JP5087060B2 - 放射源およびリソグラフィ装置 - Google Patents
放射源およびリソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5087060B2 JP5087060B2 JP2009247188A JP2009247188A JP5087060B2 JP 5087060 B2 JP5087060 B2 JP 5087060B2 JP 2009247188 A JP2009247188 A JP 2009247188A JP 2009247188 A JP2009247188 A JP 2009247188A JP 5087060 B2 JP5087060 B2 JP 5087060B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- radiation
- collector
- fuel
- interaction point
- euv radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70108—Off-axis setting using a light-guiding element, e.g. diffractive optical elements [DOEs] or light guides
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/008—X-ray radiation generated from plasma involving a beam of energy, e.g. laser or electron beam in the process of exciting the plasma
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
Description
Claims (9)
- EUV放射を生成するように構成された放射源であって、
燃料の小滴を相互作用点に送出するように構成された燃料小滴ジェネレータと、
プラズマを生成するために燃料蒸発および励起放射を前記相互作用点に送出するように構成された光学系と、
前記プラズマによって放たれるEUV放射を集光するように構成されたコレクタと、
を備え、
前記光学系は、
前記コレクタの光軸に対して回転対称に構成された円錐ミラーであって、前記コレクタの外周を越えるように前記燃料蒸発および励起放射を誘導し、次に前記相互作用点に向かって前記燃料蒸発および励起放射を誘導するように構成された円錐ミラーを含み、
前記燃料蒸発および励起放射の収束点が前記相互作用点と一致するように構成されている、
放射源。 - 前記光学系は、前記相互作用点を越えるように前記燃料蒸発および励起放射を誘導し、次に前記相互作用点に向かって前記燃料蒸発および励起放射を誘導するように構成されたミラーを含む、請求項1に記載の放射源。
- 前記光学系は、前記燃料蒸発および励起放射が前記燃料小滴に入射したときに前記燃料蒸発および励起放射が前記コレクタの光軸に対して45度から135度の間の角度を規定するように構成されている、請求項1に記載の放射源。
- 前記光学系は、前記燃料蒸発および励起放射が前記燃料小滴に入射したときに前記燃料蒸発および励起放射が前記コレクタの前記光軸に対して70度から110度の間の角度を規定するように構成されている、請求項3に記載の放射源。
- 前記光学系は、前記燃料蒸発および励起放射が前記燃料小滴に入射したときに前記燃料蒸発および励起放射の少なくとも一部が前記コレクタの光軸に対して90度の角度を規定するように構成されている、請求項1に記載の放射源。
- 前記光学系は、外側反射面を有する円錐ミラーおよび内側反射面を有する2つの略フラスト円錐ミラーを含む、請求項1に記載の放射源。
- 前記フラスト円錐ミラーの少なくとも1つは、前記燃料蒸発および励起放射が前記相互作用点に向かって合焦される光パワーを有する、請求項6に記載の放射源。
- 前記光学系は、収束する環状分布によって前記燃料蒸発および励起放射を前記相互作用点に送出するようにさらに構成されている、請求項1に記載の放射源。
- 請求項1−8のいずれか一項に記載された放射源と、
前記コレクタによって形成されるEUV放射ビームを調整するように構成された照明システムと、
前記EUV放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付けされたEUV放射ビームを形成することが可能であるパターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造と、
基板を保持するように構成された基板テーブルと、
前記基板のターゲット部分に前記パターン付けされたEUV放射ビームを投影するように構成された投影システムと、
を含む、リソグラフィ装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11114908P | 2008-11-04 | 2008-11-04 | |
US61/111,149 | 2008-11-04 | ||
US17263709P | 2009-04-24 | 2009-04-24 | |
US61/172,637 | 2009-04-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177503A Division JP5606498B2 (ja) | 2008-11-04 | 2012-08-09 | 放射源およびリソグラフィ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114442A JP2010114442A (ja) | 2010-05-20 |
JP5087060B2 true JP5087060B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=41426841
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009247188A Active JP5087060B2 (ja) | 2008-11-04 | 2009-10-28 | 放射源およびリソグラフィ装置 |
JP2012177503A Active JP5606498B2 (ja) | 2008-11-04 | 2012-08-09 | 放射源およびリソグラフィ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012177503A Active JP5606498B2 (ja) | 2008-11-04 | 2012-08-09 | 放射源およびリソグラフィ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8431916B2 (ja) |
EP (1) | EP2182412A1 (ja) |
JP (2) | JP5087060B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102009047712A1 (de) * | 2009-12-09 | 2011-06-16 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lichtquelle für eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
JP5658012B2 (ja) * | 2010-11-25 | 2015-01-21 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置 |
JP2012212641A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-11-01 | Gigaphoton Inc | 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成方法 |
JP5846572B2 (ja) * | 2011-07-27 | 2016-01-20 | ギガフォトン株式会社 | チャンバ装置、極端紫外光生成装置および極端紫外光生成装置の制御方法 |
KR101938707B1 (ko) * | 2011-09-02 | 2019-01-15 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 디바이스 제조용 리소그래피 장치에 대한 방법 및 방사선 소스 |
DE102012012492A1 (de) * | 2012-06-21 | 2013-12-24 | Friedrich-Schiller-Universität Jena | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer laserangeregten Teilchenstrahlung im MeV-Bereich |
US9986628B2 (en) * | 2012-11-07 | 2018-05-29 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for generating radiation |
WO2014095262A1 (en) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Asml Netherlands B.V. | Beam delivery for euv lithography |
WO2015036024A1 (de) * | 2013-09-12 | 2015-03-19 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Strahlführungseinrichtung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung mit einer überlagerungseinrichtung |
WO2015036025A1 (de) | 2013-09-12 | 2015-03-19 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | Strahlführungseinrichtung und euv-strahlungserzeugungsvorrichtung mit einer überlagerungseinrichtung |
KR102345537B1 (ko) | 2014-12-11 | 2021-12-30 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 광원, 및 그 광원을 포함하는 검사 장치 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6329720A (ja) * | 1986-07-23 | 1988-02-08 | Toshiba Corp | 集光光学系 |
JPH0233020U (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-01 | ||
JPH0241434U (ja) * | 1988-09-09 | 1990-03-22 | ||
US4886348A (en) * | 1988-10-26 | 1989-12-12 | Westinghouse Electric Corp. | Total transmissibility optical system |
JPH0776745B2 (ja) * | 1989-11-03 | 1995-08-16 | 株式会社堀場製作所 | 顕微分光測定装置 |
JPH04127990A (ja) * | 1990-09-20 | 1992-04-28 | Toshiba Corp | レーザ光照射装置 |
SK277928B6 (en) * | 1992-12-21 | 1995-08-09 | Miroslav Hanecka | Lighting system for lighting fittings, projecting and enlargement mechanism |
JPH06316722A (ja) * | 1993-04-30 | 1994-11-15 | Ntn Corp | 円筒表面のレーザ焼入加工装置 |
US5737137A (en) * | 1996-04-01 | 1998-04-07 | The Regents Of The University Of California | Critical illumination condenser for x-ray lithography |
JP3259657B2 (ja) * | 1997-04-30 | 2002-02-25 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法 |
US7329886B2 (en) * | 1998-05-05 | 2008-02-12 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system having a plurality of light sources for illuminating an optical element |
US20070030948A1 (en) * | 1998-05-05 | 2007-02-08 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy |
US7186983B2 (en) * | 1998-05-05 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system particularly for microlithography |
JP2000089000A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Nikon Corp | X線発生装置 |
JP2000098099A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-07 | Nikon Corp | X線照明装置及びx線投影露光装置 |
US6285743B1 (en) * | 1998-09-14 | 2001-09-04 | Nikon Corporation | Method and apparatus for soft X-ray generation |
JP2000111699A (ja) * | 1998-10-01 | 2000-04-21 | Nikon Corp | 軟x線光源装置 |
DE19931848A1 (de) * | 1999-07-09 | 2001-01-11 | Zeiss Carl Fa | Astigmatische Komponenten zur Reduzierung des Wabenaspektverhältnisses bei EUV-Beleuchtungssystemen |
JP2001326096A (ja) * | 2000-05-16 | 2001-11-22 | Nikon Corp | プラズマフォーカス光源、照明装置及びこれらを用いたx線露光装置及び半導体デバイスの製造方法 |
US6972421B2 (en) * | 2000-06-09 | 2005-12-06 | Cymer, Inc. | Extreme ultraviolet light source |
US6633048B2 (en) * | 2001-05-03 | 2003-10-14 | Northrop Grumman Corporation | High output extreme ultraviolet source |
JP2005038605A (ja) * | 2002-02-12 | 2005-02-10 | Daisei Denki Kk | 照明器具 |
JP2004158786A (ja) * | 2002-11-08 | 2004-06-03 | Canon Inc | 投影光学系及び露光装置 |
US6703625B1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-03-09 | Intel Corporation | Methods and apparatus for off-axis lithographic illumination |
US7034320B2 (en) * | 2003-03-20 | 2006-04-25 | Intel Corporation | Dual hemispherical collectors |
US7075713B2 (en) * | 2003-05-05 | 2006-07-11 | University Of Central Florida Research Foundation | High efficiency collector for laser plasma EUV source |
US6973164B2 (en) * | 2003-06-26 | 2005-12-06 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Laser-produced plasma EUV light source with pre-pulse enhancement |
AU2003267015A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-04-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Oblique reflector normal incidence collector system for light sources, in particular for euv plasma discharge sources |
FR2860385B1 (fr) * | 2003-09-26 | 2007-06-01 | Cit Alcatel | Source euv |
US7164144B2 (en) * | 2004-03-10 | 2007-01-16 | Cymer Inc. | EUV light source |
JP2005340319A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Nikon Corp | 光源装置、照明装置、露光装置、露光方法および調整方法 |
DE102004028943B4 (de) * | 2004-06-11 | 2006-10-12 | Xtreme Technologies Gmbh | Vorrichtung zur zeitlich stabilen Erzeugung von EUV-Strahlung mittels eines laserinduzierten Plasmas |
FR2871622B1 (fr) * | 2004-06-14 | 2008-09-12 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de generation de lumiere dans l'extreme ultraviolet et application a une source de lithographie par rayonnement dans l'extreme ultraviolet |
US7227613B2 (en) * | 2004-07-26 | 2007-06-05 | Asml Holding N.V. | Lithographic apparatus having double telecentric illumination |
US7274432B2 (en) * | 2004-10-29 | 2007-09-25 | Asml Netherlands B.V. | Radiation system, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4496355B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2010-07-07 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 液滴供給方法および装置 |
DE102005014433B3 (de) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren und Anordnung zur effizienten Erzeugung von kurzwelliger Strahlung auf Basis eines lasererzeugten Plasmas |
JP4937643B2 (ja) * | 2006-05-29 | 2012-05-23 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
JP4884152B2 (ja) * | 2006-09-27 | 2012-02-29 | 株式会社小松製作所 | 極端紫外光源装置 |
-
2009
- 2009-10-01 EP EP09171960A patent/EP2182412A1/en not_active Withdrawn
- 2009-10-28 JP JP2009247188A patent/JP5087060B2/ja active Active
- 2009-11-03 US US12/611,269 patent/US8431916B2/en active Active
-
2012
- 2012-08-09 JP JP2012177503A patent/JP5606498B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2182412A1 (en) | 2010-05-05 |
JP2010114442A (ja) | 2010-05-20 |
US20100110405A1 (en) | 2010-05-06 |
JP2013008683A (ja) | 2013-01-10 |
US8431916B2 (en) | 2013-04-30 |
JP5606498B2 (ja) | 2014-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5606498B2 (ja) | 放射源およびリソグラフィ装置 | |
KR101572930B1 (ko) | 방사 시스템, 방사선 콜렉터, 방사 빔 컨디셔닝 시스템, 방사 시스템용 스펙트럼 퓨리티 필터, 및 스펙트럼 퓨리티 필터 형성 방법 | |
TWI616724B (zh) | 微影裝置及元件製造方法 | |
JP5717761B2 (ja) | Euv放射源およびリソグラフィ装置 | |
JP4966342B2 (ja) | 放射源、放射を生成する方法およびリソグラフィ装置 | |
TWI534553B (zh) | 收集器鏡總成及產生極紫外光輻射之方法 | |
KR102072064B1 (ko) | 방사선 소스 | |
JP5027192B2 (ja) | 放射源および極端紫外線放射を発生させる方法 | |
JP2010537424A (ja) | 極端紫外線を生成するモジュールおよび方法 | |
JP2013516079A (ja) | 照明システム、リソグラフィ装置および照明方法 | |
JP6321777B2 (ja) | ソースコレクタ装置、リソグラフィ装置及び方法 | |
JP2010258447A (ja) | リソグラフィ放射源、コレクタ、装置および方法 | |
JP5081194B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP6047573B2 (ja) | 放射源 | |
JP2012506133A (ja) | コレクタアセンブリ、放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
JP2010045358A (ja) | 放射源、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
US20140218706A1 (en) | Radiation source and lithographic apparatus | |
JP4999827B2 (ja) | リソグラフィ装置 | |
JP2006140470A (ja) | 放射システム、リソグラフィ装置、デバイス製造方法、及び、それらにより製造されたデバイス | |
JP2013505593A (ja) | スペクトル純度フィルタ、リソグラフィ装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2009267403A (ja) | 照明システムおよびリソグラフィ方法 | |
JP2011044707A (ja) | リソグラフィ装置で使用されるスペクトル純度フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120502 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120809 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120904 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120907 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5087060 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |