JPH06216062A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH06216062A JPH06216062A JP25438093A JP25438093A JPH06216062A JP H06216062 A JPH06216062 A JP H06216062A JP 25438093 A JP25438093 A JP 25438093A JP 25438093 A JP25438093 A JP 25438093A JP H06216062 A JPH06216062 A JP H06216062A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 スパッタリング時におけるカバレージ形状を
改善しうる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコンウェーハ1に形成された下地回路1
b上にSiO2 膜1aを形成し、その上に所定パターン
のフォトレジスト膜4を形成する。このシリコンウェー
ハ1に紫外線UVを照射するとともに、シリコンウェー
ハ1を加熱する(図1A)。SiO2 膜1aに対しウェ
ット法による等方性エッチングを行う(図1B)。フォ
トレジスト膜4をマスクとして異方性エッチングを行
い、コンタクトホール5を形成する(図1C)。Alの
スパッタリングによってAl配線6を形成する(図1
D)。
改善しうる半導体装置の製造方法を提供する。 【構成】 シリコンウェーハ1に形成された下地回路1
b上にSiO2 膜1aを形成し、その上に所定パターン
のフォトレジスト膜4を形成する。このシリコンウェー
ハ1に紫外線UVを照射するとともに、シリコンウェー
ハ1を加熱する(図1A)。SiO2 膜1aに対しウェ
ット法による等方性エッチングを行う(図1B)。フォ
トレジスト膜4をマスクとして異方性エッチングを行
い、コンタクトホール5を形成する(図1C)。Alの
スパッタリングによってAl配線6を形成する(図1
D)。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に、基体にコンタクトホールを形成する際のテー
パーを形成する方法に関する。
法、特に、基体にコンタクトホールを形成する際のテー
パーを形成する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の方法としては、例えば図
7に示すようなものが知られている。この方法において
は、まず、図7Aに示すように、シリコンウェーハ11
に形成された下地回路11b上にSiO2 膜11aを形
成し、さらにその上に所定パターンのフォトレジスト膜
12を形成する。次いで、図7Bに示すように、SiO
2 膜11aに対しフォトレジスト膜12をマスクして一
定時間等方性エッチング(テーパーエッチング)を行
う。その後、図7Cに示すように、同一のフォトレジス
ト膜12をマスクとした異方性ドライエッチングによっ
て、残りのSiO2 膜11aを下地回路11bに貫通す
るまでエッチングを行い、コンタクトホール13を形成
する。そして、図7Dに示すように、Alのスパッタリ
ングによってAl配線14を形成する。
7に示すようなものが知られている。この方法において
は、まず、図7Aに示すように、シリコンウェーハ11
に形成された下地回路11b上にSiO2 膜11aを形
成し、さらにその上に所定パターンのフォトレジスト膜
12を形成する。次いで、図7Bに示すように、SiO
2 膜11aに対しフォトレジスト膜12をマスクして一
定時間等方性エッチング(テーパーエッチング)を行
う。その後、図7Cに示すように、同一のフォトレジス
ト膜12をマスクとした異方性ドライエッチングによっ
て、残りのSiO2 膜11aを下地回路11bに貫通す
るまでエッチングを行い、コンタクトホール13を形成
する。そして、図7Dに示すように、Alのスパッタリ
ングによってAl配線14を形成する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のAl
によるスパッタリング工程においては、コンタクトホー
ル13の側壁11dへのAl分子付着率が低いと良好な
Alのカバレージ形状(Alで覆われるときの断面形
状)が得られない。この側壁11dへのAl分子の付着
率を向上させるためには、付着面に対して垂直に近い入
射角でAl分子15を入射させることが必要であり、ま
たAl分子15の絶対量も必要である。この入射角の臨
界点は、テーパーエッチングによるSiO2 膜11aの
テーパー部11cの角度に依存し、このテーパー角度が
緩やかである方が、よりコンタクトホール13の側壁1
1dへのAl分子15の付着率が高い。しかしながら、
上述した従来の方法では、フォトレジスト膜12とSi
O2 膜11aとの間の密着力が強いため、緩やかなテー
パー角度を得ることができない。その理由は、フォトレ
ジスト膜12及びSiO2 膜11a間の密着力が強い
と、これらの間に染み込むエッチング液が少なく、水平
方向即ち側壁11d方向のエッチングレートが遅くなる
からである。したがって、従来の方法によると、コンタ
クトホール13の側壁11dへのAl分子15の付着率
が少なく、Alの良好なカバレージ形状が得られないと
いう問題があった。
によるスパッタリング工程においては、コンタクトホー
ル13の側壁11dへのAl分子付着率が低いと良好な
Alのカバレージ形状(Alで覆われるときの断面形
状)が得られない。この側壁11dへのAl分子の付着
率を向上させるためには、付着面に対して垂直に近い入
射角でAl分子15を入射させることが必要であり、ま
たAl分子15の絶対量も必要である。この入射角の臨
界点は、テーパーエッチングによるSiO2 膜11aの
テーパー部11cの角度に依存し、このテーパー角度が
緩やかである方が、よりコンタクトホール13の側壁1
1dへのAl分子15の付着率が高い。しかしながら、
上述した従来の方法では、フォトレジスト膜12とSi
O2 膜11aとの間の密着力が強いため、緩やかなテー
パー角度を得ることができない。その理由は、フォトレ
ジスト膜12及びSiO2 膜11a間の密着力が強い
と、これらの間に染み込むエッチング液が少なく、水平
方向即ち側壁11d方向のエッチングレートが遅くなる
からである。したがって、従来の方法によると、コンタ
クトホール13の側壁11dへのAl分子15の付着率
が少なく、Alの良好なカバレージ形状が得られないと
いう問題があった。
【0004】本発明は従来例のかかる点に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、スパッタリング時
におけるカバレージ形状を改善しうる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
たもので、その目的とするところは、スパッタリング時
におけるカバレージ形状を改善しうる半導体装置の製造
方法を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図1に
示すように、酸化膜1aが形成された基体1上にレジス
トパターン4を形成する工程と、この基体1を加熱しつ
つこの基体1に紫外線UVを照射する工程と、上述のレ
ジストパターン4をマスクとして上述の酸化膜1aにウ
ェット法による等方性エッチングを施す工程と、上述の
レジストパターン4をマスクとして上述の酸化膜1aに
異方性エッチングを施してコンタクトホール5を形成す
る工程とを有するものである。この場合、基体1に対す
る紫外線UVの照射量に基づいて側壁1d方向のエッチ
ング量を制御することもできる。また、例えば図4に示
すように、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体1を加熱
しつつこの基体1に紫外線UVを照射する工程が介在す
るように構成することもできる。
示すように、酸化膜1aが形成された基体1上にレジス
トパターン4を形成する工程と、この基体1を加熱しつ
つこの基体1に紫外線UVを照射する工程と、上述のレ
ジストパターン4をマスクとして上述の酸化膜1aにウ
ェット法による等方性エッチングを施す工程と、上述の
レジストパターン4をマスクとして上述の酸化膜1aに
異方性エッチングを施してコンタクトホール5を形成す
る工程とを有するものである。この場合、基体1に対す
る紫外線UVの照射量に基づいて側壁1d方向のエッチ
ング量を制御することもできる。また、例えば図4に示
すように、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体1を加熱
しつつこの基体1に紫外線UVを照射する工程が介在す
るように構成することもできる。
【0006】
【作用】かかる構成を有する本発明にあっては、酸化膜
1aが形成された基体1上にレジストパターン4を形成
した後、この基体1を加熱しつつ紫外線UVを照射する
ことから、レジストパターン4と酸化膜1aとの間の化
学的な密着力が弱くなる。このため、このレジストパタ
ーン4をマスクとしてこの酸化膜1aにウェット法によ
る等方性エッチングを施した場合に、レジストパターン
4及び酸化膜1a間のエッチング剤の染み込み速度が速
く、コンタクトホール5の側壁1d方向へのエッチング
レートが大きくなる。その結果、一定のエッチング時間
でより多くの側壁1d方向のエッチングが可能になるた
め、従来例に比べコンタクトホール5のテーパー部1c
の角度が緩やかになり、側壁1dに対する配線材料の付
着率が高まる。また、基体1に対する紫外線UVの照射
量に基づいてコンタクトホール5の側壁1d方向のエッ
チング量を制御することにより、コンタクトホール5の
テーパー部1cの角度を必要に応じて変えることができ
る。さらに、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体1を加熱
しつつ紫外線UVを照射する工程が介在するように構成
すれば、例えば図4〜図6に示すように複数のテーパー
部1e,1fが形成され、その結果、各テーパー部1
e,1fの角度θ3 〜θ5 が大きくなる。
1aが形成された基体1上にレジストパターン4を形成
した後、この基体1を加熱しつつ紫外線UVを照射する
ことから、レジストパターン4と酸化膜1aとの間の化
学的な密着力が弱くなる。このため、このレジストパタ
ーン4をマスクとしてこの酸化膜1aにウェット法によ
る等方性エッチングを施した場合に、レジストパターン
4及び酸化膜1a間のエッチング剤の染み込み速度が速
く、コンタクトホール5の側壁1d方向へのエッチング
レートが大きくなる。その結果、一定のエッチング時間
でより多くの側壁1d方向のエッチングが可能になるた
め、従来例に比べコンタクトホール5のテーパー部1c
の角度が緩やかになり、側壁1dに対する配線材料の付
着率が高まる。また、基体1に対する紫外線UVの照射
量に基づいてコンタクトホール5の側壁1d方向のエッ
チング量を制御することにより、コンタクトホール5の
テーパー部1cの角度を必要に応じて変えることができ
る。さらに、等方性エッチングを施す工程が複数回行わ
れ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体1を加熱
しつつ紫外線UVを照射する工程が介在するように構成
すれば、例えば図4〜図6に示すように複数のテーパー
部1e,1fが形成され、その結果、各テーパー部1
e,1fの角度θ3 〜θ5 が大きくなる。
【0007】
【実施例】以下、本発明に係る半導体装置の製造方法の
実施例について図1〜図6を参照して説明する。
実施例について図1〜図6を参照して説明する。
【0008】図2は本発明の方法を実施するための装置
を示すものである。同図に示すように、この装置は、シ
リコンウェーハ1を加熱処理するためのホットプレート
2を有し、さらにホットプレート2の上方には、シリコ
ンウェーハ1に紫外線UVを照射するためのUV光照射
ランプ3を備えている。ホットプレート2は、シリコン
ウェーハ1を真空吸着するための孔(図示せず)を有し
ている。
を示すものである。同図に示すように、この装置は、シ
リコンウェーハ1を加熱処理するためのホットプレート
2を有し、さらにホットプレート2の上方には、シリコ
ンウェーハ1に紫外線UVを照射するためのUV光照射
ランプ3を備えている。ホットプレート2は、シリコン
ウェーハ1を真空吸着するための孔(図示せず)を有し
ている。
【0009】図1A〜Dは、第1実施例の方法を示すも
のである。本実施例においては、まずシリコンウェーハ
1に形成された下地回路1b上にSiO2 膜1aを形成
し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い所
定パターンのフォトレジスト膜4を形成する。そして、
図1Aに示すように、UV光照射ランプ3を駆動してシ
リコンウェーハ1に紫外線UVを照射すると同時に、ホ
ットプレート2によってシリコンウェーハ1を加熱す
る。
のである。本実施例においては、まずシリコンウェーハ
1に形成された下地回路1b上にSiO2 膜1aを形成
し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い所
定パターンのフォトレジスト膜4を形成する。そして、
図1Aに示すように、UV光照射ランプ3を駆動してシ
リコンウェーハ1に紫外線UVを照射すると同時に、ホ
ットプレート2によってシリコンウェーハ1を加熱す
る。
【0010】図3Aは紫外線照射のスケジュールの一例
を示すものである。同図に示すように、紫外線UVを照
射し始めてから5秒間は、フォトレジスト膜4の発泡を
防止するために例えば20mw/cm2 の低強度とし、
その後、60秒まで例えば500mw/cm2 の強度で
紫外線UVの照射を行う。
を示すものである。同図に示すように、紫外線UVを照
射し始めてから5秒間は、フォトレジスト膜4の発泡を
防止するために例えば20mw/cm2 の低強度とし、
その後、60秒まで例えば500mw/cm2 の強度で
紫外線UVの照射を行う。
【0011】一方、図3Bはホットプレート2による加
熱スケジュールの一例を示すものである。同図に示すよ
うに、100℃で加熱を開始してから60秒後に200
℃となるようにシリコンウェーハ1を加熱する。
熱スケジュールの一例を示すものである。同図に示すよ
うに、100℃で加熱を開始してから60秒後に200
℃となるようにシリコンウェーハ1を加熱する。
【0012】そして、このようなUVキュアリング処理
により、フォトレジスト膜4とSiO2 膜1aとの間の
化学的な密着力が弱くなる。
により、フォトレジスト膜4とSiO2 膜1aとの間の
化学的な密着力が弱くなる。
【0013】次に、図1Bに示すように、SiO2 膜1
aに対しフォトレジスト膜4をマスクとしてウェット法
による一定時間の等方性エッチング(テーパーエッチン
グ)を行う。本実施例においては、上述したようにフォ
トレジスト膜4及びSiO2 膜1a間の密着力が弱くな
っているため、これら2層間へのエッチング剤の染み込
み速度が速く、このため側壁1d方向へのエッチングレ
ートが大きくなり、一定のエッチング時間でより多くの
側壁1d方向のエッチングが可能になる。この結果、図
1Bに示すように、従来例に比べテーパー部1cの角度
が緩やかになる。
aに対しフォトレジスト膜4をマスクとしてウェット法
による一定時間の等方性エッチング(テーパーエッチン
グ)を行う。本実施例においては、上述したようにフォ
トレジスト膜4及びSiO2 膜1a間の密着力が弱くな
っているため、これら2層間へのエッチング剤の染み込
み速度が速く、このため側壁1d方向へのエッチングレ
ートが大きくなり、一定のエッチング時間でより多くの
側壁1d方向のエッチングが可能になる。この結果、図
1Bに示すように、従来例に比べテーパー部1cの角度
が緩やかになる。
【0014】その後、同一のフォトレジスト膜4をマス
クとして異方性ドライエッチングによって、残りのSi
O2 膜1aを下地回路1bに貫通するまでエッチングを
行い、図1Cに示すようにコンタクトホール5を形成す
る。
クとして異方性ドライエッチングによって、残りのSi
O2 膜1aを下地回路1bに貫通するまでエッチングを
行い、図1Cに示すようにコンタクトホール5を形成す
る。
【0015】さらに、図1Dに示すように、Alのスパ
ッタリングによってSiO2 膜1a及び下地回路1b上
にAl配線6を形成する。
ッタリングによってSiO2 膜1a及び下地回路1b上
にAl配線6を形成する。
【0016】かかる構成を有する本実施例によれば、図
1Cに示すように従来例に比べテーパー部1cの角度が
緩やかになるので、コンタクトホール5の側壁1dに対
するAl分子7の入射角がより垂直に近くなり、その結
果、コンタクトホール5の側壁1dへのAl分子7の付
着率が高まってより良好なAlのカバレージ形状を得る
ことができる。
1Cに示すように従来例に比べテーパー部1cの角度が
緩やかになるので、コンタクトホール5の側壁1dに対
するAl分子7の入射角がより垂直に近くなり、その結
果、コンタクトホール5の側壁1dへのAl分子7の付
着率が高まってより良好なAlのカバレージ形状を得る
ことができる。
【0017】また、本実施例によれば、SiO2 膜1a
のテーパー部1cの平坦性を向上させることができ、ま
た、それにより高温スパッタリングによるAlの埋め込
み形状を改善することができる。
のテーパー部1cの平坦性を向上させることができ、ま
た、それにより高温スパッタリングによるAlの埋め込
み形状を改善することができる。
【0018】さらに、紫外線照射の強度及びスケジュー
ル、また加熱処理の温度及びスケジュールについては、
上述の実施例に限られることなく種々の変更を行うこと
ができる。これにより、ウェットエッチングにおけるフ
ォトレジスト膜4及びSiO 2 膜1a間の密着性ひいて
はテーパー部1cの角度をコントロールすることがで
き、最適のAlのカバレージ形状を得ることができる。
ル、また加熱処理の温度及びスケジュールについては、
上述の実施例に限られることなく種々の変更を行うこと
ができる。これにより、ウェットエッチングにおけるフ
ォトレジスト膜4及びSiO 2 膜1a間の密着性ひいて
はテーパー部1cの角度をコントロールすることがで
き、最適のAlのカバレージ形状を得ることができる。
【0019】図4は本発明の第2実施例を示すものであ
り、以下、第1実施例と対応する部分には同一の符号を
付して説明する。
り、以下、第1実施例と対応する部分には同一の符号を
付して説明する。
【0020】本実施例においても、まずシリコンウェー
ハ1に形成された下地回路1b上にSiO2 膜1aを形
成し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い
所定パターンのフォトレジスト膜4を形成する。そし
て、図4Aに示すように、UV光照射ランプ3を駆動し
てシリコンウェーハ1に紫外線UVを照射すると同時
に、ホットプレート2によってシリコンウェーハ1を加
熱する。
ハ1に形成された下地回路1b上にSiO2 膜1aを形
成し、さらにその上に回転塗布、露光、現像処理を行い
所定パターンのフォトレジスト膜4を形成する。そし
て、図4Aに示すように、UV光照射ランプ3を駆動し
てシリコンウェーハ1に紫外線UVを照射すると同時
に、ホットプレート2によってシリコンウェーハ1を加
熱する。
【0021】この場合、UVキュアリングの条件は、所
望のテーパー角度(この点については後述する。)が得
られるように最適化する。そして、このようなUVキュ
アリング処理により、フォトレジスト膜4とSiO2 膜
1aとの間の化学的な密着力がある程度弱くなる。
望のテーパー角度(この点については後述する。)が得
られるように最適化する。そして、このようなUVキュ
アリング処理により、フォトレジスト膜4とSiO2 膜
1aとの間の化学的な密着力がある程度弱くなる。
【0022】次に、図4Bに示す如く、第1実施例の場
合と同様に、SiO2 膜1aに対しフォトレジスト膜4
をマスクとしてウェット法による一定時間の等方性エッ
チングを行う。これにより、同図に示すように、テーパ
ー部1eが形成される。
合と同様に、SiO2 膜1aに対しフォトレジスト膜4
をマスクとしてウェット法による一定時間の等方性エッ
チングを行う。これにより、同図に示すように、テーパ
ー部1eが形成される。
【0023】そして、図4Cに示すように、シリコンウ
ェーハ1に紫外線UVを再度照射すると同時に、ホット
プレート2によってシリコンウェーハ1を加熱する。こ
れにより、フォトレジスト膜4とSiO2 膜1aとの間
の化学的な密着力がさらに弱くなる。
ェーハ1に紫外線UVを再度照射すると同時に、ホット
プレート2によってシリコンウェーハ1を加熱する。こ
れにより、フォトレジスト膜4とSiO2 膜1aとの間
の化学的な密着力がさらに弱くなる。
【0024】その後、図4Dに示すように、上述のウエ
ット法による等方性エッチングを再度行う。この場合、
フォトレジスト膜4及びSiO2 膜1a間の化学的な密
着力がさらに弱くなっているため、側壁1d方向へのエ
ッチングレートはさらに大きくなり、その結果、SiO
2 膜1aに新たに形成されるテーパー部1fの角度はさ
らに緩く、水平に近づく。
ット法による等方性エッチングを再度行う。この場合、
フォトレジスト膜4及びSiO2 膜1a間の化学的な密
着力がさらに弱くなっているため、側壁1d方向へのエ
ッチングレートはさらに大きくなり、その結果、SiO
2 膜1aに新たに形成されるテーパー部1fの角度はさ
らに緩く、水平に近づく。
【0025】そして、第1実施例と同様に、フォトレジ
スト膜4をマスクとして異方性ドライエッチングにより
残りのSiO2 膜1aを下地回路1bに貫通するまでエ
ッチングを行い、図4Eに示すようにコンタクトホール
5を形成する。
スト膜4をマスクとして異方性ドライエッチングにより
残りのSiO2 膜1aを下地回路1bに貫通するまでエ
ッチングを行い、図4Eに示すようにコンタクトホール
5を形成する。
【0026】最後に、図4Fに示すように、Alのスパ
ッタリングによってSiO2 膜1a及び下地回路1b上
にAl配線6を形成する。
ッタリングによってSiO2 膜1a及び下地回路1b上
にAl配線6を形成する。
【0027】次に、本実施例の作用効果を図5及び図6
を参照して説明する。本実施例の方法は、紫外線UVの
照射とテーパーエッチングのサイクルを2回繰り返すこ
とにより、さらなるAlのカバレージ形状の向上が得ら
れるものである。
を参照して説明する。本実施例の方法は、紫外線UVの
照射とテーパーエッチングのサイクルを2回繰り返すこ
とにより、さらなるAlのカバレージ形状の向上が得ら
れるものである。
【0028】図5Aは、紫外線UVの照射とテーパーエ
ッチングのサイクルを1回行う第1実施例の場合におけ
るAlのカバレージ形状を示すものであり、また、図5
Bは、このサイクルを2回繰り返す第2実施例の場合に
おけるAlのカバレージ形状を示すものである。
ッチングのサイクルを1回行う第1実施例の場合におけ
るAlのカバレージ形状を示すものであり、また、図5
Bは、このサイクルを2回繰り返す第2実施例の場合に
おけるAlのカバレージ形状を示すものである。
【0029】一般に、コンタクトホールの上部における
Alのカバレージ形状は、例えば図5A,Bに示すよう
に、絶縁膜であるSiO2 膜1aの各部分C1〜C5に
おけるテーパー部の角度θ1 〜θ5 に依存し、この角度
θ1 〜θ5 が小さくなる程カバレージ形状が悪化する
(Al配線6の厚みが薄くなる。)ことが知られてい
る。
Alのカバレージ形状は、例えば図5A,Bに示すよう
に、絶縁膜であるSiO2 膜1aの各部分C1〜C5に
おけるテーパー部の角度θ1 〜θ5 に依存し、この角度
θ1 〜θ5 が小さくなる程カバレージ形状が悪化する
(Al配線6の厚みが薄くなる。)ことが知られてい
る。
【0030】そして、上述したように、第1実施例の1
サイクルエッチング方法では一段のテーパー部1cが得
られるのに対し、第2実施例の2サイクルエッチング方
法では二段のテーパー部1e,1fが得られる。ここ
で、図5A,Bから明らかなように、第2実施例の2サ
イクルエッチング方法により得られるテーパー部1e,
1fの角度θ3 ,θ4 及びθ5 は、第1実施例の1サイ
クルエッチング方法によって得られるテーパー部1cの
角度θ1 ,θ2 より大きくなる。すなわち、 θ1 ,θ2 <θ3 ,θ4 ,θ5 の関係が成り立つ。したがって、上述した第2実施例の
方法によれば、以下の理由によって一層良好なカバレー
ジ形状を得ることができる。
サイクルエッチング方法では一段のテーパー部1cが得
られるのに対し、第2実施例の2サイクルエッチング方
法では二段のテーパー部1e,1fが得られる。ここ
で、図5A,Bから明らかなように、第2実施例の2サ
イクルエッチング方法により得られるテーパー部1e,
1fの角度θ3 ,θ4 及びθ5 は、第1実施例の1サイ
クルエッチング方法によって得られるテーパー部1cの
角度θ1 ,θ2 より大きくなる。すなわち、 θ1 ,θ2 <θ3 ,θ4 ,θ5 の関係が成り立つ。したがって、上述した第2実施例の
方法によれば、以下の理由によって一層良好なカバレー
ジ形状を得ることができる。
【0031】図6A〜Cは、従来例及び第1,第2実施
例におけるコンタクトホール5のテーパー部1c,1e
及び1fの角度θ1 〜θ5 を模式的に示すものである。
例におけるコンタクトホール5のテーパー部1c,1e
及び1fの角度θ1 〜θ5 を模式的に示すものである。
【0032】上述したように、第1実施例の方法によれ
ば、コンタクトホール5の側壁1dへのAl分子の付着
率を高めて良好なAlのカバレージ形状を得ることがで
きるが、その一方、UVキュアリング処理によりコンタ
クトホール5の側壁1d方向へのエッチングレートが増
すため、一定時間エッチングを行った場合、コンタクト
ホール5のテーパー部の角度θ2 は、従来の方法によっ
て得られるテーパー部の角度θより小さくなる(図6
A,B参照)。
ば、コンタクトホール5の側壁1dへのAl分子の付着
率を高めて良好なAlのカバレージ形状を得ることがで
きるが、その一方、UVキュアリング処理によりコンタ
クトホール5の側壁1d方向へのエッチングレートが増
すため、一定時間エッチングを行った場合、コンタクト
ホール5のテーパー部の角度θ2 は、従来の方法によっ
て得られるテーパー部の角度θより小さくなる(図6
A,B参照)。
【0033】しかし、第2実施例の方法において、一段
目のテーパー部1eを形成する際のUVキュアリング処
理の強度を弱めれば、コンタクトホール5の側壁1d方
向へのエッチングレートを抑えることができる。その結
果、図6Cに示すように、テーパー部1eの角度θ5 を
従来の方法によった場合と同程度まで広げることができ
る。
目のテーパー部1eを形成する際のUVキュアリング処
理の強度を弱めれば、コンタクトホール5の側壁1d方
向へのエッチングレートを抑えることができる。その結
果、図6Cに示すように、テーパー部1eの角度θ5 を
従来の方法によった場合と同程度まで広げることができ
る。
【0034】尚、場合によっては、最初にUVキュアリ
ング処理を行わないことも可能であり、その場合には、
テーパー部の角度を従来例と等しくすることができる。
ング処理を行わないことも可能であり、その場合には、
テーパー部の角度を従来例と等しくすることができる。
【0035】さらに、上述したように、2回目のUVキ
ュアリング処理を行い二段目のテーパー部1fを形成す
ることにより、テーパー部分のカバレージ形状を劣化さ
せることなくコンタクトホール5の側壁1dのカバレー
ジ形状を向上させることができる。
ュアリング処理を行い二段目のテーパー部1fを形成す
ることにより、テーパー部分のカバレージ形状を劣化さ
せることなくコンタクトホール5の側壁1dのカバレー
ジ形状を向上させることができる。
【0036】また、本実施例の方法を用いれば、第1実
施例と同様に、テーパー部分の平坦性向上を図ることが
でき、加えて、高温によるスパッタリングの際のAlの
埋め込み形状の改善を図ることもできる。
施例と同様に、テーパー部分の平坦性向上を図ることが
でき、加えて、高温によるスパッタリングの際のAlの
埋め込み形状の改善を図ることもできる。
【0037】その他の構成及び作用については第1実施
例と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
例と同一であるのでその詳細な説明を省略する。
【0038】尚、本実施例においては、2段階のテーパ
ー部を形成する場合について説明したが、本発明はこれ
に限られず、3段階以上のテーパー部を形成するように
構成することもできる。
ー部を形成する場合について説明したが、本発明はこれ
に限られず、3段階以上のテーパー部を形成するように
構成することもできる。
【0039】また、上述の実施例においては、下地回路
上にSiO2 膜を形成した場合について説明したが、本
発明はこれに限られるものではなく、種々のコンタクト
ホールを形成する場合に適用することができる。
上にSiO2 膜を形成した場合について説明したが、本
発明はこれに限られるものではなく、種々のコンタクト
ホールを形成する場合に適用することができる。
【0040】
【発明の効果】以上述べたように本発明にあっては、酸
化膜が形成された基体上にレジストパターンを形成した
後、この基体を加熱しつつ紫外線を照射することから、
コンタクトホール側壁に対する例えばAl分子等の配線
材料の付着率を高め、より良好なカバレージ形状を得る
ことができる。また、基体に対する紫外線の照射量に基
づいてコンタクトホール側壁方向のエッチング量を制御
することにより、コンタクトホールのテーパー部の角度
を必要に応じて変えることができ、最適のカバレージ形
状を得ることができる。さらに、等方性エッチングを施
す工程を複数回行い、各等方性エッチングを施す工程間
に基体を加熱しつつ紫外線を照射する工程を介在させる
ことにより、各テーパー部の角度を大きくすることがで
き、一層良好なカバレージ形状を得ることができる。
化膜が形成された基体上にレジストパターンを形成した
後、この基体を加熱しつつ紫外線を照射することから、
コンタクトホール側壁に対する例えばAl分子等の配線
材料の付着率を高め、より良好なカバレージ形状を得る
ことができる。また、基体に対する紫外線の照射量に基
づいてコンタクトホール側壁方向のエッチング量を制御
することにより、コンタクトホールのテーパー部の角度
を必要に応じて変えることができ、最適のカバレージ形
状を得ることができる。さらに、等方性エッチングを施
す工程を複数回行い、各等方性エッチングを施す工程間
に基体を加熱しつつ紫外線を照射する工程を介在させる
ことにより、各テーパー部の角度を大きくすることがで
き、一層良好なカバレージ形状を得ることができる。
【図1】本発明に係る半導体装置の製造方法の第1実施
例を工程順に示す説明図である。
例を工程順に示す説明図である。
【図2】本発明を実施するための装置の概略構成を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図3】A 本実施例における紫外線照射のスケジュー
ルを示すグラフである。 B 同実施例におけるシリコンウェーハの加熱スケジュ
ールを示すグラフである。
ルを示すグラフである。 B 同実施例におけるシリコンウェーハの加熱スケジュ
ールを示すグラフである。
【図4】本発明に係る半導体装置の製造方法の第2実施
例を工程順に示す説明図である。
例を工程順に示す説明図である。
【図5】A 第1実施例によるAlのカバレージ形状を
示す説明図である。 B 第2実施例によるAlのカバレージ形状を示す説明
図である。
示す説明図である。 B 第2実施例によるAlのカバレージ形状を示す説明
図である。
【図6】A 従来の方法により得られるテーパー部の角
度を模式的に示す説明図である。 B 第1実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。 C 第2実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。
度を模式的に示す説明図である。 B 第1実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。 C 第2実施例の方法により得られるテーパー部の角度
を模式的に示す説明図である。
【図7】従来例に係る半導体装置の製造方法を工程順に
示す説明図である。
示す説明図である。
1 シリコンウェーハ 1a SiO2 膜 1b 下地回路 1c,1e,1f テーパー部 1d 側壁 4 フォトレジスト膜 5 コンタクトホール 6 Al配線 7 Al分子 UV 紫外線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/3205 21/90 D 7514−4M
Claims (3)
- 【請求項1】 絶縁膜が形成された基体上にレジストパ
ターンを形成する工程と、上記基体を加熱しつつ該基体
に紫外線を照射する工程と、上記レジストパターンをマ
スクとして上記絶縁膜にウェット法による等方性エッチ
ングを施す工程と、上記レジストパターンをマスクとし
て上記絶縁膜に異方性エッチングを施してコンタクトホ
ールを形成する工程とを有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項2】 基体に対する紫外線の照射量に基づいて
側壁方向のエッチング量を制御することを特徴とする請
求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 等方性エッチングを施す工程が複数回行
われ、各等方性エッチングを施す工程間に、基体を加熱
しつつ該基体に紫外線を照射する工程が介在することを
特徴とする請求項1又は2記載の半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25438093A JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4-317222 | 1992-11-26 | ||
JP31722292 | 1992-11-26 | ||
JP25438093A JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06216062A true JPH06216062A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=26541661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25438093A Pending JPH06216062A (ja) | 1992-11-26 | 1993-10-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06216062A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150367A (ja) * | 1994-12-29 | 2007-06-14 | Stmicroelectronics Inc | 包囲条件を除去するためのプラグの拡大頭部を形成する構成体及び方法 |
WO2012172904A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | パワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法 |
US9727196B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-08-08 | Fujifilm Corporation | Wiring substrate |
-
1993
- 1993-10-12 JP JP25438093A patent/JPH06216062A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007150367A (ja) * | 1994-12-29 | 2007-06-14 | Stmicroelectronics Inc | 包囲条件を除去するためのプラグの拡大頭部を形成する構成体及び方法 |
WO2012172904A1 (ja) * | 2011-06-15 | 2012-12-20 | シャープ株式会社 | パワーデバイスおよびパワーデバイスの製造方法 |
JP2013004691A (ja) * | 2011-06-15 | 2013-01-07 | Sharp Corp | パワーデバイス |
US9727196B2 (en) | 2013-07-12 | 2017-08-08 | Fujifilm Corporation | Wiring substrate |
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