JP5147028B2 - 成膜方法及び撥油性基材 - Google Patents
成膜方法及び撥油性基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5147028B2 JP5147028B2 JP2012107963A JP2012107963A JP5147028B2 JP 5147028 B2 JP5147028 B2 JP 5147028B2 JP 2012107963 A JP2012107963 A JP 2012107963A JP 2012107963 A JP2012107963 A JP 2012107963A JP 5147028 B2 JP5147028 B2 JP 5147028B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- irradiation
- substrate
- particles
- oil
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 81
- 239000005871 repellent Substances 0.000 title description 85
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 56
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 43
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 25
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 15
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 296
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 80
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 76
- 239000000463 material Substances 0.000 description 59
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 48
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 43
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 14
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 8
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 7
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 4
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 3
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000869 ion-assisted deposition Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- -1 alumina Chemical compound 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N (trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC=C1 GETTZEONDQJALK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2,2,3,3,4,4-nonafluoro-4-methoxybutane Chemical compound COC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F OKIYQFLILPKULA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJBBXFLOLUTGCW-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 SJBBXFLOLUTGCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229940104873 methyl perfluorobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- FYJQJMIEZVMYSD-UHFFFAOYSA-N perfluoro-2-butyltetrahydrofuran Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C1(F)OC(F)(F)C(F)(F)C1(F)F FYJQJMIEZVMYSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGUZHRODIJCVOC-UHFFFAOYSA-N perfluoroheptane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F LGUZHRODIJCVOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N perfluorotributylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F RVZRBWKZFJCCIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQZYBQIAUSKCCS-UHFFFAOYSA-N perfluorotripentylamine Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)N(C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F AQZYBQIAUSKCCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
- C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D1/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, based on inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D5/00—Coating compositions, e.g. paints, varnishes or lacquers, characterised by their physical nature or the effects produced; Filling pastes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5826—Treatment with charged particles
- C23C14/5833—Ion beam bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/70—Properties of coatings
- C03C2217/77—Coatings having a rough surface
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
第1の成膜工程をイオンアシスト蒸着法で行う場合、これに用いるイオンビームとしては、例えば加速電圧が100〜2000Vのイオンビーム、電流密度が1〜120μA/cm2のイオンビーム、又は加速電圧が100〜2000Vで電流密度が1〜120μA/cm2のイオンビームを用いることができる。第1の成膜工程において、イオンビームの照射時間は例えば1〜800秒とすることができ、またイオンビームの粒子照射数は例えば1×1013個/cm2〜5×1017個/cm2とすることができる。第1の成膜工程に用いられるイオンビームは、酸素のイオンビーム、アルゴンのイオンビーム、又は酸素とアルゴンの混合ガスのイオンビームとすることができる。
《第1実施形態》
本実施形態では、撥油性基材の一例を説明する。
本実施形態では、図1の撥油性基材100を製造可能な成膜装置の一例を説明する。
図2に示すように、本実施形態の成膜装置1は、縦置き円筒状の真空容器2を含む。真空容器2は、排気手段(図示省略)によって所定の圧力に排気されるようになっている。真空容器2には、扉を介して、ロードロック室が接続されていてもよい。ロードロック室を備えていると、真空容器2内の真空状態を保持した状態で、基板101の搬入出を行うことが可能となる。
本実施形態では、蒸発源34のボートに充填する第1成膜材料として金属ケイ素(Si)または酸化ケイ素(SiO2)を用いる場合を例示する。蒸発源36のボートに充填する撥油性膜の形成原料としての第2成膜材料については特に限定しない。
多孔質セラミックに疎水性反応性有機化合物を含浸させたものや、(b) 金属繊維又は細線の塊に疎水性反応性有機化合物を含浸させたものを用いることができる。これらは、多量の疎水性反応性有機化合物を素早く吸収し、蒸発させることができる。多孔質セラミックは、ハンドリング性の観点からペレット状で用いることが好ましい。
コントローラ52は、基板101の温度が、例えば常温〜120℃、好ましくは50〜90℃になったことを温度センサ54の出力により判定すると、成膜工程に入る。基板温度が常温未満では成膜される第1の膜103の密度が低く、十分な膜耐久性が得られない傾向がある。基板温度が120℃を超えると基板101としてプラスチック基板を用いている場合に、その基板101の劣化や変形が起きる可能性がある。なお、無加熱成膜が好適な材料を用いる場合には常温で成膜することもある。
なお、例えば照射電力密度を大きくする場合には照射時間(T2)を短くし、反対に照射電力密度を小さくする場合には照射時間(T2)を長くすることによって、照射エネルギー密度(=V2×I2×T2)を制御することもできる。
また、本実施形態では、第1の成膜処理に先立ち、基板101の表面処理を行うこともできる。具体的には、1)酸素又はアルゴン雰囲気下におけるプラズマ処理、2)酸・アルカリによる薬品処理、3)イオン銃38によるエネルギーを持つ粒子の照射処理(第2の照射処理。前照射)、などを挙げることができる。これらのうちで、第2の照射処理(前照射)が望ましい。第1の成膜処理に先立って基板101に対し第2の照射処理(前照射)を行う場合、コントローラ52は、イオン銃38の照射電力(パワー)をアイドル状態から所定の照射電力に増大させ、シャッタ38aを開き、回転途中の、第1の成膜処理前の基板101の表面にイオンビームを照射すればよい。基板101に成膜される第1の膜103への後照射を行う前に、基板101に対し前照射を行うことで、第1の膜103の表面に、より適切な凹部を付与することができる。
前照射の条件は、上述した後照射と同一条件であってもよいが、異なる条件とすることもできる。
本実施形態では、図1の撥油性基材100を製造可能な成膜装置の他の例を説明する。なお、第2実施形態と同一の部材には同一の符号を付してその説明を省略する。
図3に戻り、真空容器2の鉛直方向(X方向)の測方には、回転ドラム4へ面した位置に仕切壁12が立設されている。仕切壁12は、真空容器2と同じステンレススチール製の部材である。仕切壁12は、上下左右に一つずつ配設された平板部材により構成されており、真空容器2の内壁面から回転ドラム4に向けて四方を囲んだ状態となっている。これにより、スパッタ領域80Aが真空容器2の内部で区画される。
図3に戻り、真空容器2の鉛直方向(X方向)に配置される上内壁には、回転ドラム4へ面した位置に、仕切壁14が立設されている。仕切壁14は、例えば真空容器2と同じ構成部材であるステンレススチールなどで構成される。仕切壁14は、上下左右に一つずつ配設された平板部材により構成されており、真空容器2の上内壁面から回転ドラム4に向けて四方を囲んだ状態となっている。これにより、プラズマ処理領域60Aが真空容器2の内部で区画される。このように本実施形態では、回転ドラム4を挟んで、蒸着処理領域30Aとは反対の方向(真空チャンバ2の鉛直方向の上方。略180°の方向)で、かつスパッタ領域80Aとは略90°隔て、蒸着処理領域30A及びスパッタ領域80Aの何れとも空間的に分離された位置に、プラズマ処理領域60Aが設けられている。
図3に戻り、真空容器2の鉛直方向(X方向)の下方には、蒸着処理領域30Aが設けられている。蒸着処理領域30Aは、基板101の表面に形成された第1の膜103の表面に、蒸着法により撥油性膜105を形成する領域である。
本実施形態では、ターゲット82a,82bとして、第1成膜材料としての金属ケイ素(Si)を用い、蒸発源36のボートに撥油性膜の形成原料としての第2成膜材料を入れる場合を例示する。また、反応性ガスとして、窒素ガスを用いる場合を例示する。
本実施形態では、スパッタリング法により第1の膜103を成膜した後、この第1の膜103に対しイオン銃によるイオンビームにより第1の照射処理(後照射)を行い、さらに抵抗加熱方式の真空蒸着法により撥油性膜105を成膜する場合を例示する。
本例では、イオンビームアシスト蒸着を行う構成の図2に示す成膜装置1を準備し、表1に示す条件で成膜して撥油性基材サンプルを得た。
基板101は、成膜前に湿式洗浄した。
第1成膜材料としてSiO2を用いるとともに、実験例1−1,1−2についてのみ、この第1成膜材料のイオンビームアシスト蒸着(第1の成膜処理)に先立ち、基板101の表面にイオン銃38を用いたイオンクリーニングを所定時間(10分間と5分間)行った(前照射。イオンの照射個数:10分の場合、1.1×1017個/cm2、5分の場合、5.6×1016個/cm2。)。
イオンクリーニングの条件は、加速電圧:1000V、電流:30μA/cm2、導入ガス種及び導入量:(30sccmのO2+20sccmのAr)とした。
第1の成膜処理の際の基板温度は150℃とした。実験例2を除いたニュートラライザの作動条件は、加速電圧:30〜70V、電子電流:1A、導入ガス種:(O2+Ar)、該ガスの導入量:50sccmとした。第1の照射処理(後照射)前後のSiO2 薄膜の硬度は、上記方法で測定した鉛筆硬度値である。後照射後のSiO2 薄膜の「中心線平均粗さ(Ra)」、「十点平均高さ(Rz)」及び「最大谷深さ(Pv)」は、JIS−B0601に準拠して測定した値である。後照射後のSiO2薄膜の「凸部周期」は、原子間力顕微鏡(AFM)(セイコー電子工業社製の商品名「SPI−3700」)により測定した値である。第2成膜材料として、キャノンオプトロン社製の撥油剤(商品名:OF−SR、成分名:含フッ素有機珪素化合物)を用いた。
本例では、マグネトロンスパッタを行う構成の図3〜図6に示す成膜装置1aを準備し、表2に示す条件で成膜して撥油性基材サンプルを得た。
基板101は、成膜前に湿式洗浄した。
ターゲット82a,82bとして、平板状で、材質が金属ケイ素(Si)ターゲットを用いるとともに、第1の成膜処理に先立ち、基板101の表面に、プラズマ処理による前処理を1分間行った。
回転ドラム4の回転速度(RS)は、100rpmとした。第1の成膜処理の際の基板温度は100℃とした。
第1の照射処理(後照射)前後のSi3N4薄膜の硬度は、厚み100nmに換算した際に、上記方法で測定した鉛筆硬度値である。後照射後のSi3N4薄膜のRa、Rz及びPvについては、JIS−B0601に準拠して測定した値である。後照射後のSi3 N4 薄膜の「凸部周期」については、原子間力顕微鏡(AFM)(セイコー電子工業社製の商品名「SPI−3700」)により測定した値である。第2成膜材料として、キャノンオプトロン社製の撥油剤(商品名:OF−SR、成分名:含フッ素有機珪素化合物)を用いた。
得られた撥油性基材サンプルの撥油性膜105の表面に、1cm2のスチールウール#0000を載せ、1kg/cm2の荷重をかけた状態で、50mmの直線上を1往復1秒の速さで、擦傷試験を行った。この擦傷試験の往復500回毎に、試験面(撥油性膜105面)に、油性マジックペン(有機溶媒型マーカー、商品名:マッキー極細、セブラ社製)で線を描き、油性マジックペンの有機溶媒型インクを乾燥布で拭き取れるか否かを評価した。その結果、有機溶媒型インクを拭き取ることができた最大擦傷往復回数は、上述した表1及び表2に示す通りであった。
表1より、実験例2及び3のサンプルと比較して、実験例1,実験例1−1及び実験例1−2のサンプルの有用性が確認できた。中でも、第1の成膜処理(イオンビームアシスト)に先立ち、基板101の表面にイオンクリーニング(前照射)を所定時間で施した場合(実験例1−1)、これを施さなかった場合(実験例1)と比較して、最大擦傷往復回数が増加することが確認できた。なお、前照射の時間を10分から5分に短縮した場合、最大擦傷往復回数が減少したが、実験例2及び3と比較すれば、十分な最大擦傷往復回数が得られることが確認できた。
これに対し、エネルギー粒子の照射処理条件を変更させても、実験例1と略同様の評価が得られることも確認できた(実験例2〜7)。
表2より、実験例11のサンプルと比較して、実験例10のサンプルの有用性が確認できた。
Claims (10)
- 基板の表面にエネルギーを持つ粒子を60〜600秒の照射時間で照射する前照射工程と、
前照射工程後の前記基板の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第1の膜を3nm以上の厚みで成膜する第1の成膜工程と、
基板の粒子照射面に成膜された前記第1の膜にエネルギーを持つ粒子を照射することによって、粒子照射後の第1の膜の厚みを0.1〜500nmとし、かつ粒子照射後の第1の膜の表面に下記表面特性を満足する凹凸を形成する後照射工程と、
後照射工程後の前記第1の膜の凹凸面に撥油性を有する第2の膜を成膜する第2の成膜工程とを、有する成膜方法。
中心線平均粗さ(Ra):0.1〜1000nm、十点平均高さ(Rz):5〜2000nm、及び最大谷深さ(Pv):15〜2000nm(ただし、何れの数値もJIS−B0601に準拠して測定された値である。)、並びに凸部の周期:1〜50nm。 - 基板の表面にエネルギーを持つ粒子を60〜600秒の照射時間で照射する前照射工程と、
前照射工程後の前記基板の粒子照射面にイオンビームを用いたイオンアシスト蒸着法によって第1の膜を3nm以上の厚みで成膜する第1の成膜工程と、
基板の粒子照射面に成膜された前記第1の膜に電流密度が30μA/cm 2 以下のエネルギーを持つ粒子を20秒以下の照射時間で照射することによって、粒子照射後の第1の膜の厚みを0.1〜500nmとし、かつ粒子照射後の第1の膜の表面に下記表面特性を満足する凹凸を形成する後照射工程と、
後照射工程後の前記第1の膜の凹凸面に撥油性を有する第2の膜を成膜する第2の成膜工程とを、有する成膜方法。
中心線平均粗さ(Ra):0.1〜1000nm、十点平均高さ(Rz):5〜2000nm、及び最大谷深さ(Pv):15〜2000nm(ただし、何れの数値もJIS−B0601に準拠して測定された値である。) - 請求項1記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子は、電流密度が30μA/cm2以下であり、照射時間が20秒以下であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項2又は3記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子の電流密度が10μA/cm2以上であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項2〜4の何れか一項記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子の照射時間が4秒以上であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項4又は5記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子の照射個数が7.5×1014個/cm2〜3.7×1015個/cm2であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1〜6の何れか一項記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子は、加速電圧が300Vを超え1200V以下であることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1〜7の何れか一項記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子が、少なくともアルゴンを含むイオンビームであることを特徴とする成膜方法。
- 請求項8記載の成膜方法において、後照射工程で使用するエネルギーを持つ粒子がアルゴンのイオンビームであることを特徴とする成膜方法。
- 請求項1〜9の何れか一項記載の成膜方法において、前照射工程後の前記基板の粒子照射面に成膜される第1の膜は、厚みが1000nm以下である成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012107963A JP5147028B2 (ja) | 2008-09-05 | 2012-05-09 | 成膜方法及び撥油性基材 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008228587 | 2008-09-05 | ||
JP2008228587 | 2008-09-05 | ||
JP2012107963A JP5147028B2 (ja) | 2008-09-05 | 2012-05-09 | 成膜方法及び撥油性基材 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550117A Division JP5036827B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-08-24 | 成膜方法及び撥油性基材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012188759A JP2012188759A (ja) | 2012-10-04 |
JP5147028B2 true JP5147028B2 (ja) | 2013-02-20 |
Family
ID=41797057
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550117A Expired - Fee Related JP5036827B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-08-24 | 成膜方法及び撥油性基材 |
JP2010152079A Expired - Fee Related JP5116812B2 (ja) | 2008-09-05 | 2010-07-02 | 成膜方法及び撥油性基材 |
JP2012107963A Active JP5147028B2 (ja) | 2008-09-05 | 2012-05-09 | 成膜方法及び撥油性基材 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009550117A Expired - Fee Related JP5036827B2 (ja) | 2008-09-05 | 2009-08-24 | 成膜方法及び撥油性基材 |
JP2010152079A Expired - Fee Related JP5116812B2 (ja) | 2008-09-05 | 2010-07-02 | 成膜方法及び撥油性基材 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US9315415B2 (ja) |
EP (1) | EP2333132A4 (ja) |
JP (3) | JP5036827B2 (ja) |
KR (1) | KR101302237B1 (ja) |
CN (1) | CN102084025B (ja) |
HK (1) | HK1156083A1 (ja) |
TW (1) | TWI467039B (ja) |
WO (1) | WO2010026887A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5036827B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-09-26 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び撥油性基材 |
JP4688230B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2011-05-25 | 株式会社シンクロン | 成膜方法 |
KR101312752B1 (ko) | 2011-09-30 | 2013-09-27 | 신크론 컴퍼니 리미티드 | 성막방법 및 성막장치 |
JP5931091B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2016-06-08 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
US20130255858A1 (en) * | 2012-04-03 | 2013-10-03 | Jun-Chung Hsu | Method of manufacturing a laminate circuit board |
KR101362420B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-02-14 | 주식회사 삼화옵틱스 | 시트 코팅 방법 |
KR101426390B1 (ko) * | 2012-05-24 | 2014-08-07 | 주식회사 삼화옵틱스 | 케이스 코팅 방법 |
WO2014119453A1 (ja) * | 2013-01-30 | 2014-08-07 | 旭硝子株式会社 | 防汚膜付き透明基体 |
JP6533511B2 (ja) * | 2015-06-17 | 2019-06-19 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2017038466A1 (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社アルバック | ワーク保持体および成膜装置 |
US20170341075A1 (en) * | 2016-05-27 | 2017-11-30 | Idex Health & Science Llc | Methods and Apparatus for Coated Flowcells |
JP2018035005A (ja) * | 2016-08-29 | 2018-03-08 | 日本電気硝子株式会社 | 誘電体多層膜付きガラス板の製造方法及び誘電体多層膜付きガラス板 |
CN113355646B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-08-30 | 西华师范大学 | 一种基于多源共蒸技术的薄膜监测制备装置及方法 |
TWI789930B (zh) * | 2021-10-01 | 2023-01-11 | 南亞塑膠工業股份有限公司 | 食品包裝用的阻隔膜及其製造方法 |
Family Cites Families (66)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05239243A (ja) * | 1991-03-15 | 1993-09-17 | Shinkuron:Kk | 物体の表面処理方法 |
US5811182A (en) * | 1991-10-04 | 1998-09-22 | Tulip Memory Systems, Inc. | Magnetic recording medium having a substrate and a titanium nitride underlayer |
WO1993010275A1 (en) * | 1991-11-21 | 1993-05-27 | Nisshin Steel Co., Ltd. | Method of forming layer of evaporation coating |
JPH05320874A (ja) * | 1991-11-21 | 1993-12-07 | Nisshin Steel Co Ltd | 蒸着めっき層の形成方法及び蒸着Al−Zn合金めっき材料 |
JPH06240446A (ja) * | 1993-02-18 | 1994-08-30 | Canon Inc | 多層光学薄膜の製造方法 |
JPH06248434A (ja) * | 1993-02-23 | 1994-09-06 | Seiko Epson Corp | 表面処理方法及び表面処理装置 |
US5681635A (en) * | 1994-01-20 | 1997-10-28 | Tulip Memory Systems, Inc. | Magnetic recording medium having a ceramic substrate, an underlayer having a dense fibrous zone T structure, and a magnetic layer |
US5508368A (en) * | 1994-03-03 | 1996-04-16 | Diamonex, Incorporated | Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings |
JPH07335122A (ja) * | 1994-06-09 | 1995-12-22 | Hitachi Ltd | 撥水,撥油処理膜の形成方法とその装置および画像表示装置 |
US5997700A (en) * | 1994-12-20 | 1999-12-07 | Citizen Watch Co., Ltd. | Method of fabricating magnetic head slider |
JPH08176821A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-09 | Shincron:Kk | 薄膜形成方法および装置 |
JPH08337874A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基材表面被覆層及びその形成方法並びに熱交換器用フィン及びその製造方法。 |
JPH0915402A (ja) * | 1995-06-30 | 1997-01-17 | Nikon Corp | 反射防止膜を有する光学物品およびその製造方法 |
JPH09309745A (ja) | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Central Glass Co Ltd | 撥水撥油性物品及びその製法 |
US6119626A (en) * | 1996-11-14 | 2000-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Vacuum apparatus for forming a thin-film and method for forming thin-film |
JPH10193489A (ja) * | 1996-11-14 | 1998-07-28 | Canon Inc | 薄膜形成材、及び薄膜の形成方法 |
JPH10268107A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Seiko Epson Corp | 反射防止膜付合成樹脂レンズ |
US6249403B1 (en) * | 1997-05-23 | 2001-06-19 | Hitachi, Ltd. | Magnetic hard disk drive and process for producing the same |
JP3066863B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2000-07-17 | 日新電機株式会社 | 耐紫外線物品の製造方法 |
JP3693316B2 (ja) * | 1998-04-30 | 2005-09-07 | 株式会社豊田中央研究所 | 被覆部材の製造方法 |
US6475573B1 (en) * | 1999-05-03 | 2002-11-05 | Guardian Industries Corp. | Method of depositing DLC inclusive coating on substrate |
US6284377B1 (en) * | 1999-05-03 | 2001-09-04 | Guardian Industries Corporation | Hydrophobic coating including DLC on substrate |
KR100336621B1 (ko) * | 2000-02-15 | 2002-05-16 | 박호군 | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 |
DE10026299A1 (de) * | 2000-05-26 | 2001-11-29 | Sunyx Surface Nanotechnologies | Substrat mit gering lichtstreuender, ultraphober Oberfläche und Verfahren zu seiner Herstellung |
US20040191480A1 (en) * | 2000-09-27 | 2004-09-30 | Yasushi Karasawa | Structural member superior in water repellency and method for manufacturing the same |
AUPR179500A0 (en) * | 2000-11-30 | 2000-12-21 | Saintech Pty Limited | Ion source |
DE10110589A1 (de) * | 2001-03-06 | 2002-09-12 | Creavis Tech & Innovation Gmbh | Geometrische Formgebung von Oberflächen mit Lotus-Effekt |
AU2002305393A1 (en) * | 2001-05-04 | 2002-11-18 | General Atomics | O2 and h2o barrier material |
US6737105B2 (en) * | 2001-07-27 | 2004-05-18 | Vtec Technologies, Inc. | Multilayered hydrophobic coating and method of manufacturing the same |
FR2834712B1 (fr) * | 2002-01-14 | 2004-12-17 | Essilor Int | Procede de traitement d'un verre ophtalmique |
DE60326959D1 (de) * | 2002-08-08 | 2009-05-14 | Essilor Int | Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht von stabilisiertem fluorhaltigen silika, so beschichtetes substrat und so erhaltene ophthalmische linse |
WO2004108981A1 (ja) * | 2003-06-03 | 2004-12-16 | Shincron Co., Ltd. | 薄膜の形成方法及びその形成装置 |
US7846738B2 (en) * | 2003-08-15 | 2010-12-07 | President And Fellows Of Harvard College | Study of polymer molecules and conformations with a nanopore |
US7374642B2 (en) * | 2004-01-30 | 2008-05-20 | Deutchman Arnold H | Treatment process for improving the mechanical, catalytic, chemical, and biological activity of surfaces and articles treated therewith |
US9523144B2 (en) * | 2004-01-30 | 2016-12-20 | Beamalloy Reconstructive Medical Products, Llc | Orthopaedic implants having self-lubricated articulating surfaces designed to reduce wear, corrosion, and ion leaching |
US20080026548A1 (en) * | 2004-04-09 | 2008-01-31 | Noriaki Tani | Film Forming Apparatus and Film Forming Method |
US6991826B2 (en) * | 2004-04-20 | 2006-01-31 | 3M Innovative Properties Company | Antisoiling coatings for antireflective substrates |
US20090078326A1 (en) * | 2004-06-14 | 2009-03-26 | Arizona Board Of Regents For And On Behalf Of Arizona State University | Light-driven microfluidic devices and amplification of stimulus-induced wetting |
US7159251B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-01-09 | Philip Hennessy | Water saver flush system |
US20060078724A1 (en) * | 2004-10-07 | 2006-04-13 | Bharat Bhushan | Hydrophobic surface with geometric roughness pattern |
DE102004056965A1 (de) | 2004-11-25 | 2006-06-08 | Rodenstock Gmbh | Verbesserung der Haftung von hydrophoben Beschichtungen auf Brillengläsern |
JP5051453B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2012-10-17 | 株式会社豊田中央研究所 | 非晶質炭素膜、その形成方法、および非晶質炭素膜を備えた高耐摩耗摺動部材 |
EP1746720B1 (en) * | 2005-07-21 | 2008-04-16 | Alcatel Lucent | Adaptive Digital Pre-Distortion System |
US8945684B2 (en) * | 2005-11-04 | 2015-02-03 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Process for coating an article with an anti-fouling surface coating by vacuum evaporation |
FR2893266B1 (fr) * | 2005-11-14 | 2007-12-21 | Commissariat Energie Atomique | Produit superhydrophile ou superhydrophobe, procede pour sa realisation et utilisation de ce produit |
JP4759377B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-08-31 | Hoya株式会社 | 薄膜及び光学部材の製造方法 |
JP5135753B2 (ja) * | 2006-02-01 | 2013-02-06 | セイコーエプソン株式会社 | 光学物品 |
US20070187227A1 (en) * | 2006-02-15 | 2007-08-16 | Marinero Ernesto E | Method for making a perpendicular magnetic recording disk |
JP4873455B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-02-08 | 株式会社シンクロン | 光学薄膜形成方法および装置 |
JP2008026752A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Nec Lcd Technologies Ltd | カラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板の修正方法及びカラー液晶表示装置 |
EP2065736B1 (en) * | 2006-08-09 | 2020-09-30 | Tokyo University of Science Educational Foundation Administrative Organization | Anti-reflection structure body, method of producing the same and method of producing optical member |
JP4462273B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2010-05-12 | セイコーエプソン株式会社 | 光学物品およびその製造方法 |
US20080248263A1 (en) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Applied Microstructures, Inc. | Method of creating super-hydrophobic and-or super-hydrophilic surfaces on substrates, and articles created thereby |
JP2009015077A (ja) * | 2007-07-05 | 2009-01-22 | Hoya Corp | 一眼レフレックスカメラ用ファインダー光学系及び一眼レフレックスカメラ |
US8893711B2 (en) * | 2007-10-18 | 2014-11-25 | Alliance For Sustainable Energy, Llc | High temperature solar selective coatings |
CN102076880B (zh) * | 2008-06-30 | 2012-11-21 | 株式会社新柯隆 | 蒸镀装置及薄膜装置的制造方法 |
US20110111581A1 (en) * | 2008-06-30 | 2011-05-12 | Shincron Co., Ltd. | Deposition apparatus and manufacturing method of thin film device |
JPWO2010018639A1 (ja) * | 2008-08-15 | 2012-01-26 | 株式会社シンクロン | 蒸着装置及び薄膜デバイスの製造方法 |
JP5036827B2 (ja) * | 2008-09-05 | 2012-09-26 | 株式会社シンクロン | 成膜方法及び撥油性基材 |
JP4688230B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2011-05-25 | 株式会社シンクロン | 成膜方法 |
JP4642891B2 (ja) * | 2008-09-25 | 2011-03-02 | 株式会社シンクロン | 光学フィルターの製造方法 |
US20100102025A1 (en) * | 2008-10-28 | 2010-04-29 | Essilor International (Compagnie Generale D'optique) | Method and apparatus for marking coated ophthalmic substrates or lens blanks having one or more electrically conductive layers |
EP2762605B1 (en) * | 2011-09-30 | 2020-05-06 | Shincron Co., Ltd. | Film formation method and film formation apparatus |
KR101312752B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2013-09-27 | 신크론 컴퍼니 리미티드 | 성막방법 및 성막장치 |
CN104024175A (zh) * | 2011-12-28 | 2014-09-03 | 旭硝子株式会社 | 带防污膜的基体及其制造方法 |
US10569291B2 (en) * | 2014-05-23 | 2020-02-25 | Shincron Co., Ltd. | Film formation method and film formation apparatus for thin film |
-
2009
- 2009-08-24 JP JP2009550117A patent/JP5036827B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-24 US US13/059,145 patent/US9315415B2/en active Active
- 2009-08-24 KR KR1020107006280A patent/KR101302237B1/ko active IP Right Grant
- 2009-08-24 EP EP09811414A patent/EP2333132A4/en not_active Withdrawn
- 2009-08-24 CN CN200980100652XA patent/CN102084025B/zh active Active
- 2009-08-24 WO PCT/JP2009/064730 patent/WO2010026887A1/ja active Application Filing
- 2009-09-03 TW TW98129691A patent/TWI467039B/zh active
-
2010
- 2010-07-02 JP JP2010152079A patent/JP5116812B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-29 HK HK11110281.4A patent/HK1156083A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-05-09 JP JP2012107963A patent/JP5147028B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-29 US US15/055,660 patent/US20160177451A1/en not_active Abandoned
-
2019
- 2019-04-24 US US16/392,965 patent/US20190249307A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201016866A (en) | 2010-05-01 |
CN102084025B (zh) | 2013-12-04 |
EP2333132A1 (en) | 2011-06-15 |
JP5036827B2 (ja) | 2012-09-26 |
US9315415B2 (en) | 2016-04-19 |
JPWO2010026887A1 (ja) | 2012-02-02 |
JP2012188759A (ja) | 2012-10-04 |
KR101302237B1 (ko) | 2013-09-02 |
US20190249307A1 (en) | 2019-08-15 |
WO2010026887A1 (ja) | 2010-03-11 |
EP2333132A4 (en) | 2013-01-30 |
KR20110053207A (ko) | 2011-05-19 |
US20160177451A1 (en) | 2016-06-23 |
JP5116812B2 (ja) | 2013-01-09 |
HK1156083A1 (en) | 2012-06-01 |
US20110151247A1 (en) | 2011-06-23 |
TWI467039B (zh) | 2015-01-01 |
JP2010222709A (ja) | 2010-10-07 |
CN102084025A (zh) | 2011-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5147028B2 (ja) | 成膜方法及び撥油性基材 | |
JP4688230B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP4906014B1 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4753973B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
WO2013047605A1 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
WO2013105243A1 (ja) | 防汚膜の成膜方法 | |
KR101541256B1 (ko) | 이온소스를 활용한 알루미늄 금속층위에 hmdso층 및 af층이 함께 형성되는 코팅방법 | |
JP5769857B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2022162906A (ja) | 成膜装置及びこれを用いた成膜方法 | |
JP5638147B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP5354757B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20120802 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120905 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5147028 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |