び前記第1絶縁層内に形成されたビアによって形成され、前記第1部分の直下域に配置され、中心軸が前記第1配線層の表面に対して平行で且つ前記第1方向に対して直交する第2方向に延びる第1のコイルと、
前記第1配線層内に形成された配線、前記第2配線層内に形成された配線、及び前記第1絶縁層内に形成されたビアによって形成され、前記第2部分の直下域に配置され、中心軸が前記第2方向に延びる第2のコイルと、
前記第1配線層内及び前記第2配線層内のうち一方に形成され、前記第1のコイルにおける前記第2部分側の端部を前記第2のコイルにおける前記第1部分の反対側の端部に接続する第1配線と、
前記第1配線層内及び前記第2配線層内のうち他方に形成され、一端が前記第2のコイルにおける前記第1部分側の端部に接続され、他端が前記第1部分から見て前記第2部分の反対側まで引き出された第2配線と、
を備え、
前記第1のコイルの形状及び巻回方向は、前記第2のコイルの形状及び巻回方向とそれぞれ等しく、
前記第1配線層の表面に対して直交する方向から見て、前記第1配線は前記第2配線と交差しており、前記第1部分、前記第1配線及び前記第2配線によって囲まれた領域の面積は、前記第2部分、前記第1配線及び前記第2配線によって囲まれた領域の面積と等しいことを特徴とする集積回路装置。 - 前記第1配線層、前記第1絶縁層、前記第2配線層、前記第2絶縁層及び前記第3配線層が積層された基板と、
前記基板上に設けられ、前記主配線を流れる電流に起因して前記コイルに発生する誘導電流を積分する積分回路と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項1または2に記載の集積回路装置。 - 電源配線から供給された電力を出力端子に対して出力するか否かを切替えるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子を制御する制御回路と、
をさらに備え、
前記制御回路は、前記積分回路が前記誘導電流を積分した結果に基づいて前記スイッチング素子を制御することを特徴とする請求項3記載の集積回路装置。
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