JP2009295845A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009295845A JP2009295845A JP2008149056A JP2008149056A JP2009295845A JP 2009295845 A JP2009295845 A JP 2009295845A JP 2008149056 A JP2008149056 A JP 2008149056A JP 2008149056 A JP2008149056 A JP 2008149056A JP 2009295845 A JP2009295845 A JP 2009295845A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- main
- electrode film
- sense
- terminal
- semiconductor element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】 ゲート電極膜5の一部5aがメイン側ソース電極膜4に入り込んでいるため、ドレイン電流経路7が長くなり、ドレイン電流経路7におけるメイン側ソース電極膜4の配線抵抗値(Ra+Rb)が大きくなる。従って、一部5aの長さを調整することにより、配線抵抗値(Ra+Rb)を調整することができる。従って、メインVDMOS2の配線抵抗値Raと、センスVDMOS3の配線抵抗値(Rc+Rd)とを等しくすることができるため、メインおよびセンスDMOS間におけるオン抵抗比の誤差を小さくし、電流検出精度を高めることができる。
【選択図】 図2
Description
そして、ドレイン領域の抵抗成分と抵抗の温度係数(温度に対する抵抗値の変化)を同じに設定することにより、オン抵抗比(カレントミラー比)のゲート電圧およびチャネル温度依存性を小さくする。
したがって、ゲート電極膜(5)の一部(5a)がメイン側第1電極膜(4)に入り込む長さを調整することにより、センス側配線抵抗値(Rc+Rd)と、電圧検出側配線抵抗値(Ra)とをほぼ等しくすることができる。
したがって、メイン側第1電極膜(4)の形成されていない非形成領域(1b)がメイン側第1電極膜に入り込む長さを調整することにより、センス側配線抵抗値(Rc+Rd)と、電圧検出側配線抵抗値(Ra)とをほぼ等しくすることができる。
しかも、非形成領域の一部には、メイン側第1電極膜の形成された形成領域(4a)が存在し、その形成領域によって電圧検出端子の周囲の外側と内側とが導通してなるため、その形成領域の形成位置および形成面積の少なくとも一方を変えることにより、電圧検出側配線抵抗値(Ra)を微調整することができる。
しかし、前述の請求項1ないし請求項9のいずれか1つに記載の技術的手段を用いれば、メイン側半導体素子およびセンス側半導体素子間におけるオン抵抗比の誤差を小さくすることができるため、電流検出精度を高めることができる。
この発明に係る第1実施形態について図を参照して説明する。以下の各実施形態では、この発明に係る半導体装置として、縦型MOSトランジスタ素子(VDMOS,Vertical Diffused Metal Oxide Semiconductor)を説明する。図1は、VDMOSの適用例を示す回路図である。図2は、VDMOSの平面説明図である。
オペアンプ23の出力は、ゲート電圧を制御するための制御回路30に接続されており、制御回路30は、ゲートGにゲート電圧を印加するためのゲート駆動回路50に接続されている。
メイン側ソース電極膜4には、メインVDMOS2の電圧を検出するためのパッド状のケルビン端子Kが接続されている。ケルビン端子Kは、ドレイン電流の経路を極力長くするためにソース端子Sから極力離れた位置に配置されている。
図3は、メインVDMOS2およびセンスVDMOS3の単位面積当りのオン抵抗を示す説明図である。同図に示すように、メインVDMOS2における配線部を除くオン抵抗値と配線抵抗Raとの比と、センスVDMOS3における配線部を除くオン抵抗値と配線抵抗(Rc+Rd)との比が等しくなっている。
次に、この発明の第2実施形態について図を参照して説明する。図4は、この実施形態のVDMOSの平面説明図である。
この絶縁領域1bを形成する構成でも、図3に示したように、メインVDMOS2における配線部を除くオン抵抗値と配線抵抗値Raとの比と、センスVDMOS3における配線部を除くオン抵抗値と配線抵抗値(Rc+Rd)との比を等しくすることができる。
次に、この発明の第3実施形態について図を参照して説明する。図5は、この実施形態のVDMOSの平面説明図である。
したがって、メインVDMOS2およびセンスVDMOS3間におけるオン抵抗比(カレントミラー比)の誤差をより一層小さくすることができるので、電流検出精度をより一層高めることができる。
次に、この発明の第4実施形態について図を参照して説明する。図6は、この実施形態のVDMOSの平面説明図である。
したがって、メインVDMOS2およびセンスVDMOS3間におけるオン抵抗比(カレントミラー比)の誤差をより一層小さくすることができるので、電流検出精度をより一層高めることができる。
次に、この発明の第5実施形態について図を参照して説明する。図9は、この実施形態のVDMOSの平面説明図である。
したがって、メインVDMOS2およびセンスVDMOS3間におけるオン抵抗比(カレントミラー比)の誤差をより一層小さくすることができるので、電流検出精度をより一層高めることができる。
したがって、メインVDMOS2およびセンスVDMOS3間におけるオン抵抗比(カレントミラー比)の誤差をより一層小さくすることができるので、電流検出精度をより一層高めることができる。
(1)図11は、他の実施形態に係るVDMOSの平面説明図である。図11に示すように、絶縁領域1bがメイン側ソース電極膜4に入り込んでいる。絶縁領域1bには、温度センサ15が配置されている。温度センサ15は、接続パッド12a,12aによってVDMOS1の内部に配置された温度検出回路と接続されている。また、絶縁領域1bには、ゲート端子Gおよびミラー端子Mが配置されている。このように、絶縁領域1bに温度センサ15、ゲート端子Gおよびミラー端子Mを配置することにより、絶縁領域1bを有効活用することができる。
3・・センスVDMOS(センス半導体素子)、
4・・メイン側ソース電極膜(メイン側第1電極膜)、5・・ゲート電極膜、
6・・センス側ソース電極膜(センス側第1電極膜)、7・・ドレイン電流経路、
K・・ケルビン端子(電圧検出端子)、L・・線、
M・・ミラー端子(センス側端子)、S・・ソース端子(メイン側端子)、
Ra〜Rd・・配線抵抗。
Claims (10)
- 負荷に負荷電流を供給するメイン半導体素子と、
前記メイン半導体素子と並列接続され、前記メイン半導体素子と共にカレントミラー回路を構成するセンス半導体素子と、を同一の半導体基板に備えており、
前記メイン半導体素子は、
前記半導体基板の表面に配置された第1電極およびゲート電極と、前記半導体基板の裏面に配置された第2電極とを有し、前記ゲート電極に電圧を印加することにより前記第1および第2電極間に電流を流すように構成された複数のセルから構成されており、
前記センス半導体素子は、
前記メイン半導体素子を構成するセルよりも少ない数のセルから構成されており、
前記メイン半導体素子およびセンス半導体素子を構成する各セルのゲート電極および第2電極は、それぞれ共通接続されており、
前記メイン半導体素子を構成する各セルの第1電極を接続して前記半導体基板の表面に形成されたメイン側第1電極膜と、
前記センス半導体素子を構成するセルの第1電極を接続して前記半導体基板の表面に形成されたセンス側第1電極膜と、
前記メイン側第1電極膜に接続されたメイン側端子と、
前記センス側第1電極膜に接続されたセンス側端子と、
前記メイン側第1電極膜において前記メイン側端子とは異なる箇所に接続された電圧検出端子と、を備えており、
前記センス側端子および電圧検出端子が、前記センス半導体素子に流れる電流を検出するための電流検出回路に接続可能に構成された半導体装置において、
前記センス半導体素子の配線抵抗値と、前記センス側端子および前記電流検出回路間の配線抵抗値とを加算した配線抵抗値が、前記メイン側端子および電圧検出端子間の配線抵抗値を前記メイン側端子の配線抵抗値から減算した配線抵抗値とほぼ等しくなるように構成されてなることを特徴とする半導体装置。 - 前記各メインセルの各ゲート電極間を接続してなるゲート電極膜が、前記半導体基板の表面において前記メイン側第1電極膜の周囲に形成されており、
前記ゲート電極膜の一部が、前記メイン側第1電極膜における前記メイン側端子と前記電圧検出端子とを結ぶ線を遮るように前記メイン側第1電極膜に入り込んでなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記メイン側第1電極膜のうち、前記メイン側端子および電圧検出端子間の領域には、前記メイン側第1電極膜の形成されていない非形成領域が、前記メイン側第1電極膜における前記メイン側端子と前記電圧検出端子とを結ぶ線を遮るように前記メイン側第1電極膜に入り込んでなることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記電圧検出端子が前記メイン側第1電極膜の複数箇所に配置されてなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記各電圧検出端子間には、前記メイン側第1電極膜の形成されていない非形成領域が介在されてなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 前記各電圧検出端子のうち所定の電圧検出端子間が、線材によって短絡されてなることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 前記電圧検出端子の周囲は、前記メイン側第1電極膜の形成されていない非形成領域によって囲まれており、かつ、その非形成領域の一部には、前記メイン側第1電極膜の形成された形成領域が存在し、その形成領域によって前記電圧検出端子の周囲の外側と内側とが導通してなることを特徴とする請求項4ないし請求項6のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記形成領域が、所定の除去手段によって除去可能に複数存在してなることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記非形成領域には、前記メイン側半導体素子およびセンス側半導体素子以外の半導体素子または回路が形成されてなることを特徴とする請求項3ないし請求項8のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 前記第1および第2電極は、それぞれソース電極、ドレイン電極であり、前記メイン側半導体素子およびセンス側半導体素子は、それぞれDMOSであることを特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1つに記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008149056A JP2009295845A (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008149056A JP2009295845A (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009295845A true JP2009295845A (ja) | 2009-12-17 |
Family
ID=41543756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008149056A Pending JP2009295845A (ja) | 2008-06-06 | 2008-06-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009295845A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010109097A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010199279A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及び半導体装置の電流測定方法 |
JP2012084625A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012164854A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN106558583A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
WO2018211735A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2020155784A (ja) * | 2020-06-16 | 2020-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2020194846A (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
-
2008
- 2008-06-06 JP JP2008149056A patent/JP2009295845A/ja active Pending
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010109097A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2010199279A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Toyota Motor Corp | 半導体装置及び半導体装置の電流測定方法 |
JP2012084625A (ja) * | 2010-10-08 | 2012-04-26 | Denso Corp | 半導体装置 |
JP2012164854A (ja) * | 2011-02-08 | 2012-08-30 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
CN106558583B (zh) * | 2015-09-30 | 2021-11-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
CN106558583A (zh) * | 2015-09-30 | 2017-04-05 | 瑞萨电子株式会社 | 半导体装置 |
JP2017069412A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
WO2018211735A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JPWO2018211735A1 (ja) * | 2017-05-19 | 2020-01-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
CN110612600A (zh) * | 2017-05-19 | 2019-12-24 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置 |
JP2020194846A (ja) * | 2019-05-27 | 2020-12-03 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
JP7099404B2 (ja) | 2019-05-27 | 2022-07-12 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
JP2020155784A (ja) * | 2020-06-16 | 2020-09-24 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP7052826B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-04-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2009295845A (ja) | 半導体装置 | |
JP5526849B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8183892B2 (en) | Monolithic low impedance dual gate current sense MOSFET | |
JP6348703B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013055361A (ja) | 半導体装置 | |
JP2008235788A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
JP2006012960A (ja) | パワートランジスタ装置及びそれを用いたパワー制御システム | |
TW201113532A (en) | Method of forming a sensing circuit and structure therefor | |
JPWO2014155959A1 (ja) | パワー半導体素子 | |
JP6610114B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2009111110A (ja) | 半導体装置 | |
JP2006269835A (ja) | 半導体装置 | |
JP5056147B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5412873B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の電流測定方法 | |
JP4820899B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009141007A (ja) | 半導体装置 | |
JP6890480B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6568735B2 (ja) | スイッチ素子及び負荷駆動装置 | |
JP6589845B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10872976B2 (en) | Transistor arrangement with a load transistor and a sense transistor | |
JP5428208B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9543294B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2005332886A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010109076A (ja) | 半導体装置 | |
JP2009088317A (ja) | 高耐圧半導体スイッチング素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130131 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130501 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130610 |