JP5100655B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
さらにまた、ハウジング上方部分とハウジング下方部分として機能するヒートシンクとは実質的に1つの平面において互いに、および/またはシール手段に接している。
本発明のさらなる特徴と利点は、添付の図を参照した、好ましい実施形態についての以下の説明から明らかになるであろう。
Claims (15)
- 少なくとも1つの半導体レーザ素子(5)と、
該少なくとも1つの半導体レーザ素子(5)が取付けられる第1の配置面(10)を有するヒートシンク(1)と、
互いに結合された状態で、半導体レーザ素子(5)を少なくとも部分的に取囲むことが可能である、ハウジング上方部分(2)およびハウジング下方部分と、
ハウジング上方部分(2)とハウジング下方部分との密な結合のためのシール手段と、
を有する半導体レーザ装置において、
ヒートシンク(1)は、ハウジング下方部分として機能し、ヒートシンク(1)は、さらにシール手段のための、および/またはシール手段と共に作用する、ハウジング上方部分(2)の第3の配置面のための、第2の配置面(9)を有し、
第1の配置面(10)と第2の配置面(9)との間の角度(α)は3°〜15°であることを特徴とする、半導体レーザ装置。 - 第2の配置面(9)は、1つの平面において延びることを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- ハウジング上方部分(2)と、ハウジング下方部分として機能するヒートシンク(1)とは1つの平面において互いに、および/またはシール手段に接していることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- 第1の配置面(10)と第2の配置面(9)との間の角度(α)は5°〜10°であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 第1の配置面(10)と第2の配置面(9)との間の角度(α)は8°であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- シール手段は、第2の配置面(9)の平面において第1の配置面(10)を取囲むことを特徴とする、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- シール手段はOリングを含むことを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- シール手段は、Oリングを設けるために、第2の配置面(9)および/または第3の配置面に溝(16)を有することを特徴とする、請求項7に記載の半導体レーザ装置。
- Oリングが第1の配置面(10)を取囲むことを特徴とする、請求項7または8に記載の半導体レーザ装置。
- 半導体レーザ装置は、少なくとも1つの半導体レーザ素子(5)から出射されるレーザビーム(32)に影響を及ぼすための光学手段を有していることを特徴とする、請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- 光学手段は、少なくとも1つの速軸コリメーションレンズ(7)を含むことを特徴とする、請求項10に記載の半導体レーザ装置。
- 半導体レーザ装置は光学手段を取付けるための取付け手段を含むことを特徴とする、請求項10または11に記載の半導体レーザ装置。
- 第1の配置面(10)と第2の配置面(9)との間には、半導体レーザ素子(5)に隣接する少なくとも1つの領域において、光学手段を取付けるための場所を提供するような中間スペースが形成されることを特徴とする、請求項10〜12のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- シール手段は、ハウジング上方部分(2)とハウジング下方部分との間の密な結合が、漏洩率2×10-6mbar・l・s-1、すなわち2×10-7N・m・s-1よりも小さくなることを保証するように構成されることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
- シール手段は、ハウジング上方部分(2)とハウジング下方部分との間の密な結合が、漏洩率1×10 -6 mbar・l・s -1 、すなわち1×10 -7 N・m・s -1 よりも小さくなることを保証するように構成されることを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
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