JP4868641B2 - 窒化アルミニウム基板の製造方法 - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、窒化アルミニウム基板およびその製造方法に関するものである。本発明による窒化アルミニウム基板は、例えば絶縁放熱基板、特に圧接構造用絶縁放熱基板、として好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から窒化アルミニウム基板は、その熱伝導率の高さから半導体装置用基板に使用されている。それら半導体装置用基板は窒化アルミニウム基板の熱伝導率の良さを活かすために基板厚さが0.3〜0.6mm程度と比較的薄いものが使用されており、基板厚さを薄くすることにより熱抵抗の低減を行っていた。
【0003】
このように窒化アルミニウム基板は熱伝導率が高いことを活かすために板厚の薄い基板形態で使用することが多かった。そのため、比較的基板厚さが厚い窒化アルミニウム基板についての研究は十分であるとは言えなかった。
【0004】
窒化アルミニウム基板の製造方法としては、従来からドクターブレード法等のシート成形法、プレス成形法、押出成形法など様々な方法が適用されていた。その中でもドクターブレード法は厚さが0.6mm以下の薄いシートを成形するのに適しているが、厚さが0.8mmを越えてくると均一な厚さのシートを成形することが難しくなるといった問題が生じていた。また、例えば、ネジ止め等の圧接構造を有するモジュールに板厚が薄い窒化アルミニウム基板を用いると強度が弱いことから、割れ・カケの発生率が高く圧接構造を有する用途においては基板厚さが薄いものは必ずしも適しているとは言えなかった。
【0005】
そのため、窒化アルミニウム基板の板厚を0.8mm以上と厚くすることにより、割れ・カケの発生を抑制していた。このような板厚が0.8mm以上の窒化アルミニウム基板を製造する場合は、プレス成形にて成形した後、脱脂、焼結する方法により製造されることが多かった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来の製造プロセスにおいては粉末性状、焼結助剤成分、成形条件、焼結温度等を特定化することによって窒化アルミニウム基板の曲げ強度をある程度向上させることはできるものの、更に向上させることは困難であった。
【0007】
その理由として、プレス成形時の圧力は1.5ton/cmが限界で、それ以上圧力を上げることはプレス装置の圧力の限界に近く、またそれ以上の圧力を上げると成形体にラミネーションクラックが入る等の問題が生じていた。
【0008】
また、焼結助剤の添加によって曲げ強度および硬度を向上させようとする場合、その添加効果が有意に認められるようにするためには焼結助剤添加量が多くなり、その結果、液相部分が多い焼結体が製造されることがある。このような液相部分は、焼結体の熱伝導性を低下させたり、焼結助剤の添加効果を低下させることがあった。仮に、液相成分の形成を制御したとしても、各焼結助剤量を厳密に制御せねばならず、この制御のバラツキが生じると窒化アルミニウム基板の特性のバラツキにつながることになり、必ずしも製造性がよいとは言えなかった。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、曲げ強度、硬度および熱伝導性が良好な窒化アルミニウム基板、およびその製造方法を提供しようとするものである。
【0010】
従って、本発明による窒化アルミニウム基板は、3点曲げ強度が350MPa以上かつビッカース硬度Hvが990以上であること、を特徴とするものである。
【0011】
また、本発明による窒化アルミニウム基板の製造方法は、窒化アルミニウムと焼結助剤とを混合し、プレス成形し、次いで冷間静水圧プレスを行って得られた窒化アルミニウム成形体を脱脂し、焼結することによって、曲げ強度が350MPa以上かつビッカース硬度Hvが990以上である窒化アルミニウム基板を製造すること、を特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
本発明による窒化アルミニウム基板は、以下のようにして得ることができる。
【0013】
本発明による窒化アルミニウム基板の製造において使用される窒化アルミニウムは、純度99.6%以上の高純度窒化アルミニウム粉末を用いることが好ましい。不純物である酸素の含有量は1.5wt%以下、特に1.0wt%以下、であることが好ましい。窒化アルミニウムとしては、平均粒径1.5μm以下、特に0.8μm以下、の粉末を用いることが好ましい。
【0014】
焼結助剤である希土類化合物としては、例えばイットリウム、イッテルビウム、セレンの酸化物等が挙げられる。本発明において特に好ましい希土類化合物は、イットリウム酸化物、即ちY、である。希土類化合物は、平均粒径2μm以下、特に1μm以下、の粉末状で用いることが好ましい。窒化アルミニウム基板における希土類化合物の存在量は、好ましくは0.1〜6重量%である。希土類化合物が6重量%を超えた場合は良好な熱伝導性を有する窒化アルミニウム基板を得ることが困難となる。
【0015】
希土類化合物を6重量%以下という少量使用する本発明では焼結体の熱伝導性を低下させる液相部分が少ないため、熱伝導性が160W/m・k以上、特に200W/m・k以上という良好な熱伝導性を有する窒化アルミニウム基板を製造することが容易である。本発明においては焼結助剤を0.1〜6重量%という少量添加することによって、曲げ強度および硬度が良好な窒化アルミニウム基板を得ることができる。言い換えれば、焼結助剤として、一種類の希土類化合物を所定添加するだけであっても所定の特性を得ることができるので、製造性が良好であり、低コスト化が可能である。なお、本発明は焼結助剤として一種類の希土類化合物であっても所定の特性が得られるものであるが、複数の焼結助剤を組合せた窒化アルミニウム基板を積極的に排除するものでないことは言うまでもない。
【0016】
前記の窒化アルミニウム粉末と希土類化合物粉末との混合は常法に従って行うことができる。本発明でば、例えばボールミル等を使用して前記の窒化アルミニウム粉末と希土類化合物との混合を行うことができる。混合に際しては、必要に応じて、各種の補助材料を配合することができる。本発明では、この種の窒化アルミニウム基板の製造において従来から使用されてきた補助材料、例えばバインダーとして作用する各種の炭素質物質、を配合することができる。そのような炭素質物質の好ましい具体例としては、アクリル樹脂等の有機物バインダーを挙げることができる。
【0017】
前記の窒化アルミニウム粉末、希土類化合物粉末および必要に応じて配合された補助材料の混合物は、プレス成形され、次いで冷間静水圧プレス(CIP)によって成形される。本発明で行われるプレス成形は、0.5ton/cm 以上、好ましくは1ton/cm 以上、1.5ton/cm 以下、のプレス条件によるものである。0.5ton/cm 未満では、本発明で目的とする曲げ強度および硬度を有する窒化アルミニウム基板を得ることができない。一方、1.5ton/cm を超えるプレス条件では、成形体にラミネーションクラックが入る場合があって、同様に目的とする曲げ強度および硬度を有する窒化アルミニウム基板を得ることが困難となる。特に、板厚が0.8mm以上、さらには1mm以上と厚くなるとラミネーションクラックが入り易くなるので、好ましい成形圧は0.5〜1.5ton/cm とする。
【0018】
本発明で行われれる冷間静水圧プレス(CIP)は、1〜2ton/cm 、好ましくは1.5〜2.0ton/cm 、の条件によるものである。1ton/cm 未満では、本発明で目的とする曲げ強度および硬度を有する窒化アルミニウム基板を得ることができない。一方、2.0ton/cm を超える条件では、成形体が緻密になりすぎて、脱脂工程においてバインダー等の補助材料の除去が十分行われなくなり易く、必要以上にバインダーが残存していると焼結後にその部分がポアとなり窒化アルミニウム基板の強度、硬度、熱伝導率の低下の原因になり易い。また、仮にバインダーを十分除去するようにするには脱脂工程を長時間行わなければならず、必ずしも製造性がよいとは言えない。
【0019】
上記のように、プレス成形され、次いで冷間静水圧プレス(CIP)が行われて成形された成形体は、必要に応じて脱脂された後、焼結される。脱脂工程としては、例えば300〜800℃×1〜4時間である。脱脂工程の温度や処理時間は窒化アルミニウム基板のサイズに応じて選択するものとする。焼結温度は1750〜1850℃の範囲内である。焼結時間は3〜10時間の範囲内である。焼結温度および焼結時間は、成形体の形状、大きさ、成形体の密度、焼成体の強度、硬度、具体的用途や、焼結温度及び焼結時間との関連性を考慮したうえで、上記範囲内で定めることができる。
【0020】
上記のようにして得られた窒化アルミニウム焼結体は、3点曲げ強度が350MPa以上かつビッカース硬度Hvが990以上のものであって窒化アルミニウム基板として特に有用なものである。そして、このような窒化アルミニウム焼結体は、同時に、熱伝導率160W/m・k以上という良好な熱伝導性を有するものである。
【0021】
このような本発明による窒化アルミニウム基板、特に厚さが0.8mm以上、とりわけ1.0mm以上、の基板は、各種の半導体素子用の基板として好適なものである。曲げ強度、ビッカース硬度および熱伝導性等が優れているという特長が顕著に認められるものは、例えば圧接構造を具備する基板として利用したときである。図1は、そのような圧接構造を具備する基板として本発明による窒化アルミニウム基板を適用した場合の一例を示すものである。この図1には、金属実装ボード2上に、本発明による窒化アルミニウム基板1が接合して設けられ、その上にサイリスタ3および導電性材料4(好ましくは銅基板)が設置された積層物が、押え部材5および6によって固定されてなる、圧接構造を有する基板が示されている。
【0022】
本発明の窒化アルミニウム基板は曲げ強度および硬度が高いことから、このような圧接構造を有するモジュールを行ったとしても窒化アルミニウム基板の割れ・カケ等の不具合を抑制することができる。しかも、窒化アルミニウム基板であることから熱伝導率が高く放熱性も良好である。さらに言えば、本発明においては希土類化合物を1種のみ添加した組成構成においても優れた強度および硬度、さらには熱伝導率を具備させることができる。そのため製造性およびコスト面も優れている。
【0023】
【実施例】
<実施例1〜5、比較例1〜2>
平均粒径0.6μmの窒化アルミニウム粉末に平均粒径0.8μmの酸化イットリウム粉末を2〜5重量%添加、混合し、表1に示される条件でプレス成形、冷間静水圧プレス(CIP)を行い、300〜800℃×1〜4時間の脱脂工程を経た後、1750〜1850℃の温度で3〜10時間の焼成を行って、直径50mm、厚さ1〜5mmの窒化アルミニウム基板を製造した。脱脂及び焼成条件については上記条件内の任意の設定で実施することが出来る。
【0024】
得られた窒化アルミニウム基板の曲げ強度、ビッカース硬度、熱伝導率および圧接強度を下記の測定条件で測定した。結果は表1に示される通りである。
【0025】
比較のために、CIPを行わないものを比較例1とした。また、比較例2としてCIP条件を本発明の好ましい範囲外のものを用意した。
【0026】
(1)3点曲げ強度:JIS‐R‐1601に従って測定した。
【0027】
(2)ビッカース硬度:JIS‐R‐1610に従って測定した(試験荷重:500g)
(3)熱伝導率:レーザーフラッシュ法にて測定した。
【0028】
(4)圧接強度:図2に示されるように、プレス定盤12上のCuベース11〔平面度:6μm以下〕の上に測定用窒化アルミニウム基板10を設置し、この測定用窒化アルミニウム基板10を、金属ブロック8およびCuスペーサ9〔平面度:0.02mm以下〕を介して油圧プレスヘッド7によって圧接した〔圧接力:2000kg/cm(+100、−0)〕、圧接速度:20〜30秒(0〜2000kg/cm)〕。同条件の圧接を10回繰り返して行い、窒化アルミニウム基板1の状態を観察した。
【0029】
【表1】
Figure 0004868641
表1から分かる通り、プレス成形後に冷間圧力成形(CIP)を行った実施例1〜5による窒化アルミニウム基板は、3点曲げ強度、ビッカース硬度、熱伝導率および圧接強度のいずれもが優れていた。特に、プレス成形条件、CIP条件をより好ましい範囲にすることにより、3点曲げ強度を420MPa以上、ビッカーズ硬度を1000Hv以上とさらに向上させることができることが判明した。それに対し、比較例1の窒化アルミニウム基板は、3点曲げ強度、ビッカース硬度および圧接強度が劣っていた。また、参考例1は、CIP圧力が大きすぎることから脱脂工程時にバインダーの除去が十分に行われなかったため、窒化アルミニウム基板内にポアが多数できてしまい各特性が低下したものと考えられる。
【0030】
【発明の効果】
本発明によれば、曲げ強度350MPa以上かつビッカース硬度Hvが990以上という、極めて高い強度および硬度を有する窒化アルミニウム基板が提供される。このような基板は、圧接構造を有するものとして各種電子素子用基板として特に有用なものである。また、このような本発明による窒化アルミニウム基板は、焼結助剤を一種類かつ少量使用することによって得ることができるので、製造コスト的に有利であるばかりでなく、同時に熱伝導性も優れたものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による窒化アルミニウム基板を圧接構造を具備する基板として利用した好ましい一具体例を示す断面図
【図2】圧接強度の評価に使用した装置の概要を示す図
【符号の説明】
1 窒化アルミニウム基板
2 金属実装ボード
3 サイリスタ
4 導電性材料
5、6 押え部材
7 油圧プレスヘッド
8 金属ブロック
9 Cuスペーサ
10 測定用窒化アルミニウム基板
11 Cuベース
12 プレス定盤

Claims (3)

  1. 窒化アルミニウムと焼結助剤とを混合し、1〜1.5ton/cmプレス成形し、次いで1〜2.0ton/cmで冷間静水圧プレスを行って得られた窒化アルミニウム成形体を、300〜800℃の温度で1〜4時間脱脂し、1750〜1850℃の温度で3〜10時間焼結することによって、板厚0.8mm以上、熱伝導率160W/m・K以上、3点曲げ強度が350MPa以上かつビッカース硬度Hvが990以上である窒化アルミニウム基板を製造することを特徴とする、窒化アルミニウム基板の製造方法。
  2. 焼結助剤として希土類化合物を0.5〜6重量%含有している、請求項記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。
  3. 冷間静水圧プレスのプレス条件が1.5〜2.0ton/cmである、請求項または請求項に記載の窒化アルミニウム基板の製造方法。
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JP3244802B2 (ja) * 1992-10-01 2002-01-07 東芝電子エンジニアリング株式会社 窒化アルミニウム放熱板
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