JP5134826B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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- 被計測試料を保持する試料ステージを格納する試料室と、該被計測試料上に一次荷電粒子線を走査して発生する二次信号を検出し、該検出結果を信号出力する荷電粒子光学鏡筒と、該出力信号を画素データに変換する演算手段とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学鏡筒は、電流で励磁された磁場を一次荷電粒子線に作用させる磁界レンズ手段を備え、
更に、前記磁界レンズ手段に対して所定の大きさの励磁電流を所定時間供給することにより該磁界レンズ手段に存在する磁気履歴の低減処理を実行する制御電源と、
前記磁気履歴の低減処理を実行するシーケンスに関する情報を格納するメモリとを備え、
前記演算手段は、前記シーケンスに関する情報に基づいて前記制御電源を制御し、
前記磁気履歴低減処理の際に該制御電源が供給する励磁電流は、該励磁電流の初期値と最終値との間に、励磁電流値が前記初期値および最終値のいずれよりも大きいオーバーシュート領域、または励磁電流値が前記初期値および最終値のいずれよりも小さいアンダーシュート領域を含み、
前記励磁電流の最終値、および前記オーバーシュート領域における最大励磁電流値または前記アンダーシュート領域における最小励磁電流値を最終値に応じて決定する演算装置を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 被計測試料を保持する試料ステージを格納する試料室と、該被計測試料上に一次荷電粒子線を走査して発生する二次信号を検出し、該検出結果を信号出力する荷電粒子光学鏡筒と、該出力信号を画素データに変換する演算手段とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学鏡筒は、電流で励磁された磁場を前記一次荷電粒子線に作用させる磁界レンズ手段と、
当該磁界レンズ手段に対して所定の大きさと時間だけ励磁電流を供給することにより当該磁界レンズ手段に存在する磁気履歴の低減処理を実行する制御電源と、
前記磁気履歴の低減処理を実行するシーケンスに関する情報を格納するメモリとを備え、
前記演算手段は、前記シーケンスに関する情報に基づいて前記制御電源を制御し、
前記メモリは、前記一次荷電粒子線の前記試料上におけるスポット径が設定値よりも小さくなった時点で当該磁気履歴の低減処理を停止する時間情報と、前記励磁電流値の最終値を設定した後の磁界レンズが形成する磁界の時間変化の情報を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 被計測試料を保持する試料ステージを格納する試料室と、該被計測試料上に一次荷電粒子線を走査して発生する二次信号を検出し、該検出結果を信号出力する荷電粒子光学鏡筒と、該出力信号を画素データに変換する演算手段とを備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学鏡筒は、電流で励磁された磁場を前記一次荷電粒子線に作用させる磁界レンズ手段と、
当該磁界レンズ手段に対して所定の大きさと時間だけ励磁電流を供給することにより当該磁界レンズ手段に存在する磁気履歴の低減処理を実行する制御電源と、
前記磁気履歴の低減処理を実行するシーケンスに関する情報を格納するメモリとを備え、
前記演算手段は、前記シーケンスに関する情報に基づいて前記制御電源を制御し、
前記メモリは、前記一次荷電粒子線の前記試料上におけるスポット径が設定値よりも小さくなった時点で当該磁気履歴の低減処理を停止する時間情報と、前記励磁電流値の最終値を設定した後のスポット径の時間変化の情報を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記励磁電流にオーバーシュート領域が存在する場合は、前記励磁電流初期値の絶対値よりも前記最終値の絶対値が大きく、
前記励磁電流にアンダーシュート領域が存在する場合は、前記励磁電流初期値の絶対値よりも前記最終値の絶対値が小さいことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項2または3に記載の荷電粒子線装置において、
前記被計測試料の高さを測定する高さ計測装置を備え、
前記磁気履歴の低減処理の終了時点で前記磁界レンズ手段に印加される励磁電流値を、当該高さ計測装置の測定値に応じて決定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記被計測試料の高さを測定する高さ計測装置を備え、
前記励磁電流の最終値を当該高さ計測装置の測定値に応じて決定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6に記載の荷電粒子線装置において、
前記高さ計測装置の測定結果の読み出しを、前記励磁電流値が、前記オーバーシュート領域の最大値またはアンダーシュート領域の最小値に達する以前に実行することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記オーバーシュート領域における最大励磁電流値または前記アンダーシュート領域における最小励磁電流値を、前記励磁電流の最終値に所定のオフセットを加えた値に設定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1乃至3に記載のいずれかに荷電粒子線装置において、
前記磁気履歴の低減処理の際に前記磁界レンズ手段に対して印加する励磁電流波形を、初期領域、最大励磁電流領域または最小励磁電流領域、および最終領域の3領域に分割して形成したことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、
前記磁界レンズ手段が対物レンズであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項10に記載の荷電粒子線装置において、
前記対物レンズが、静電レンズを更に備えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子光学鏡筒は、電子銃と、対物レンズと、該電子銃と対物レンズとの間に配置された集束レンズとを備え、
前記磁界レンズ手段が集束レンズであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1から請求項9のいずれかに記載の荷電粒子線装置において、
前記磁気履歴の低減処理の実行後に、該磁気履歴の低減処理とは異なる第2の磁気履歴低減処理を実行することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項13に記載の荷電粒子線装置において、
前記演算手段の演算結果が表示される表示装置を有し、
前記磁気履歴の低減処理が所定の効果を満たさなかった場合には、当該表示装置に前記第2の磁気履歴低減処理の実行ボタンが表示され、
該実行ボタンをクリックすることにより前記第2の磁気履歴低減処理が開始されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 半導体ウェハ上に存在する欠陥の位置情報を元に、当該欠陥の走査電子画像を取得するための欠陥レビューシステムにおいて、
前記半導体ウェハを保持する試料台と、前記欠陥位置を含む領域を一次電子線で走査して前記走査電子画像を取得するための走査電子顕微鏡と、前記欠陥位置を前記一次電子線の照射位置に移動するために前記試料台を移動する試料ステージと、前記走査電子画像を表示するための表示装置とを有し、
前記走査電子顕微鏡は、励磁電流により励磁された磁場を前記一次電子線に作用させる磁界レンズ手段と、
当該磁界レンズ手段に対して所定の大きさと時間だけ励磁電流を供給することにより当該磁界レンズ手段に存在する磁気履歴の低減処理を実行する電源ユニットと、
システム全体を制御する演算装置と、
前記磁気履歴の低減処理を実行するシーケンスに関する情報を格納するメモリとを備え、
前記演算装置は、前記シーケンスに関する情報に基づいて前記電源ユニットを制御し、
前記シーケンスに関する情報は、前記半導体ウェハ上における前記一次電子線のスポット径が、前記走査電子画像に対して要求される分解能よりも小さくなった時点で、前記磁気履歴の低減処理を停止する時間情報と、前記励磁電流値の最終値を設定した後の磁界レンズが形成する磁界の時間変化の情報とを含むことを特徴とする欠陥レビューシステム。 - 半導体ウェハ上に存在する欠陥の位置情報を元に、当該欠陥の走査電子画像を取得するための欠陥レビューシステムにおいて、
前記半導体ウェハを保持する試料台と、前記欠陥位置を含む領域を一次電子線で走査して前記走査電子画像を取得するための走査電子顕微鏡と、前記欠陥位置を前記一次電子線の照射位置に移動するために前記試料台を移動する試料ステージと、前記走査電子画像を表示するための表示装置とを有し、
前記走査電子顕微鏡は、励磁電流により励磁された磁場を前記一次電子線に作用させる磁界レンズ手段と、
当該磁界レンズ手段に対して所定の大きさと時間だけ励磁電流を供給することにより当該磁界レンズ手段に存在する磁気履歴の低減処理を実行する電源ユニットと、
システム全体を制御する演算装置と、
前記磁気履歴の低減処理を実行するシーケンスに関する情報を格納するメモリとを備え、
前記演算装置は、前記シーケンスに関する情報に基づいて前記電源ユニットを制御し、
前記シーケンスに関する情報は、前記半導体ウェハ上における前記一次電子線のスポット径が、前記走査電子画像に対して要求される分解能よりも小さくなった時点で、前記磁気履歴の低減処理を停止する時間情報と、前記励磁電流値の最終値を設定した後のスポット径の時間変化の情報とを含むことを特徴とする欠陥レビューシステム。 - 請求項15または16に記載の欠陥レビューシステムにおいて、
前記磁気履歴の低減処理を、前記試料ステージの移動中に実行することを特徴とする欠陥レビューシステム。
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