JP5087240B2 - 窒化物半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
T. Kawasaki他2名「Normally-off AlGaN/GaN HENT with Recessed Gate for High Power Applications」、Extended Abstracts of the 2005 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,KOBE,2005、応用物理学会固体素子・材料コンファレンス、2005年9月13日、p.206−207
Claims (4)
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層上の制御電極形成領域上に第1のマスク膜を形成する工程と、
該第1のマスク膜を用いて前記第2の窒化物半導体層を除去し、前記第1の窒化物半導体層を露出する工程と、
該露出した前記第1の窒化物半導体層上に前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第3の窒化物半導体層上に、該第3の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1のマスク膜を除去し、露出した前記第2の窒化物半導体層上に制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層上の制御電極形成領域に第2のマスク膜を形成する工程と、
該第2のマスク膜を用いて露出する前記第1の窒化物半導体層上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第3の窒化物半導体層上に該第3の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第2のマスク膜を除去し、露出した前記第1の窒化物半導体層上に、または該露出する第1の窒化物半導体上に誘電体膜を形成した後該誘電体膜上に、制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、 前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第5の窒化物半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
- 請求項1乃至3いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、微結晶構造からなる前記第4の窒化物半導体層上にオーミック接触するオーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177599A JP5087240B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006177599A JP5087240B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010526A JP2008010526A (ja) | 2008-01-17 |
JP5087240B2 true JP5087240B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=39068492
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006177599A Expired - Fee Related JP5087240B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5087240B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010016564A1 (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5290682B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-09-18 | 日本電信電話株式会社 | 窒化物半導体装置 |
JP2010225765A (ja) * | 2009-03-23 | 2010-10-07 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2011091075A (ja) * | 2009-10-20 | 2011-05-06 | Mitsubishi Electric Corp | へテロ接合電界効果トランジスタとその製造方法 |
JP2011124246A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | ヘテロ接合電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011210780A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Oki Electric Industry Co Ltd | GaN−MISトランジスタ、GaN−IGBT、およびこれらの製造方法 |
JP5654884B2 (ja) * | 2011-01-26 | 2015-01-14 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
US8975664B2 (en) * | 2012-06-27 | 2015-03-10 | Triquint Semiconductor, Inc. | Group III-nitride transistor using a regrown structure |
JP6720775B2 (ja) * | 2016-08-25 | 2020-07-08 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置、及び化合物半導体装置の製造方法 |
JP7021034B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2022-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
CN115116849A (zh) * | 2022-08-29 | 2022-09-27 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种增强型GaN功率器件制备方法 |
CN115376919A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-11-22 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种增强型GaN功率器件及其制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224737B2 (ja) * | 1999-03-04 | 2009-02-18 | ソニー株式会社 | 半導体素子 |
JP4663156B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2011-03-30 | 富士通株式会社 | 化合物半導体装置 |
JP4869564B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2012-02-08 | 新日本無線株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP4889203B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2012-03-07 | 新日本無線株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
JP4869576B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2012-02-08 | 新日本無線株式会社 | 窒化物半導体装置及びその製造方法 |
-
2006
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008010526A (ja) | 2008-01-17 |
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