JP5133766B2 - 撮像装置 - Google Patents
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- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
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Description
10 イメージセンサ
20 ADC
40 画像処理部
50 ゲイン調整部
60 リアルタイム欠陥補正部
61〜65 第1〜第5ラインメモリ
66、67 第1、第2欠陥検出部
68 パターン判定部
69 補正部
70 表示部
80 外部記憶装置
Claims (7)
- 撮像素子と、
前記撮像素子を構成する画素における注目画素について、前記注目画素から撮像に基づいて出力された注目画素値と、前記注目画素の周囲で且つ前記注目画素と同色である複数の周辺画素から前記撮像に基づいて出力された周辺画素値との差が閾値以下か否かを示す第1欠陥候補パターンと、前記注目画素と隣接する異色隣接画素から前記撮像に基づいて出力された異色隣接画素値と、前記異色隣接画素の周囲で且つ前記異色隣接画素と同色である複数の周辺隣接画素から前記撮像に基づいて出力された周辺隣接画素値との差が閾値以下か否かを示す複数の第2欠陥候補パターンとを算出し、前記複数の第2欠陥候補パターンおよび前記第1欠陥候補パターンの組合せに応じて、前記注目画素が欠陥画素であると判断し、前記欠陥画素を補正する欠陥補正部とを備えることを特徴とする撮像装置。 - 前記第1欠陥候補パターンは、前記注目画素値と、前記周辺画素値との差異が閾値よりも大きいか否かに基づいて算出され、
前記第2欠陥候補パターンは、前記異色隣接画素値と、前記周辺隣接画素値との差異が前記閾値よりも大きいか否かに基づいて算出されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記撮像素子から出力された画素データを、前記撮像素子から読み出しされたライン単位で、順次記録及び転送する複数のラインメモリを更に備え、
前記第1、第2欠陥候補パターンは、前記複数のラインメモリに記録された画素データに基づいて算出されることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - ベイヤ配列のカラーフィルタが前記撮像素子の画素上に配列され、前記カラーフィルタは、赤色フィルタと第1緑色フィルタとが交互に並べられたRラインと、青色フィルタと第2緑色フィルタとが交互に並べられたBラインとが交互に並べられ、
前記赤色フィルタに対向するR画素、前記第1緑色フィルタに対向するG1画素、前記青色フィルタに対向するB画素、及び前記第2緑色フィルタに対向するG2画素のうちの1つが前記注目画素にされた場合には、前記R画素、前記G1画素、前記B画素、及び前記G2画素のうちのその他の画素の少なくとも1つが前記異色隣接画素にされることを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記第1欠陥候補パターンと前記第2欠陥候補パターンとが同じである場合には、前記欠陥補正部は、前記注目画素は欠陥画素ではないと判断することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
- 撮像素子を構成する画素における注目画素について、前記注目画素から撮像に基づいて出力された注目画素値と、前記注目画素の周囲で且つ前記注目画素と同色である複数の周辺画素から前記撮像に基づいて出力された周辺画素値との差が閾値以下か否かを示す第1欠陥候補パターンを算出する第1ステップと、
前記注目画素と隣接する異色隣接画素から前記撮像に基づいて出力された異色隣接画素値と、前記異色隣接画素の周囲で且つ前記異色隣接画素と同色である複数の周辺隣接画素から前記撮像に基づいて出力された周辺隣接画素値との差が閾値以下か否かを示す複数の第2欠陥候補パターンを算出する第2ステップと、
前記複数の第2欠陥候補パターンおよび前記第1欠陥候補パターンの組合せに応じて、前記注目画素が欠陥画素であると判断する第3ステップとを備えることを特徴とする撮像素子の欠陥画素検出方法。 - 撮像素子と、
前記撮像素子を構成する画素における注目画素について、前記注目画素から撮像に基づいて出力された注目画素値と、前記注目画素の周囲で且つ前記注目画素と同色である複数の周辺画素から前記撮像に基づいて出力された周辺画素値との差が閾値以下か否かを示す第1欠陥候補パターンと、前記注目画素と隣接する異色隣接画素から前記撮像に基づいて出力された異色隣接画素値と、前記異色隣接画素の周囲で且つ前記異色隣接画素と同色である複数の周辺隣接画素から前記撮像に基づいて出力された周辺隣接画素値との差が閾値以下か否かを示す複数の第2欠陥候補パターンとを算出し、前記複数の第2欠陥候補パターンおよび前記第1欠陥候補パターンの組合せに応じて、前記注目画素が欠陥画素であると判断する欠陥判定部とを備えることを特徴とする撮像装置。
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