JP5081071B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Description
11 第1シリコン基板(他方のシリコン基板)
12 シリコン酸化膜(酸化膜)
13 第2シリコン基板(一方のシリコン基板)
14 シリコン酸化膜
15 パッシベーション膜
20 キャビティ
21 ダイヤフラム
21a ダイヤフラム輪郭線
22 ピエゾ素子(感応抵抗素子)
23 配線
31 ベース基板
A 第1ピエゾ素子(圧縮方向のピエゾ素子)
A1 A2 A3 第1、第2、第3の素子部分
B 第2ピエゾ素子(引張方向のピエゾ素子)
B1 B2 B3 第1、第2、第3の素子部分
C 第3ピエゾ素子(引張方向のピエゾ素子)
C1 C2 C3 第1、第2、第3の素子部分
D 第4ピエゾ素子(圧縮方向のピエゾ素子)
D1 D2 D3 第1、第2、第3の素子部分
Claims (2)
- シリコン基板に形成されたダイヤフラムと、このダイヤフラムの歪みに応じて抵抗値が変化する複数のピエゾ素子とを有する半導体圧力センサであって、
各ピエゾ素子は、複数の平面視細長形状の素子が直列に接続され、
圧縮方向に作用するピエゾ素子と引張方向に作用するピエゾ素子とを構成する各々複数の平面視細長形状の素子は一方向に平行に形成されていて、
上記圧縮方向の複数の平面視細長形状の素子のうち、ダイヤフラムの輪郭を跨ぐ平面視細長形状の素子は、平面視の面積が他の平面視細長形状の素子の平面視の面積より広く、かつ平面視のアスペクト比が他の平面視細長形状の素子の平面視のアスペクト比と同一に形成されていること、を特徴とする半導体圧力センサ。 - 請求項1記載の半導体圧力センサにおいて、上記ダイヤフラムは平面視正方形に形成されていて、上記圧縮方向のピエゾ素子は、各平面視細長形状の素子が上記ダイヤフラムの輪郭線と平行に形成されていて、上記ダイヤフラムの輪郭線を跨ぐ平面視細長形状の素子は、短手方向に上記ダイヤフラムの輪郭線を跨いで形成され、かつダイヤフラム上に位置する部分の平面視の面積が他の平面視細長形状の素子の平面視の面積と同一に形成されている半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008153750A JP5081071B2 (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008153750A JP5081071B2 (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009300197A JP2009300197A (ja) | 2009-12-24 |
JP5081071B2 true JP5081071B2 (ja) | 2012-11-21 |
Family
ID=41547260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008153750A Expired - Fee Related JP5081071B2 (ja) | 2008-06-12 | 2008-06-12 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5081071B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011027611A (ja) * | 2009-07-28 | 2011-02-10 | Alps Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
CN113348348A (zh) * | 2019-02-28 | 2021-09-03 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 压力传感器 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5630088B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2014-11-26 | ミツミ電機株式会社 | ピエゾ抵抗式圧力センサ |
JP5866496B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2016-02-17 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体圧力センサ |
CN106169253B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-01-01 | 华南师范大学 | 基于停车难易度的停车场空闲状况预测方法及*** |
JP7337218B1 (ja) | 2022-04-25 | 2023-09-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56133877A (en) * | 1980-03-24 | 1981-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor diaphragm type sensor |
JPS6077470A (ja) * | 1983-10-04 | 1985-05-02 | Nec Corp | ダイアフラム型半導体圧力センサ |
JP2000214024A (ja) * | 1999-01-26 | 2000-08-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体圧力センサ |
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JP2002039888A (ja) * | 2000-07-26 | 2002-02-06 | Denso Corp | 半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法 |
JP4845308B2 (ja) * | 2001-09-26 | 2011-12-28 | 日本電産コパル電子株式会社 | 半導体センサ及びその製造方法 |
-
2008
- 2008-06-12 JP JP2008153750A patent/JP5081071B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN113348348B (zh) * | 2019-02-28 | 2023-11-17 | 阿尔卑斯阿尔派株式会社 | 压力传感器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009300197A (ja) | 2009-12-24 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120531 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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