JP5157843B2 - 炭化ケイ素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明による半導体装置を示す断面模式図である。図1を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態1を説明する。
図8は、本発明による半導体装置の実施の形態2を示す断面模式図である。図8を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態2を説明する。
図13は、本発明による半導体装置の実施の形態3を示す断面模式図である。図13を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態3を説明する。
図15は、本発明による半導体装置の実施の形態4を示す断面模式図である。図15を参照して、本発明による半導体装置の実施の形態4を説明する。
以下、本発明の効果を確認するために行なった実験の内容を説明する。
図1に示した構造の半導体装置を、試料として以下のように作製した。すなわち、厚みが400μmのn型炭化ケイ素基板2に、厚みが10μmのエピタキシャル層3を形成し、当該エピタキシャル層3上に厚みが1μmのp型層4を形成した。そして、n+領域5、6のn型の導電性不純物としてリン(P)を注入し、この不純物濃度として1×1020cm-3といった値を用いた。また、このn+領域5、6の間の距離であるゲート長(チャネル長Lg)を100μmとした。また、ゲート幅(チャネル幅)を200μmとした。
上述した各試料について、酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面近傍における窒素原子濃度の深さ方向での分布を測定した。測定方法としては、SIMS(二次イオン質量分析)により測定を行なった。また、形成された半導体装置において、チャネル移動度の測定を行なった。測定方法としては、以下のような方法を用いた。すなわち、ソース−ドレイン間電圧VDS=0.1Vとし、ゲート電圧VGを印加してソース−ドレイン間電流IDSを測定した(ゲート電圧依存性を測定した)。そして、gm=(δIDS)/(δVG)として、
チャネル移動度μ=gm×(L×d)/(W×ε×VDS)
(ここで、L:ゲート長、d:酸化膜厚、W:ゲート幅、ε:酸化膜の誘電率)
という式からチャネル移動度のゲート電圧に対する最大値を求めた。
深さ方向における窒素原子の濃度分布は、基本的には図18に示すような分布となった。図18は、本発明の実施例1における試料の深さ方向における窒素原子濃度を示すグラフである。図18において、横方向は酸化膜の表面からの深さを示し、単位はnmである。また、縦軸は窒素原子濃度(単位はcm-3)を示す。図18からわかるように、窒素原子濃度は酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面部において最も高くなっている。そして、当該窒素原子は、酸化膜8とp型層4との界面を中心として±10nmの範囲内に分布していることがわかる。なお、図18には実施例1についての測定データを示したが、実施例2についてもほぼ同様の窒素原子濃度分布を示した。ただし、実施例2では、窒素原子濃度の最大値(ピーク値)は実施例1よりも高くなっていた。
次に、基板2のオフ角度とチャネル移動度との関係を確認した。以下具体的に説明する。
上述した実施例2の試料の製造方法と同様の製造方法を用いて、試料を作製した。具体的には、用いる主表面の面方位が異なる基板を用いて、比較例としての試料を4種類、本発明の実施例としての試料を3種類作製した。すなわち、比較例1として、基板の主表面の面方位が(0001)のオフ角が8°となっている炭化ケイ素基板((0001)の8°オフ基板)を用いたもの、比較例2として基板の主表面の面方位が(01−15)で表わされる基板を用いたもの、比較例3として基板の主表面の面方位が(01−14)で表わされる基板を用いたもの、比較例4として、基板の主表面を表わす面方位が(0001)のオフ角が70°となっている基板を用いたものを準備した。また、本発明の実施例としては、実施例1として基板の主表面の面方位が(01−13)で表わされる基板を用いたもの、実施例2として基板の主表面の面方位が(03−38)で表わされる基板を用いたもの、実施例3として基板の主表面の面方位が(01−12)で表わされる基板を用いたものを準備した。そして、これらの異なる基板を用いて、同様の構造の半導体装置を上述した試料として形成した。
上述した各試料について、チャネル移動度を測定した。チャネル移動度の測定方法は、基本的には実施例1におけるチャネル移動度の測定方法と同様の方法を用いた。
測定結果を図20に示す。図20は、本発明の実施例2における基板のオフ角度とチャネル移動度との関係を示すグラフである。図20における横軸は、各試料を構成する基板の主表面の、面方位{0001}に対するオフ角度(単位:°)を示し、縦軸は図19の縦軸と同様にチャネル移動度(単位:cm2/Vs)を示している。図20からもわかるように、本発明の実施例に対応するオフ角度(50°以上65°以下)の範囲の実施例1〜3の試料においては、チャネル移動度の値が比較例に比べて大きく向上していることがわかる。
次に、水素原子を半導体層と絶縁膜との界面から10nm以内の領域に含有させた場合の効果を確認するため行なった実験の内容を説明する。
図1に示した構造の半導体装置を、試料として以下のように作製した。すなわち、厚みが400μmのn型炭化ケイ素基板2に、厚みが10μmのエピタキシャル層3を形成し、当該エピタキシャル層3上に厚みが1μmのp型層4を形成した。そして、n+領域5、6のn型の導電性不純物としてリン(P)を注入し、この不純物濃度として1×1020cm-3といった値を用いた。また、このn+領域5、6の間の距離であるゲート長(チャネル長Lg)を100μmとした。また、ゲート幅(チャネル幅)を200μmとした。
上述した各試料について、すでに述べた実施例1の試験における測定方法と同様の方法により、酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面近傍における水素原子濃度の深さ方向での分布を測定した。つまり、測定方法としては、SIMS(二次イオン質量分析)を用いた。また、形成された半導体装置において、チャネル移動度の測定を行なった。測定方法としては、実施例1の試験における測定方法と同様の方法を用いた。
深さ方向における水素原子の濃度分布は、基本的には図18に示した窒素原子の濃度分布と同様の分布となった。つまり、図18に示した窒素原子濃度の分布と同様に、水素原子濃度は酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面部において最も高くなり、その値も1×1021cm-3以上となっていた。そして、当該水素原子は、酸化膜8とp型層4との界面を中心として±10nmの範囲内に分布していた。なお、上述した実施例1および実施例2の両方の試料とも、ほぼ同様の水素原子濃度分布を示した。ただし、実施例2の試料では、水素原子濃度の最大値(ピーク値)は実施例1の試料よりも高くなっていた。
次に、熱処理の雰囲気ガスとして水蒸気を用いて、水素原子を半導体層と絶縁膜との界面から10nm以内の領域に含有させた実験の内容を説明する。
図1に示した構造の半導体装置を、試料として作製した。試料の作成方法は、基本的には上述した実施例3における試料の作成方法と同様である。すなわち、厚みが400μmのn型炭化ケイ素基板2に、厚みが10μmのエピタキシャル層3を形成し、当該エピタキシャル層3上に厚みが1μmのp型層4を形成した。そして、n+領域5、6のn型の導電性不純物としてリン(P)を注入し、この不純物濃度として1×1020cm-3といった値を用いた。また、このn+領域5、6の間の距離であるゲート長(チャネル長Lg)を100μmとした。また、ゲート幅(チャネル幅)を200μmとした。
上述した各試料について、すでに述べた実施例1の試験における測定方法と同様の方法により、酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面近傍における水素原子濃度の深さ方向での分布を測定した。つまり、測定方法としては、SIMS(二次イオン質量分析)を用いた。また、形成された半導体装置において、チャネル移動度の測定を行なった。測定方法としては、実施例1の試験における測定方法と同様の方法を用いた。
深さ方向における水素原子の濃度分布は、実施例3の試験の場合と同様に、基本的には図18に示した窒素原子の濃度分布と同様の分布となった。つまり、図18に示した窒素原子濃度の分布と同様に、水素原子濃度は酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面部において最も高くなり、その値も1×1021cm-3以上となっていた。そして、当該水素原子は、酸化膜8とp型層4との界面を中心として±10nmの範囲内に分布していた。なお、上述した実施例1および実施例2の両方の試料とも、ほぼ同様の水素原子濃度分布を示した。ただし、実施例2の試料では、水素原子濃度の最大値(ピーク値)は実施例1の試料よりも高くなっていた。
次に、熱処理の雰囲気ガスとして窒素原子および水素原子を含有するガスを用いて、窒素原子および水素原子を半導体層と絶縁膜との界面から10nm以内の領域に含有させた実験の内容を説明する。
図1に示した構造の半導体装置を、試料として作製した。試料の作成方法は、基本的には上述した実施例3における試料の作成方法と同様である。すなわち、厚みが400μmのn型炭化ケイ素基板2に、厚みが10μmのエピタキシャル層3を形成し、当該エピタキシャル層3上に厚みが1μmのp型層4を形成した。そして、n+領域5、6のn型の導電性不純物としてリン(P)を注入し、この不純物濃度として1×1020cm-3といった値を用いた。また、このn+領域5、6の間の距離であるゲート長(チャネル長Lg)を100μmとした。また、ゲート幅(チャネル幅)を200μmとした。
上述した各試料について、すでに述べた実施例1の試験における測定方法と同様の方法により、酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面近傍における窒素原子および水素原子の合計濃度の深さ方向での分布を測定した。つまり、測定方法としては、SIMS(二次イオン質量分析)を用いた。また、形成された半導体装置において、チャネル移動度の測定を行なった。測定方法としては、実施例1の試験における測定方法と同様の方法を用いた。
深さ方向における窒素原子および水素原子の合計濃度分布は、基本的には図18に示した窒素原子の濃度分布と同様の分布となった。つまり、図18に示した窒素原子濃度の分布と同様に、窒素原子および水素原子の合計濃度は酸化膜8と半導体層としてのp型層4との界面部において最も高くなっていた。そして、当該窒素原子および水素原子は、酸化膜8とp型層4との界面を中心として±10nmの範囲内に分布していた。
本発明の効果を確認するため、半導体装置を試作し、当該半導体装置の半導体層と絶縁膜との界面の界面準位を評価した。
図22は、実施例6の測定のために準備した半導体装置を示す断面模式図である。図22に示した半導体装置はMOSキャパシタであって、n型炭化ケイ素基板である基板2と、当該基板2上に形成されたバッファ層21と、バッファ層21上に形成された耐圧保持層22と、耐圧保持層22上に形成された酸化膜26と、酸化膜上に形成されたゲート電極10と、基板2の裏面(バッファ層21が形成された表面と反対側の裏面)に形成された裏面電極31とを備える。
図22に示した半導体装置(MOSキャパシタ)の構成を備える上記実施例及び比較例の試料について、容量−電圧特性(CV特性)を測定した。なお、高周波CV測定は測定周波数を1MHzとした。また、低周波CV測定は、QuasistaticCV測定法により行なった。なお、MOS界面の半導体側に形成される空乏層による容量Csについては、ポアソン方程式を解くことにより求めた。このとき、反転状態は考慮せず、深い空乏状態を仮定した。
しかし、上述のように高周波CV測定では界面準位容量は応答しない(検出されない)ので、高周波CV測定により得られた容量CHFは、
したがって、上記数式(1)、(2)より、
(測定結果)
図23は、実施例の試料についてのCV特性を示すグラフである。図24は、比較例の試料についてのCV特性を示すグラフである。図25は、上記図23および図24に示したCV特性から算出した界面準位密度と伝導帯を基準とした場合のエネルギーとの関係を示すグラフである。図23〜図25を参照して、上記測定の結果を説明する。
本発明の効果を確認するため、試料を作成して界面準位密度とMOSチャネル移動度との関係を評価した。
図1に示した構造の半導体装置を、試料として以下のように作製した。すなわち、厚みが400μmのn型炭化ケイ素基板2に、厚みが10μmのエピタキシャル層3を形成し、当該エピタキシャル層3上に厚みが1μmのp型層4を形成した。そして、n+領域5、6のn型の導電性不純物としてリン(P)を注入し、この不純物濃度として1×1020cm-3といった値を用いた。また、このn+領域5、6の間の距離であるゲート長(チャネル長Lg)を100μmとした。また、ゲート幅(チャネル幅)を200μmとした。
形成された半導体装置の試料において、チャネル移動度の測定を行なった。測定方法としては、実施例1の試験における測定方法と同様の方法を用いた。
測定結果を図26に示す。図26は、測定されたMOSチャネル移動度と界面準位密度との関係を示すグラフである。図26の横軸は、伝導帯より0.1eV下のエネルギーレベルにおける界面準位密度の値を示している。単位はcm−2eV−1である。また、図26の縦軸は、測定した半導体装置のチャネル移動度(MOSチャネル移動度)を示している。単位はcm2/Vsである。
Claims (21)
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板上に形成され、炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記半導体層の表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×1021cm−3以上である、炭化ケイ素半導体装置。 - 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の前記領域には水素原子が含有されている、請求項1に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板上に形成され、炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記半導体層の表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における水素原子濃度の最大値が1×1021cm−3以上である、炭化ケイ素半導体装置。 - 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の前記領域には窒素原子が含有されている、請求項3に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板と、
前記基板上に形成され、炭化ケイ素からなる半導体層と、
前記半導体層の表面に接触するように形成された絶縁膜とを備え、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素原子および水素原子の合計濃度の最大値が1×1021cm−3以上である、炭化ケイ素半導体装置。 - 伝導帯より0.1eV下での界面準位密度が1×1012cm−2eV−1よりも小さいことを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記基板のオフ方位が<11−20>方向±5°以下の範囲である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記基板のオフ方位が<01−10>方向±5°以下の範囲である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 前記基板の主表面の面方位は、面方位{03−38}に対しオフ角が−3°以上+5°以下である、請求項8に記載の炭化ケイ素半導体装置。
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に接触するように絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値が1×1021cm−3以上となるように窒素原子濃度を調整する工程とを備える、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の前記領域に水素原子を含有させる工程をさらに備える、請求項10に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記水素原子を含有させる工程は、前記絶縁膜が形成された前記基板を、水素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程を含む、請求項11に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記窒素原子濃度を調整する工程は、前記絶縁膜が形成された前記基板を、窒素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程を含む、請求項10〜12のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記窒素原子濃度を調整する工程は、前記窒素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程の後、不活性ガスを雰囲気ガスとして用いて前記基板を熱処理する工程を含む、請求項13に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に接触するように絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における水素原子濃度の最大値が1×1021cm−3以上となるように水素原子濃度を調整する工程とを備える、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。 - 前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の前記領域に窒素原子を含有させる工程をさらに備える、請求項15に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記窒素原子を含有させる工程は、前記絶縁膜が形成された前記基板を、窒素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程を含む、請求項16に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記水素原子濃度を調整する工程は、前記絶縁膜が形成された前記基板を、水素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程を含む、請求項15〜17のいずれか1項に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記水素原子濃度を調整する工程は、前記水素原子を含有するガスを雰囲気ガスとして用いて熱処理する工程の後、不活性ガスを雰囲気ガスとして用いて前記基板を熱処理する工程を含む、請求項18に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 前記水素原子を含有するガスは水蒸気または水蒸気含有酸素である、請求項12または19に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
- 面方位{0001}に対しオフ角が50°以上65°以下である、炭化ケイ素からなる基板を準備する工程と、
前記基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層の表面に接触するように絶縁膜を形成する工程と、
前記半導体層と前記絶縁膜との界面から10nm以内の領域における窒素原子および水素原子の合計濃度の最大値が1×1021cm−3以上となるように前記合計濃度を調整する工程とを備える、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
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