JP5154105B2 - 高いフィルファクターを持つ画素を備えるイメージセンサー及びイメージセンサーの形成方法 - Google Patents
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Description
他の実施形態で、前記イメージセンサーは、前記光電変換素子上に形成されたマイクロレンズのアレイをさらに備える。前記マイクロレンズは行及び列に配列され、前記マイクロレンズそれぞれは対応する光電変換素子に整列された焦点を持つ。
他の実施形態で、前記システムは、前記活性領域上に少なくとも二つの伝送素子をさらに備えるが、前記伝送素子は、前記少なくとも二つの隣接する光電変換素子の共通活性領域を第1及び第2光電変換素子の第1及び第2光電活性領域に分割する。
他の側面で、本発明は、イメージセンサーの光電変換素子アレイを提供する。基板内に素子が提供される。光電変換素子それぞれは、交互に配置された基板内の接合分離領域と基板内の絶縁分離領域とを使用して、アレイの行方向及び列方向に隣接する光電変換素子と分離される。
310b 第2セグメント
354 光電変換素子
Claims (22)
- 基板内に第1方向及び第2方向にそれぞれ延びる行及び列に配列される光電変換素子のアレイと、
第1接合分離領域それぞれは共通行内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離し、第2接合分離領域それぞれは共通列内で互いに隣接する光電変換素子の側部を分離する前記基板内に位置する複数の第1接合分離領域及び第2接合分離領域と、
絶縁分離領域それぞれは互いに隣接する光電変換素子のコーナー部を分離する前記基板内に備わる複数の絶縁分離領域と、を備えることを特徴とするイメージセンサー。 - 前記光電変換素子は第1方向に第1ピッチを持ち、第2方向に第2ピッチを持つが、前記第1ピッチは、共通行内の前記光電変換素子で実質的に同一であり、前記第2ピッチは、共通列内の前記光電変換素子で実質的に同一であることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記光電変換素子上に形成されたマイクロレンズのアレイをさらに備えるが、前記マイクロレンズは行及び列に配列され、前記マイクロレンズそれぞれは、対応する光電変換素子に整列された焦点を持ち、前記マイクロレンズの焦点は、第1方向に第1ピッチを持つように配列され、第2方向に第2ピッチを持つように配列され、前記第1ピッチ及び前記第2ピッチは、前記光電変換素子の第1ピッチと実質的に同一であることを特徴とする請求項1または2に記載のイメージセンサー。
- 前記光電変換素子は、前記基板内に形成された光電活性領域を備えることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
- 前記基板はエピタキシャル層を備え、前記光電変換素子は前記エピタキシャル層内に形成された光電活性領域を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
- 前記第1方向及び前記第2方向は、互いに垂直となる水平方向と垂直方向とを含むことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
- 行及び列のうち少なくとも一つの内に互いに隣接する少なくとも二つの光電変換素子は、共通光電活性領域を共有することを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のイメージセンサー。
- 前記隣接する光電変換素子それぞれは光電活性領域を備えるが、前記光電活性領域は、その上下左右部分に位置する接合分離領域及びそのコーナー部で前記接合分離領域の間に位置する絶縁分離領域により分離され、前記絶縁分離領域のうち一つは二つの絶縁分離領域セグメントに分割されて、前記絶縁分離領域セグメントの間を通じて前記光電活性領域は隣接する他の光電素子に連結され、前記絶縁分離領域セグメントのうち一つは第1接合分離領域に隣接し、前記絶縁分離領域セグメントのうち残りの一つは第2接合分離領域に隣接し、前記共通光電活性領域の連結部分は、前記絶縁分離領域セグメントの間に延びることを特徴とする請求項7に記載のイメージセンサー。
- 前記活性領域上に少なくとも二つの伝送素子をさらに備えるが、前記伝送素子は、少なくとも二つの隣接する前記光電変換素子の共通活性領域を第1及び第2光電変換素子の第1及び第2光電活性領域に分割することを特徴とする請求項8に記載のイメージセンサー。
- 共通行または共通列内の互いに隣接する二つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を持ち、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域部分を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する共通孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項10に記載のイメージセンサー。
- 共通行または共通列内の隣接する二つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子及びリセット素子を備え、共通選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する共通孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項12に記載のイメージセンサー。
- 共通行または共通列内の隣接する4つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のうち一つのコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項14に記載のイメージセンサー。
- 共通行または共通列内の隣接する4つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子及びリセット素子を備え、共通選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項16に記載のイメージセンサー。
- 共通行または共通列内の隣接する4つの光電変換素子それぞれは、対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子及び前記ドライブ素子は共通の第1孤立活性領域に形成され、リセット素子は、第1孤立活性領域とは分離された第2孤立活性領域に形成され、前記第1及び第2孤立活性領域は、対応する光電変換素子のコーナー部に位置することを特徴とする請求項18に記載のイメージセンサー。
- 隣接する二つの行または列内の隣接する4つの光電変換素子それぞれは対応する伝送素子を備え、共通リセット素子、選択素子及びドライブ素子を共有することを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記リセット素子、選択素子及び前記ドライブ素子は、前記光電変換素子のコーナー部に位置する相異なる孤立活性領域に形成されることを特徴とする請求項20に記載のイメージセンサー。
- 前記絶縁分離領域のうち少なくとも一つは孤立活性領域を取り囲み、前記選択素子、前記ドライブ素子及び前記リセット素子のうち2つは共通の第1孤立活性領域に形成され、前記選択素子、前記ドライブ素子及び前記リセット素子のうち残りの一つは、前記第1孤立活性領域とは分離された第2孤立活性領域に形成され、前記第1及び第2孤立活性領域は、対応する光電変換素子のコーナー部に位置することを特徴とする請求項20に記載のイメージセンサー。
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