JP4879094B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 基板と、
前記基板の一方面である上面側に設けられ、電流が供給されることによって発光する活性層を含むメサ部と、
前記活性層に対して前記基板側にメサ形状に形成された第1のミラー層と、
前記メサ部において、前記第1のミラー層との間に前記活性層が介在するように形成された第2のミラー層と、
前記基板の上面から前記第1のミラー層の側面にわたって、前記第1のミラー層を囲むように設けられた補強部材と、
を備え、
前記第1のミラー層は、半導体積層方向に直交する面での断面積が前記メサ部での前記活性層の断面積よりも小さくなるように形成され、前記活性層と前記基板との間に、前記第1のミラー層と共に、前記第1のミラー層を囲む前記補強部材の少なくとも一部が配置されていること、
を特徴とする半導体発光素子。 - 前記メサ部において、電流を狭窄する電流狭窄領域を有する電流狭窄層を備え、
前記第1のミラー層は、半導体積層方向に直交する面での断面積が前記メサ部での前記電流狭窄領域の断面積よりも大きいこと、
を特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記補強部材は、前記活性層を含む前記メサ部の発する熱を伝導する熱伝導部材によって構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記補強部材は導電性部材で形成され、電極として用いられることを特徴とする請求項1〜3の何れか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記補強部材は、前記活性層において発生される光を反射する金属で形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体発光素子。
- 前記活性層と前記第1のミラー層との間に設けられたクラッド層とを備え、
前記クラッド層は、前記メサ部の最下層に位置すること、
を特徴とする請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体発光素子。 - 前記活性層から発生される光は、前記メサ部の上面側から出射されることを特徴とする請求項1〜6の何れか一項に記載の半導体発光素子。
- 電流が供給されることによって発光する活性層と、前記活性層が間に介在するように形成された第1のミラー層及び第2のミラー層とを備える半導体発光素子の製造方法であって、
基板上に、前記基板側から前記第1のミラー層、前記活性層、及び前記第2のミラー層を含む複数の半導体層を順次形成する半導体層形成工程と、
前記活性層及び前記第2のミラー層を含む上部積層体に対してエッチングを行って、前記基板の一方面である上面側に設けられたメサ部を形成するメサ部形成工程と、
前記メサ部の側面上にマスクを形成するマスク形成工程と、
前記マスクが形成された前記メサ部よりも前記基板側に位置する前記第1のミラー層に対してエッチングを行って、前記第1のミラー層を、半導体積層方向に直交する面での断面積が前記メサ部での前記活性層の断面積よりも小さくなるメサ形状とするエッチング工程と、
前記第1のミラー層を囲む補強部材を、前記基板の上面から前記第1のミラー層の側面にわたって、前記活性層と前記基板との間に、前記第1のミラー層と共に、前記補強部材の少なくとも一部が配置されるように形成する補強部材形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記半導体層形成工程において、前記第1のミラー層と前記活性層との間にクラッド層を形成し、
前記エッチング工程において、前記クラッド層をエッチングストップ層として、前記第1のミラー層のエッチングを行うことを特徴とする請求項8に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記半導体層形成工程において、前記第1のミラー層と前記第2のミラー層との間に酸化用半導体層を形成し、
前記メサ部形成工程において、前記活性層、前記第2のミラー層、及び前記酸化用半導体層を含む前記上部積層体に対してエッチングを行って、前記酸化用半導体層が側面に露出するように前記メサ部を形成すると共に、
前記酸化用半導体層に対して前記メサ部の側面から酸化処理を行って、電流を狭窄する電流狭窄領域を有する電流狭窄層を形成する酸化工程を更に備えることを特徴とする請求項8または9に記載の半導体発光素子の製造方法。 - 前記エッチング工程において、前記第1のミラー層を、半導体積層方向に直交する面での断面積が、前記電流狭窄層での前記電流狭窄領域の断面積よりも大きくなる前記メサ形状とすることを特徴とする請求項10に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記補強部材形成工程において、前記補強部材を、前記活性層を含む前記メサ部の発する熱を伝導する熱伝導部材で形成することを特徴とする請求項8〜11の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記補強部材形成工程において、前記補強部材を、導電性部材で形成することを特徴とする請求項8〜12の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記補強部材形成工程において、前記補強部材を、前記活性層において発生される光を反射する金属で形成することを特徴とする請求項8〜13の何れか一項に記載の半導体発光素子の製造方法。
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