JP2008010526A - 窒化物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基板上に、第1の窒化物半導体層と微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成し、制御電極形成領域にマスク膜を形成する。マスク膜を用いて露出する第1の窒化物半導体層上に、第3の窒化物半導体層と微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層を形成する。マスク膜を除去し、第2の窒化物半導体層上に制御電極を形成する。
【選択図】 図1
Description
T. Kawasaki他2名「Normally-off AlGaN/GaN HENT with Recessed Gate for High Power Applications」、Extended Abstracts of the 2005 International Conference on SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS,KOBE,2005、応用物理学会固体素子・材料コンファレンス、2005年9月13日、p.206−207
Claims (7)
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置において、
基板上に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層と、制御電極形成領域を除く前記第1の窒化物半導体層上に選択的に積層した前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層と、該第3の窒化物半導体層上に、該第3の窒化物半導体層の成膜温度より低い温度で積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層と、前記制御電極形成領域の前記第1の窒化物半導体層上に、または該第1の窒化物半導体層上に積層した該第1の窒化物半導体層の成膜温度より低い温度で積層した前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層上に、または前記第1の窒化物半導体層上に積層した誘電体膜上に形成した制御電極とを備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。 - 請求項1記載の窒化物半導体装置において、前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第5の窒化物半導体層を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。
- 請求項1または2いずれか記載の窒化物半導体装置において、前記第4の窒化物半導体層上にオーミック接触するオーミック電極を備えたことを特徴とする窒化物半導体装置。
- ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層上に、前記第1の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第2の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第2の窒化物半導体層上の制御電極形成領域上に第1のマスク膜を形成する工程と、
該第1のマスク膜を用いて前記第2の窒化物半導体層を除去し、前記第1の窒化物半導体層を露出する工程と、
該露出した前記第1の窒化物半導体層上に前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第3の窒化物半導体層上に、該第3の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第1のマスク膜を除去し、露出した前記第2の窒化物半導体層上に制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素とで構成されたIII−V族窒化物半導体層からなる窒化物半導体装置の製造方法において、
基板上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第1の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第1の窒化物半導体層上の制御電極形成領域に第2のマスク膜を形成する工程と、
該第2のマスク膜を用いて露出する前記第1の窒化物半導体層上に、前記III−V族窒化物半導体層からなる第3の窒化物半導体層を形成する工程と、
該第3の窒化物半導体層上に該第3の窒化物半導体層を形成する際の成膜温度より低い温度で、前記III−V族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第4の窒化物半導体層を形成する工程と、
前記第2のマスク膜を除去し、露出した前記第1の窒化物半導体層上に、または該露出する第1の窒化物半導体上に誘電体膜を形成した後該誘電体膜上に、制御電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。 - 請求項4または5いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、 前記基板と前記第1の窒化物半導体層との間に、前記第1の窒化物半導体層のエネルギーギャップより小さいエネルギーギャップを持つ、前記III−V族窒化物半導体層からなる第5の窒化物半導体層を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
- 請求項4乃至6いずれか記載の窒化物半導体装置の製造方法において、微結晶構造からなる前記第4の窒化物半導体層上にオーミック接触するオーミック電極を形成する工程とを含むことを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006177599A JP5087240B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
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JP2008010526A true JP2008010526A (ja) | 2008-01-17 |
JP5087240B2 JP5087240B2 (ja) | 2012-12-05 |
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JP2006177599A Expired - Fee Related JP5087240B2 (ja) | 2006-06-28 | 2006-06-28 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
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JP (1) | JP5087240B2 (ja) |
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