JP5083315B2 - 検査装置、検査方法およびプログラム - Google Patents

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Description

本発明は、特に半導体素子や液晶表示素子などの製造過程において、試料表面の欠陥を検出する検査装置、検査方法およびプログラムに関する。
従来より、半導体ウェハや液晶基板(総じて「試料」という)の表面に形成されたパターンから発生する回折光を利用して、試料表面のむらや傷などの欠陥を検査する装置が種々提案されている。特に、近年では半導体のプロセスの微細化に伴って、試料の欠陥管理にもより高い精度が求められている。
一例として、特許文献1には、予め求めておいた良品基準色データと、カラー画像に基づく検査面色データとの差に基づいて、基板の不良候補領域を選定する電子回路部品の検査装置が開示されている。
特開2003−302354号公報
ところで、上記の欠陥検査でパターンの観察を精度良く行うためには、解析結果のうちでパターンの特徴が顕著に現れる部分に注目して観察を行うことが好ましい。しかし、解析結果においてパターンの特徴が顕著に現れる部分を特定することは非常に煩雑であって、その改善がなお要請されていた。
本発明は上記従来技術の課題を解決するためのものである。本発明の目的は、解析結果においてパターンの特徴が顕著に現れる部分を容易に特定するための手段を提供することにある。
第1の発明の検査装置は、表面にパターンが形成された試料を載置するためのステージと、パターンを観察するための対物レンズと、照明光学系と、検出光学系と、撮像部と、解析部とを備える。照明光学系は、光源および偏光子を含む。そして、照明光学系は、光源からの任意の波長域を選択するとともに、偏光子および対物レンズを介して試料を落射照明する。検出光学系は、偏光子の偏光方向に対して偏光面が交差する検光子を含む。そして、検出光学系は、対物レンズおよび検光子を介して試料からの光を検出するとともに、該光に基づいて試料表面のフーリエ画像を取得する。撮像部は、フーリエ画像を撮像する。解析部は、フーリエ画像のうちでパターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を求めるための演算処理を行う。
第2の発明は、第1の発明において、解析部は、パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数のフーリエ画像に基づいて、フーリエ画像の間で生じる階調差を画像内の各々の位置ごとに演算し、階調差の大きさから注目領域を求める。
第3の発明は、第2の発明において、撮像部は、フーリエ画像のカラーデータを生成する。また、解析部は、フーリエ画像の色成分ごとに階調差を演算し、いずれかの色成分のデータに基づいて注目領域を求める。
第4の発明は、第1の発明において、フーリエ画像に対応するパターンの線幅データを入力するデータ入力部を検査装置がさらに備える。また、解析部は、パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数のフーリエ画像に基づいて、フーリエ画像の階調値とパターンの線幅との変化率を画像内の各々の位置ごとに演算し、変化率の値に基づいて注目領域を求める。
第5の発明は、第4の発明において、撮像部は、フーリエ画像のカラーデータを生成する。また、解析部は、フーリエ画像の色成分ごとに変化率を演算し、いずれかの色成分のデータに基づいて注目領域を求める。
第6の発明は、第4または第5の発明において、解析部は、画像内の各々の位置ごとに線幅との相関誤差をさらに演算し、変化率の値および相関誤差に基づいて注目領域を求める。
第7の発明は、第1から第6のいずれかの発明において、解析部は、注目領域に対応するフーリエ画像のデータに基づいて、試料におけるパターンの良否判定およびパターンの変動検出の少なくとも一方を実行する。
第8の発明は、第4から第6のいずれかの発明において、解析部は、変化率の演算のときに階調値を線幅に変換する近似式を求めるとともに、この近似式に基づいてフーリエ画像から線幅を推定する。
なお、上記発明に関する構成を、検査方法や、その検査方法をコンピュータに実行させるためのプログラムなどに変換して表現したものも本発明の具体的態様として有効である。
本発明によれば、試料のパターンを撮像したフーリエ画像に基づいて、パターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を求めることができる。
第1実施形態の欠陥検査装置の概要図 ウェハへの照射光の入射角度と瞳内での結像位置との関係の説明図 第1実施形態での注目領域の求め方を説明する流れ図 フーリエ画像を領域分割した状態の一例を示す図 S103での輝度データの抽出状態を示す模式図 分割領域Pmにおける輝度データのRGBの階調値を示すグラフ フーリエ画像におけるRの階調差の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるGの階調差の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるBの階調差の分布状態を示す図 パターンのフォーカスとフーリエ画像の階調値との相関関係を示すグラフ 第2実施形態での注目領域の求め方を説明する流れ図 各フーリエ画像に対応するパターンの線幅と、分割領域PmにおけるRGBの階調値との対応関係の一例を示す図 パターンの線幅と、分割領域PmでのBの階調値とを示すグラフ フーリエ画像におけるRに対応する係数aの値の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるRに対応する相関誤差の値の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるGに対応する係数aの値の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるGに対応する相関誤差の値の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるBに対応する係数aの値の分布状態を示す図 フーリエ画像におけるBに対応する相関誤差の値の分布状態を示す図
(第1実施形態の説明)
以下、図1を参照しつつ、第1実施形態の欠陥検査装置の構成を説明する。
欠陥検査装置は、ウェハステージ1と、対物レンズ2と、ハーフミラー3と、照明光学系4と、検出光学系5と、撮像部6と、制御ユニット7とを備えている。
ウェハステージ1には、パターンの形成面を上にした状態で欠陥検査対象のウェハ8(試料)が載置される。このウェハステージ1は、それぞれ直交するxyzの3軸方向に移動可能に構成されている(図1では、紙面上下方向をz方向とする)。また、ウェハステージ1はz軸を中心として回転できるように構成されている。
ウェハステージ1の上側には、ウェハ8のパターンを観察するための対物レンズ2が配置されている。図1の例では、対物レンズ2の倍率は100倍に設定されている。そして、対物レンズ2の上側には、ハーフミラー3が傾斜配置されている。図1において、ハーフミラー3の左側には照明光学系4が配置されており、ハーフミラー3の上側には検出光学系5が配置されている。
照明光学系4は、図1の左側から右側に向けて配置順に、光源11(例えば、白色LEDやハロゲンランプなど)と、集光レンズ12と、照度均一化ユニット13と、開口絞り14と、視野絞り15と、コリメータレンズ16と、着脱可能な偏光子(偏光フィルタ)17とを有している。
ここで、照明光学系4の光源11から放出された光は、集光レンズ12および照度均一化ユニット13を介して、開口絞り14および視野絞り15に導かれる。照度均一化ユニット13は、干渉フィルタによって任意の波長域の光を通過させる。上記の開口絞り14および視野絞り15は、照明光学系4の光軸に対して開口部の大きさおよび位置が変更可能に構成されている。したがって、照明光学系4では、開口絞り14および視野絞り15の操作によって、照明領域の大きさおよび位置の変更と、照明の開口角の調整とを行うことができる。そして、開口絞り14および視野絞り15を通過した光は、コリメータレンズ16でコリメートされた後に偏光子17を通過してハーフミラー3に入射する。
ハーフミラー3は、照明光学系4からの光を下方に反射して対物レンズ2に導く。これにより、対物レンズ2を通過した照明光学系4からの光でウェハ8が落射照明される。一方、ウェハ8に落射照明された光は、ウェハ8で反射して再び対物レンズ2に戻り、ハーフミラー3を透過して検出光学系5に入射することとなる。
検出光学系5は、図1の下側から上側に向けて配置順に、着脱可能な検光子(偏光フィルタ)21と、レンズ22と、ハーフプリズム23と、ベルトランレンズ24と、視野絞り25とを有している。検出光学系5の検光子21は、照明光学系4の偏光子17に対してクロスニコルの状態となるように配置されている。照明光学系4の偏光子17と検出光学系5の検光子21とはクロスニコルの条件を満たすので、ウェハ8のパターンで偏光主軸が回転しない限り、検出光学系5で観測される光量は0に近くなる。
また、検出光学系5のハーフプリズム23は入射光束を2方向に分岐させる。ハーフプリズム23を通過する一方の光束は、ベルトランレンズ24を介して視野絞り25にウェハ8の像を結像させるとともに、撮像部6の撮像面に対物レンズ2の瞳面上の輝度分布を再現させる。すなわち、撮像部6では、フーリエ変換されたウェハ8の画像(フーリエ画像)を撮像することができる。なお、上記の視野絞り25は、検出光学系5の光軸に対して垂直方向の面内で開口形状を変化させることができる。そのため、視野絞り25の操作によって、ウェハ8の任意の領域での情報を撮像部6が検出できるようになる。なお、ハーフプリズム23を通過する他方の光束は、フーリエ変換されていない画像を撮像するための第2の撮像部(不図示)に導かれる。
ここで、第1実施形態の欠陥検査でフーリエ画像(すなわち、対物レンズ2の瞳面の像)を撮像するのは以下の理由による。欠陥検査においてウェハ8のパターンをそのまま撮像した画像を用いると、パターンのピッチが検査装置の分解能以下のときには、パターンの欠陥を光学的に検出できなくなる。一方、フーリエ画像では、ウェハ8のパターンに欠陥があると反射光の対称性が崩れ、構造性複屈折によりフーリエ画像の光軸に対して対称な部分同士の輝度や色などに変化が生じる。そのため、パターンのピッチが検査装置の分解能以下のときでも、フーリエ画像における上記の変化を検出することでパターンの欠陥検出が可能となる。
さらに、図2を参照しつつ、ウェハ8への照射光の入射角度と瞳内での結像位置との関係を説明する。図2で破線で示すように、ウェハ8への照射光の入射角度が0°のときには、瞳上の結像位置は瞳中心となる。一方、図2で実線で示すように、入射角度64°(NA=0.9相当)のときには、瞳上の結像位置は瞳の外縁部となる。すなわち、ウェハ8への照射光の入射角度は、瞳上では瞳内の半径方向の位置に対応する。また、瞳内で光軸から同一半径内の位置に結像する光は、ウェハ8に同一角度で入射した光である。
図1に戻って、撮像部6は、ベイヤ配列のカラーフィルタアレイを有する撮像素子によって上記のフーリエ画像を撮像する。そして、撮像部6では、撮像素子の出力に対してA/D変換と各種の画像処理とを施してフーリエ画像のRGBカラーデータを生成する。この撮像部6の出力は制御ユニット7に接続されている。なお、図1では、撮像部6の個々の構成要素の図示は省略する。
制御ユニット7は、欠陥検査装置の統括的な制御を実行する。この制御ユニット7は、フーリエ画像のデータを記録する記録部31と、入力I/F32と、各種の演算処理を実行するCPU33と、モニタ34および操作部35とを有している。記録部31、入力I/F32、モニタ34および操作部35は、それぞれCPU33に接続されている。
ここで、制御ユニット7のCPU33は、プログラムの実行によってフーリエ画像を解析し、フーリエ画像のうちでパターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を求める。また、入力I/F32は、記録媒体(不図示)を接続するコネクタや、外部のコンピュータ9と接続するための接続端子を有している。そして、入力I/F32は、上記の記録媒体またはコンピュータ9からデータの読み込みを行う。
次に、図3の流れ図を参照しつつ、第1実施形態における欠陥検査のときの注目領域の求め方の一例を説明する。この第1実施形態では、各々の露光条件(フォーカス/ドーズ)が相違する同一形状のパターンを複数形成した1枚のウェハ8を利用して、欠陥検査での注目領域を求める例を説明する。
ステップ101:制御ユニット7のCPU33は、上記のウェハ8上の各々のパターンの所定位置について、撮像部6で各々のフーリエ画像を撮像する。これにより、制御ユニット7の記録部31には、同一形状のパターンについて、露光条件がそれぞれ異なる複数のフーリエ画像のカラーデータが記録されることとなる。なお、以後の説明では、簡単のため、各々のフーリエ画像を区別するときには符号FIを付して表記する。
ステップ102:CPU33は、各々のフーリエ画像について、画像上の各位置ごとのR,G,Bの輝度データをそれぞれ生成する。以下、1フレーム目のフーリエ画像FI1を例として、上記の輝度データの求め方を具体的に説明する。
(1)CPU33は、フーリエ画像FI1を正方格子状の複数の領域に分割する。図4に、フーリエ画像を領域分割した状態の一例を示す。なお、以後の説明では、簡単のため、フーリエ画像上の分割領域を区別するときには符号Pを付して表記する。
(2)CPU33は、フーリエ画像FI1の各分割領域ごとに、RGBの輝度値の平均をそれぞれの色別に求める。これにより、FI1の各分割領域ごとに、R,G,Bの各色成分ごとの階調を示す輝度データがそれぞれ生成される。
そして、CPU33は、上記の(1)および(2)の工程を各々のフーリエ画像で繰り返す。これにより、1フレーム目からnフレーム目までの各フーリエ画像(FI1〜FIn)で、各々の分割領域毎のR,G,Bの輝度データがそれぞれ生成されることとなる。
ステップ103:CPU33は、同じ分割領域におけるフーリエ画像(FI1〜FIn)間での階調差を示す階調差データを、RGBの各色成分ごとに生成する。
以下、フーリエ画像FI上の任意の分割領域Pmを例として、S103での演算処理を具体的に説明する。
まず、CPU33は、各々のフーリエ画像(FI1〜FIn)について、分割領域Pmでの各色成分の輝度データ(S102で求めたもの)をそれぞれ抽出する(図5参照)。次に、CPU33は、各色成分ごとに分割領域Pmでの階調値をそれぞれ比較する。図6は、分割領域Pmにおける輝度データのRGBの階調値を示すグラフである。なお、図6では、横軸がフーリエ画像FIの番号を示し、縦軸が各々のフーリエ画像の階調値を示す。
さらに、CPU33は、分割領域Pmに対応する輝度データの階調値のうちで、RGBごとの最大値と最小値とを抽出する。その後に、CPU33は、RGBの各色成分ごとに上記の最大値と最小値との差分値を演算する。これにより、分割領域Pmにおけるフーリエ画像間での階調差を示す階調差データが、RGBの各色成分ごとに生成される。
そして、CPU33は、上記の工程を全ての分割領域の分だけ繰り返す。これにより、フーリエ画像の全ての分割領域で、RGBごとの階調差データがそれぞれ生成されることとなる。
ステップ104:CPU33は、S103で求めた階調差データに基づいて、フーリエ画像の分割領域のうちでパターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を決定する。
図7から図9は、フーリエ画像の各分割領域における階調差の分布状態を色成分ごとに示した図である。上記の例において、フーリエ画像間での輝度の階調差は、分割領域P1でのBの値が最大となる(図9参照)。そのため、S104でのCPU33は、分割領域P1を注目領域に決定し、分割領域P1でのBの階調値に基づいて後述の欠陥検査を実行する。ここで、フーリエ画像における注目領域の位置はウェハ8のパターンに応じて変化する。また、階調差が大きくなる色成分は階調値が高く、ウェハ8上の薄膜の干渉により強められたものと考えられる。以上で、図3の流れ図の説明を終了する。
そして、CPU33は、上記の要領で求めた注目領域および色成分に着目して、フーリエ画像を解析することでウェハ8のパターンの欠陥検査を実行する。ここで、フーリエ画像における上記の注目領域では、パターンの状態のわずかな変化でも所定の色成分の階調に変化が現れやすいので、パターンの欠陥検査を高い精度で行うことができる。
一例として、パターンの露光条件と階調値との相関関係が予め判明している場合には、欠陥検査対象のパターンを撮像したフーリエ画像を解析するときに、CPU33は注目領域における所定の色成分のデータ(上記の例では分割領域P1でのBの階調値)に基づいて、パターンの欠陥検査を容易に行うことができる。ここで、フォーカス状態が異なる同一形状のパターンをそれぞれ撮像したフーリエ画像において、パターンのフォーカス状態とフーリエ画像の階調値との相関を図10に示す。上記の図10に対応する判定用データを制御ユニット7が利用できる場合には、フーリエ画像の注目領域における所定の色成分の階調値と判定用データにおけるフォーカス状態の良品範囲の階調値とを比較することで、CPU33はウェハ8上のパターンの欠陥を検出できる。
また、CPU33は、欠陥検査対象となる複数のフーリエ画像の解析時に、注目領域における所定の色成分の階調に閾値以上の変化のあるものを抽出して、ウェハ8のパターンの変動検出を実行することもできる。
(第2実施形態の説明)
図11は、第2実施形態における欠陥検査のときの注目領域の求め方の一例を説明する流れ図である。ここで、第2実施形態の欠陥検査装置の構成は、図1に示す第1実施形態の欠陥検査装置と共通するので重複説明は省略する。
この第2実施形態では、第1実施形態と同様のウェハ8を利用して、各々のパターンのフーリエ画像とパターン毎の線幅のデータとに基づいて欠陥検査での注目領域を求める。なお、上記のパターンに対応する線幅のデータは、例えば、スキャトロメータや走査型電子顕微鏡(SEM)などの線幅測定器で測定したものを利用する。
ステップ201:CPU33は、上記のウェハ8について、各々のパターンに対応する線幅のデータ群を入力I/F32から読み込んで取得する。なお、制御ユニット7に読み込まれた線幅のデータ群は記録部31に記録される。
ステップ202:CPU33は、上記のウェハ8上の各々のパターンについて、撮像部6で各々のフーリエ画像を撮像する。なお、このステップは図3のS101に対応するので重複説明は省略する。
ステップ203:CPU33は、各々のフーリエ画像について、画像上の各位置ごとのR,G,Bの輝度データをそれぞれ生成する。なお、このステップは図3のS102に対応するので重複説明は省略する。
ステップ204:CPU33は、フーリエ画像上の各分割領域(S203)において、フーリエ画像の階調値とパターンの線幅との変化率を示す近似式を求める。なお、S204でのCPU33は、1つの分割領域において、上記の近似式をRGBの各色成分ごとにそれぞれ演算する。
以下、フーリエ画像FI上の任意の分割領域Pmを例として、S204での演算処理を具体的に説明する。
(1)第1に、CPU33は、各々のフーリエ画像(FI1〜FIn)に対応するパターンの線幅のデータを記録部31から読み出す。また、CPU33は、各々のフーリエ画像(FI1〜FIn)における分割領域Pmでの各色成分の輝度データ(S203で求めたもの)をそれぞれ抽出する。そして、CPU33は、各々のフーリエ画像(FI1〜FIn)ごとに、パターンの線幅と分割領域Pmでの階調値との対応関係を求める。なお、図12に、各々のフーリエ画像(FI1〜FIn)に対応するパターンの線幅と、分割領域PmでのRGBの階調値との対応関係の一例を示す。
(2)第2に、CPU33は、上記(1)で求めた線幅と階調値との対応関係のデータに基づいて、フーリエ画像の階調値とパターンの線幅との変化率を示す近似式を演算する。
ここで、分割領域PmでのBの階調値に対応する近似式の演算を説明する。図13に、パターンの線幅と、分割領域PmでのBの階調値とのグラフを示す。図13では、横軸が分割領域PmでのBの階調値を示し、縦軸がパターンの線幅を示す。なお、図13では、1つのフーリエ画像につき1つの点がグラフ上にプロットされる。
図13からも分かるように、パターンの線幅とフーリエ画像の階調値とは線形に比例して、一次の近似式とよく一致する。そのため、CPU33は、パターンの線幅と分割領域PmでのBの階調値との対応関係のデータから、最小二乗法によって以下の式(1)を演算する。
y=ax+b ・・・(1)
上記の式(1)において、「y」は各々のフーリエ画像に対応するパターンの線幅を意味する。「x」は分割領域PmでのBの階調値を意味する。「a」はパターンの線幅の変化量をBの階調値の変化量で除した係数である。「b」はy切片の値である。ここで、上記の係数aの絶対値は、パターンの線幅の変化に対する階調変化の逆数(パターンの状態の検出感度の逆数)に相当する。すなわち、上記の係数aの絶対値が小さくなると、線幅の差が同じでもフーリエ画像の階調変化が大きくなるので、パターンの状態の検出感度がより高くなる。
以上の工程によって、CPU33は、分割領域PmでのBの階調値に対応する近似式を求めることができる。勿論、CPU33は、分割領域PmでのR,Gの階調値に対応する近似式についても上記と同様の工程で演算を行う。その後、CPU33は、フーリエ画像上の全ての分割領域において、RGBの各階調値に対応する近似式をそれぞれ演算する。
ステップ205:CPU33は、フーリエ画像上の各分割領域(S203)において、S204で得た近似式とパターンの線幅との相関誤差を各々の色成分ごとに求める。
まず、CPU33は、フーリエ画像(FI1〜FIn)に対応する線幅と、近似式(S204)で導出される線幅との偏差のデータを生成する。勿論、CPU33は、各々の分割領域においてRGBの色成分別に上記の偏差のデータをそれぞれ生成する。そして、CPU33は、上記の偏差のデータから各々の分割領域のRGBの色成分ごとに標準偏差を演算し、その値を相関誤差とする。
ステップ206:CPU33は、S204で求めた係数a(パターンの状態の検出感度の逆数)と、S205で求めた相関誤差とに基づいて、フーリエ画像の分割領域のうちでパターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を決定する。すなわち、CPU33は、係数aの絶対値が小さく、かつ相関誤差が十分に小さい分割領域から上記の注目領域を設定する。一例として、CPU33は、上記の係数aの絶対値の小ささと、相関誤差の小ささとに応じて各々の分割領域のスコアリングを行い、このスコアリングの結果に基づいて注目領域を決定する。
図14,図16,図18は、フーリエ画像における近似式の係数aの値の分布状態を色成分ごとに示した図である。また、図15,図17,図19は、フーリエ画像における相関誤差の値の分布状態を色成分ごとに示した図である。上記の例において、係数aの絶対値は、分割領域P2でのBの階調値に対応する近似式のものが最小となる。また、分割領域P2でのBの階調値に関しては、相関誤差の値も比較的小さな値となる。そのため、S206でのCPU33は、分割領域P2を注目領域に決定し、分割領域P2でのBの階調値に基づいて後述の欠陥検査を実行する。以上で、図11の流れ図の説明を終了する。
そして、CPU33は、上記の要領で求めた注目領域および色成分に着目してフーリエ画像を解析することで、ウェハ8のパターンの欠陥検査や変動検出を実行する。特に第2実施形態では、パターンの線幅の相関誤差も考慮して注目領域が決定されるので、パターンの欠陥検査などをさらに高い精度で行うことができる。なお、第2実施形態におけるパターンの欠陥検査や変動検出の手法については、第1実施形態の場合とほぼ同様であるため重複説明を省略する。
また、第2実施形態でのCPU33は、注目領域を決定したときと同一のパターンを撮像したフーリエ画像から、検査対象のパターンの線幅を推定できる。この場合、CPU33は、検査対象のフーリエ画像から注目領域の所定の色成分の階調値(上記の例であれば、分割領域P2でのBの階調値)を取得する。そして、CPU33は、S204およびS206で求めた近似式に基づいて、上記の階調値からパターンの線幅を推定する。したがって、第2実施形態では、フーリエ画像に基づいて、欠陥検査と同時にパターンの線幅の推定を行うことができるので、ウェハ8の検査工程での作業性を著しく向上させることができる。
この第2実施形態の線幅の推定は、フーリエ変換後のパターンの階調に基づいて行われるので、上記の線幅の推定値は視野絞り25により決定されたウェハ8の任意の領域のパターンの線幅を平均化したものに相当する。したがって、第2実施形態の場合には、パターンの測定誤差はSEMの測定結果と比べても著しく小さくなる。
また、SEMによる線幅測定では電子線によるパターンの焼けなどが生じうるが、第2実施形態の欠陥検査装置ではかかる不都合が生じることはない。さらに、スキャトロメータでの線幅測定では、測定前のセットアップに多大な時間が要求されるが、第2実施形態によれば煩雑な設定作業をほとんど行うことなくパターンの線幅の推定を容易に実行できるようになる。
なお、本実施形態では、近似式として一次の近似式を用いたが、これに限らず、対数近似、累乗近似、多数項近似を用いることも可能である。
(実施形態の補足事項)
(1)上記実施形態では、注目領域を求める演算処理を欠陥検査装置のCPU33が実行する例を説明した。しかし、本発明では、例えば、図1に示すコンピュータ9に欠陥検査装置からのフーリエ画像のデータを読み込ませて、コンピュータ9上で注目領域を求める演算処理を実行するようにしてもよい。
(2)上記実施形態でのCPU33は、注目領域および色成分を1つに限定することなく、複数の注目領域および色成分を参照してパターンの欠陥検査などを行うようにしてもよい。
(3)上記実施形態では、CPU33が注目領域および色成分を決定する例を説明したが、例えば、CPU33は各分割領域におけるの階調差などの演算結果をモニタ34に表示するとともに、オペレータの操作に応じてCPU33が注目領域および色成分を決定するようにしてもよい。
(4)上記実施形態では、フーリエ画像のカラーデータに基づいてCPU33が注目領域を決定する例を説明した。しかし、本発明はグレースケールのフーリエ画像のデータを利用して注目領域を求めるものであってもよい。
(5)上記実施形態では、RGB色空間のフーリエ画像のデータに基づいてCPU33が注目領域を求める例を説明した。しかし、本発明では、例えばフーリエ画像のデータをHIS色空間のデータに変換してCPU33が演算処理を実行してもよい。
(6)上記実施形態では、偏光子と検光子とをクロスニコルに配置する例を説明したが、本発明では偏光子と検光子との偏光面が交差する状態であればよく、必ずしもクロスニコルの条件を満たす配置に限定されるものではない。
なお、本発明は、その精神またはその主要な特徴から逸脱することなく他の様々な形で実施することができる。そのため、上述した実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明は、特許請求の範囲によって示されるものであって、本発明は明細書本文にはなんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内である。

Claims (17)

  1. 表面にパターンが形成された試料を載置するためのステージと、
    前記パターンを観察するための対物レンズと、
    光源および偏光子を含み、前記光源からの任意の波長域を選択するとともに、前記偏光子および前記対物レンズを介して前記試料を落射照明する照明光学系と、
    前記偏光子の偏光方向に対して偏光面が交差する検光子を含み、前記対物レンズおよび前記検光子を介して前記試料からの光を検出するとともに、該光に基づいて試料表面のフーリエ画像を取得する検出光学系と、
    前記フーリエ画像を撮像する撮像部と、
    前記フーリエ画像のうちで前記パターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を求めるための演算処理を行う解析部と、
    を備えることを特徴とする検査装置。
  2. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記解析部は、前記パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数の前記フーリエ画像に基づいて、前記フーリエ画像の間で生じる階調差を画像内の各々の位置ごとに演算し、前記階調差の大きさから前記注目領域を求めることを特徴とする検査装置。
  3. 請求項2に記載の検査装置において、
    前記撮像部は、前記フーリエ画像のカラーデータを生成し、
    前記解析部は、前記フーリエ画像の色成分ごとに前記階調差を演算し、いずれかの前記色成分のデータに基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査装置。
  4. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記フーリエ画像に対応する前記パターンの線幅データを入力するデータ入力部をさらに備え、
    前記解析部は、前記パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数の前記フーリエ画像に基づいて、前記フーリエ画像の階調値と前記パターンの線幅との変化率を画像内の各々の位置ごとに演算し、前記変化率の値に基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査装置。
  5. 請求項4に記載の検査装置において、
    前記撮像部は、前記フーリエ画像のカラーデータを生成し、
    前記解析部は、前記フーリエ画像の色成分ごとに前記変化率を演算し、いずれかの前記色成分のデータに基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査装置。
  6. 請求項4または請求項5に記載の検査装置において、
    前記解析部は、画像内の各々の位置ごとに前記線幅との相関誤差をさらに演算し、前記変化率の値および前記相関誤差に基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査装置。
  7. 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の検査装置において、
    前記解析部は、前記注目領域に対応する前記フーリエ画像のデータに基づいて、前記試料における前記パターンの良否判定および前記パターンの変動検出の少なくとも一方を実行することを特徴とする検査装置。
  8. 請求項4から請求項6のいずれか1項に記載の検査装置において、
    前記解析部は、前記変化率の演算のときに前記階調値を前記線幅に変換する近似式を求めるとともに、前記近似式に基づいて前記フーリエ画像から前記線幅を推定することを特徴とする検査装置。
  9. 表面にパターンが形成された試料を載置するためのステージと、
    前記パターンを観察するための対物レンズと、
    光源および偏光子を含み、前記光源からの任意の波長域を選択するとともに、前記偏光子および前記対物レンズを介して前記試料を落射照明する照明光学系と、
    前記偏光子の偏光方向に対して偏光面が交差する検光子を含み、前記対物レンズおよび前記検光子を介して前記試料からの光を検出するとともに、該光に基づいて試料表面のフーリエ画像を取得する検出光学系と、を備える検査装置を用いた検査方法であって、
    前記フーリエ画像のデータを取得する画像データ取得ステップと、
    前記フーリエ画像のうちで前記パターンの状態の影響を他の領域よりも大きく受ける注目領域を求める解析ステップと、
    を有することを特徴とする検査方法。
  10. 請求項9に記載の検査方法において、
    前記解析ステップにて、前記パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数の前記フーリエ画像に基づいて、前記フーリエ画像の間で生じる階調差を画像内の各々の位置ごとに演算し、前記階調差の大きさから前記注目領域を求めることを特徴とする検査方法。
  11. 請求項10に記載の検査方法において、
    前記画像データ取得ステップにて、前記フーリエ画像のカラーデータを取得し、
    前記解析ステップにて、前記フーリエ画像の色成分ごとに前記階調差を演算し、いずれかの前記色成分のデータに基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査方法。
  12. 請求項9に記載の検査方法において、
    前記解析ステップに先立って、前記フーリエ画像に対応する前記パターンの線幅データを取得する線幅データ取得ステップをさらに有し、
    前記解析ステップにて、前記パターンの露光条件がそれぞれ異なる複数の前記フーリエ画像に基づいて、前記フーリエ画像の階調値と前記パターンの線幅との変化率を画像内の各々の位置ごとに演算し、前記変化率の値に基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査方法。
  13. 請求項12に記載の検査方法において、
    前記画像データ取得ステップにて、前記フーリエ画像のカラーデータを取得し、
    前記解析ステップにて、前記フーリエ画像の色成分ごとに前記変化率を演算し、いずれかの前記色成分のデータに基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査方法。
  14. 請求項12または請求項13に記載の検査方法において、
    前記解析ステップにて、画像内の各々の位置ごとに前記線幅との相関誤差をさらに演算し、前記変化率の値および前記相関誤差に基づいて前記注目領域を求めることを特徴とする検査方法。
  15. 請求項9から請求項14のいずれか1項に記載の検査方法において、
    前記注目領域に対応する前記フーリエ画像のデータに基づいて、前記試料における前記パターンの良否判定および前記パターンの変動検出の少なくとも一方を実行する判定ステップをさらに有することを特徴とする検査方法。
  16. 請求項12から請求項14のいずれか1項に記載の検査方法において、
    前記解析ステップにて、前記変化率の演算のときに前記階調値を前記線幅に変換する近似式を求め、
    前記近似式に基づいて前記フーリエ画像から前記線幅を推定する線幅推定ステップをさらに有することを特徴とする検査方法。
  17. 請求項9に記載の検査方法における画像データ取得ステップおよび解析ステップをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10211027B2 (en) 2016-08-03 2019-02-19 Nuflare Technology, Inc. Method for measuring resolution of charged particle beam and charged particle beam drawing apparatus

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2009125839A1 (ja) * 2008-04-11 2011-08-04 株式会社ニコン 検査装置
EP2467703A1 (en) 2009-08-17 2012-06-27 Nanda Technologies GmbH Method of inspecting and processing semiconductor wafers
JP2011099822A (ja) * 2009-11-09 2011-05-19 Nikon Corp 表面検査方法および表面検査装置
JP6016463B2 (ja) * 2012-06-07 2016-10-26 キヤノン株式会社 デフォーカス量推定方法、撮像装置、および透光性部材
JP2014055789A (ja) 2012-09-11 2014-03-27 Nuflare Technology Inc パターン評価方法およびパターン評価装置
US9497379B2 (en) 2013-08-22 2016-11-15 California Institute Of Technology Variable-illumination fourier ptychographic imaging devices, systems, and methods
US9864184B2 (en) 2012-10-30 2018-01-09 California Institute Of Technology Embedded pupil function recovery for fourier ptychographic imaging devices
US10652444B2 (en) 2012-10-30 2020-05-12 California Institute Of Technology Multiplexed Fourier ptychography imaging systems and methods
EP2915180B1 (en) 2012-10-30 2018-12-05 California Institute of Technology Fourier ptychographic imaging systems, devices, and methods
TWI477766B (zh) 2012-12-18 2015-03-21 Ind Tech Res Inst 檢測裝置以及檢測方法
AU2014296034A1 (en) 2013-07-31 2016-02-18 California Institute Of Technology Aperture scanning Fourier ptychographic imaging
US11468557B2 (en) 2014-03-13 2022-10-11 California Institute Of Technology Free orientation fourier camera
KR101504554B1 (ko) * 2014-04-01 2015-03-20 한국기술교육대학교 산학협력단 광학측정장치 및 이를 이용한 측정방법
CN104101601B (zh) * 2014-06-23 2016-10-05 大族激光科技产业集团股份有限公司 表面缺陷检测装置及方法
JP6415281B2 (ja) * 2014-12-05 2018-10-31 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びプローブ方法
US10718934B2 (en) 2014-12-22 2020-07-21 California Institute Of Technology Epi-illumination Fourier ptychographic imaging for thick samples
CA2970063A1 (en) 2015-01-21 2016-07-28 California Institute Of Technology Fourier ptychographic tomography
CN107209123B (zh) 2015-01-26 2020-08-11 加州理工学院 多孔傅立叶重叠关联和荧光成像
CN107407799B (zh) 2015-03-13 2020-09-18 加州理工学院 使用傅里叶叠层成像技术校正不相干成像***中的像差
JP6632327B2 (ja) * 2015-10-30 2020-01-22 浜松ホトニクス株式会社 画像生成方法、画像生成装置、画像生成プログラム及び記録媒体
US11092795B2 (en) 2016-06-10 2021-08-17 California Institute Of Technology Systems and methods for coded-aperture-based correction of aberration obtained from Fourier ptychography
US10568507B2 (en) 2016-06-10 2020-02-25 California Institute Of Technology Pupil ptychography methods and systems
KR102592917B1 (ko) * 2016-08-26 2023-10-23 삼성전자주식회사 표면 검사 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
US10140400B2 (en) * 2017-01-30 2018-11-27 Dongfang Jingyuan Electron Limited Method and system for defect prediction of integrated circuits
JP6343705B2 (ja) * 2017-07-11 2018-06-13 株式会社ニューフレアテクノロジー パターン評価方法およびパターン評価装置
CN109425618B (zh) * 2017-08-31 2021-12-28 深圳中科飞测科技股份有限公司 光学测量***及方法
KR102048240B1 (ko) * 2017-09-06 2019-11-25 주식회사 씨티아이랩 데이터 이미지화를 이용한 딥러닝 기반 시스템 이상행위 분석 기술
US10754140B2 (en) 2017-11-03 2020-08-25 California Institute Of Technology Parallel imaging acquisition and restoration methods and systems
CN108332659A (zh) * 2018-01-25 2018-07-27 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种检测氧化铟锡薄膜关键尺寸的装置
CN110943002B (zh) * 2019-11-18 2022-06-17 錼创显示科技股份有限公司 晶圆、晶圆检测***与晶圆检测方法
US11935244B2 (en) * 2020-10-29 2024-03-19 Changxin Memory Technologies, Inc. Method and apparatus for improving sensitivity of wafer detection, and storage medium
KR102463020B1 (ko) * 2020-12-18 2022-11-03 주식회사 포스코 점상부식 결함 평가장치 및 평가방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02189448A (ja) * 1989-01-17 1990-07-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体の表面保護膜欠陥検出方法
JP2000155099A (ja) * 1998-09-18 2000-06-06 Hitachi Ltd 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
JP2005233869A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Raitoron Kk 微細構造検査装置及び微細構造検査方法
WO2008015973A1 (fr) * 2006-08-02 2008-02-07 Nikon Corporation Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6690469B1 (en) 1998-09-18 2004-02-10 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for observing and inspecting defects
JP4090775B2 (ja) 2002-04-05 2008-05-28 日本特殊陶業株式会社 電子回路用部品の外観検査方法及び外観検査装置並びに電子回路用部品の製造方法
JP4901090B2 (ja) * 2004-10-06 2012-03-21 株式会社ニコン 欠陥検査方法及び欠陥検出装置
JP5068422B2 (ja) * 2004-10-05 2012-11-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造観察方法および欠陥検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02189448A (ja) * 1989-01-17 1990-07-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体の表面保護膜欠陥検出方法
JP2000155099A (ja) * 1998-09-18 2000-06-06 Hitachi Ltd 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置
JP2005233869A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Raitoron Kk 微細構造検査装置及び微細構造検査方法
WO2008015973A1 (fr) * 2006-08-02 2008-02-07 Nikon Corporation Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10211027B2 (en) 2016-08-03 2019-02-19 Nuflare Technology, Inc. Method for measuring resolution of charged particle beam and charged particle beam drawing apparatus

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