JP5143362B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在、最も広く使用されている平板表示装置のうちの１つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極が形成されている２枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層からなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって、映像を表示する。

その中でも、電界が印加されない状態で液晶分子の長軸を上下表示板に対して垂直をなすように配列した垂直配向モード液晶表示装置は、コントラスト比が大きく広い基準視野角実現が容易であるため、脚光を浴びている。ここで、基準視野角とは、コントラスト比が１:１０の視野角または階調間輝度反転限界角度を意味する。
垂直配向モード液晶表示装置において、広視野角を実現するための手段としては、電界生成電極に切開部を形成する方法と、電界生成電極上に突起を形成する方法などがある。切開部と突起によって液晶分子が傾斜する方向を決定することができるので、これらを用いて液晶分子の傾斜方向をいろいろな方向に分散させることにより基準視野角を広くすることができる。

しかし、垂直配向方式の液晶表示装置は前面視認性に比べて側面視認性が劣るという問題点がある。例えば、切開部を備えるＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ａｌｉｇｎｅｄ）方式の液晶表示装置の場合には、側面に行くほど映像が明るくなって、激しい場合には高い階調の間の輝度差がなくなり映像が歪んで見える場合も発生する。

このような問題点を改善するために、１つの画素を２つの副画素に分割し、２つの副画素を容量性結合させた後、一方の副画素には直接電圧を印加し、他方の副画素には容量性結合による電圧下降を生じさせて、２つの副画素の電圧を異にすることにより透過率を異ならせる方法が提示された。
一方、画素電極とデータ線の間には寄生容量が生成されて、縦縞の染みやスティッチ不良など多様な不良が現れる。特に、ノーマリーブラック方式の液晶表示装置の場合には、ノーマリーホワイト方式の液晶表示装置に比べてこのような不良がさらに目立つようになる。

これを改善するために、データ線と画素電極の間に維持電極を設ける方法が提示された（例えば、特許文献１）。
《先行技術文献》
<特許文献>
<特許文献１> 特開２００４−２１３０１１号公報

ところが、このような維持電極を、前述した左右に分離された２つの副画素を有する液晶表示装置に適用する場合、整列偏差により２つの副画素の保持容量が一定でなく変わることがある。これによって、キックバック電圧と充電率に差が出て、そのためフリッカー、残像、染みなどが生じ得る。
そこで、本発明が目的とする技術的課題は、このような問題点を解決することである。

本発明の１つの特徴による表示装置は、行列状に配列されていて、各々第１及び第２副画素電極を有する複数の画素電極と、前記第１副画素電極と接続されている複数の第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子と接続されている複数のゲート線と、前記第１スイッチング素子と接続され、前記画素電極の間を通過し、データ電圧を伝達する複数のデータ線と、前記画素電極とその両側に位置した前記データ線の間に配置されていて、前記第１副画素電極と重畳する第１及び第２維持電極とを有する。

前記第１副画素電極は、前記第１及び第２維持電極上に位置する第１及び第２境界線を有するように構成できる。
前記第１副画素電極は、前記第２副画素電極を囲むように構成できる。
前記液晶表示装置は、前記第２副画素電極と重畳し、前記第１副画素電極とは重畳しない第３維持電極をさらに有するように構成できる。

前記液晶表示装置は、前記第２副画素電極と接続されており、前記第３維持電極との距離が前記第２副画素電極より近く、前記第３維持電極と重畳する導電体をさらに有するように構成できる。
前記導電体は、前記第３維持電極上に位置して互いに対向する一対の境界線を有するように構成できる。

本発明の一実施形態によれば、前記第２副画素電極、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている第２スイッチング素子をさらに有するように構成でき、この時、各画素の第１及び第２副画素電極に印加されるデータ電圧の大きさは互いに異なり、１つの映像情報から得られるように構成できる。前記第２副画素電極は、所定の電圧に対して前記第１副画素電極より高いデータ電圧の印加を受けることができ、前記第１副画素電極の面積は前記第２副画素電極の面積より大きく構成できる。前記第２副画素電極に対するデータ電圧の印加終点は、前記第１副画素電極に対するデータ電圧の印加終点より遅くなるように構成できる。

前記液晶表示装置は、前記第２副画素電極と重畳し、前記第１副画素電極とは重畳しない第３維持電極をさらに有するように構成できる。
前記第２スイッチング素子は、前記ゲート線と接続されているゲート電極、前記データ線と接続されているソース電極及び前記第２副画素電極と接続されているドレイン電極を有し、前記ドレイン電極は、前記第３維持電極と重畳し、前記第３維持電極との距離が前記第２副画素電極より近い拡張部を有するように構成できる。前記ドレイン電極の拡張部は、前記第３維持電極上に位置して互いに対向する一対の境界線を有するように構成できる。

本発明の他の実施形態によれば、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは容量性結合されるように構成できる。前記第１スイッチング素子は、前記ゲート線と接続されているゲート電極、前記データ線と接続されているソース電極及び前記第１副画素電極と接続されているドレイン電極を有し、前記ドレイン電極は、前記第２副画素電極と重畳する結合電極を有するように構成できる。前記容量性結合によって前記第２副画素電極に誘導される電圧は、所定の電圧に対して前記第１副画素電極の電圧より低くなるように構成でき、この時、前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極の面積より大きくなるように構成できる。

前記第１及び第２副画素電極は自身と接続されたゲート線と重畳しなくてもよい。

本発明によれば、１つの副画素を両側の維持電極と重畳させ、他の副画素電極をその内部に形成することによって、各副画素の保持容量を一定に維持することができる。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な相異な形態に実現でき、ここに説明する実施形態に限定されない。
図面において、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似した部分については同一の図面符号を付した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとする時、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上に”あるとする時は、中間に他の部分がないことを意味する。

図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図であり、図２は本発明の一実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図であり、図３は本発明の一実施形態による液晶表示装置の１つの副画素に対する等価回路図である。
図１に示すように、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３００、これに接続された一対のゲート駆動部４００ａ、４００ｂ及びデータ駆動部５００、データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部８００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を有する。

液晶表示板組立体３００は、等価回路的には、複数の表示信号線と、これに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素ＰＸを有する。反面、図３に示した構造を参考にすれば、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する下部及び上部表示板１００、２００と、その間に入っている液晶層３を有する。
表示信号線は下部表示板１００に設けられており、ゲート信号（“走査信号”とも言う）を伝達する複数のゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbと、データ信号を伝達するデータ線Ｄ₁−Ｄ_mを有する。ゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbは、ほぼ行方向に延在して、互いにほぼ平行であり、データ線Ｄ₁−Ｄ_mは、ほぼ列方向に延在して、互いにほぼ平行である。

図２には、表示信号線と画素の等価回路が示されているが、図面符号ＧＬａ、ＧＬｂで示したゲート線と、図面符号ＤＬで示したデータ線以外にも、表示信号線はゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbとほぼ並んで延在した維持電極線ＳＬを有する。
図２を参考にすれば、各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸa、ＰＸbを有し、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂは、該当ゲート線ＧＬａ、ＧＬｂ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂと、これに接続された液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃ_LCａ、Ｃ_LCｂと、スイッチング素子Ｑａ、Ｑｂ及び維持電極線ＳＬに接続されているストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ） Ｃ_STａ、Ｃ_STｂとを有する。ストレージキャパシタＣ_STａ、Ｃ_STｂは必要に応じて省略することができ、この場合には維持電極線ＳＬも必要ない。

図３に示すように、各副画素ＰＸａ、ＰＸｂのスイッチング素子Ｑは、下部表示板１００に設けられた薄膜トランジスタなどでなり、ゲート線ＧＬに接続されている制御端子と、データ線ＤＬに接続されている入力端子と、液晶キャパシタＣ_LC及びストレージキャパシタＣ_STに接続されている出力端子とを有する三端子素子である。
液晶キャパシタＣ_LCは、下部表示板１００の副画素電極ＰＥと上部表示板２００の共通電極ＣＥを２つの端子とし、２つの電極ＰＥ、ＣＥの間の液晶層３は誘電体として機能する。副画素電極ＰＥはスイッチング素子Ｑに接続され、共通電極ＣＥは上部表示板２００の全面に形成されており、共通電圧Ｖｃｏｍの印加を受ける。

液晶キャパシタＣ_LCの補助的な役割を果たすストレージキャパシタＣ_STは、下部表示板１００に設けられた維持電極線ＳＬと画素電極ＰＥが絶縁体を介在して重畳してなり、維持電極線ＳＬには共通電圧Ｖｃｏｍなどの決められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタＣ_STは、副画素電極ＰＥが絶縁体を媒介としてすぐ上の前段ゲート線と重畳して構成することができる。

一方、色表示を実現するためには各画素が原色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを固有に表示したり（空間分割）、各画素が時間によって交互に三原色を表示するように（時間分割）し、これら三原色の空間的、時間的合計によって所望の色相を表示するように構成できる。原色の例としては、赤色、緑色及び青色がある。図３は、空間分割の一例であって、各画素が上部表示板２００の領域に原色のうちの１つの色のカラーフィルタＣＦを備えている様子を示す。図３とは異なって、カラーフィルタＣＦは下部表示板１００の副画素電極ＰＥ上または下に形成することもできる。

図１に示すように、ゲート駆動部４００ａ、４００ｂは、ゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbに接続されて、外部からのゲートオン電圧Ｖｏｎとゲートオフ電圧Ｖｏｆｆの組み合わせからなるゲート信号をゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbに印加する。図１には、一対のゲート駆動部４００ａ、４００ｂが各々液晶表示板組立体３００の左右に位置し、奇数番目及び偶数番目ゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbに各々接続されている。しかし、場合によってはゲート駆動部を１つだけ設けた構成とすることもできる。

階調電圧生成部８００は、画素の透過率と関わる２つの階調電圧集合（または、基準階調電圧集合）を生成する。２つの階調電圧集合は、１つの画素を構成する２つの副画素に独立的に提供されるものであって、各階調電圧集合は、共通電圧Ｖｃｏｍに対して正の値を有するものと、負の値を有するものを含む。しかし、２つの（基準）階調電圧集合の代わりに、１つの（基準）階調電圧集合のみを生成することもできる。

データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００のデータ線Ｄ₁−Ｄ_mに接続され、階調電圧生成部８００からの２つの階調電圧集合のうちの１つを選択し、選択された階調電圧集合に属する１つの階調電圧をデータ電圧として画素に印加する。しかし、階調電圧生成部８００が全階調に対する電圧を全て提供せず、基準階調電圧のみを提供する場合、データ駆動部５００は、基準階調電圧を分圧して全体階調に対する階調電圧を生成し、この中でデータ電圧を選択するように構成できる。

ゲート駆動部４００ａ、４００ｂまたはデータ駆動部５００は、複数の駆動集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着することができ、可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されて、ＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着される構成とすることもできる。これとは異なって、ゲート駆動部４００ａ、４００ｂまたはデータ駆動部５００を、表示信号線Ｇ_1a−Ｇ_nb、Ｄ₁−Ｄ_mと薄膜トランジスタスイッチング素子Ｑなどと共に液晶表示板組立体３００に集積することもできる。

信号制御部６００は、ゲート駆動部４００ａ、４００ｂ及びデータ駆動部５００などの動作を制御する。
以下、前述した液晶表示板組立体の例について、図４〜図６を参照して詳細に説明する。
図４は本発明の一実施形態による液晶表示板組立体の配置図であり、図５及び図６は各々図４の液晶表示板組立体をV-V'線及びVI-VI'線に沿って切断した断面図である。

図４〜図６に示すように、本実施形態による液晶表示板組立体３００は、下部表示板１００、これと対向している上部表示板２００及びこれらの間に入っている液晶層３を有する。
まず、下部表示板１００について詳細に説明する。
透明なガラスなどからなる絶縁基板１１０上に、複数対の第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと、複数の維持電極線１３１が形成されている。

ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、主に横方向に延在して、物理的、電気的に互いに分離されており、ゲート信号を伝達する。第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、各々上側及び下側に配置されており、下上に突出した複数の第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを有する。ゲート線１２１ａ、１２１ｂは、また、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広く、左側または右側に配置されている端部１２９を有する。

維持電極線１３１は、主に横方向に延在して、第１ゲート線１２１ａからの距離が第２ゲート線１２１ｂからの距離とほとんど同一である。各維持電極線１３１は、複数対の第１及び第２線状維持電極１３７ａ、１３７ｂと、第１線状維持電極１３７ａに隣接した板状維持電極１３７ｃとを有する。維持電極１３７ａ−１３７ｂは、維持電極線１３１を中心に下上に延在している。しかし、維持電極１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃを始めとする維持電極線１３１の形状及び配置はいろいろな形態に変更することができる。

ゲート線１２１と維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）とアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）と銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）と銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）とモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）などからなることが好ましい。しかし、ゲート線１２１と維持電極線１３１は、物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造とすることができる。このうちの１つの導電膜は、ゲート線１２１と維持電極線１３１の信号遅延や電圧降下を低減できるように、低い比抵抗の金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成する。これとは異なって、他の導電膜は、異なる物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、タンタルなどで形成する。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム上部膜、及びアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜がある。しかし、ゲート線１２１と維持電極線１３１は、その他にも多様な金属と導電体で作ることができる。

また、ゲート線１２１と維持電極線１３１の側面は、基板１１０の表面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０〜８０゜である。
ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１４０が形成されている。
前記ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）または多結晶シリコンなどからなる複数の島型半導体１５４、１５６が形成されている。島型半導体１５４は第１及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上に位置し、島型半導体１５６はゲート電極１２１付近のゲート線１２１ａ、１２１ｂ部分上に位置する。

半導体１５４、１５６上にはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ+水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた複数の島型抵抗性接触部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６３、１６５、１６６が形成されている。
半導体１５４、１５６と抵抗性接触部材１６３、１６５、１６６の側面もまた基板１１０の表面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０〜８０゜である。

抵抗接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、各々複数のデータ線１７１と複数対の第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが形成されている。
データ線１７１は、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差し、データ電圧を伝達する。各データ線１７１の左右には第２及び第１維持電極１３７ｂ、１３７ａが位置し、データ線１７１はこれらと重畳せず離れている。各データ線１７１は、第１及び第２ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに向かって各々延在した複数の第１及び第２ソース電極１７３ａ、１７３ｂを有し、他の層または外部装置との接続のために幅が拡張されている端部１７９を有する。

第１ドレイン電極１７５ａは、半導体１５４の上に位置する棒状端部から出発して、ほぼ横方向に短く延在し、その端部に面積が広い拡張部１７７ａを有する。第２ドレイン電極１７５ｂは、半導体１５４上に位置した棒状端部から出発して、板状維持電極１３７ｃと重畳する面積が広い拡張部１７７ｂを有する。第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂは、全体が板状維持電極１３７ｃ上に位置し、特に拡張部１７７ｂの左右辺が板状維持電極１３７ｃの左右辺と一定の距離を置いていることが好ましい。

各ソース電極１７３ａ、１７３ｂは、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの棒状端部を囲むように曲がっている。第１／第２ゲート電極１２４ａ／１２４ｂ、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂ及び第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂは、半導体１５４と共に第１／第２薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｑａ／Ｑｂをなし、薄膜トランジスタＱａ／Ｑｂのチャンネルは、第１／第２ソース電極１７３ａ／１７３ｂと第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂの間の半導体１５４に形成される。

データ線１７１とドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは、クロム、モリブデン系金属、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属からなることが好ましく、耐火性金属などの下部膜（図示せず）とその上に位置した低抵抗物質の上部膜（図示せず）からなる多層膜構造を有することができる。多層膜構造の例としては、前述したクロム下部膜とアルミニウム上部膜、またはアルミニウム下部膜とモリブデン上部膜の二重膜以外にも、モリブデン膜−アルミニウム膜−モリブデン膜の三重膜がある。

データ線１７１及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂもゲート線１２１及び維持電極線１３１と同様に、その側面が基板１１０の表面に対して約３０〜８０゜の角度で傾斜している。
抵抗性接触部材１６３、１６５、１６６は、その下部の半導体１５４、１５６と、その上部のデータ線１７１及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間にだけ存在し、接触抵抗を低くする役割を果たす。島型半導体１５６及び抵抗性接触部材１６６は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂとデータ線１７１とが重畳する部分に位置し、表面のプロファイルをスムースにすることによってデータ線１７１の断線を防止する。

データ線１７１及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと半導体１５４、１５６の露出された部分の上には保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素または酸化ケイ素からなる無機物、平坦化特性に優れて感光性を有する有機物、またはプラズマ化学気相蒸着（ｐｌａｓｍａ ｅｎｈａｎｃｅｄ ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＥＣＶＤ）によって形成されるａ-Ｓｉ:Ｃ:Ｏ、ａ-Ｓｉ:Ｏ:Ｆなどの低誘電率絶縁物質などからなる。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた特性を生かしながらも半導体１５４の露出された部分を保護するために、下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有する構成とすることができる。

保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの拡張部１７７ａ、１７７ｂを各々露出する複数の接触孔１８２、１８５ａ、１８５ｂが形成されており、保護膜１８０及びゲート絶縁膜１４０には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂを露出する複数の接触孔１８１ａ、１８１ｂが形成されている。

保護膜１８０上には、第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂを各々有する複数の画素電極１９０と、複数の接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２が形成されている。画素電極１９０及び接触補助部材８１、８２は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電体またはアルミニウムなどの反射性導電体からなる。
第１／第２副画素電極１９０ａ／１９０ｂは、接触孔１８５ａ／１８５ｂを通じて第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂと物理的・電気的に接続され、第１／第２ドレイン電極１７５ａ／１７５ｂからデータ電圧の印加を受ける。

データ電圧が印加された副画素電極１９０ａ、１９０ｂは、共通電極２７０と共に電場を生成することによって、２つの電極１９０、２７０の間の液晶層３の液晶分子の配列を決定する。
また、前述したように、各副画素電極１９０ａ、１９０ｂと共通電極２７０は、液晶キャパシタＣ_LCａ、Ｃ_LCｂをなして薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂがターンオフした後にも印加された電圧を維持する。電圧維持能力を強化するために、液晶キャパシタＣ_LCａ、Ｃ_LCｂと並列に接続されたストレージキャパシタＣ_STａ、Ｃ_STｂは、第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂ及びこれに接続されているドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと線状維持電極１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃの重畳などにより構成される。

図４に示すように、第１副画素電極１９０ａは第１及び第２線状維持電極１３７ａ、１３７ｂと重畳し、第２副画素電極１９０ｂは板状維持電極１３７ｃ及び第２ドレイン電極１７５ｂと重畳する。特に、第１副画素電極１９０ａの左側及び右側辺は各々第１及び第２線状維持電極１３７ａ、１３７ｂ上に位置する。これによって、第１副画素電極１９０ａの位置が維持電極１３７ａ、１３７ｂに対して左右に偏差が生じても、第１副画素電極１９０ａと維持電極１３７ａ、１３７ｂがなす保持容量が一定である。また、前述したように、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部１７７ｂの左右辺が、板状維持電極１３７ｃの左右辺と一定の距離を置いていることが好ましい。これによって、第２ドレイン電極１７５ｂの位置が維持電極１３７ｃに対して左右に偏差が生じても、第２ドレイン電極１７５ｂと維持電極１３７ｃがなす保持容量が一定である。勿論、ここに第２副画素電極１９０ｂと維持電極１３７ｃがなす保持容量が加えられなければならないが、第２ドレイン電極１７５ｂと維持電極１７５ｃがなす保持容量が、第２副画素電極１９０ｂと維持電極１３７ｃがなす保持容量よりはるかに大きいため、第２副画素電極１９０ｂにかかる全体保持容量をほぼ一定に維持することができる。

１つの画素電極１９０を構成する一対の第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂは、間隙９４を間に置いて互いに噛み合っており、第１副画素電極１９０ａが第２副画素電極１９０ｂをほとんど囲んでいる。
第１副画素電極１９０ａの外側境界は、ほぼ四角形であり、中央に位置した回転した等辺台形の中央部、ほぼ直角三角形または直角台形を有する一対の縁部、及びこれらを接続する複数の線状接続部及び延長部を有する。第１副画素電極１９０ａの延長部は、中央部から第２線状維持電極１３７ｂに沿って下側に延在している。第２副画素電極１９０ｂは、中央に位置し、縦方向に長い直線部とその両端に接続されている一対の斜線部を有する。

第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂは、維持電極線１３１に対してほぼ反転対称（ｉｎｖｅｒｓｉｏｎ ｓｙｍｍｅｔｒｙ）をなす。第１副画素電極１９０ａの面積は第２副画素電極１９０ｂの面積より大きいことが好ましく、特に第１副画素電極１９０ａの面積が第２副画素電極１９０ｂの面積に比べて１．５倍以上であることが視認性確保のためにさらに好ましい。

第１ゲート線１２１ａは画素電極１９０の上側に位置し、第２ゲート線１２１ｂは画素電極１９０の下側に位置し、画素電極１９０は第１及び第２ゲート線１２１ａ、１２１ｂと離れていて重畳しない。
このような第１及び第２副画素電極１９０ａ、１９０ｂの形状は変更することができる。

接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、接触孔１８１ａ、１８１ｂ、１８２を通じてゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の端部１７９と各々接続される。接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２は、ゲート線１２１ａ、１２１ｂの端部１２９ａ、１２９ｂ及びデータ線１７１の各端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

図１に示したゲート駆動部４００ａ、４００ｂまたはデータ駆動部５００が組立体３００上に集積される場合には、ゲート線１２１ａ、１２１ｂまたはデータ線１７１を延長してこれらと直接接続することができ、この場合には、接触補助部材８１ａ、８１ｂ、８２を、ゲート線１２１ａ、１２１ｂまたはデータ線１７１とこれら駆動部４００ａ、４００ｂ、５００を接続するのに用いることができる。

画素電極１９０及び保護膜１８０上には、液晶層を配向することができる配向膜１１が塗布されている。
次に、上部表示板２００について説明する。
透明なガラスなどからなる絶縁基板２１０上に光漏れを防止するためのブラックマトリックスという遮光部材２２０が形成されている。遮光部材２２０は、画素電極１９０と対向し、画素電極１９０とほとんど同一の形状を有する複数の開口部を有している。これとは異なって、遮光部材２２０は、データ線１７１に対応する部分と薄膜トランジスタに対応する部分に構成することができる。しかし、遮光部材２２０は、画素電極１９０と薄膜トランジスタＱａ、Ｑｂ付近での光漏れを遮断するために多様な形状に構成することができる。

基板２１０上には、また、複数のカラーフィルタ２３０が形成されている。カラーフィルタ２３０は遮光部材２２０で囲まれた領域内にほとんど位置し、画素電極１９０に沿って縦方向に長く延在するように構成できる。カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色などの原色のうちの１つを表示するように構成できる。
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０の上には、カラーフィルタ２３０が露出されることを防止し、平坦面を提供するための蓋膜２５０が形成されている。

蓋膜２５０の上にはＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な導電体などからなる共通電極２７０が形成されている。
共通電極２７０は複数の切開部２７１−２７４集合を有する。
１つの切開部集合２７１−２７４は、１つの画素電極１９０と対向し、一対の中央切開部２７１、２７２と上部及び下部切開部２７３、２７４を有する。中央切開部２７１と上部及び下部切開部２７３、２７４は第１副画素電極１９０ａと重畳し、中央切開部２７２は第２副画素電極１９０ｂと重畳する。切開部２７１−２７４各々は、副画素電極１９０ａ、１９０ｂの斜辺とほぼ平行に副画素電極１９０ａ、１９０ｂを横切っており、そのため各切開部集合２７１−２７４は少なくとも１つの斜線部を有する。１つの切開部集合２７１−２７４は維持電極線１３１に対してほぼ反転対称である。

中央切開部２７１は、ほぼ画素電極１９０の中心から斜めに画素電極１９０の右側辺に向かって延在した一対の斜線部、及び斜線部の各端から出発して画素電極１９０の右側辺に沿って右側辺と重畳しながら延在し、斜線部と鈍角をなす一対の縦部を有する。
中央切開部２７２は、ほぼ画素電極１９０の左側辺中央から下上に延在して維持電極１３７ｃと重畳する縦部、縦部の両端から出発して斜めに画素電極１９０の右側辺に向かって延在した一対の斜線部、及び斜線部の各端から出発して第２副画素電極１９０ｂの右側辺に沿って右側辺と重畳しながら延在し、斜線部と鈍角をなす縦部を有する。

切開部２７１−２７４の数は設計要素によって変わることができ、遮光部材２２０が切開部２７１−２７４と重畳することで切開部２７１−２７４付近の光漏れを遮断することができる。
共通電極２７０上には液晶分子を配向する配向膜２１が塗布されている。
表示板１００、２００の外側面には直交偏光板１２、２２が備えられており、２つの偏光板１２、２２の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸（または吸収軸）は横方向と並んでいる。反射型液晶表示装置の場合には、２つの偏光板１２、２２のうちの１つが省略できる。

液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶分子は、電界がない場合にその長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して実質的に垂直をなすように配向されている。
共通電極２７０に共通電圧を印加し、画素電極１９０にデータ電圧を印加すれば、表示板１００、２００の表面にほぼ垂直である電界が生成される。電極１９０、２７０の切開部９４、２７１−２７４（便宜上、図面符号９４も切開部とする）は、このような電界を歪曲して切開部９４、２７１−２７４の辺に対して垂直である水平成分を生成する。そのため電界は表示板１００、２００の表面に垂直である方向に対して傾いた方向を示す。液晶分子は電界に応答して、その長軸が電界の方向に垂直をなすように方向を変えようとするが、この時、切開部９４、２７１−２７４及び画素電極１９０の辺付近の電界は、液晶分子の長軸方向と並んでおらず一定の角度をなすので、液晶分子の長軸方向と電界がなす平面上で移動距離が短い方向に液晶分子が回転する。したがって、１つの切開部集合９４、２７１−２７４と画素電極１９０の辺は、画素電極１９０上に位置した液晶層３部分を液晶分子の傾く方向が異なる複数のドメインに分け、これによって基準視野角が拡大される。

少なくとも１つの切開部２７１−２７４は、突起や陥没部に代替することができ、切開部９４、２７１−２７４の形状及び配置は変更することができる。
次に、このような液晶表示装置の表示動作について詳細に説明する。
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂ及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃ、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ、メインクロックＭＣＬＫ、データイネーブル信号ＤＥなどの提供を受ける。信号制御部６００の入力映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂと入力制御信号に基づいて映像信号Ｒ、Ｇ、Ｂを液晶表示板組立体３００の動作条件に合うように適切に処理し、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１及びデータ制御信号ＣＯＮＴ２などを生成した後、ゲート制御信号ＣＯＮＴ１をゲート駆動部４００ａ、４００ｂに送出し、データ制御信号ＣＯＮＴ２と処理した映像信号ＤＡＴをデータ駆動部５００に送出する。

ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、走査開始を指示する走査開始信号ＳＴＶと、ゲートオン電圧Ｖｏｎの出力時間を制御する少なくとも１つのクロック信号を含む。ゲート制御信号ＣＯＮＴ１は、また、ゲートオン電圧Ｖｏｎの持続時間を限定する出力イネーブル信号ＯＥを含むことができる。
データ制御信号ＣＯＮＴ２は、一束の画素ＰＸに対するデータの伝送を知らせる水平同期開始信号ＳＴＨ、データ線Ｄ₁−Ｄ_mに該当データ電圧の印加を指示するロード信号ＬＯＡＤ、及びデータクロック信号ＨＣＬＫを含む。データ制御信号ＣＯＮＴ２は、また、共通電圧Ｖｃｏｍに対するデータ電圧の極性（以下、“共通電圧に対するデータ電圧の極性”を略して“データ電圧の極性”という）を反転させる反転信号ＲＶＳを含むことができる。

信号制御部６００からのデータ制御信号ＣＯＮＴ２によって、データ駆動部５００は、一束の副画素ＰＸに対する映像データＤＡＴを受信し、階調電圧生成部８００からの２つの階調電圧集合のうちの１つの集合を選択し、選択した階調電圧集合のうちの各映像データＤＡＴに対応する階調電圧を選択することによって、映像データＤＡＴを該当データ電圧に変換した後、これを該当データ線Ｄ₁-Ｄ_mに印加する。

これとは異なって、データ駆動部５００ではなく、別途設けられた外部の選択回路で２つの階調電圧集合のうちのいずれか１つを選択してデータ駆動部５００に伝達したり、階調電圧生成部８００は値が変化する基準電圧を提供し、データ駆動部５００はこれを分圧して自ら階調電圧を生成することもできる。
ゲート駆動部４００ａ、４００ｂは、信号制御部６００からのゲート制御信号ＣＯＮＴ１によって、ゲートオン電圧Ｖｏｎをゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbに印加して、このゲート線Ｇ_1a−Ｇ_nbに接続されたスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂを導通させる。これによって、データ線Ｄ₁−Ｄ_mに印加されたデータ電圧が、導通したスイッチング素子Ｑａ、Ｑｂを介して該当副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加される。

副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加されたデータ電圧と共通電圧Ｖｃｏｍの差は、液晶キャパシタＣ_LCａ、Ｃ_LCｂの充電電圧、つまり、画素電圧として現れる。液晶分子は、画素電圧の大きさに応じてその配列を異にし、そのため液晶層３を通過する光の偏光が変化する。このような偏光の変化は表示板１００、２００に付着された偏光板１２、２２によって光の透過率変化として現れる。

前述した２つの階調電圧集合は、図７に示したように、互いに異なるガンマ曲線Ｔａ、Ｔｂを示し、これらが１つの画素ＰＸの２つの副画素ＰＸａ、ＰＸｂに印加されるので、１つの画素ＰＸのガンマ曲線は、これらを合成した曲線Ｔとなる。２つの階調電圧集合を決定する際には、合成ガンマ曲線Ｔが正面での基準ガンマ曲線に近くなるようにし、例えば、正面での合成ガンマ曲線Ｔは、最も適するように決められた正面での基準ガンマ曲線と一致するようにし、側面での合成ガンマ曲線Ｔは正面での基準ガンマ曲線と最も近くなるようにする。例えば、下方向に位置したガンマ曲線を低階調でさらに低くすれば、さらに視認性を向上することができる。

但し、充電を容易にするために、第１副画素電極１９０ａに印加される電圧が第２副画素電極１９０ｂに印加される電圧より低くなるように選択し、２つのゲート線１２１ａ、１２１ｂにゲートオン電圧を印加する時間をある程度重畳することで、不足した充電時間を増やすことができる。
１水平周期（または“１Ｈ”）[水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期]を単位として、データ駆動部５００とゲート駆動部４００ａ、４００ｂは同一の動作を繰り返す。このような方式で、１フレーム期間中、全ゲート線Ｇ_1a-Ｇ_nbに対して、順にゲートオン電圧Ｖｏｎを印加して全画素にデータ電圧を印加する。１フレームが終了すれば、次のフレームが開始し、各画素に印加されるデータ電圧の極性が直前フレームでの極性と逆になるように、データ駆動部５００に印加される反転信号ＲＶＳの状態が制御される（フレーム反転）。この時、１フレーム期間内であっても反転信号ＲＶＳの特性に応じて、１つのデータ線を介して流れるデータ電圧の極性が変わったり（例：行反転、ドット反転）、隣接データ線を介して同時に流れるデータ電圧の極性も互いに異なるように構成できる（例：列反転、ドット反転）。

図８及び図９を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示装置について説明する。
図８は本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図９は図８に示した液晶表示装置の等価回路図である。
図８及び図９に示すように、本実施形態による液晶表示装置において、各画素ＰＸは一対の副画素ＰＸａ、ＰＸｂとこれらの間に接続されている結合キャパシタＣｃｐを有する。副画素ＰＸａは、スイッチング素子Ｑ、液晶キャパシタＣ_LCａ及びストレージキャパシタＣ_STａを有し、副画素ＰＸｂは、液晶キャパシタＣ_LCｂのみを有する。

図８を参考にすれば、本実施形態による液晶表示装置も、下部表示板、これと対向している上部表示板、及びこれらの間に入っている液晶層（図示せず）を有する。
本実施形態による表示板の層状構造は、図４〜図６に示した表示板とほとんど同一なので、別途に図示しない。
薄膜トランジスタ表示板について説明すると、ゲート電極１２４を含む複数のゲート線１２１、及び線状維持電極１３３ａ、１３３ｂを含む複数の維持電極線１３１が基板１１０上に形成されており、その上にゲート絶縁膜１４０、複数の半導体１５４、複数の島型抵抗性接触部材（図示せず）が順に形成されている。ソース電極１７３を有する複数のデータ線１７１と複数のドレイン電極１７５が抵抗性接触部材上に形成されており、保護膜１８０がその上に形成されている。保護膜１８０には複数の接触孔１８５が形成されている。保護膜１８０上には副画素電極１９０ａ、１９０ｂを含む複数の画素電極１９０が形成されており、その上に配向膜１１が塗布されている。

共通電極表示板について説明すると、遮光部材（図示せず）、複数のカラーフィルタ（図示せず）、蓋膜（図示せず）、複数の切開部２７５−２７７を有する共通電極（図示せず）、及び配向膜（図示せず）が絶縁基板（図示せず）上に形成されている。
しかし、図８及び図９に示したように、本実施形態による液晶表示装置には、ゲート線１２１と薄膜トランジスタＱが１つだけ設けられており、第１副画素電極１９０ａだけが薄膜トランジスタＱを通じてゲート線１２１及びデータ線１７１に接続されており、第２副画素電極１９０ｂは薄膜トランジスタのドレイン電極１７５と重畳して結合キャパシタＣｃｐを構成している。第２副画素電極１９０ｂは第１副画素電極１９０ａとの容量性結合によって誘導される電圧を有し、この電圧は第１副画素電極１９０ａの電圧より低い。

より詳しくは、画素電極１９０の下側にゲート線１２１が位置し、ゲート線１２１には上下に突出したゲート電極１２４が形成されている。ゲート電極１２４上には半導体１５４と抵抗性接触部材が位置し、その上にはＵ字状のソース電極１７３とドレイン電極１７５の一端部が位置する。ドレイン電極１７５は、上に延在して幅が拡張され、第１副画素電極１９０ａの下に位置した拡張部１７７を有し、拡張部１７７から第２副画素電極１９０ｂの下に結合電極１７６が延在している。

図４に示した液晶表示装置とは異なって、第１副画素電極１９０ａは台形中央部を有せず、その領域を第２副画素電極１９０ｂが占めてほぼ台形をなす。その代わりに、第１副画素電極１９０ａは、第２副画素電極１９０ｂの台形下辺とほぼ平行である線状接続部を有している。そのため第２副画素電極１９０ｂの面積が第１副画素電極１９０ａの面積より大きく、約１．５倍程度であることが視認性改善のために好ましい。

第２副画素電極１９０ｂは、第１副画素電極１９０ａで完全に囲まれており、その右側辺から左側辺に向かって横方向に延在した線状切開部９１を有している。
共通電極が有している切開部２７５−２７７集合各々は、１つの中央切開部２７５と上部及び下部切開部２７６、２７７を有する。中央切開部２７５はほぼ画素電極１９０の左側辺中央から斜めに画素電極１９０の右側辺に向かって延在した一対の斜線部、及び斜線部の各端から出発して画素電極１９０の右側辺に沿って右側辺と重畳しながら延在し、斜線部と鈍角をなす一対の縦部を有する。中央切開部２７５は２つの斜線部が合う地点では左側に多少突出している。

維持電極線１３１は、画素電極１９０の下辺と上辺に完全に重畳する一対の幹部を有し、維持電極１３３ａ、１３３ｂは２つの幹部に全て接続されている。第１副画素電極１９０ａは２つの維持電極１３３ａ、１３３ｂと全て重畳し、特に第１副画素電極１９０ａの左側辺及び右側辺が各々維持電極１３３ａ、１３３ｂ上に位置している。第２副画素電極１９０ｂは維持電極線１３１と重畳しない。

半導体１５４は、ソース電極１７３及びドレイン電極１７５が合うゲート電極１２４の境界線を覆って、この部分でソース電極１７３及びドレイン電極１７５が断線しないようにする。
前述したように、このような実施形態において、低い電圧が印加される副画素電極の大きさが、高い電圧が印加される副画素電極の大きさ以上であることが視認性改善のために好ましい。

以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるわけではなく、添付した特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。

本発明の一実施形態による液晶表示装置のブロック図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の１つの副画素に対する等価回路図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図４の液晶表示板組立体をV-V'線に沿って切断した断面図である。 図４の液晶表示板組立体をVI-VI'線に沿って切断した断面図である。 本発明の一実施形態による液晶表示装置のガンマ曲線である。 本発明の他の実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図８に示した液晶表示装置の等価回路図である。

符号の説明

３ 液晶層
１１ 配向膜
１００、２００ 表示板
１１０ 基板
１２１、１２１ａ、１２１ｂ ゲート線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１３３ａ、１３３ｂ、１３７ａ、１３７ｂ、１３７ｃ 維持電極
１４０ ゲート絶縁膜
１５４、１５６ 半導体
１６３、１６５、１６６ 抵抗性接触部材
１７１ データ線
１７３、１７３ａ、１７３ｂ ソース電極
１７５、１７５ａ、１７５ｂ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８１ａ、１８１ｂ、１８２、１８５ａ、１８５ｂ 接触孔
１９０ 画素電極
１９０ａ、１９０ｂ 副画素電極
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルタ
２５０ 蓋膜
９４、２７１、２７２、２７３、２７４、２７５、２７６、２７７ 切開部
３００ 液晶表示板組立体
４００ａ、４００ｂ ゲート駆動部
５００ データ駆動部
６００ 信号制御部
８００ 階調電圧生成部
ＰＸ 画素
ＰＸａ、ＰＸｂ 副画素
Ｃｃｐ 結合キャパシタ
Ｖｓｙｎｃ 垂直同期信号
Ｈｓｙｎｃ 水平同期信号
ＭＣＬＫ メインクロック
ＤＥ データイネーブル信号
Ｑａ、Ｑｂ 薄膜トランジスタ

Claims (18)

1. 行列状に配列されていて、各々第１及び第２副画素電極を有する複数の画素電極と、
   前記第１副画素電極と接続されている複数の第１スイッチング素子と、
   前記第１スイッチング素子と接続されている複数のゲート線と、
   前記第１スイッチング素子と接続され、前記画素電極の間を通過し、データ電圧を伝達する複数のデータ線と、
   前記画素電極とその両側に位置した前記データ線の間に配置されている第１及び第２維持電極と、
   を有し、
   前記第１及び第２維持電極は前記第１副画素電極と重畳し、前記第２副画素電極とは重畳しない液晶表示装置。
2. 前記第１副画素電極は前記第１及び第２維持電極上に位置する第１及び第２境界線を有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１副画素電極は前記第２副画素電極を囲む、請求項１に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２副画素電極と重畳し、前記第１副画素電極とは重畳しない第３維持電極をさらに有する、請求項１に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２副画素電極と接続されており、前記第３維持電極と重畳する導電体をさらに有する、請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記導電体は、前記第３維持電極上に位置し、互いに対向する一対の境界線を有する、請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２副画素電極、前記ゲート線及び前記データ線に接続されている第２スイッチング素子をさらに有し、
   各画素の第１及び第２副画素電極に印加されるデータ電圧の大きさは互いに異なり、１つの映像情報から得られる、請求項１に記載の液晶表示装置。
8. 前記第２副画素電極は、所定の階調に対して前記第１副画素電極より高いデータ電圧の印加を受ける、請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 前記第２副画素電極に対するデータ電圧の印加終点は、前記第１副画素電極に対するデータ電圧の印加終点より遅い、請求項８に記載の液晶表示装置。
10. 前記第１副画素電極の面積は前記第２副画素電極の面積より大きい、請求項８に記載の液晶表示装置。
11. 前記第２副画素電極と重畳し、前記第１副画素電極とは重畳しない第３維持電極をさらに有する、請求項８に記載の液晶表示装置。
12. 前記第２スイッチング素子は、前記ゲート線と接続されているゲート電極、前記データ線と接続されているソース電極及び前記第２副画素電極と接続されているドレイン電極を有し、
    前記ドレイン電極は、前記第３維持電極と重畳し、前記第３維持電極との距離が前記第２副画素電極より近い拡張部を有する、請求項１１に記載の液晶表示装置。
13. 前記ドレイン電極の拡張部は、前記第３維持電極上に位置し、互いに対向する一対の境界線を有する、請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は容量性結合されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
15. 前記第１スイッチング素子は、前記ゲート線と接続されているゲート電極、前記データ線と接続されているソース電極及び前記第１副画素電極と接続されているドレイン電極を有し、
    前記ドレイン電極は前記第２副画素電極と重畳する結合電極を有する、請求項１４に記載の液晶表示装置。
16. 前記容量性結合によって前記第２副画素電極に誘導される電圧は、所定電圧に対して前記第１副画素電極の電圧より低い、請求項１４に記載の液晶表示装置。
17. 前記第２副画素電極の面積は前記第１副画素電極の面積より大きい、請求項１６に記載の液晶表示装置。
18. 前記第１及び第２副画素電極は自身と接続されたゲート線と重畳しない、請求項１に記載の液晶表示装置。

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