JP5117028B2 - 面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイ - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態1にかかる面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイについて説明する。図1〜図3は、本実施の形態1にかかる面発光レーザ素子100の要部構成を示す図である。図1は平面図であり、図2および図3は、それぞれ図1中に示したII−II断面およびIII−III断面を示す断面図である。これらの図に示すように、面発光レーザ素子100は、半絶縁性の基板1上に積層された下部DBR(Distributed Bragg Reflector)ミラー2、Nクラッド層3、活性層4、電流狭窄層5、Pクラッド層6、上部DBRミラー7、P電極8およびN電極9を備える。このうち、Nクラッド層3上に積層された活性層4、電流狭窄層5、Pクラッド層6および上部DBRミラー7は、エッチング処理等によって柱状形成されたメサポスト10として構成されている。
つぎに、本発明の実施の形態2にかかる面発光レーザ素子および面発光レーザ素子アレイについて説明する。図5は、本実施の形態2にかかる面発光レーザ素子300の構成を示す断面図であって、図3に示した面発光レーザ素子100のIII−III断面に相当する断面内の構成を示している。この図に示すように、面発光レーザ素子300は、面発光レーザ素子100の構成をもとに、上部DBRミラー7に替えて上部DBRミラー13を備えるとともに、誘電体膜である保護膜14をさらに備える。
2 下部DBRミラー
3 Nクラッド層
4 活性層
5 電流狭窄層
5a 開口部
5b 選択酸化層
6 Pクラッド層
7 上部DBRミラー
7a アパーチャ
8 P電極
9 N電極
10 メサポスト
11 P引出電極
12 N引出電極
13 上部DBRミラー
13a アパーチャ
14 保護膜
15 メサポスト
100,300面発光レーザ素子
200 面発光レーザ素子アレイ
Claims (6)
- 基板上に、下部DBRミラーと、活性層を含む複数の半導体層が積層されるとともに円柱状に形成されたメサポストと、該メサポスト上に形成された上部DBRミラーとを有し、該上部DBRミラーの上面部に設けられたアパーチャからレーザ光を射出する面発光レーザ素子において、
前記上部DBRミラーは、前記レーザ光に対する光透過性を有する誘電体多層膜で形成され、
前記上部DBRミラーの積層面方向の断面は、円形の前記メサポストに対し、所定方向に長軸を有する延伸形状を有し、前記長軸の方向において、前記メサポストの上面部から側面にかけて形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。 - 前記上部DBRミラーは、前記活性層に対し、圧縮応力を加え、前記レーザ光は、前記長軸の方向に垂直な方向に偏波されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 前記上部DBRミラーは、前記活性層に対し、引張応力を加え、前記レーザ光は、前記長軸の方向に偏波されていることを特徴とする請求項1に記載の面発光レーザ素子。
- 請求項1〜3のいずれか一つに記載の面発光レーザ素子を同一基板上に複数備えたことを特徴とする面発光レーザ素子アレイ。
- 前記複数の面発光レーザ素子は、各面発光レーザ素子の前記上部DBRミラーの前記長軸の方向を一定方向に揃えて配列されていることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ素子アレイ。
- 前記複数の面発光レーザ素子は、各面発光レーザ素子の前記上部DBRミラーの前記長軸の方向を個別に任意の方向に設定して配列されていることを特徴とする請求項4に記載の面発光レーザ素子アレイ。
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