JP5158878B2 - 面発光レーザ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
前記上部半導体積層は、1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなる炭素ドープ層を前記活性層の近傍に有し、該炭素ドープ層のドーパント濃度は、積層方向に該炭素ドープ層に隣接する前記上部半導体積層内の半導体層のドーパント濃度よりも大きく、
前記炭素ドープ層は、水素を内部に含む電流狭窄部と、積層面内で該電流狭窄部に囲まれ水素を内部に含まない電流注入部とを有する電流狭窄構造を有し、
前記積層方向において前記電流狭窄部に隣接する狭窄部隣接領域の水素濃度が、前記電流狭窄部の水素濃度よりも低い、
ことを特徴とする面発光レーザを提供する。
前記活性層上に、1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなる炭素ドープ層を前記活性層の近傍に有し、前記炭素ドープ層のドーパント濃度が、該炭素ドープ層に積層方向に隣接する半導体層のドーパント濃度よりも大きい上部半導体積層を形成する工程と、
前記炭素ドープ層の周縁部に水素を注入する工程と、
前記水素を注入する工程の後、500℃以上700℃以下の温度で前記半導体基板を熱アニールする工程と、
前記上部半導体積層上に上部DBRミラーを積層する工程と、
前記熱アニールする工程の後、前記上部半導体積層に電気的に接続されたp側電極と、前記下部半導体層に電気的に接続されたn側電極とを形成する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法を提供する。
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態に係る面発光レーザを断面図で示す。面発光レーザ100は、GaAs系の半導体からなり、イントラキャビティコンタクト構造を有し、発振波長が1100nm帯のものである。
つぎに、本第1の実施形態に係る面発光レーザ100の第1の製造方法について説明する。まず、基板101上に、半導体層102と、下部DBRミラー103と、下部クラッド層104と、活性層105と、p型スペーサ層106と、電流狭窄層108を形成すべき高濃度炭素含有層(炭素ドープ層)115と、p型スペーサ層116と、p側コンタクト層110とを順次に積層する。高濃度炭素含有層115は、炭素を1×1019cm-3以上、好ましくは1×1020cm−3以上の濃度(本実施形態例では1×1020cm-3)でドーピングしたGaAsからなる。以降、上記半導体層を積層した基板を積層基板と呼ぶ。
つぎに、本第1の実施形態に係る面発光レーザ100の第2の製造方法について説明する。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る面発光レーザの模式的な断面図である。本実施形態に係る面発光レーザ200は、GaAs系の半導体からなり、レーザ発振波長が850nm帯のものである。
以下、本第2の実施形態に係る面発光レーザ200の第1の製造方法について説明する。まず、基板201上に、n型半導体層202と、下部DBRミラー203と、下部クラッド層204と、活性層205と、上部クラッド層206と、p型半導体層207と、電流狭窄層を形成すべき高濃度炭素含有層と、上部DBRミラー209と、p側コンタクト層210とを順次に積層する。高濃度炭素含有層は、濃度1×1019cm-3で炭素をドーピングしたGaAsから成る。
つぎに、本第2の実施形態に係る面発光レーザ200の第2の製造方法について説明する。
つぎに、本発明の第3の実施形態に係る面発光レーザについて説明する。図12は、本発明の第3の実施形態に係る面発光レーザの模式的な断面図である。本実施形態に係る面発光レーザは、GaAs系の半導体からなり、レーザ発振波長が850nm帯のものである。本実施形態に係る面発光レーザは、第2の実施形態における上部DBRミラー内に、フォトニック結晶構造が形成された構造を有しており、且つ、このフォトニック結晶構造を構成する2次元空孔配列の中央部に空孔が存在しない点欠陥318aが形成されている。メサポストM3は、下部DBRミラー303の上部から上部DBRミラー309までの積層構造に形成されている。p側電極311、絶縁膜312、p側パッド電極313の構成は第2の実施形態と同様である。n側電極314は、n型GaAs基板301の裏面に形成されている。
つぎに、本発明の第4の実施形態に係る面発光レーザについて説明する。本実施形態に係る面発光レーザは、GaAs系の半導体からなり、イントラキャビティコンタクト構造を有し、発振波長が1300nm帯のものである。
101、201、301、401:基板
102、402:半導体層
103、203,303、403:下部DBRミラー
103a、403a:AlAs層
103b、403b:GaAs層
104、204、304、404:下部クラッド層
105、205,305、405:活性層
106、116、406、416:p型スペーサ層
108、208,308、408:電流狭窄層
108a、208a、308a、408a:電流狭窄部
108b、208b、308b、408b:電流注入部
109、209、309、409:上部DBRミラー
109a、409a:TiO2層
109b、409b:SiO2層
110、210、310、410:p側コンタクト層
111、211、311、411:p側電極
112、212、312、412:絶縁膜
113、213、313、413、117、417:パッド電極
114、214、314、414:n側電極
115、215:高濃度炭素含有層(炭素ドープ層)
202、302:n型半導体層
203a、303a:Al0.9Ga0.1As層
203b、303b:Al0.2Ga0.8As層
206、306:上部クラッド層
207、307:p型半導体層
209a、309a:Al0.9Ga0.1As層
209b、309b:Al0.2Ga0.8As層
318、418:2次元円孔配列
318a:点欠陥領域
M1〜M4:メサポスト構造
Claims (14)
- 半導体基板上に順次に積層された、下部DBRミラー、n型の下部半導体層、活性層、p型の上部半導体積層、及び、上部DBRミラーを含む積層構造を有する面発光レーザであって、
前記上部半導体積層は、1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなる炭素ドープ層を前記活性層の近傍に有し、該炭素ドープ層のドーパント濃度は、積層方向に該炭素ドープ層に隣接する前記上部半導体積層内の半導体層のドーパント濃度よりも大きく、
前記炭素ドープ層は、水素を内部に含む電流狭窄部と、積層面内で該電流狭窄部に囲まれ水素を内部に含まない電流注入部とを有する電流狭窄構造を有し、
前記積層方向において前記電流狭窄部に隣接する狭窄部隣接領域の水素濃度が、前記電流狭窄部の水素濃度よりも低い、
ことを特徴とする面発光レーザ。 - 前記炭素ドープ層の前記電流狭窄部の水素濃度が1×1019cm-3以上であり、前記狭窄部隣接領域の水素濃度が1×1018cm-3以下である、請求項1に記載の面発光レーザ。
- 前記上部DBRミラーが誘電体多層膜からなり、n側電極が前記下部半導体層上に形成され、p側電極が前記上部半導体積層上に形成されている、請求項1又は2に記載の面発光レーザ。
- 前記上部半導体積層上に1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなるp側コンタクト層を更に有し、前記p側電極が前記p側コンタクト層上に形成されていることを特徴とする請求項3に記載の面発光レーザ。
- 前記半導体基板がn型半導体基板であり、前記下部DBRミラーがn型半導体多層膜からなり、前記上部DBRミラーがp型半導体多層膜からなり、n側電極が前記半導体基板の下面に形成され、p側電極が前記上部DBRミラー上に形成されている、請求項1又は2に記載の面発光レーザ。
- 前記上部DBRミラー上に1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなるp側コンタクト層を更に有し、前記p側電極が前記p側コンタクト層上に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の面発光レーザ。
- 前記p側コンタクト層の水素濃度が1×1018cm-3以下である、請求項4又は6に記載の面発光レーザ。
- 前記炭素ドープ層の前記電流狭窄部に存在する水素が、前記p側電極及び前記n側電極を介した電流注入の際に前記電流狭窄部内に実質的に留まる、請求項3乃至7の何れか一に記載の面発光レーザ。
- 前記炭素ドープ層が1×1020cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含む、請求項1乃至8の何れか一に記載の面発光レーザ。
- 前記炭素ドープ層がGaAs層である、請求項1乃至9の何れか一に記載の面発光レーザ。
- 前記上部DBRミラーの少なくとも一部には、積層面内における所定の領域を除き、前記積層面内において周期的な屈折率の2次元分布が形成されている、請求項1乃至10の何れか一に記載の面発光レーザ。
- 半導体基板上に、半導体多層膜からなる下部DBRミラー、n型半導体からなる下部半導体層、及び、活性層を順次に形成する工程と、
前記活性層上に、1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなる炭素ドープ層を前記活性層の近傍に有し、前記炭素ドープ層のドーパント濃度が、該炭素ドープ層に積層方向に隣接する半導体層のドーパント濃度よりも大きい上部半導体積層を形成する工程と、
前記炭素ドープ層の周縁部に水素を注入する工程と、
前記水素を注入する工程の後、500℃以上700℃以下の温度で前記半導体基板を熱アニールする工程と、
前記上部半導体積層上に上部DBRミラーを積層する工程と、
前記熱アニールする工程の後、前記上部半導体積層に電気的に接続されたp側電極と、
前記下部半導体層に電気的に接続されたn側電極とを形成する工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。 - 前記熱アニールする工程は、前記上部半導体積層上に1×1019cm-3以上の濃度の炭素をドーパントとして含むIII−V族半導体からなるp側コンタクト層を積層することを含み、
前記p側電極を前記p側コンタクト層上に形成することを特徴とする請求項12に記載の面発光レーザの製造方法。 - 請求項12又は13に記載の製造方法によって製造されたことを特徴とする面発光レーザ。
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