JP5171996B2 - パワーデバイス - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 188
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 42
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical class [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- -1 GaN Chemical class 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
- H01L21/76847—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned within the main fill metal
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
基板と、
上記基板上に形成されたGaN系半導体層と、
上記GaN系半導体層上に形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように形成された電極と、
上記GaN系半導体層上に形成された酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜と、
上記電極の少なくとも一部の領域上かつ上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部と、
上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上縁から上側に向かって徐々に広がるように上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部と、
上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に形成された配線層と
を備え、
上記配線層は、上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いと共に、
上記配線層は、第1バリア層と第1配線層と第2バリア層と第2配線層および第3バリア層が上記第1バリア層から順に積層された多層構造の配線層であり、
上記第1配線層は、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いことを特徴とする。
上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法は、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも小さい。
上記電極は、上記GaN系半導体層上に互いに間隔をあけて形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように互いに間隔をあけて形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記GaN系半導体層上かつ上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極を含み、
上記ソース電極に上記第1,第2コンタクトホール部を介して接続された上記配線層は、上記ソース電極側から上記ゲート電極側に向かって上記ゲート電極の上方かつ上記層間絶縁膜上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねる。
上記第2コンタクトホール部の略中央を通りかつ上記基板平面に対して垂直な平面による切断面において、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の傾斜面の上記基板厚さ方向の寸法よりも上記第2の側壁の傾斜面の上記基板平面に沿った方向の寸法が長い。
図1はこの発明の第1実施形態のパワーデバイスの断面図を示している。この第1実施形態のパワーデバイスは、GaN系HFET(Hetero-junction Field Effect Transistor;ヘテロ接合電界効果トランジスタ)である。
図6はこの発明の第2実施形態のパワーデバイスの断面図を示している。この第2実施形態のパワーデバイスは、配線層を除いて第1実施形態のパワーデバイスと同一の構成をしており、同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略する。
H1 > HW1
の条件を満足している。
ここで、Aは形状因子、Jは電流密度、Eaは活性化エネルギー(Al配線固有)、kはボルツマン定数、Tは絶対温度である。また、絶対温度Tは、事前に温度特性を測定して、1.33×106[A/cm2]で電流を流した時に見積もられた絶対温度である。
2…超格子バッファ層
3…チャネル層
4…バリア層
5…ソース電極
6…ドレイン電極
7…ゲート電極
8…表面保護膜
10…層間絶縁膜
10a…第1コンタクトホール部
10b…第2コンタクトホール部
11…フォトレジスト
12,20…配線層
21,23,25…バリアメタル層
22…第1配線層
24…第2配線層
Claims (4)
- 基板と、
上記基板上に形成されたGaN系半導体層と、
上記GaN系半導体層上に形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように形成された電極と、
上記GaN系半導体層上に形成された酸化シリコンまたは酸窒化シリコンからなる層間絶縁膜と、
上記電極の少なくとも一部の領域上かつ上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して略垂直な第1の側壁を有する第1コンタクトホール部と、
上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上縁から上側に向かって徐々に広がるように上記層間絶縁膜に形成され、上記基板平面に対して傾斜した第2の側壁を有する第2コンタクトホール部と、
上記第1コンタクトホール部内と上記第2コンタクトホール部内および上記層間絶縁膜上に形成された配線層と
を備え、
上記配線層は、上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いと共に、
上記配線層は、第1バリア層と第1配線層と第2バリア層と第2配線層および第3バリア層が上記第1バリア層から順に積層された多層構造の配線層であり、
上記第1配線層は、少なくとも上記第1コンタクトホール部において上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも膜厚が厚いことを特徴とするパワーデバイス。 - 請求項1に記載のパワーデバイスにおいて、
上記第1コンタクトホール部の上記第1の側壁の上記基板厚さ方向の寸法は、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の上記基板厚さ方向の寸法よりも小さいことを特徴とするパワーデバイス。 - 請求項1または2に記載のパワーデバイスにおいて、
上記電極は、上記GaN系半導体層上に互いに間隔をあけて形成されているか、または、上記GaN系半導体層の上部に少なくとも一部が埋め込まれるように互いに間隔をあけて形成されたソース電極およびドレイン電極と、上記GaN系半導体層上かつ上記ソース電極と上記ドレイン電極との間に形成されたゲート電極を含み、
上記ソース電極に上記第1,第2コンタクトホール部を介して接続された上記配線層は、上記ソース電極側から上記ゲート電極側に向かって上記ゲート電極の上方かつ上記層間絶縁膜上に延在するように形成された部分がフィールドプレート部を兼ねることを特徴とするパワーデバイス。 - 請求項1から3までのいずれか1つに記載のパワーデバイスにおいて、
上記第2コンタクトホール部の略中央を通りかつ上記基板平面に対して垂直な平面による切断面において、上記第2コンタクトホール部の上記第2の側壁の傾斜面の上記基板厚さ方向の寸法よりも上記第2の側壁の傾斜面の上記基板平面に沿った方向の寸法が長いことを特徴とするパワーデバイス。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011133597A JP5171996B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | パワーデバイス |
PCT/JP2012/062316 WO2012172904A1 (ja) | 2011-06-15 | 2012-05-14 | パワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011133597A JP5171996B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | パワーデバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013004691A JP2013004691A (ja) | 2013-01-07 |
JP5171996B2 true JP5171996B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=47356899
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011133597A Active JP5171996B2 (ja) | 2011-06-15 | 2011-06-15 | パワーデバイス |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5171996B2 (ja) |
WO (1) | WO2012172904A1 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06216062A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-08-05 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH07201991A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2003152075A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4902131B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2012-03-21 | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-06-15 JP JP2011133597A patent/JP5171996B2/ja active Active
-
2012
- 2012-05-14 WO PCT/JP2012/062316 patent/WO2012172904A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012172904A1 (ja) | 2012-12-20 |
JP2013004691A (ja) | 2013-01-07 |
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Date | Code | Title | Description |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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