JP5126938B2 - 有機被膜の除去方法 - Google Patents
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例えば図2にSiO2 の水への溶解度特性を示すように、20MPa程度以上で一定圧の水は、昇温に伴いSiO2 の溶解力が高まり、臨界点の近傍でピークを有し、その後、溶解力が急激に低下する特性がある。この特性の結果、基板は超臨界水状態に達する前段階の昇温過程でSiO2 がエッチングされてしまう。さらに、臨界点に至るまでの水は液相状態であり加水分解力が高く、有機被膜の分解が起こりやすい。臨界点以下では酸化剤としての酸素と水は不均一相であるため、均一な酸化には不適である。その結果、有機被膜の加水分解時、有機被膜下のSiO2 は還元雰囲気となり、脱酸素により、選択的エッチングが発生することがある。また、運転終了時に圧力を保持したまま冷却を行うと、基板上に液相が出現し、昇温時同様にSiO2 がエッチングされることがある。このような不具合は、有機被膜を選択的に除去するための超臨界水条件に至る過程で、あるいは、選択的除去後の冷却過程で、基板が、SiO2 がエッチングされやすい水相の条件に晒されることに起因している。
本発明では、前述したように、基本的に無機基板自体を水相に晒さないようにして、図1に示したレジストのみを選択的に除去できる条件領域に至らしめる。図1では、より最適な比較的狭い目標処理領域を示してあるが、本発明における処理可能領域は、例えば図3に示すように、水の温度−圧力線図における、飽和蒸気線よりも蒸気側の処理領域とすることが可能であり、この領域には飽和蒸気線も含まれる(ただし、望ましくは過熱水蒸気領域である)。図3に示す領域と図1に示す領域とから、本発明においては、超臨界水領域よりも低圧の(22MPa未満の)領域での有機被膜の選択的除去が可能であることが理解される。
図4に示すように、連続式反応器を用い、昇温後に昇圧する方法を実施した。昇温過程でのシリコン基板41のSiO2のエッチングを防ぐため、装置内を圧縮機12を介して供給される窒素4(ボンベ内が十分に高圧の場合には圧縮機12を介さなくてもよい)もしくは空気3にてパージし、予熱器13および加熱器15により200℃以上に昇温し、その後反応器14内に供給する。供給により反応器14内の圧力が上がり、飽和蒸気圧に至るのを防ぐため、反応器14内の圧力が0.5MPa以下になるように圧力調節弁17の開度を100%とする。加熱水の供給および加熱器15により374℃を越えた時点で、加熱水の供給と加熱器15の稼動を継続しながら、圧力調節弁17の設定値を1MPa/分の速度で20MPaまで加圧し、反応器内圧力を20MPaになるように圧力調節弁17をPID制御する(コントロール系C01 、PIコントローラ)。本起動方法により図1のライン(3)を通り、基板は液相に接することがなく、SiO2の過度なエッチングを防ぎながら、目的温度および圧力に達することができる。目的条件達成後に過酸化水素2もしくは空気3を供給することで有機被膜を選択的に除去する。この除去処理の終了を所定条件(反応時間30分もしくはセンサーS3により気液分離器18によって分離された排気31中のCO:1000ppm以下、もしくはCO2:1%以下、もしくはセンサーS4により排水32中のTOC:100ppm以下)で確認し、該所定条件に達した後に、減圧し、しかる後に冷却する。この際も、温度および圧力により過熱蒸気の条件を維持する。加熱水の供給および反応器の加熱器15稼動を継続しながら圧力調節弁17の設定値を1MPa/分の速度で大気圧まで減圧する。その後、水の供給、予熱器14ならびに反応器の加熱器15を停止し、反応器14内が100℃以上の状態で反応器内を窒素4もしくは空気3によりパージすることで、反応器14内を乾燥する。反応器14が冷却した段階で開放し、有機被膜が除去された基板41を取り出す。このような方法により得られた基板は、基板自体に損傷がなく、有機被膜のみが効率よく選択的に除去されていた。
(1)水の予熱器と反応器の間の配管の途中にポット19を設け(予熱器13および反応器14よりも低い高さであるとともに、途中に液溜まりのない配管ルートが好ましい)、ポット19内の水の状態を検知するセンサーS1(導電率計、液面計、湿度計)を設け、液面を検出もしくは相対湿度が所定値以上に達した場合には警報を発生するもしくは液面が検知しなくなる、もしくは相対湿度が所定値以下になるまで、予熱器13の出力を増加する(コントロール系C11)、もしくは反応器圧力を減圧する(コントロール系C12)、もしくは空気や窒素供給量を増加する(コントロール系C13)、もしくは水の供給量を低減する(コントロール系C14)手段を設ける。
(2)反応器14内に設置した基板41の下部に液相があるか否かを検知するセンサーS2(導電率計、液面計、湿度計)を設け、液面を検出もしくは相対湿度が所定値以上に達した場合には警報を発生するもしくは液面が検知しなくなる、もしくは相対湿度が所定値以下になるまで、予熱器の出力を増加する(コントロール系C21)、加熱器の出力を増加する(コントロール系C25)、もしくは反応器圧力を減圧する(コントロール系C22)、もしくは空気や窒素供給量を増加する(コントロール系C23)、もしくは水の供給量を低減する(コントロール系C24)手段を設ける。
(3)事前に飽和蒸気圧曲線の温度・圧力データを制御系に組み込んでおき、圧力が温度の飽和蒸気圧の所定値以下になるようにコントロール系C11, C12, C21, C22, C25の手段を用いる。
図6に示すように、オートクレーブ式の連続式反応器を用い、昇温昇圧する方法を実施した。バッチ式反応器51では密閉容器内の水を加熱器15により昇温し、昇温に伴い内圧が高まる(図1のライン(1))。臨界点以下では水が液相(水相)を生じるに十分な量がある場合、圧力は飽和蒸気圧となり、臨界点以上では充填水量によって圧力が決定される。昇温初期は飽和蒸気圧に沿って、昇温・昇圧されるため反応器内は気相と液相が共存する。液相側に基板を設置すると従来法同様にSiO2が溶解によりエッチングされる。気相側に設置することで臨界点以下の条件でのエッチングを回避し、目的温度・圧力に至らせることができる。処理時間確保後は冷却後に容器を開放することもできるが、基板上での凝縮を抑制するため、374℃以下では湿度計Sにて湿度を検知し、相対湿度が90%以下の状態で減圧(コントロール系C31)し、容器内の水分を除去することが好ましい。湿度計の設置位置は、初期に充填する水面より上部とする。また、事前に飽和蒸気圧曲線の温度・圧力データを制御系に組み込んでおき、圧力が温度の飽和蒸気圧の90%以下になるように減圧する手段(コントロール系C32)に置き換えることができる。
2 過酸化水素
3 空気
4 窒素
11 ポンプ
12 圧縮機
13 予熱器
14 反応器
15 加熱器
16 冷却器
17 圧力調整弁
18 気液分離器
19 ポット
31 排気
32 排水
41 基板
51 バッチ式反応器
61 ヒーター
Claims (6)
- 反応器内温度を200℃以上374℃以下にすることによって該反応器内の水を沸点以上に昇温した後に、飽和蒸気よりも水相側には至らないように昇圧し、生成された10MPa以上22MPa未満の圧力を有する水蒸気中で、無機基板上の有機被膜を選択的に除去することを特徴とする有機被膜の除去方法。
- バッチ式反応器を用い、反応器内全体を過熱水蒸気状態にすることを特徴とする、請求項1に記載の有機被膜の除去方法。
- バッチ式反応器を用い、反応器内に飽和水蒸気部と水相部を生成し、飽和水蒸気部に無機基板を位置させて無機基板上の有機被膜を選択的に除去することを特徴とする、請求項1に記載の有機被膜の除去方法。
- 前記無機基板がシリコン、ガラスまたはセラミックからなることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載の有機被膜の除去方法。
- 前記有機被膜がフォトレジスト膜であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の有機被膜の除去方法。
- 前記反応器内における酸素分圧が0.01MPa以上2MPa以下であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載の有機被膜の除去方法。
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