JP5155600B2 - 静電誘導サイリスタ - Google Patents
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Description
第1導電型(N−)の半導体基板2を用意し(図5A)、第1主面および第2主面に熱酸化法等により酸化膜11を形成する(図5B)。次に、写真工程で、レジスト塗布、露光、現像および酸化膜エッチングを行い、半導体基板2の第1主面のアノード領域部の酸化膜11を除去する(図5C)。ここに、第2導電型不純物のボロン等をデポジションして、第2導電型不純物領域であるアノード領域3を形成する(図5D)。次に、また酸化膜11を形成し(図5E)、写真工程により、カソード領域部の酸化膜11を除去し(図5F)、ここに、第一導電型(N+)不純物のリン等のデポジションを行い、カソード領域4を形成する(図5G)。
2.第1導電型半導体基板
3.アノード領域
4.カソード領域
5.ゲート領域
6.メサ溝部
7.パッシべーション膜
8.カソード金属電極
9.アノード金属電極
10.ゲート金属電極
11.酸化膜
12.アノード領域の高濃度オーミック部
13.カソード領域
14.アノード領域
18.アノード金属電極
19.カソード金属電極
30.ゲート金属電極
31.ゲート絶縁膜
35.第2導電型不純物領域
Claims (2)
- 第1導電型半導体基板の第1主面には、第1導電型の不純物領域であるカソード領域と、前記カソード領域を取り囲むような第2導電型の不純物領域であるアノード領域と、前記カソード領域と前記アノード領域との間にはメサ溝部とを有し、第2主面の周縁部およびメサ溝方向に交差する方向に、前記半導体基板の第1導電型不純物と交互に配列するようにストライプ状の第2導電型不純物領域部であるゲート領域と、前記第1主面から前記ゲート領域まで達する深さの前記メサ溝部と、前記第1主面の前記カソード領域にはカソード金属電極、前記アノード領域にはアノード金属電極、前記第2主面の前記ゲート領域上にはゲート金属電極を構成することを特徴とする静電誘導サイリスタ。
- 第1導電型半導体基板の第1主面には、第2導電型の不純物領域であるアノード領域と、前記アノード領域を取り囲むような第1導電型の不純物領域であるカソード領域と、前記アノード領域と前記カソード領域との間にはメサ溝部とを有し、第2主面の周縁部および、メサ溝方向に交差する方向に、前記半導体基板の第1導電型不純物と交互に配列するようにストライプ状の第2導電型不純物領域部であるゲート領域と、前記第1主面から前記ゲート領域まで達する深さの前記メサ溝部と、第1主面の前記カソード領域にはカソード金属電極、前記アノード領域にはアノード金属電極、前記第2主面の前記ゲート領域上にはゲート金属電極を構成することを特徴とする静電誘導サイリスタ。
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