JP2014049603A - 半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】生産性が高く、光の取出効率が高い半導体発光装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層内に埋め込まれた第２金属層と、前記透明導電層上に設けられた半導体発光層と、を備える。前記半導体発光層が出射する光に対する前記第２金属層の反射率は、前記半導体発光層が出射する光に対する前記第１金属層の反射率よりも高い。
【選択図】図１
【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層内に埋め込まれた第２金属層と、前記透明導電層上に設けられた半導体発光層と、を備える。前記半導体発光層が出射する光に対する前記第２金属層の反射率は、前記半導体発光層が出射する光に対する前記第１金属層の反射率よりも高い。
【選択図】図１
Description
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
近年、結晶成長用基板上に半導体発光層を成長させ、この半導体発光層を接合金属層を介して支持基板と貼り合わせた後、結晶成長用基板を除去することにより、ＴｈｉｎＦｉｌｍ（薄膜）型ＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）を製造する技術が開発されている。このようなＴｈｉｎＦｉｌｍ型ＬＥＤにおいては、接合金属層が、半導体発光層から支持基板側に出射された光を反射する光反射層としても機能する。また、接合金属層と半導体発光層との間には、両層間の合金化を抑制するために、透明導電層が設けられる。
生産性が高く、光の取出効率が高い半導体発光装置を提供する。
実施形態に係る半導体発光装置は、支持基板と、前記支持基板上に設けられた第１金属層と、前記第１金属層上に設けられた透明導電層と、前記透明導電層内に埋め込まれた第２金属層と、前記透明導電層上に設けられた半導体発光層と、を備える。前記半導体発光層が出射する光に対する前記第２金属層の反射率は、前記半導体発光層が出射する光に対する前記第１金属層の反射率よりも高い。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
本実施形態に係る半導体発光装置は、ＴｈｉｎＦｉｌｍ型ＬＥＤである。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
本実施形態に係る半導体発光装置は、ＴｈｉｎＦｉｌｍ型ＬＥＤである。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置１においては、下部電極１１、支持基板１２、接合金属層１３、透明導電層１４、透明絶縁層１６、半導体発光層１７及び上部電極１８がこの順に積層されている。そして、透明導電層１４の内部には、反射金属層１５が埋め込まれている。各層の積層方向から見て、半導体発光装置１の形状は、例えば、一辺が３５０μｍの正方形である。
下部電極１１は例えば金属からなり、各層の積層方向から見て、半導体発光装置１の全体に設けられている。支持基板１２は導電性材料、例えば、単結晶のシリコン（Ｓｉ）によって形成されている。接合金属層１３は、例えば、金（Ａｕ）によって形成されている。接合金属層１３においては、下層１３ａ上に上層１３ｂが積層されており、下層１３ａと上層１３ｂとの界面１３ｃには、ボイド（図示せず）が存在する場合がある。下層１３ａ及び上層１３ｂの厚さは、例えば、それぞれ５００ｎｍである。
透明導電層１４は、透明な導電性材料、例えば、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide：スズドープ酸化インジウム）によって形成されている。透明導電層１４の厚さは、例えば２００ｎｍである。なお、本明細書において、「透明」には半透明も含まれる。
反射金属層１５は、例えば、銀（Ａｇ）又は銀合金によって形成されている。反射金属層１５の厚さは、バルクと同等の反射率を得られる程度に厚く、透明導電層１４内に埋め込める程度に薄い。反射金属層１５の厚さは例えば５０ｎｍ以上である。半導体発光装置１においては、反射金属層１５は１枚のみ設けられており、透明導電層１４の端部１４ａを除く領域に連続的に配置されている。このため、反射金属層１５の端縁１５ａは、全体が透明導電層１４によって覆われており、半導体発光装置１の側面には露出していない。端部１４の幅は、例えば１０〜２０μｍである。
反射金属層１５は、例えば、銀（Ａｇ）又は銀合金によって形成されている。反射金属層１５の厚さは、バルクと同等の反射率を得られる程度に厚く、透明導電層１４内に埋め込める程度に薄い。反射金属層１５の厚さは例えば５０ｎｍ以上である。半導体発光装置１においては、反射金属層１５は１枚のみ設けられており、透明導電層１４の端部１４ａを除く領域に連続的に配置されている。このため、反射金属層１５の端縁１５ａは、全体が透明導電層１４によって覆われており、半導体発光装置１の側面には露出していない。端部１４の幅は、例えば１０〜２０μｍである。
透明絶縁層１６は、透明な絶縁性材料、例えば、不純物が添加されていないシリコン酸化物（ＵＤＯ：Undoped Oxide）によって形成されている。透明絶縁層１６の厚さは、絶縁性を実現できる程度に厚く、透明性を実現できる程度に薄く、例えば、５０ｎｍである。また、透明絶縁層１６には開口部１６ａが形成されている。すなわち、透明絶縁層１６は、透明導電層１４と半導体発光層１７との間に選択的に設けられている。そして、透明導電層１４は開口部１６ａ内に進入しており、開口部１６ａ内において半導体発光層１７に接続されている。また、開口部１６ａの直下域及びその周辺には、反射金属層１５が配置されている。透明導電層１４及び透明絶縁層１６は、接合金属層１３と半導体発光層１７との間で合金化反応が生じることを防止する。
半導体発光層１７においては、ガリウムリン（ＧａＰ）からなるＧａＰ層１７ａ上に、インジウムガリウムアルミニウムリン（ＩｎＧａＡｌＰ）からなるＩｎＧａＡｌＰ層１７ｂが積層されている。半導体発光層１７は、例えば、赤色の光を出射するＬＥＤ層である。
上部電極１８は、半導体発光層１７上の一部のみに配置されている。従って、半導体発光層１７の上面の一部は上部電極１８に覆われているものの、残部は上部電極１８に覆われていない。
上部電極１８は、半導体発光層１７上の一部のみに配置されている。従って、半導体発光層１７の上面の一部は上部電極１８に覆われているものの、残部は上部電極１８に覆われていない。
次に、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法について説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）並びにそれらの説明においては、図１及びその説明に対して、上下の方向を逆としている。
図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態に係る半導体発光装置の製造方法を例示する工程断面図である。
なお、図２（ａ）〜（ｃ）、図３（ａ）〜（ｃ）、図４（ａ）〜（ｃ）並びにそれらの説明においては、図１及びその説明に対して、上下の方向を逆としている。
図２（ａ）に示すように、結晶成長用基板３１を用意する。結晶成長用基板３１は、例えば、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ウェーハの一部である。以後の工程においては、ガリウムヒ素ウェーハ上に複数の半導体発光装置を同時に形成していくが、１つの半導体発光装置を例にとって説明する。
先ず、結晶成長用基板３１上に、ＩｎＧａＡｌＰ層１７ｂをエピタキシャル成長させ、次いで、ＧａＰ層１７ａをエピタキシャル成長させる。これにより、半導体発光層１７を形成する。次に、シリコン酸化物を堆積させて、透明絶縁層１６を形成する。
次に、図２（ｂ）に示すように、エッチングにより、透明絶縁層１６に開口部１６ａを形成する。
次に、図２（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法によりＩＴＯを堆積させて、透明導電層の下層１４ｂを形成する。下層１４ｂの厚さは、例えば１００ｎｍとする。このとき、下層１４ｂは開口部１６ａ内にも埋め込まれ、半導体発光層１７に接触する。
次に、図２（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法によりＩＴＯを堆積させて、透明導電層の下層１４ｂを形成する。下層１４ｂの厚さは、例えば１００ｎｍとする。このとき、下層１４ｂは開口部１６ａ内にも埋め込まれ、半導体発光層１７に接触する。
次に、図３（ａ）に示すように、例えばスパッタ法により銀（Ａｇ）を堆積させて、透明導電層の下層１４ｂ上の全面に、反射金属層１５を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングを行い、反射金属層１５の端部を除去する。このエッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。但し、下層１４ｂの膜質によっては、ウェットエッチングのエッチャントが下層１４ｂ内に染み込む可能性がある。この場合は、ドライエッチングによって反射金属層１５を加工することが好ましい。
次に、図３（ｂ）に示すように、エッチングを行い、反射金属層１５の端部を除去する。このエッチングはウェットエッチングでもドライエッチングでもよい。但し、下層１４ｂの膜質によっては、ウェットエッチングのエッチャントが下層１４ｂ内に染み込む可能性がある。この場合は、ドライエッチングによって反射金属層１５を加工することが好ましい。
本実施形態においては、１つの半導体発光装置が形成される予定の領域内に、１枚の反射金属層１５を配置する。そして、積層方向から見て、反射金属層１５の端縁１５ａは、各半導体発光装置が形成される予定の領域の端縁の内側に位置させる。但し、結晶成長用基板３１の集合体であるＧａＡｓウェーハ上には、複数の半導体発光装置が形成されるため、１枚のＧａＡｓウェーハ上には複数枚の反射金属層１５が相互に離隔して配置されることになる。
次に、図３（ｃ）に示すように、例えばスパッタ法によりＩＴＯを堆積させて、透明導電層の上層１４ｃを形成する。上層１４ｃの厚さは、例えば１００ｎｍとする。これにより、透明導電層１４が形成される。このとき、上層１４ｃは反射金属層１５の上面及び側面を覆い、反射金属層１５の側方においては、上層１４ｃが下層１４ｂに接触して一体化し、透明導電層１４の端部１４ａとなる。これにより、反射金属層１５が透明導電層１４内に埋め込まれ、反射金属層１５の端縁１５ａの全体が透明導電層１４によって覆われる。
次に、図４（ａ）に示すように、透明導電層１４上に金（Ａｕ）を堆積させて、接合金属層の上層１３ｂを形成する。これにより、結晶成長用基板３１上に、半導体発光層１７、透明絶縁層１６、透明導電層１４及び上層１３ｂがこの順に積層され、透明導電層１４内に反射金属層１５が埋め込まれた構造体３２が作製される。
一方、図４（ｂ）に示すように、支持基板１２を用意する。支持基板１２は、例えば、シリコンウェーハの一部である。次に、支持基板１２上に金を堆積させて、接合金属層１３の下層１３ａを形成する。これにより、支持基板１２上に下層１３ａが形成された構造体３３が作製される。
そして、構造体３２と構造体３３とを、上層１３ｂと下層１３ａとが当接するように重ね合わせる。この状態で加熱処理を行い、上層１３ｂと下層１３ａとを接合させる。これにより、上層１３ａ及び下層１３ｂが一体化して、接合金属層１３となる。この結果、結晶成長用基板３１上に、半導体発光層１７、透明絶縁層１６、透明導電層１４、接合金属層１３及び支持基板１２がこの順に積層された構造体３４が作製される。このとき、接合金属層１３の下層１３ａと上層１３ｂとの界面１３ｃには、ボイド（図示せず）が形成される場合がある。
次に、図４（ｃ）に示すように、ウェットエッチング等により、構造体３４から結晶成長用基板３１を除去する。これにより、半導体発光層１７が露出する。
次に、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板１２の下面上に下部電極１１を形成し、半導体発光層１７の上面上に上部電極１８を選択的に形成する。
次に、ブレード（図示せず）によってダイシングを行い、積層体を個片化する。このとき、ブレードは透明導電層１４における反射金属層１５を内包していない部分を通過する。このようにして、半導体発光装置１が製造される。
次に、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板１２の下面上に下部電極１１を形成し、半導体発光層１７の上面上に上部電極１８を選択的に形成する。
次に、ブレード（図示せず）によってダイシングを行い、積層体を個片化する。このとき、ブレードは透明導電層１４における反射金属層１５を内包していない部分を通過する。このようにして、半導体発光装置１が製造される。
次に、本実施形態に係る半導体発光装置の動作について説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体発光装置１において、下部電極１１と上部電極１８との間に電圧を印加すると、半導体発光層１７に電力が供給されて、半導体発光層１７が例えば赤色の光を出射する。このとき、下部電極１１から半導体発光層１７に流れる電流は、透明絶縁層１６の開口部１６ａを通過する。すなわち、透明絶縁層１６は、下部電極１１から半導体発光層１７に流れる電流の経路を制限する電流狭窄層として機能する。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、半導体発光装置１において、下部電極１１と上部電極１８との間に電圧を印加すると、半導体発光層１７に電力が供給されて、半導体発光層１７が例えば赤色の光を出射する。このとき、下部電極１１から半導体発光層１７に流れる電流は、透明絶縁層１６の開口部１６ａを通過する。すなわち、透明絶縁層１６は、下部電極１１から半導体発光層１７に流れる電流の経路を制限する電流狭窄層として機能する。
また、半導体発光層１７から上方、すなわち、支持基板１２の反対側に向かって出射された光の大部分は、そのまま半導体発光装置１から出射される。一方、半導体発光層１７から下方、すなわち、支持基板１２側に向かって出射した光の大部分は、透明絶縁層１６を通過し、透明導電層１４における端部１４ａを除く領域の上部を通過して反射金属層１５に到達し、反射金属層１５によって反射されて、上方に向かう。また、半導体発光層１７から下方に向かって出射した光のうち、透明導電層１４の端部１４ａに入射した光の一部は、接合金属層１３によって反射されて、上方に向かう。
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、接合金属層１３を金によって形成しているため、図４（ｂ）に示す接合工程において、構造体３２と構造体３３との接合性が良好である。
本実施形態においては、接合金属層１３を金によって形成しているため、図４（ｂ）に示す接合工程において、構造体３２と構造体３３との接合性が良好である。
また、本実施形態においては、反射金属層１５は透明導電層１４内に埋め込まれているため、銀からなる反射金属層１５とＩＴＯからなる透明導電層１４との密着性が低い場合でも、反射金属層１５は透明導電層１４から剥離しにくい。従って、半導体発光装置１は、機械的な安定性が高い。
特に、反射金属層１５が透明導電層１４の端部１４ａに配置されていないため、ダイシングの際に、ブレードが透明導電層１４と反射金属層１５との界面を通過することがない。これにより、ダイシングの際に、透明導電層１４と反射金属層１５との界面と、ブレードによる加工面との交線を起点として、この界面に剥離が生じることを防止できる。このため、本実施形態に係る半導体発光装置１は、生産性が高い。
なお、反射金属層１５が配置されない端部１４ａの幅は、光の反射効率の観点からは、透明導電層１４の下層１４ｂと上層１４ｃとの間の密着性が確保できる範囲で狭い方が好ましいが、反射金属層１５をパターニングする際の加工精度と、ダイシングの精度によって制限される。
一方、本実施形態においては、反射金属層１５を銀によって形成している。上述の如く、半導体発光層１７から下方に向けて出射した光の大部分は、反射金属層１５によって反射される。そして、銀の可視光に対する反射率は９５％程度であり、金の可視光に対する反射率は９０％程度である。従って、半導体発光層１７が出射する光に対する反射金属層１５の反射率は、半導体発光層１７が出射する光に対する接合金属層１３の反射率よりも高い。このため、本実施形態に係る半導体発光装置１は、光の取出効率が高い。
また、本実施形態においては、反射金属層１５が透明導電層１４の端部１４ａを除く領域の全体に配置されているため、半導体発光層１７から出射された光を、効率的に反射することができる。
更に、下部電極１１から半導体発光層１７に流れる電流は透明絶縁層１６の開口部１６ａを通過するため、半導体発光層１７は、開口部１６ａの直上域及びその周辺において集中的に発光する。反射金属層１５は、開口部１６ａの直下域及びその周辺に配置されているため、半導体発光層１７から出射された光を効率的に反射することができる。
このように、本実施形態に係る半導体発光装置は、接合金属層１３を金により形成しているため、良好な接合性を実現し、反射金属層１５を銀によって形成しているため、良好な光反射特性を実現し、反射金属層１５を透明導電層１４内に埋め込んでいるため、製造過程及び製造後において高い機械的強度を実現することができる。この結果、高い生産性と光の取出効率を両立させることができる。
これに対して、仮に、反射金属層１５を設けないと、半導体発光層１７から下方に出射された光の大部分は、金からなる接合金属層１３によって反射される。しかしながら、可視光に対する金の反射率は９０％程度であり、銀の反射率である９５％よりも低いため、この場合は、光の取出効率が低い。本実施形態に係る半導体発光装置１は、反射金属層１５が設けられていない半導体発光装置と比較して、輝度が１２〜１３％向上した。
また、仮に、反射金属層１５を設けず、接合金属層１３を銀によって形成すると、銀は金と比較して酸化されやすいため、図４（ｂ）に示す工程において、良好な接合性を得ることが困難である。このため、半導体発光装置の生産性が低下する。
更に、金からなる接合金属層１３上の全面に銀からなる反射金属層１５を積層し、その上の全面にＩＴＯからなる透明導電層１４を形成することも考えられる。しかしながら、この場合は、銀とＩＴＯとの間の密着性が低いため、反射金属層１５と透明導電層１４との界面が脆弱になる。このため、ダイシング工程において、反射金属層１５と透明導電層１４との界面が剥離しやすくなり、生産性が低下する。また、製造後の製品の信頼性が低下する。
次に、第２の実施形態について説明する。
図５（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図５（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図５（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図５（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置２は、前述の第１の実施形態に係る半導体発光装置１（図１（ａ）及び（ｂ）参照）と比較して、反射金属層１５が複数の部分に分割されている点が異なっている。反射金属層１５の各部分は、透明絶縁層１６の開口部１６ａ毎に設けられており、開口部１６ａの直下域及びその周辺の領域に配置されている。また、積層方向から見て、反射金属層１５の各部分の形状は矩形である。
本実施形態によれば、前述の第１の実施形態と比較して、透明導電層１４の上層１４ｃと下層１４ｂとの接触面積が大きいため、上層１４ｃと下層１４ｂとの密着性が高い。これにより、透明導電層１４と反射金属層１５とをより強固に固定することができるため、ダイシング工程において、透明導電層１４と反射金属層１５との界面の剥離がより生じにくくなり、生産性がより向上する。一方、前述の第１の実施形態は、本実施形態と比較して、反射金属層１５が連続的に配置されているため、光の取出効率が高い。
また、本実施形態においても、電流が流れる開口部１６ａの直下域には反射金属層１５が配置されているため、反射金属層１５を分割することによる光の取出効率の低下を抑えることができる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
次に、第３の実施形態について説明する。
図６（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図６（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図６（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図６（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図６（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置３は、前述の第２の実施形態に係る半導体発光装置２（図５（ａ）及び（ｂ）参照）と比較して、反射金属層１５がより細かく分割されており、分割された反射金属層１５の部分の数が、透明絶縁層１６の開口部１６ａの数よりも多い点が異なっている。これにより、透明導電層１４と反射金属層１５とをより強固に固定することができる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第２の実施形態と同様である。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第２の実施形態と同様である。
次に、第４の実施形態について説明する。
図７（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図７（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図７（ａ）は本実施形態に係る半導体発光装置を例示する平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示すＡ−Ａ’線による断面図である。
なお、図７（ａ）においては、図示の便宜上、上部電極１８は省略している。
図７（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態に係る半導体発光装置４は、前述の第３の実施形態に係る半導体発光装置３（図６（ａ）及び（ｂ）参照）と比較して、積層方向から見た反射金属層１５の各部分の形状が楕円形である点が異なっている。なお、楕円形には真円形も含まれる。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。
本実施形態における上記以外の構成、製造方法、動作及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。
前述の各実施形態において示したように、反射金属層１５の面積は、機械的強度と光の取出効率とのトレードオフを考慮して任意に決定することができる。また、反射金属層１５の各部分の形状も任意であり、矩形及び楕円形には限定されない。
なお、半導体発光装置の各部の材料は、前述の各実施形態において示された例には限定されない。
例えば、前述の各実施形態においては、支持基板１２をシリコンによって形成する例を示したが、これには限定されず、例えば銅（Ｃｕ）によって形成してもよい。
例えば、前述の各実施形態においては、支持基板１２をシリコンによって形成する例を示したが、これには限定されず、例えば銅（Ｃｕ）によって形成してもよい。
また、前述の各実施形態においては、接合金属層１３を金の単層とする例を示したが、これには限定されず、例えばチタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層及び金層の三層構造としてもよい。この場合、チタン層はシリコンと金との拡散を防止し、白金層はチタン層と金層との密着性を改善する。また、接合前の接合金属層１３の下層１３ａ及び上層１３ｂの露出面上に、インジウム（Ｉｎ）又は錫（Ｓｎ）を堆積させてもよい。これにより、界面１３ｃにおけるボイドの発生を抑制することができる。
更に、前述の各実施形態においては、透明導電層１４をＩＴＯによって形成する例を示したが、これには限定されず、例えばＺｎＯ等の亜鉛系酸化物、又は、ＩｎＧａＺｎＯ等のインジウム系酸化物によって形成してもよい。
更にまた、前述の各実施形態においては、反射金属層１５を銀によって形成する例を示したが、これには限定されず、反射金属層１５の材料は、半導体発光層１７から出射される光についての反射率が、接合金属層１３の反射率よりも高い材料であればよい。反射用金属層１５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）又は白金（Ｐｔ）によって形成してもよい。
更にまた、前述の各実施形態においては、半導体発光層１７を、ＧａＰ層及びＩｎＧａＡｌＰ層の積層膜とする例を示したが、これには限定されない。半導体発光層１７の材料は、例えば、ＧａＰ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＡｌＰ又はＧａＡｌＡｓとすることができる。
更にまた、前述の各実施形態においては、半導体発光層１７が赤色の光を出射する例を示したが、これには限定されない。半導体発光層１７は、例えば、赤色以外の可視光を出射してもよく、波長が１．３〜１．５８μｍ程度の光通信に用いる近赤外線を出射してもよく、紫外線を出射してもよい。
更にまた、前述の各実施形態においては、結晶成長用基板３１をガリウムヒ素（ＧａＡｓ）によって形成する例を示したが、これには限定されず、例えば、結晶成長用基板３１は、サファイア、シリコン炭化物（ＳｉＣ）、ガリウム窒化物（ＧａＮ）又はシリコン（Ｓｉ）によって形成してもよい。
以上説明した実施形態によれば、生産性が高く、光の取出効率が高い半導体発光装置を実現することができる。
以上、いくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
１、２、３、４：半導体発光装置、１１：下部電極、１２：支持基板、１３：接合金属層、１３ａ：下層、１３ｂ：上層、１３ｃ：界面、１４：透明導電層、１４ａ：端部、１４ｂ：下層、１４ｃ：上層、１５：反射金属層、１５ａ：端縁、１６：透明絶縁層、１６ａ：開口部、１７：半導体発光層、１７ａ：ＧａＰ層、１７ｂ：ＩｎＧａＡｌＰ層、１８：上部電極、３１：結晶成長用基板、３２、３３、３４：構造体
Claims (6)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられた第１金属層と、
前記第１金属層上に設けられた透明導電層と、
前記透明導電層内に埋め込まれた第２金属層と、
前記透明導電層と前記半導体発光層との間に選択的に設けられた透明絶縁層と、
前記透明絶縁層上に設けられた半導体発光層と、
を備え、
前記半導体発光層が出射する光に対する前記第２金属層の反射率は、前記半導体発光層が出射する光に対する前記第１金属層の反射率よりも高く、
前記透明導電層は、前記透明絶縁層が設けられていない領域において前記半導体発光層に接続されており、
前記第２金属層は、前記透明絶縁層が設けられていない領域の直下域を含む領域に設けられており、
前記第２金属層の端縁の全体が前記透明導電層によって覆われている半導体発光装置。 - 支持基板と、
前記支持基板上に設けられた第１金属層と、
前記第１金属層上に設けられた透明導電層と、
前記透明導電層内に埋め込まれた第２金属層と、
前記透明導電層上に設けられた半導体発光層と、
を備え、
前記半導体発光層が出射する光に対する前記第２金属層の反射率は、前記半導体発光層が出射する光に対する前記第１金属層の反射率よりも高い半導体発光装置。 - 前記第２金属層の端縁の全体が前記透明導電層によって覆われている請求項２記載の半導体発光装置。
- 前記第２金属層は、前記透明導電層の端部を除く領域に連続的に配置されている請求項３記載の半導体発光装置。
- 前記透明導電層と前記半導体発光層との間に選択的に設けられた透明絶縁層をさらに備え、
前記透明導電層は、前記透明絶縁層が設けられていない領域において前記半導体発光層に接続されており、
前記第２金属層は、前記透明絶縁層が設けられていない領域の直下域を含む領域に設けられている請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。 - 前記第２金属層は、前記透明絶縁層が設けられていない領域毎に設けられている請求項５記載の半導体発光装置。
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