JP2002039888A - 半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 センサ特性の圧力非直線性ＮＬＰを小さくす
るための効率的な半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置
設定方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板１の一面側に形成された圧力
検出用のダイヤフラム３と、このダイヤフラム３上に配
置されピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する複数のゲ
ージ抵抗４１〜４４とを備える半導体圧力センサＳ１に
おいて複数のゲージ抵抗４１〜４４の位置を設定する方
法であって、有限要素法解析によって、個々のゲージ抵
抗における位置と抵抗値変化率との関係を求めることに
より、抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ
同士の抵抗値変化率がほぼ等しい位置となるように、複
数のゲージ抵抗の位置を設定するものであり、有限要素
法解析の際、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加味
して複数のゲージ抵抗の位置を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の一面
側に圧力検出用のダイヤフラムが形成され、このダイヤ
フラム上にピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する複数
のゲージ抵抗がブリッジ回路を構成するように配置され
てなる半導体圧力センサにおいて、複数のゲージ抵抗の
位置を設定する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】この種の半導体圧力センサは、一般に、
シリコン基板等の半導体基板と、この半導体基板の一面
側に形成された圧力検出用のダイヤフラムと、このダイ
ヤフラム上に配置されピエゾ抵抗効果により抵抗値が変
化する複数のゲージ抵抗とを備える。

【０００３】そして、これら複数のゲージ抵抗は抵抗値
変化の方向が異なるものを備えるとともに、ブリッジ回
路を構成しており、ダイヤフラムに圧力が印加されたと
きに、このブリッジ回路によって、ダイヤフラムの変形
に応じた抵抗値変化を電気信号に変換することにより、
印加圧力が検出されるようになっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】このような半導体圧力
センサにおいては、図１１に示す様なセンサ特性の圧力
非直線性（ｎｏｎ−ｌｉｎｅａｒｉｔｙ−ｐｒｅｓｓｕ
ｒｅ、以下ＮＬＰという）、即ち出力電圧Ｖと圧力Ｐと
の関係が非直線的な関係が存在する。ここで、このＮＬ
Ｐの大きさは、フルスケール出力電圧幅をＦＳとして、
１００・ΔＶ／ＦＳ（％）で示される。

【０００５】そのため、ＮＬＰを小さくするようなゲー
ジ抵抗の配置が望まれるが、従来の半導体圧力センサに
おいては、ダイヤフラム上への抵抗ゲージの位置設定
は、試行錯誤的なものであり、効率的に位置設定を行う
具体的な方法は無かった。

【０００６】本発明は上記事情に鑑みてなされたもので
あり、ＮＬＰを小さくするための効率的な半導体圧力セ
ンサのゲージ抵抗の位置設定方法を提供することを目的
とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、ゲージ抵抗に
おいて圧力に対する抵抗値の変化が非直線的であり、こ
の圧力に対する抵抗値の非直線性誤差が個々のゲージ抵
抗で異なることから、上記ＮＬＰが発生することに着目
し、各ゲージ抵抗間で上記非直線性誤差のバランスを調
整すれば良いのではないかとの考えに基づいてなされた
ものである。

【０００８】請求項１の発明においては、有限要素法解
析によって、個々のゲージ抵抗（４１〜４４）における
位置と抵抗値変化率との関係を求めることにより、抵抗
値変化の方向が異なるゲージ抵抗（ＲＡ、ＲＢ）同士の
抵抗値変化率がほぼ等しい位置となるように、複数のゲ
ージ抵抗の位置を設定するものであり、有限要素法解析
の際、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加味して複
数のゲージ抵抗の位置を設定することを特徴としてい
る。

【０００９】それによれば、有限要素法解析によって、
個々のゲージ抵抗における位置と抵抗値変化率との関係
を求める際に、圧力に対する抵抗値の非直線性誤差を加
味することにより、個々のゲージ抵抗における位置と抵
抗値変化率との関係において、圧力に対する抵抗値の非
直線性誤差が考慮された関係を得ることができる。

【００１０】そして、得られた関係から、抵抗値変化の
方向が異なるゲージ抵抗同士の抵抗値変化率がほぼ等し
くなるような位置を求めることで、ＮＬＰを精度良く小
さくすることの可能な複数のゲージ抵抗の位置を設定す
ることができる。従って、本発明によれば、ＮＬＰを小
さくするための効率的な半導体圧力センサのゲージ抵抗
の位置設定方法を提供することができる。

【００１１】また、請求項２の発明においては、有限要
素法解析によって、個々のゲージ抵抗（４１〜４４）に
おける位置と抵抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係を求める第
１の工程と、個々のゲージ抵抗の抵抗値を位置を変えて
実測することにより、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧力に対
する抵抗値の非直線性誤差ＮＬＲとの関係を求める第２
の工程と、第１の工程で得られた関係における抵抗値変
化率ΔＲ／Ｒを、第２の工程で得られた関係を用いて非
直線性誤差ＮＬＲに置き換えることにより、個々のゲー
ジ抵抗における位置と非直線性誤差ＮＬＲとの関係を求
め、複数のゲージ抵抗同士の非直線性誤差ＮＬＲがほぼ
一致する位置に複数のゲージ抵抗の位置を設定する第３
の工程と、を備えることを特徴としている。

【００１２】本発明によれば、個々のゲージ抵抗におけ
る位置と抵抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係（これを第１の
関係という）と、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧力に対する
抵抗値の非直線性誤差ＮＬＲとの関係（これを第２の関
係という）とをそれぞれ求め、第１の関係における抵抗
値変化率ΔＲ／Ｒを、第２の関係を用いて非直線性誤差
ＮＬＲに置き換えることにより、個々のゲージ抵抗にお
ける位置と非直線性誤差ＮＬＲとの関係（これを第３の
関係という）が求められる。

【００１３】そして、この第３の関係から、複数のゲー
ジ抵抗同士の非直線性誤差ＮＬＲがほぼ一致するような
位置を求めることで、上記ＮＬＰを精度良く小さくする
ことの可能な複数のゲージ抵抗の位置を設定することが
できる。従って、本発明によれば、ＮＬＰを小さくする
ための効率的な半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設
定方法を提供することができる。

【００１４】また、請求項３の発明では、個々のゲージ
抵抗（４１〜４４）が、複数本の直線が折り返し形状に
つながったパターンである場合に、有限要素法解析を、
このゲージ抵抗のパターン形状に対応して行うことを特
徴とするもので、当該パターン形状に対応した有限要素
法解析を行うことで、精度の良い解析が可能となる。

【００１５】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一
例である。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半
導体圧力センサＳ１の概略断面図であり、図２は、図１
中の矢印Ａ方向から視た概略平面図である。１は単結晶
シリコン基板等よりなる半導体基板である。半導体基板
１には、半導体基板１の一面から凹んだ凹部２が、エッ
チング等により形成されている。

【００１７】この凹部２の形成に伴い薄肉部となった凹
部２の底面側には、圧力検出用のダイヤフラム３が形成
されている。このダイヤフラム３の表面（半導体基板１
の他面）には、ピエゾ抵抗効果により抵抗値が変化する
４個のゲージ抵抗４１、４２、４３、４４が拡散等の半
導体プロセスにより形成されている。各ゲージ抵抗４１
〜４４は、それぞれ、平面矩形状のダイヤフラム３の各
辺において辺を跨いでダイヤフラム３の内周側と外周側
に位置するように配置されている。

【００１８】図３は、個々のゲージ抵抗の平面形状を拡
大して示す図であるが、各ゲージ抵抗４１〜４４は、複
数本の直線が折り返し形状につながった同一のパターン
を形成している。このパターンにおいて、折り返し部４
は直線部５に比べて配線幅が太くなっており、実質的に
は、複数本の直線部５の抵抗値の総和がゲージ抵抗４１
〜４４の抵抗値に相当するようになっている。

【００１９】そして、ゲージ抵抗４１及び４３では、直
線部５がダイヤフラム３の辺と直交し、ゲージ抵抗４２
及び４４では、直線部５がダイヤフラム３の辺と平行と
なっている。そのため、ゲージ抵抗４１及び４３とゲー
ジ抵抗４２及び４４とでは、圧力に対する抵抗値変化の
方向が異なる。

【００２０】ここで、各ゲージ抵抗４１〜４４は、図４
に示す配線状態で結線され、ホイートストンブリッジを
構成しており、このブリッジ回路によって、圧力印加時
におけるダイヤフラム３の歪みに基づく電気信号が発生
し、印加された圧力の検出が可能となっている。また、
図示しないが、半導体基板１には、各ゲージ抵抗４１〜
４４と接続され、上記ブリッジ回路と外部回路との信号
のやり取りを行うための配線等が形成されている。

【００２１】また、半導体基板１の一面には、ガラスや
シリコン等よりなる台座６が凹部２を覆うように接合さ
れている。この台座６の接合により、台座６と凹部２と
により区画された圧力基準室７が形成される。この圧力
基準室７内の圧力は、ダイヤフラム３の表面から受ける
圧力を検出する上での基準圧力となっている。

【００２２】かかる圧力センサＳ１において、圧力の検
出は次のように行われる。図１に示す白抜き矢印方向に
ダイヤフラム３の表面からダイヤフラム３へ圧力が印加
されると、ダイヤフラム３が歪み変形する。このとき、
図４に示すホイートストンブリッジの入力端子ＩａとＩ
ｂとの間に直流定電圧Ｖを与えた状態では、この変形が
歪みゲージ抵抗４１〜４４の抵抗値変化として現れ、出
力端子ＰａとＰｂとの間から被検出圧力に応じたレベル
の電圧Ｖｏｕｔが出力され、圧力検出がなされる。

【００２３】次に、上記圧力センサＳ１における各ゲー
ジ抵抗４１〜４４の位置を設定する方法について述べ
る。ここで、圧力に対する抵抗値変化の方向が同じであ
るゲージ抵抗４１及び４３をゲージ抵抗ＲＡとし、この
ゲージ抵抗ＲＡとは抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵
抗４２及び４４をゲージ抵抗ＲＢとする。

【００２４】まず、有限要素法解析（ＦＥＭ解析）によ
って、個々のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢにおける、位置（ゲ
ージ位置）と、圧力に対する抵抗値変化率ΔＲ／Ｒとの
関係を求める（第１の工程）。ゲージ位置は、図５に示
す様に定義した。即ち、ゲージ位置は、ダイヤフラム３
の端部から、ゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢの最外側がはみ出し
た距離ｘと定義し、このゲージ位置ｘは、ゲージ抵抗の
最外側がダイヤフラム３の外側にはみ出した時を＋と
し、ダイヤフラム３の内側に入っている時を−とする。

【００２５】また、上記したような折り返し形状のパタ
ーンを有するゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢにおいて、精度良く
解析を行うために、ゲージ抵抗のパターン形状に対応し
て有限要素法解析を行った。つまり、各ゲージ抵抗は、
直線部５間の隙間も合わせた全体の外形が平面矩形であ
るが、このような矩形として解析するのではなく、実際
の形状に合わせて直線部５間の隙間に発生する応力はひ
きあわないものとして解析した。

【００２６】また、圧力に対する抵抗値変化率ΔＲ／Ｒ
は、圧力センサにおける圧力測定範囲のフルスケールに
て変化する抵抗値の幅ΔＲを、初期抵抗値Ｒで割った値
（絶対値）とした。具体的には、下記数式１に示す様
な、ピエゾ抵抗係数をπ４４、ある圧力でゲージ抵抗に
発生する応力をσとした場合の抵抗値変化率ΔＲ／Ｒを
示す関係式を用いて、ΔＲ／Ｒを求めることができる。

【００２７】

【数１】ΔＲ／Ｒ＝０．５・π４４・σ そして、個々のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢについて、ゲージ
位置ｘを変えていったときの抵抗値変化率ΔＲ／Ｒを求
め、図６に示す様に、ゲージ抵抗ＲＡ（黒菱形マーク）
及びゲージ抵抗ＲＢ（黒四角マーク）について、ゲージ
位置ｘ（μｍ）と抵抗値変化率ΔＲ／Ｒ（絶対値）との
関係（以下、ｘ−ΔＲ／Ｒ関係という）を得た。

【００２８】この図６に示すｘ−ΔＲ／Ｒ関係から、抵
抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗ＲＡとＲＢ同士の抵
抗値変化率ΔＲ／Ｒがほぼ等しい位置となるように、各
ゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢのゲージ位置ｘを設定した場合、
センサ特性の圧力非直線性（ＮＬＰ）は、十分に小さく
ならない。これは、上記ｘ−ΔＲ／Ｒ関係では、後述す
る圧力に対する抵抗値の非直線性誤差が考慮されていな
いためである。

【００２９】そこで、次に、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧
力に対する抵抗値の非直線性誤差ＮＬＲとの関係（以
下、ΔＲ／Ｒ−ＮＬＲ関係という）を求める工程（第２
の工程）を行う。本実施形態では、個々のゲージ抵抗Ｒ
Ａ、ＲＢの抵抗値をゲージ位置ｘを変えて実測すること
により、ΔＲ／Ｒ−ＮＬＲ関係を求める。

【００３０】個々のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値は、
図７に示す様な測定用サンプル（ＴＥＧ）を用いて行っ
た。このＴＥＧ（Test Element Group）は、ダイヤフ
ラム３が形成された半導体基板１におけるゲージ抵抗を
配置する領域（図７中の破線で囲んだ領域）Ｔに、測定
用のゲージ抵抗を形成し、半導体基板１上におけるダイ
ヤフラム３の外周囲に、抵抗値測定用の配線Ｔ０等を形
成したものである。

【００３１】図７では、斜線ハッチングにて示す２本の
直線部５が形成され、その周囲に点々ハッチングにて示
す測定用の配線Ｔ０が形成され、各配線Ｔ０に対応して
パッドＴ１〜Ｔ７が形成されている。配線Ｔ０は、例え
ばゲージ抵抗と同様に、拡散やイオン注入により形成さ
れる。

【００３２】そして、例えば、図７中の下方側の直線部
５に対し、パッドＴ２とＴ７との間に電流を流し、この
ときのパッドＴ１とＴ３との間の電圧を求めることによ
って、当該直線部５の抵抗値を測定することができる。
このように、４端子法を用いて測定することで、精度良
く抵抗値を求めることができる。

【００３３】このような抵抗値の実測方法により、個々
のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢについて、印加圧力を３点（Ｐ
１、Ｐ２、Ｐ３）変化させ、各印加圧力における抵抗値
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３）を測定する。この測定により、図
８に示す様な圧力と抵抗値との関係（以下、Ｐ−Ｒ関係
という）が得られる。

【００３４】図８に示すＰ−Ｒ関係から、ゲージ抵抗に
おいて圧力に対する抵抗値の変化が、理想直線（図中、
一点鎖線にて図示）からずれており、非直線的であるこ
とがわかる。ここで、図８中のΔＲは（Ｒ３−Ｒ１）で
あり、上記第１の関係における抵抗値変化率ΔＲ／Ｒに
おけるΔＲに相当する。

【００３５】また、ΔΔＲは、理想直線からのずれ度合
を示すもので、このΔΔＲをΔＲで割ったものに１００
をかけた値１００・ΔΔＲ／ΔＲが、圧力に対する抵抗
値の非直線性誤差ＮＬＲである。なお、ＮＬＲの単位
は、％ＦＳ（％フルスケール）であるが、これは、ΔＲ
が圧力センサにおける圧力測定範囲のフルスケールにて
変化する抵抗値の幅ΔＲであるためである。

【００３６】そして、ゲージ位置ｘを変えて、各ゲージ
抵抗ＲＡ、ＲＢの抵抗値を実測することにより、種々の
Ｐ−Ｒ関係が得られる。これら種々のＰ−Ｒ関係から得
られる種々のΔＲ／ＲとＮＬＲの値をプロットすると、
図９に示す様に、ΔＲ／Ｒ−ＮＬＲ関係が得られる。こ
こまでが、第２の工程である。

【００３７】次に、第１の工程で得られたｘ−ΔＲ／Ｒ
関係における抵抗値変化率ΔＲ／Ｒを、第２の工程で得
られたΔＲ／Ｒ−ＮＬＲ関係を用いて非直線性誤差ＮＬ
Ｒに置き換えることにより、個々のゲージ抵抗ＲＡ、Ｒ
Ｂにおけるゲージ位置ｘと非直線性誤差ＮＬＲとの関係
（以下、ｘ−ＮＬＲ関係という）を求め、複数のゲージ
抵抗同士の非直線性誤差ＮＬＲがほぼ一致する位置に複
数のゲージ抵抗の位置を設定する（第３の工程）。

【００３８】つまり、上記図９に示すΔＲ／Ｒ−ＮＬＲ
関係から、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒを非直線性誤差ＮＬＲ
の関数で表すことにより、上記図６における抵抗値変化
率ΔＲ／Ｒを非直線性誤差ＮＬＲの値に置き換える。す
ると、図１０に示す様に、ｘ−ＮＬＲ関係が得られる。
そして、この図１０において、ゲージ抵抗ＲＡ（黒菱形
マーク）とゲージ抵抗ＲＢ（黒四角マーク）とで、非直
線性誤差ＮＬＲがほぼ一致するようなゲージ位置ｘを求
める。

【００３９】例えば、図１０からは、製造上のばらつき
等の寸法公差を±５μｍ考慮すると、各ゲージ抵抗Ｒ
Ａ、ＲＢが設定されるゲージ位置ｘは、−１０μｍ±５
μｍ、または、＋１６μｍ±５μｍとなる。ここまでが
第３の工程であり、この第３の工程によって得られたｘ
−ＮＬＲ関係は、上記図６に示すｘ−ΔＲ／Ｒ関係にお
いて非直線性誤差ＮＬＲを考慮した関係ということがで
きる。

【００４０】このように、本実施形態におけるゲージ抵
抗の位置設定方法によれば、有限要素法解析によって、
個々のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢにおけるゲージ位置ｘと抵
抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係を求める際に、圧力に対す
る抵抗値の非直線性誤差ＮＬＲを加味することにより、
個々のゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢにおけるゲージ位置ｘと抵
抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係において、上記非直線性誤
差ＮＬＲが考慮された関係を得ることができる。

【００４１】そして、得られた関係から、抵抗値変化の
方向が異なるゲージ抵抗ＲＡ、ＲＢ同士の抵抗値変化率
がほぼ等しくなるような位置を求めることで、センサ特
性の圧力非直線性ＮＬＰを精度良く小さくすることの可
能なゲージ位置ｘを設定することができる。従って、本
実施形態によれば、ＮＬＰを小さくするための効率的な
半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法を提供す
ることができる。

【００４２】実際に、本実施形態の第１〜第３の工程を
実行することにより得られたゲージ位置ｘに、各ゲージ
抵抗ＲＡ、ＲＢを配置したところ、非直線性誤差ＮＬＲ
を考慮しない上記図６に示すｘ−ΔＲ／Ｒ関係から得ら
れたゲージ位置ｘに配置させた場合に比べて、ＮＬＰを
−０．２９％ＦＳから−０．１８％ＦＳに低減すること
ができた。

【００４３】なお、上記実施形態では、ダイヤフラム３
の表面から受圧する表面受圧型の圧力センサであった
が、例えば、台座６に凹部２と連通する圧力導入孔を形
成し、この圧力導入孔からダイヤフラム３の裏面へ受圧
させる裏面受圧型の圧力センサであっても、本発明は適
用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る半導体圧力センサの概
略断面図である。

【図２】図１中のＡ矢視図である。

【図３】個々のゲージ抵抗の平面形状拡大図である。

【図４】ゲージ抵抗の配線状態を示す結線図である。

【図５】ゲージ位置を定義する説明図である。

【図６】有限要素法により得られた個々のゲージ抵抗に
おけるゲージ位置ｘと抵抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係を
示す図である。

【図７】ゲージ抵抗の抵抗値を測定するためのＴＥＧの
構成を示す図である。

【図８】実測により得られた圧力と抵抗値との関係を示
し、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧力に対する抵抗値の非直
線性誤差ＮＬＲを説明するための図である。

【図９】実測により得られた抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧
力に対する抵抗値の非直線性誤差ＮＬＲとの関係を示す
図である。

【図１０】個々のゲージ抵抗におけるゲージ位置ｘと非
直線性誤差ＮＬＲとの関係を示す図である。

【図１１】圧力センサにおける出力電圧特性の圧力に対
する非直線性ＮＬＰを示す図である。

【符号の説明】

１…半導体基板、３…ダイヤフラム、４１〜４４…ゲー
ジ抵抗。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板（１）と、 この半導体基板（１）の一面側に形成された圧力検出用
   のダイヤフラム（３）と、 このダイヤフラム上に配置されピエゾ抵抗効果により抵
   抗値が変化する複数のゲージ抵抗（４１〜４４）とを備
   え、 前記複数のゲージ抵抗は抵抗値変化の方向が異なるゲー
   ジ抵抗（ＲＡ、ＲＢ）を備えており、 前記複数のゲージ抵抗により構成されたブリッジ回路に
   よって、前記ダイヤフラムの変形に応じた抵抗値変化を
   電気信号に変換するようにした半導体圧力センサにおけ
   る前記複数のゲージ抵抗の位置を設定する方法であっ
   て、 有限要素法解析によって、個々の前記ゲージ抵抗におけ
   る位置と抵抗値変化率との関係を求めることにより、前
   記抵抗値変化の方向が異なるゲージ抵抗同士の抵抗値変
   化率がほぼ等しい位置となるように、前記複数のゲージ
   抵抗の位置を設定するものであり、 前記有限要素法解析の際、圧力に対する抵抗値の非直線
   性誤差を加味して前記複数のゲージ抵抗の位置を設定す
   ることを特徴とする半導体圧力センサのゲージ抵抗の位
   置設定方法。
2. 【請求項２】 半導体基板（１）と、 この半導体基板（１）の一面側に形成された圧力検出用
   のダイヤフラム（３）と、 このダイヤフラム上に配置されピエゾ抵抗効果により抵
   抗値が変化する複数のゲージ抵抗（４１〜４４）とを備
   え、 前記複数のゲージ抵抗により構成されたブリッジ回路に
   よって、前記ダイヤフラムの変形に応じた抵抗値変化を
   電気信号に変換するようにした半導体圧力センサにおけ
   る前記複数のゲージ抵抗の位置を設定する方法であっ
   て、 有限要素法解析によって、個々の前記ゲージ抵抗におけ
   る位置と抵抗値変化率ΔＲ／Ｒとの関係を求める第１の
   工程と、 個々の前記ゲージ抵抗の抵抗値を位置を変えて実測する
   ことにより、抵抗値変化率ΔＲ／Ｒと圧力に対する抵抗
   値の非直線性誤差ＮＬＲとの関係を求める第２の工程
   と、 前記第１の工程で得られた関係における抵抗値変化率Δ
   Ｒ／Ｒを、前記第２の工程で得られた関係を用いて前記
   非直線性誤差ＮＬＲに置き換えることにより、個々の前
   記ゲージ抵抗における位置と前記非直線性誤差ＮＬＲと
   の関係を求め、前記複数のゲージ抵抗同士の前記非直線
   性誤差ＮＬＲが一致する位置に前記複数のゲージ抵抗の
   位置を設定する第３の工程と、を備えることを特徴とす
   る半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定方法。
3. 【請求項３】 個々の前記ゲージ抵抗（４１〜４４）
   は、複数本の直線が折り返し形状につながったパターン
   であり、前記有限要素法解析は、このゲージ抵抗のパタ
   ーン形状に対応して行うことを特徴とする請求項１また
   は２に記載の半導体圧力センサのゲージ抵抗の位置設定
   方法。