JP5167860B2 - 面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 - Google Patents
面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5167860B2 JP5167860B2 JP2008044813A JP2008044813A JP5167860B2 JP 5167860 B2 JP5167860 B2 JP 5167860B2 JP 2008044813 A JP2008044813 A JP 2008044813A JP 2008044813 A JP2008044813 A JP 2008044813A JP 5167860 B2 JP5167860 B2 JP 5167860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type semiconductor
- concentration
- layer
- type
- spacer layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/305—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region characterised by the doping materials used in the laser structure
- H01S5/3095—Tunnel junction
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
N. Nishiyama et al., Electronics Letters, vol.39, no.5, pp.437-439, 2003.
イオン種:水素イオン
注入加速エネルギー:100keV
ドーズ量:1×1015cm−2
図5(b)に示されるように、p型半導体スペーサ層47は第1の領域47aと第1の領域47aを囲むように設けられる第2の領域47bを有することができる。また、p型半導体スペーサ層47、活性層45及び第2のn型半導体スペーサ層59は、これらの層を横切るように設けられ且つ第1の領域47aを含む第3の領域67aと、第3の領域67aを囲むように設けられる第4の領域67bを有することができる。上記条件のイオン注入により、水素イオンは、p型半導体スペーサ層47の表面から約500nmの深さまで到達するので、水素イオンは第4の領域67bに注入される。この注入により、p型半導体スペーサ層47の第2の領域47bの比抵抗は、第1の領域47aの比抵抗より大きくなる。なお、イオン種は、水素イオンに替えて、酸素イオンであってもよい。イオン注入の工程の後に、高濃度p型半導体メサ49の熱アニール処理の工程を行うことができる。
n型半導体基板27:n型GaAs基板
第1のDBR13:Si添加のGaAs/Al0.9Ga0.1As、32対
第2のn型半導体スペーサ層29:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm活性層15:In0.2Ga0.8As井戸層、3層
p型半導体スペーサ層17:C添加のp型GaAs、厚さ50nm
高濃度p型半導体メサ19:高濃度C添加のp++型InGaAs、正孔濃度1×1020cm−3、厚さ15nm
高濃度p型半導体メサ19の熱アニール処理条件:600℃、30分間、水素雰囲気
高濃度n型半導体層21:高濃度Si添加のn++型InGaAs、厚さ15nm、電子濃度5×1018cm−3、
第1のn型半導体スペーサ層23:Si添加のn型GaAs、厚さ200nm
コンタクト層31:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm
第2のDBR25:SiO2/TiO2、7対
n型半導体基板20:n型GaAs基板
第1のDBR12:Si添加のGaAs/Al0.9Ga0.1As、32対
第2のn型半導体スペーサ層14:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm活性層16:In0.2Ga0.8As井戸層、3層
p型半導体スペーサ層18:C添加のp型GaAs、厚さ50nm
高濃度p型半導体メサ69:高濃度C添加のp++型InGaAs、正孔濃度1×1020cm−3、厚さ15nm
高濃度n型半導体メサ71:高濃度Si添加のn++型InGaAs、厚さ15nm、電子濃度5×1018cm−3、
第1のn型半導体スペーサ層73:Si添加のn型GaAs、厚さ200nm
コンタクト層22:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm
第2のDBR75:SiO2/TiO2、7対
n型半導体基板40:n型GaAs基板
第1のDBR32:Si添加のGaAs/Al0.9Ga0.1As、32対
第2のn型半導体スペーサ層34:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm活性層36:In0.2Ga0.8As井戸層、3層
p型半導体スペーサ層38:C添加のp型GaAs、厚さ50nm
高濃度p型半導体層79:高濃度C添加のp++型InGaAs、正孔濃度1×1020cm−3、厚さ15nm
高濃度n型半導体メサ81:高濃度Si添加のn++型InGaAs、厚さ15nm、電子濃度5×1018cm−3、
第1のn型半導体スペーサ層83:Si添加のn型GaAs、厚さ200nm
コンタクト層42:Si添加のn型GaAs、厚さ50nm
第2のDBR46:SiO2/TiO2、7対
半導体レーザA:閾値 0.4mA、最大光出力 3.2mW、微分抵抗 45ohm
比較例A:閾値 0.8mA、最大光出力 2.7mW、微分抵抗 60ohm
比較例B:閾値 0.9mA、最大光出力 2.6mW、微分抵抗 60ohm
イオン種:水素イオン
注入加速エネルギー:100keV
ドーズ量:1×1015cm−2
半導体レーザA、半導体レーザB、比較例A及び比較例Bの素子パラメータS11を抽出した。抽出した結果は、以下に示されるとおりである。
半導体レーザA:0.4pF
半導体レーザB:0.2pF
比較例A:0.4pF
比較例B:0.5pF
Claims (2)
- 面発光半導体レーザを作製する方法であって、
第1の分布ブラッグリフレクタ上に設けられた活性層上に、第1のエリアと該第1のエリアを囲む第2のエリアとを含む主面を有するp型半導体スペーサ層を基板上に形成する工程と、
前記p型半導体スペーサ層上に高濃度p型半導体層を成長する工程と、
前記高濃度p型半導体層をエッチングすることにより、前記第1のエリア上に位置する高濃度p型半導体メサを形成する工程と、
前記p型半導体スペーサ層上及び前記p型半導体メサ上に高濃度n型半導体層を成長する工程と、
前記高濃度n型半導体層上に第1のn型半導体スペーサ層を成長する工程と、
前記第1のn型半導体スペーサ層上に第2の分布ブラッグリフレクタを形成する工程と、を有し、
前記高濃度n型半導体層を成長する工程の前、且つ前記高濃度p型半導体層を成長する工程の後に、前記基板の熱アニール処理を行う、
ことを特徴とする方法。 - 前記高濃度n型半導体層を成長する工程の前に、
前記p型半導体メサを覆うように、前記p型半導体スペーサ層上にマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記p型半導体スペーサ層に酸素及び水素の少なくともいずれか一方のイオン注入を行う工程と
を更に備えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044813A JP5167860B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 |
US12/392,410 US7852895B2 (en) | 2008-02-26 | 2009-02-25 | VCSEL with reduced light scattering within optical cavity |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008044813A JP5167860B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009206182A JP2009206182A (ja) | 2009-09-10 |
JP5167860B2 true JP5167860B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=40998259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008044813A Expired - Fee Related JP5167860B2 (ja) | 2008-02-26 | 2008-02-26 | 面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7852895B2 (ja) |
JP (1) | JP5167860B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5678806B2 (ja) * | 2011-06-07 | 2015-03-04 | 株式会社デンソー | 半導体レーザ及びその製造方法 |
JP6136284B2 (ja) * | 2012-03-13 | 2017-05-31 | 株式会社リコー | 半導体積層体及び面発光レーザ素子 |
US20170084771A1 (en) * | 2015-09-21 | 2017-03-23 | The Boeing Company | Antimonide-based high bandgap tunnel junction for semiconductor devices |
CN112119481A (zh) | 2018-05-11 | 2020-12-22 | 加利福尼亚大学董事会 | 磷砷化镓包覆材料在砷化镓衬底上的外延生长 |
CN108832483A (zh) * | 2018-06-27 | 2018-11-16 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种脊形半导体激光二极管的制备方法 |
JP2022038492A (ja) * | 2020-08-26 | 2022-03-10 | ソニーグループ株式会社 | 垂直共振器型面発光レーザ素子及び垂直共振器型面発光レーザ素子の製造方法 |
WO2022185765A1 (ja) * | 2021-03-03 | 2022-09-09 | ソニーグループ株式会社 | 面発光レーザ及び電子機器 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10004398A1 (de) * | 2000-02-02 | 2001-08-16 | Infineon Technologies Ag | VCSEL mit monolithisch integriertem Photodetektor |
US7016392B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-03-21 | Ashish Tandon | GaAs-based long-wavelength laser incorporating tunnel junction structure |
JP2005012000A (ja) * | 2003-06-19 | 2005-01-13 | Yokogawa Electric Corp | 面発光レーザ |
WO2005029655A2 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-31 | Nanosource Inc. | Epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser (vcsel) and method of manufacturing same |
JP5273516B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2013-08-28 | 日本電気株式会社 | トンネル接合発光素子 |
JP4172505B2 (ja) * | 2006-06-29 | 2008-10-29 | 住友電気工業株式会社 | 面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法 |
-
2008
- 2008-02-26 JP JP2008044813A patent/JP5167860B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-25 US US12/392,410 patent/US7852895B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090213892A1 (en) | 2009-08-27 |
JP2009206182A (ja) | 2009-09-10 |
US7852895B2 (en) | 2010-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5167860B2 (ja) | 面発光半導体レーザ及び面発光レーザを作製する方法 | |
US5557627A (en) | Visible-wavelength semiconductor lasers and arrays | |
JP4172505B2 (ja) | 面発光型半導体素子及び面発光型半導体素子の製造方法 | |
US20230299559A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser element and method of producing vertical cavity surface emitting laser element | |
EP3940902A1 (en) | Vertical-cavity surface-emitting laser element | |
US20190020176A1 (en) | Low resistance vertical cavity light source with pnpn blocking | |
WO2015033649A1 (ja) | 垂直共振器型面発光レーザおよびその製造方法 | |
JP2018125404A (ja) | 面発光レーザ素子 | |
US7738526B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
JP2008235574A (ja) | 面発光半導体レーザ | |
US7817691B2 (en) | Light emitting device | |
JP5158878B2 (ja) | 面発光レーザ及びその製造方法 | |
US10847950B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser, method for fabricating vertical cavity surface emitting laser | |
WO2021177036A1 (ja) | 面発光レーザ | |
US6553053B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser having improved light output function | |
JP4948451B2 (ja) | 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子の製造方法 | |
US11444431B2 (en) | Surface emitting laser | |
US7809041B2 (en) | Surface emitting semiconductor laser | |
US11923661B2 (en) | Surface emitting laser and method of manufacturing the same | |
US20230112925A1 (en) | Surface emitting laser | |
JP6206233B2 (ja) | 光半導体素子及び光半導体素子の製造方法 | |
US20030035452A1 (en) | Surface emitting semiconductor laser device | |
WO2024142443A1 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
JP4676100B2 (ja) | Al含有化合物半導体層のエピタキシャル成長方法 | |
JP2009231603A (ja) | 面発光半導体レーザの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120328 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5167860 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |