JP5094259B2 - 回路基板 - Google Patents
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増加や実装密度向上への対策として基板の放熱性を向上する要求や、小型・薄型化への要求が高まっている。このような要求に対して、アルミナ焼結体では、その熱伝導率が20〜30W/m・K程度と低いことから上記要求を満足できない。また、窒化アルミニウム焼結体はその強度が低い(三点曲げ強度で約300MPa程度)ことから、実装信頼性に問題があり、小型・薄型化を満足できない。そこで、高放熱性かつ高強度である窒化珪素(Si3N4)焼結体が注目されている。
とが望ましい。これにより母基板の熱拡散率の低下を抑制でき、結果として母基板の熱伝導率を向上できる。
珪素からなるものとしては窒化アルミニウムに比べてもそん色のない高放熱性の母基板が得られ、一方、より強度を高くするため、0.5mm以上の厚みとした場合でも、熱伝導率が高いため、回路基板として用いることができる。
Claims (3)
- 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、前記母基板が、希土類元素を酸化物換算で全量中1.3〜2.0質量%含有するとともに、Liを全量中0.02〜0.03質量%含有することを特徴とする回路基板。
- 前記Liの少なくとも一部は、窒化珪素結晶中に固溶していることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記母基板中に、Al、Na、K、Fe、Ba、MnおよびBを、合量で0.01質量%以下含有することを特徴とする請求項1または2記載の回路基板。
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