JP5078021B2 - 光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、受光素子又は発光素子である光素子が実装された回路基板と、光素子同士の光接続用の光導波路とを一体化した構造の光導波路モジュールと、その製造方法に関する。

近年、例えば、電子機器内の信号伝送の高速化、伝送量増大の要求に鑑みて、光導波路が設けられた回路基板（以下、光複合基板とも言う）を用いた光通信技術を機器内の信号伝送に応用することが普及しつつある（例えば特許文献１、２）。
光複合基板は、電子回路（導体回路）と光導波路とを持つ複合構造としたものが多用されており、この光複合基板に実装した受光素子と発光素子とを光導波路を介して光接続して、受光素子側と発光素子側との信号伝送を行えるようにしたモジュール（以下、光導波路モジュールともいう）としたものが広く用いられている。

従来の光導波路モジュールは、例えば、特許文献１の図２、特許文献２の図３（ｄ）等を参照して判るように、光導波路の光路を直角に曲げるミラーを設けて、光複合基板上に実装した光素子（受光素子、発光素子）と光導波路との光結合を実現した構成が一般的である。
特開２０００−１９９８２７号公報 特開２００２−１８２０４９号公報

しかしながら、従来の光導波路モジュールは、ミラーに対する光素子の位置合わせに手間が掛かるといった問題があった。また、光素子を光複合基板上の導体回路と電気的に接続する作業において、前記ミラーに対する光素子の位置決め精度が保たれる必要があることから、光素子の実装作業の手間を増大させる原因にもなっていた。

また、光複合基板は、電子回路（導体回路）が形成された回路基板（１層又は多層）の片面に光導波路を設けた構造であり、従来の光導波路モジュールは、光素子を、光複合基板の光導波路を介して回路基板とは反対の側に実装した構造が多く提案されている（特許文献１，２も、これに該当する）。そして、光素子は、例えば、回路基板に実装されたＬＳＩチップや、多層回路基板が構成する集積回路などと電気的に接続される。
信号伝送の高速化、伝送量増大の点では、高周波の信号特性を確保するために、回路基板の電子回路と光素子とを電気的に接続するための配線を出来るだけ短くしたいという要求がある。しかしながら、上述のように、光複合基板に対する光素子の実装位置が光導波路を介して回路基板とは反対の側である構造では、前記配線を、光導波路を回避して設ける必要があり、光複合基板の構造が複雑化する、配線長が長くなる、回路基板の回路設計上の制約が大きくなる、といった問題が発生する。このため、配線長を短くでき、しかも、光複合基板の構造を単純化でき、実際に生産レベルで対応できる技術の開発が求められていた。

本発明は、前記課題に鑑みて、光導波路基板のミラー部と光素子との位置決め、回路基板に対する光素子の実装を簡単に実現でき、しかも、回路基板の電子回路と光素子との間の配線長の短縮、光導波路基板の構造の単純化を実現できる、光導波路モジュール、その製造方法の提供を目的としている。

本発明は、プレート状のクラッド部内に線状のコア部を有する光導波路基板と、この光導波路基板に被着された回路基板とを具備し、前記回路基板には、受光素子又は発光素子である光素子が、該回路基板に貫設された光素子収納孔に収納して組み込まれ、前記光素子は、前記光導波路基板に対面する端面に受／発光部を有し、前記光導波路基板は、前記光素子の前記受／発光部に対応する位置に、該光導波路基板の前記光導波路と前記光素子の前記受／発光部との間の光路形成用のミラー部を有し、前記回路基板は、前記光導波路基板に臨む接合面に形成された配線部と、該回路基板に貫設され前記配線部に電気導通可能に接続された貫通配線と、前記配線部から前記接合面における前記光素子収納孔の開口部に張り出された突起状の端子部とを具備し、前記光素子の前記端面に設けられている電極パッドが前記端子部にボンディングされ電気導通可能に接続され、前記光素子の前記電極パッドと前記端子部とが導電性のボンディング用金属材料によってボンディングされており、前記光素子収納孔の断面寸法が、前記光素子における前記光素子収納孔の軸心に垂直の断面寸法を、前記電極パッドのコンタクト面の寸法の５〜１９５％だけ大きくした寸法になっており、前記光素子収納孔および前記光素子の前記断面の形状は矩形であり、前記光素子収納孔の対向する内面間の距離が、前記光素子の断面の対角線寸法よりも小さく、前記光素子は、前記光素子収納孔内で、前記光素子収納孔の断面寸法と光素子の断面寸法との差によって設定・規制されつつ回転移動可能であり、かつ前記光素子収納孔の軸心を中心とする軸回り方向の前記光素子の回転移動の全範囲で、前記光素子の全ての電極パッドのコンタクト面が、それぞれ前記端子部のコンタクト面に平面視において重なった部分を有する光導波路モジュールを提供する。
本発明は、前記光素子収納孔内面と前記光素子との間を埋める充填樹脂部を具備し、前記光素子の前記端面が、前記充填樹脂部から連続する透明樹脂層によって覆われていることが好ましい。
本発明は、前記回路基板の前記光導波路基板に臨む接合面に、前記光素子収納孔の前記接合面に開口する開口部を封止する透明の開口部封止部材が設けられていることが好ましい。
本発明は、前記回路基板の前記接合面に、電極パッドと、該電極パッドに実装された金属バンプとが設けられ、前記金属バンプは、前記光導波路基板に貫設されたバンプ収納孔を介して、前記光導波路基板から前記回路基板とは反対の側に突出されていることが好ましい。
本発明は、前記光導波路基板の前記ミラー部が、前記光導波路基板の前記回路基板とは反対の側から凹む凹部によって構成されていることが好ましい。
本発明は、前記光導波路モジュールを製造する方法であって、半導体基板に、該半導体基板の両面の一方又は両方に形成された配線部と、前記半導体基板に貫設された貫通配線と、前記半導体基板に貫設された貫通孔であり受光素子あるいは発光素子である光素子が組み込まれる光素子収納孔と、前記半導体基板の片面の前記配線部から前記光素子収納孔の片端の開口部内に張り出された突起状の端子部とが設けられた光素子収納孔付き基板の前記光素子収納孔に、前記光素子を組み込み、この光素子に設けられている電極パッドに予め実装しておいた金属バンプをリフローして、前記電極パッドを前記端子部に接続する光素子実装工程と、プレート状のクラッド部内に線状のコア部を有し、前記光素子収納孔付き基板の両面の内の前記端子部が張り出された配線部が形成されている面の側に被着した光導波路基板に、前記光素子実装工程の後に、前記光導波路基板の前記光導波路と前記光素子の前記光導波路基板に対面する端面に設けられている受／発光部との間の光路形成用のミラー部を形成するミラー部形成工程とを具備する光導波路モジュールの製造方法を提供する。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、前記電極パッドを前記端子部に接続した後に、前記光素子収納孔内面と前記光素子との間を埋める充填樹脂部を形成する充填樹脂部形成工程を行ってから、ミラー部形成工程を行うことが好ましい。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、前記充填樹脂部形成工程において、前記光素子収納孔付き基板の、前記光素子収納孔の前記端子部が設けられている開口部を、開口部封止部材を用いて塞いだ状態で、前記光素子収納孔内に液状の樹脂材料を注入して前記充填樹脂部を形成することが好ましい。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、前記充填樹脂部形成工程にて、前記充填樹脂部から連続して、前記光素子の前記端面を覆う透明樹脂層を形成することが好ましい。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、前記充填樹脂部形成工程の完了後、前記開口部封止部材を前記光素子収納孔付き基板から除去した後に、光素子収納孔付き基板に前記光導波路基板を被着してから、前記ミラー部形成工程を行うことが好ましい。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、透明の開口部封止部材を用い、前記充填樹脂部形成工程の完了後、前記開口部封止部材が付いたままの前記光素子収納孔付き基板に前記光導波路基板を被着してから、前記ミラー部形成工程を行うことが好ましい。
本発明の光導波路モジュールの製造方法は、前記光素子収納孔付き基板に被着した前記光導波路基板を前記開口部封止部材として用いて前記充填樹脂部形成工程を行うことが好ましい。

本発明によれば、光素子を、回路基板の光素子収納孔に収納して回路基板に組み込んで実装する構成であり、光素子収納孔を光素子を位置決めするための位置決め部として機能させることができる。このため、光導波路基板のミラー部と光素子との位置決め、回路基板に対する光素子の実装を簡単に実現できる。
また、光素子を回路基板に組み込む構成により、回路基板の電子回路と光素子との間を電気的に接続するための配線長を短くすることができる。これにより、高周波の信号特性を確保することが容易となり、信号伝送の高速化、伝送量増大を図ることができる。
また、本発明によれば、回路基板の電子回路と光素子との間を電気的に接続するための配線を、光導波路を回避するようにして設ける必要性が無くなるため、光導波路モジュールの構造を単純化することができる。これにより、光導波路モジュールの製造効率の向上、低コスト化を実現できる。

以下、本発明を実施した光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は本実施形態の光導波路モジュール１の構造を示す正断面図、図２は図１の光導波路モジュール１に電子デバイス５（ＬＳＩ）を実装した状態（デバイス付き光導波路モジュール１Ａ）を示す正断面図、図３は図１、図２の光導波路モジュール１の仮想線で示した領域Ａを拡大して示した拡大断面図であり、光導波路モジュール１の回路基板３に形成された光素子収納孔３１及び該光素子収納孔３１に組み込まれた光素子４付近の構造を示す図、図４は前記光素子収納孔３１に光素子４を組み込む前の回路基板３、光素子４の電極パッド４４に実装された金属バンプ４５を示す図である。
なお、図１、図２、図３、図４において、説明の便宜上、上側を「上」、下側を「下」として説明する。但し、これは本発明の構成要素の相対関係を簡単に説明するために便宜的に規定したものであり、本発明を実施する場合の製造時や使用時の方向を限定するものではない。

図１、図２に示すように、光導波路モジュール１は、光導波路基板２と、この光導波路基板２に被着された回路基板３と、この回路基板３に形成された光素子収納孔３１内に組み込んで実装された発光素子又は受光素子である光素子４とを具備して構成されている。
図２は、前記光導波路モジュール１の前記回路基板３の前記光導波路基板２とは反対の側の面（以下、デバイス実装面３ａとも言う）に電子デバイス５を実装した、デバイス付き光導波路モジュール１Ａを示す。
なお、光素子収納孔３１内に光素子４が組み込まれた回路基板３を、以下、光素子内蔵基板（図中、符号６）、と称して説明する場合がある。この光素子内蔵基板６は、光導波路基板２に重ね合わせるようにして被着されている。光導波路モジュール１は、いわば、光素子内蔵基板６と光導波路基板２とを一体化してなる複合形基板となっている。

また、光導波路モジュール１としては、光導波路基板２の一方の面に回路基板３、他方の面にシート状あるいはプレート状の基材が設けられた構成であっても良い。前記基材は、例えば、後述の３層構造の光導波路形成体の個々の層を形成する樹脂材料を含むワニスの塗布によって順次形成する際に用いる基材であっても良い。
この基材は、例えば、光導波路基板２の保護材、補強材等として機能させることができる。

（光導波路基板）
光導波路基板２について説明する。
図５は光導波路基板２の構造を示す斜視図である。
図５に示すように、光導波路基板２は、プレート状のクラッド部２１内に線状のコア部２２を有する構造になっている。線状のコア部２２の周囲はクラッド部２１によって覆われている。
コア部２２は直線状である必要はなく、クラッド部２１内で湾曲していても良い。また、コア部２２には分岐部が存在していても良く、これにより、コア部２２を回路状に構成していても良い。

前記光導波路基板２の製造方法としては、例えば、以下の（ａ）、（ｂ）を採り得る。
（ａ） 図６（ａ）に示すように、コア部形成用の樹脂層であるコア層２３１の両面に、クラッド層２３２（クラッド部２１の一部を形成するための樹脂層）が設けられた３層構造の光導波路形成体２３を作成し、この光導波路形成体２３に活性エネルギー線を照射してコア部２２を形成する（図６（ｂ））。
活性エネルギー線の照射によって、コア層２３１の一部がコア部２２となり、コア層２３１のコア部２２以外の部分と、コア層２３１の両側のクラッド層２３２とが、クラッド部２１を構成する。
この製造方法の場合は、断面四角形（長方形。但し正方形を含む）のコア部２２が得られる。

コア層２３１を形成する材料としては、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、といった樹脂材料が挙げられる。ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂を主材料とする樹脂組成物が好適であり、ノルボルネン系樹脂の付加重合体を主材料とする樹脂組成物が特に好ましい。
コア部２２の形成のための活性エネルギー線としては、可視光、紫外光、赤外光、レーザー光等の活性エネルギー光線や、電子線、Ｘ線等が挙げられる。電子線は、例えば５０〜２００ＫＧｙ程度の照射量で照射することができる。
クラッド層を構成する材料としては、コア層を構成する材料よりも屈折率が低いものであれば特に限定されない。具体的には、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、ノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂、といった樹脂材料が挙げられる。これらの中でも、ノルボルネン系樹脂の付加重合体を主材料とする樹脂組成物が特に好ましい。
コア層、クラッド層の形成材料としてノルボルネン系樹脂の付加重合体を主材料とする樹脂組成物を採用した場合は、透明性、絶縁性、柔軟性及び耐熱性が充分に得られる。また、他の樹脂を用いた場合との比較で、吸湿性を低くできる。また、ノルボルネン系樹脂の付加重合体を主材料とする樹脂組成物の場合、ノルボルネン系樹脂の付加重合体の側鎖の種類等によって、屈折率を調整することができる利点がある。

３層構造の光導波路形成体２３は、例えば、シート状あるいはプレート状の基材に、該光導波路形成体２３の個々の層を形成する樹脂材料を含むワニスを塗布して、３層の各層を順次形成していくことで、得ることができる。この場合、例えば、回路基板３自体を基材として用いることも可能である。
光導波路モジュール１としては、光導波路基板２の一方の面に回路基板３、他方の面に３層構造の光導波路形成体２３をその個々の層を形成する樹脂材料を含むワニスの塗布によって順次形成する際に用いる基材が設けられた構成であっても良い。

（ｂ）予め形成しておいたコア部の周囲をクラッド材（クラッド部）で覆う。
この製造方法の場合は、コア部２２の断面形状は自由となる。

光導波路基板２は、前記光素子内蔵基板６の光素子４の受／発光部４０１（発光素子４１の発光部４１１又は受光素子４２の受光部４２１）に対応する位置に、該光導波路基板２の光路（図３中、符号Ｈ１）を直角に曲げて、該光導波路基板２と前記光素子４（詳細には発光部４１１又は受光部４２１）との間の光路（図３中、符号Ｈ２）を形成するミラー部２４を有する。
前記光素子４と光導波路基板２とは、ミラー部２４を介して光結合される。
前記ミラー部２４は、具体的には、前記光導波路基板２に前記回路基板３とは反対の側から凹むように形成された凹部によって構成されている。このミラー部２４は、光導波路基板２のコア部２２の途中に介在するように形成される。

なお、図１、図２では、光導波路基板２の複数箇所のミラー部２４の形成位置を模式的に示しており、図中の全てのミラー部２４を、分岐部を有していない一本のコア部２２について形成する構成を意味するものでは無い。光導波路基板２に３以上のミラー部２４が形成された態様は、分岐部を有するコア部２２を持つ光導波路基板２、あるいは、複数本のコア部２２を持つ光導波路基板２にて実現される。ミラー部２４は、発光素子４１と受光素子４２とを光導波路基板２のコア部２２を介して光接続するために設けられるものであり、光導波路基板２におけるミラー部２４の形成位置は、発光素子４１と受光素子４２との光接続を実現し得るように設定される。

（光素子内蔵基板）
次に、光素子内蔵基板６について説明する。
既述の通り、光素子内蔵基板６は、回路基板３に形成された光素子収納孔３１内に光素子４を組み込んで実装したものである。

図１〜図４に示すように、回路基板３の前記光素子収納孔３１は、回路基板３を貫通して、回路基板３の両面に開口、すなわち、前記光導波路基板２と接合されている接合面３ｂ、及び、前記デバイス実装面３ａに開口する貫通孔である。
この光素子収納孔３１は、回路基板３の複数箇所に形成されている。

個々の光素子収納孔３１には、光素子４として、発光素子４１又は受光素子４２が組み込まれている。
発光素子４１は、例えば、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）等の半導体レーザである。受光素子４２は、例えばＰＤ（フォトダイオード）である。

図示例は、一つの回路基板３に、発光素子４１が組み込まれた光素子収納孔３１と、受光素子４２が組み込まれた光素子収納孔３１とが存在する構成を例示している。
また、各光素子４は、発光部４１１又は受光部４２１を光導波路基板２に対面配置させて、光素子収納孔３１に組み込まれている。光素子内蔵基板６において、各光素子４の受／発光部４０１（発光部４１１又は受光部４２１）は、光導波路基板２のミラー部２４に対応する位置に設けられ、ミラー部２４を介して、光導波路基板２の光路Ｈ１と光結合される。
この光導波路モジュール１には、光導波路基板２（詳細には光導波路基板２の光路Ｈ１）を介して互いに光接続された発光素子４１と受光素子４２の対が存在する。

光素子４の受／発光部４０１（発光部４１１又は受光部４２１）は、光素子４の光導波路基板２に対面する端面４３（以下、受／発光部設置面とも言う）に設けられている。
図７は、光素子４の受／発光部設置面４３を示す。
図７に示すように、光素子４の受／発光部設置面４３には、受／発光部４０１（発光部４１１又は受光部４２１）と、電極パッド４４とが設けられている。受／発光部４０１は、受／発光部設置面４３の中央部に設けられている。電極パッド４４は、受／発光部設置面４３において、受／発光部４０１の周囲の複数箇所に設けられている。
発光素子４１においては、電極パッド４４は、発光素子４１への駆動用電気信号の入力端子として機能する。発光素子４２においては、電極パッド４４は、受光素子４２から受光信号（電気信号）を出力するための出力端子として機能する。

なお、受／発光部設置面４３における受／発光部４０１の位置は、必ずしも受／発光部設置面４３の中央部である必要は無い。受／発光部設置面４３の中央部からずれた位置であっても良い。
また、受／発光部設置面４３に設けられる受／発光部４０１の数は、ひとつだけの場合に限定されず、複数であっても良い（一例として図１４（ａ）〜（ｃ）を参照）。

図８は、前記光素子収納孔３１及び該光素子収納孔３１に組み込まれた光素子４との関係を示す平面図（回路基板３のデバイス実装面３ａ側から見た構造を示す図）である。
図７、図８等に示すように、光素子４は、具体的には、角形（外観直方体状）のチップ形電子デバイスである。光素子収納孔３１は、角穴状（図８において、具体的には、平面視正方形の貫通孔）である。光素子４は、受／発光部設置面４３が、回路基板３の光素子収納孔３１の軸心３１ａに対して垂直となるようにして光素子収納孔３１内に組み込まれている。

前記回路基板３は、前記接合面３ｂに形成された配線部３２（導体回路）と、該回路基板３に貫設され前記配線部３２に電気導通可能に接続された貫通配線３３と、前記配線部３２から前記接合面３ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部に張り出された突起状の端子部３４とを具備している。

図３等に示すように、光素子４は、受／発光部設置面４３の電極パッド４４を、回路基板３の前記端子部３４に導電性のボンディング用金属材料（ボンディング金属部３６）によってボンディングして回路基板３に組み込まれており、回路基板３の配線部３２と電気的に接続されている。光素子４の電極パッド４４と回路基板３の前記端子部３４とはボンディングによって電気導通可能に接続されている。ボンディング金属部３６は、導電性のボンディング用金属材料によって形成されている。
また、符号３５は、貫通配線３３の回路基板３のデバイス実装面３ａ側の端部と電子デバイス５の電極パッド（図示略）とをボンディングして電気的に接続したボンディング金金属部である。ボンディング金属部３５は、導電性のボンディング用金属材料によって形成されている。このボンディングによって、貫通配線３３が電子デバイス５の電子回路と電気的に接続されている。このため、回路基板３の前記端子部３４を介して配線部３２と電気的に接続された光素子４は、前記配線部３２、貫通配線３３を介して、電子デバイス５と電気的に接続される。

前記ボンディング用金属材料としては例えば半田を用いることができる。半田の場合、電極パッド４４と端子部３４とのボンディング、貫通配線３３と電子デバイス５の電極パッドとのボンディングは半田付けである。

図４に示すように、光素子４としては、電極パッド４４に金属バンプ４５が実装されたフリップチップタイプのものを採用できる。この場合、光素子４を、回路基板３のデバイス実装面３ａ側から光素子収納孔３１内に挿入して収納し、光素子４の前記金属バンプ４５を回路基板３の前記端子部３４に接触させ、この状態で金属バンプ４５のリフロー、冷却固化することで、光素子４の電極パッド４４を回路基板３の前記端子部３４にボンディングすることができる。この場合、金属バンプ４５のリフロー、冷却固化によってボンディング金属部３６が形成される。
但し、光素子４の電極パッド４４と回路基板３の前記端子部３４とのボンディングを実現するための手法としては、これに限定されず、例えば、端子部３４上に設置しておいた金属バンプのリフローによって実現することも可能である。

電極パッド４４と端子部３４とのボンディング用の金属バンプはボンディング用金属材料によって形成されている。
ボンディング用金属材料としては、半田以外に、例えば、Ａｕ（金）、ＩｎＡｕ合金、その他の低融点合金も採用可能である。ボンディング用金属材料は、全体が導電性の金属（合金を含む）からなるもの、あるいは、金属（合金を含む。導電性を有する）を主成分とするものを指す。後者は、例えばフラックス等の添加物を微量に含有したものである。
電極パッド４４と端子部３４とのボンディング用の金属バンプを構成するボンディング用金属材料としては、電極パッド４４と端子部３４とのろう接を実現できるものが好ましい。

貫通配線３３と電子デバイス５の電極パッドとのボンディング用の金属材料（ボンディング用金属材料）としては、貫通配線３３と電子デバイス５の電極パッドとのろう接を実現できるものが好ましく、電極パッド４４と端子部３４とのボンディング用の金属バンプ（ボンディング用金属材料）と同様のボンディング用金属材料を採用できる。
なお、図１の金属バンプ６２、６３（後述）についても、電極パッド４４と端子部３４とのボンディング用の金属バンプと同様のボンディング用金属材料からなるものを採用できる。

図３、図８において、符号３７は、前記光素子収納孔３１内面（内周面）と前記光素子４（詳細には光素子４の外周面）との間を埋める充填樹脂部、符号３８は光素子４の受／発光部設置面４３を覆う透明樹脂層である。
図４において、符号７は、回路基板３の接合面３ｂに被着して、回路基板３の接合面３ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部を塞ぐ、開口部封止部材である。この開口部封止部材７は、シート状又はプレート状に形成されており、充填樹脂部３７、透明樹脂層３８を形成するための液状の樹脂材料８を光素子収納孔３１に注入する（図１２参照）際に、回路基板３の接合面３ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部を塞いで、該開口部からの樹脂材料８の漏出を防止するものである。

本発明に係る光導波路モジュール１の回路基板３の前記光素子収納孔３１は、その断面寸法（軸心３１ａ（中心軸線）方向に垂直の断面の寸法。以下、光素子収納孔３１の断面寸法、とも言う）は、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａに垂直の断面寸法（以下、光素子４の断面寸法、とも言う）よりも若干大きい（前記電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５〜１９５％だけ大きくした）寸法になっている。
光素子収納孔３１の断面寸法と、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａとの関係については、後に詳述する。

充填樹脂部３７は、光素子収納孔３１の内周面の全周（但し、光素子収納孔３１の内周面に、図８に示す光素子４の断面の四隅の頂点のいずれか１以上が接触されている場合（例えば図９参照）は、この接触部分を除く）にわたって形成されている。
この充填樹脂部３７は、光素子収納孔３１内における光素子４の位置ずれ防止に有効に寄与する。

透明樹脂層３８は、前記充填樹脂部３７から連続して形成され、前記光素子４の前記受／発光部設置面４３を覆っている。この透明樹脂層３８は、光導波路基板２のミラー部２４と光素子４の受／発光部４０１との間に伝送される光を透過する。光素子４の受／発光部４０１と光導波路基板２との間の光信号の伝送は、ミラー部２４、透明樹脂層３８を介してなされる。
また、この透明樹脂層３８は、光素子４の受／発光部４０１と光導波路基板２との間に空気層が介在することを防止（あるいは、ミラー部２４と光素子４（詳細には発光部４１１又は受光部４２１）との間の光路Ｈ２における空気中伝播部分を減少）して、損失低下に有効に寄与するものである。

（電子デバイス）
次に、電子デバイス５について説明する。
図２において、電子デバイス５は、回路基板３のデバイス実装面３ａの複数箇所に実装されている。
図示例の電子デバイス５は、電子回路が形成されている基板５１を複数枚積層してチップ形に形成されている。この電子デバイス５は、基板５１の電子回路５２（導体回路）同士を電気的に接続してなる集積回路を具備する。図２中、符号５３はビア配線である。以下、この電子デバイス５をＬＳＩとも言う。
但し、回路基板３のデバイス実装面３ａに実装する電子デバイスとしては、ＬＳＩに限定されず、例えば、パッケージ化されたＩＣチップ、ＬＳＩチップ等であっても良い。

電子デバイス５は、複数枚積層された基板５１の内、積層の片端に位置する基板５１が形成する下面５ａに設けられている電極パッド（図示略）を、前記回路基板３の貫通配線３３（あるいは、回路基板３のデバイス実装面３ａに設けられている電子回路（導体回路））にボンディングすることで電気導通可能に接続して、回路基板３のデバイス実装面３ａに実装されている。

本実施形態では、図４に示すように、回路基板３のデバイス実装面３ａに実装した金属バンプ３５１を、電子デバイス５の電極パッドと回路基板３の貫通配線３３とを電気的に接続するためのボンディング用金属材料として利用する構成を例示するが、本発明はこれに限定されず、例えば、電子デバイス５の電極パッドに実装した金属バンプを、電子デバイス５の電極パッドと回路基板３の配線とを電気的に接続するためのボンディング用金属材料として利用することも可能である。電子デバイス５の電極パッドと回路基板３の貫通配線３３とのボンディング用の金属バンプのリフロー、冷却固化によって、ボンディング金属部３５が形成される。

なお、回路基板３のデバイス実装面３ａには、貫通配線３３と電気的に接続した電子回路（導体回路）を設けても良い。この場合、貫通配線３３と電子デバイス５の回路とを接続するための金属バンプ６２を、貫通配線３３のデバイス実装面３ａ側の端部からずらした位置にて、デバイス実装面３ａの電子回路に設けるといったことも可能となる。

ＬＳＩ５は、発光素子４１の駆動制御回路及び／又は受光素子４２の出力信号用アンプとしての機能を具備する。図２に例示したＬＳＩ５は、回路基板３の貫通配線３３、配線部３２を介して、発光素子４１及び受光素子４２に電気的に接続されており、発光素子４１の駆動制御回路、及び、受光素子４２の出力信号用アンプとして機能する。
なお、回路基板３に実装するＬＳＩ５としては、発光素子４１の駆動制御回路、及び、受光素子４２の出力信号用アンプの内、一方の機能のみを具備する構成であっても良い。

（電子デバイス用貫通配線）
図１，図２において、符号６１は電子デバイス用貫通配線である。
この電子デバイス用貫通配線６１は、回路基板３にその厚み方向（図１、図２の上下方向）に貫設されており、回路基板３のデバイス実装面３ａに実装された電子デバイス５と、光導波路モジュール１の光導波路基板２の前記回路基板３とは反対の側に設けられた電子機器９（例えば、回路基板、半導体パッケージ等）とを電気的に接続するための接続配線として利用できる。

図１に示すように、光導波路モジュール１は、回路基板３のデバイス実装面３ａに、電子デバイス用貫通配線６１と電子デバイス５とを接続するための金属バンプ６２を具備し、回路基板３の接合面３ｂに、前記電子機器９と電子デバイス用貫通配線６１とを接続するための金属バンプ６３を具備している。
光導波路基板２には、接合面３ｂ側の金属バンプ６３を収納するためのバンプ収納孔２５が貫設されており、接合面３ｂ側の金属バンプ６３は、前記バンプ収納孔２５に収納されるとともに、このバンプ収納孔２５から、前記光導波路基板２の前記回路基板３とは反対の側に突出されている。
したがって、この光導波路モジュール１では、図２に示すように、金属バンプ６２によって電子デバイス用貫通配線６１と接続した電子デバイス５と、金属バンプ６３によって電子デバイス用貫通配線６１と接続した電子機器９とを、電子デバイス用貫通配線６１を介して電気的に接続できる。金属バンプ６３は電子デバイス５に対する電気信号の入出力端子として用いることができる。

なお、この光導波路モジュール１の回路基板３に形成された配線（貫通配線３３、配線部３２、端子部３４、電子デバイス用貫通配線６１を含む）は、銅あるいは銅合金等の導体金属によって形成されている。
導体金属としては、例えば、金、アルミニウム等も採用可能である。
また、回路基板３には、配線を形成する導体金属が半導体基板３９中に拡散（金属が移行）することを防止する目的で拡散防止膜を設けることができる。拡散防止膜は、配線を形成する導体金属と半導体基板３９との間に介在させる。拡散防止膜用の金属としては、Ｔａ、ＴｉＮ、ＳｉＮなどが挙げられる。

この光導波路モジュール１、デバイス付き光導波路モジュール１Ａによれば、光素子４を回路基板３の光素子収納孔３１内に組み込んだ構成であるため、回路基板３のデバイス実装面３ａに実装した電子デバイス５と光素子４との電気的接続を確保するための配線は、光導波路基板２を迂回する等の必要が無く、配線長を短くすることができる。配線長の短縮により、高周波の信号特性を確保することが容易となり、信号伝送の高速化、伝送量増大を図ることができる。
また、本発明によれば、回路基板の電子回路と光素子との間を電気的に接続するための配線の短縮、単純化によって、光導波路を回避するようにして設ける必要性が無くなるため、光導波路モジュール全体の構造を単純化することができる。これにより、光導波路モジュールの製造効率の向上、低コスト化も実現できる。

（製造方法）
次に、上述の光導波路モジュール１の製造方法の一例について説明する。
ここでは、図４に示すように、光素子４として、電極パッド４４に金属バンプ４５が実装されているものを用いる場合を説明する。

ここで用いる回路基板３は、半導体基板３９に、該半導体基板３９の両面の一方又は両方（両面の内、少なくとも接合面３ｂとなる側の面）に形成された配線部３２と、前記半導体基板３９に貫設された貫通配線３３と、光素子収納孔３１と、前記配線部３２から前記光素子収納孔３１の前記接合面３ｂ側の開口部内に張り出された突起状の端子部３４とが設けられたもの（光素子収納孔付き基板）である。
また、この回路基板３は、デバイス実装面３ａに、電子デバイス５の電極パッドと回路基板３の貫通配線３３とを電気的に接続するための金属バンプ３５１が実装されている。

前記半導体基板３９は、ここでは具体的にはシリコン基板である。
図４等において、符号３９ａは、半導体基板３９の表面に形成された酸化膜（シリコン酸化膜）であり、貫通配線３３、配線部３２といった、回路基板３に形成された配線と半導体基板３９との間の電気絶縁性を確保する。

また、ここでは、回路基板３として、電子デバイス用貫通配線６１、金属バンプ６２、６３を具備するものを用いる。回路基板３に被着状態に設ける光導波路基板２には、バンプ収納孔２５を形成しておく。
但し、回路基板３の接合面３ｂ側の金属バンプ６３については、回路基板３に被着状態に設けた光導波路基板２にバンプ収納孔２５を形成した後に、回路基板３に実装しても良い。

なお、光導波路基板２にバンプ収納孔２５を加工（形成）する手法としては、例えば、エキシマレーザーを用いたレーザー加工が好適である。この他、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;RIE）を用いる方法や、感光性を有する光導波路基板２の露光、現像による加工等も採用可能である。
レーザー加工では、ステンシルマスクの使用等によって、所望の大きさのバンプ収納孔２５を容易に加工できる。反応性イオンエッチング、感光性を有する光導波路基板２の露光、現像では、フィルム状のマスクや、レジスト樹脂の使用等によって、所望の大きさのバンプ収納孔２５を容易に加工できる。

（光素子実装工程）
まず、前記回路基板３の前記光素子収納孔３１に、前記光素子４を組み込み、この光素子４の電極パッド４４に予め実装しておいた金属バンプ４５をリフローして、前記電極パッド４４を前記回路基板３の端子部３４にボンディングする（光素子実装工程）。リフローした金属バンプ４５の冷却固化によって、光素子４の電極パッド４４と回路基板３の端子部３４とがボンディングされる。

光素子実装工程において、金属バンプ４５をリフローすることで、溶融状態のバンプ材料（ボンディング用金属材料）の表面張力によって、光素子４の複数の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと、回路基板３の複数の端子部３４上にそれぞれ形成されたコンタクト面３４ａとが重なり合う（平面視における重なり。図９におけるコンタクト面４４ａ、３４ａ同士の重なり合い）ように、光素子収納孔３１内での光素子４の位置が調整される（溶融状態のボンディング用金属材料の表面張力自体による光素子４のセルフアライメント）。

既述の通り、本発明に係る光導波路モジュール１では、回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法は、前記光素子４の断面寸法を、前記電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５〜１９５％だけ大きくした寸法になっている。図８、図９において、具体的には、光素子４は、前記光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面形状が矩形（図８、図９では模式的に正方形の断面形状を図示している）であり、光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面形状は、光素子４の断面形状よりも若干大きい相似形（矩形、さらに詳細には正方形）になっている。
光素子４を回路基板３の光素子収納孔３１内に収納した段階（金属バンプ４５のリフロー前）では、光素子４に、光素子収納孔３１内での可動範囲が確保される。

図７に示す図示例の光素子４の複数の電極パッド４４のコンタクト面４４ａは矩形（図示例では正方形）であり、その面積が互いに同じに揃えてある。また、図９に示す図示例の回路基板３の複数の端子部３４は、コンタクト面３４ａの形状、面積が、それぞれ光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと同じに揃えてある。光素子４は、光素子収納孔３１内での位置調整によって、全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａを、一括して、回路基板３の複数の端子部３４のコンタクト面３４ａに重なるように位置合わせすることができる。
前記光素子収納孔３１の断面寸法は、前記光素子４の断面寸法に、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａの４辺の内の一辺の長さの５〜１９５％を加えた寸法になっている。

なお、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａが円形の場合には、光素子収納孔３１の断面寸法は、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａの直径の５〜１９５％を前記光素子４の断面寸法に加えた寸法とする。

金属バンプ４５をリフローすると、溶融状態のバンプ材料（ボンディング用金属材料）の表面張力自体によって、光素子４の複数の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと、回路基板３の複数の端子部３４上のコンタクト面３４ａとの重なりが合うように、光素子収納孔３１内での光素子４の位置が調整される。ここで、金属バンプ４５をリフローしたときの、光素子４の複数の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと、回路基板３の複数の端子部３４のコンタクト面３４ａとの重なりは、必ずしも、光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａが、回路基板３の複数の端子部３４のコンタクト面３４ａに完全に重なる（光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａの全体が端子部３４のコンタクト面３４ａ上に位置する）必要はなく、光素子４の１以上の電極パッド４４に、そのコンタクト面４４ａが回路基板３の端子部３４のコンタクト面３４ａ上に位置していない部分が若干存在していても良い。

回路基板３の複数の端子部３４は、コンタクト面３４ａの形状、面積、設置間隔が、それぞれ光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと完全に一致している必要は無く、例えば、コンタクト面３４ａの大きさ（面積）が、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａに比べて若干大きい、あるいは、若干小さい構成であっても良い。
また、複数の端子部３４のコンタクト面３４ａの形状、面積は、必ずしも互いに一致している必要は無く、若干のばらつきがあっても構わない。

金属バンプ４５のリフローによる光素子４のセルフアライメントを行うことで、光素子収納孔３１内に収納した光素子４の位置が調整され、光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａが、回路基板３の複数の端子部３４のコンタクト面３４ａに重なった範囲が充分に確保された状態を容易に得ることができる。このため、溶融状態のバンプ材料の冷却、固化によって、各電極パッド４４と端子部３４とのボンディング、電気的接続が確実になされる。

金属バンプ４５のリフローによる光素子４のセルフアライメントが実現されるには、光素子収納孔３１内に収納した光素子４の金属バンプ４５のリフロー前に、光素子４の全ての電極パッド４４の金属バンプ４５が、回路基板３の端子部３４に接触している必要がある。このため、回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法は、光素子収納孔３１内に収納した光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａが、それぞれ、端子部３４のコンタクト面３４ａに重なった部分を有するように調整される。
回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法が、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面寸法に対して、前記電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５〜１９５％だけ大きくした寸法であれば、光素子収納孔３１内に収納した光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａが、それぞれ、端子部３４のコンタクト面３４ａに重なった部分を有する、という関係を実現できる。

図９に示すように、金属バンプ４５のリフローによる光素子４のセルフアライメントが円滑に実現されるには、光素子収納孔３１内に収納した光素子４に、金属バンプ４５のリフロー時に、光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に直交する面に沿った方向の移動、軸心３１ａを中心とする軸回り方向の回転移動、前記軸心３１ａに対する傾動（図１０参照）が許容されている必要がある。
この点、光素子収納孔３１に対する端子部３４の位置は、光素子４の全ての電極パッド４４のコンタクト面４４ａの中央部が端子部３４のコンタクト面３４ａの中央部上に重なったとき（コンタクト面４４ａ、３４ａ同士が重なり合った面積が最大のとき。以下、このときの状態を、完全アライメント状態、とも言う）に、光素子４の外周（光素子収納孔３１の軸心３１ａに直交する断面の外周）の全周にわたって、光素子収納孔３１内面との間にギャップが確保されるように設定することが好ましい。本実施形態では、端子部３４について、この位置設定を行った構成を例示する。
但し、本発明は、これに限定されるものでは無く、端子部３４の位置設定の適宜変更も可能である。

回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法と、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面寸法との差が、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５％未満であると、光素子収納孔３１の内周面と、この光素子収納孔３１に収納した光素子４の外周面との間のギャップが小さすぎ、金属バンプ４５のリフローによる光素子４のセルフアライメントが円滑に実現されなくなる可能性が大きくなる。また、光素子収納孔３１への光素子４の挿入に手間が掛かるようになってくる。

一方、回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法と、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面寸法との差が、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の１９５％を超えていると、光素子収納孔３１内に収納した光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと端子部３４のコンタクト面３４ａとの重なりが極端に小さくなりすぎ、金属バンプ４５のリフロー時に、溶融したバンプ材料（ボンディング用金属材料）の表面張力によるセルフアライメントが有効にならなくなるケースが生じやすくなる。この場合は、既述の完全アライメント状態となったとき、光素子４の外周と光素子収納孔３１内面との間に、光素子４の電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の１９５／２％の大きさのギャップが確保されることとなる。

また、図９に示すように、回路基板３の断面矩形（図示例では正方形）の前記光素子収納孔３１の断面寸法は、断面４辺の一辺の長さが、光素子４の光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面（断面形状は矩形。図示例では正方形）の対角線寸法よりも小さい必要がある。

光素子収納孔３１の１辺の長さが、光素子４の断面の対角線寸法よりも大きいと、光素子収納孔３１内に光素子４を収納したときに、光素子４を、光素子収納孔３１内面（光素子４の光素子収納孔３１内面への当接）によって、軸心３１ａを中心とする軸回り方向に位置決めする（金属バンプのリフロー前の、コンタクト面４４ａ、３４ａ同士の重なり合いを確保する）ことが難しくなる。また、金属バンプ４５のリフロー時に、光素子４が、軸心３１ａを中心とする軸回り方向に自由に回転することで、光素子４の各電極パッド４４のコンタクト面４４ａと端子部３４のコンタクト面３４ａとの重なりが非常に小さくなってしまうケースや、重なりが無くなってしまうケースが発生しやすくなる。

図９に示すように、光素子収納孔３１の４面の内面の内の対向する内面間の距離が、光素子４の断面の対角線寸法よりも小さく、回路基板３の前記光素子収納孔３１の断面寸法と前記光素子４の断面寸法との差によって、金属バンプ４５のリフロー時の光素子４の前記軸心３１ａを中心とする軸回り方向の回転範囲が設定されていれば、溶融したバンプ材料（ボンディング用金属材料）の表面張力によるセルフアライメントによって、光素子４の各電極パッド４４のコンタクト面４４ａと端子部３４のコンタクト面３４ａとの重なりを充分に大きく確保することをより確実に実現できる。

この回路基板３では、前記光素子収納孔３１の断面寸法が、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面寸法を、前記電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５〜１９５％だけ大きいため、光素子収納孔３１の内面の精度によって光素子４を位置決めする構成（光素子収納孔３１を、光素子４の嵌合によって、光素子４を位置決めする構成）に比べて、光素子収納孔３１に光素子４を挿入して組み込む作業を簡単かつ円滑に行える。また、光素子収納孔３１の内面の精度によって光素子４を位置決めする構成（光素子収納孔３１を、光素子４の嵌合によって、光素子４を位置決めする構成）に比べて、光素子収納孔３１内面の形成精度の要求がかなり低くて済むため、光素子収納孔３１の加工の手間を大幅に低減できるといった利点もある。光素子収納孔３１内面の形成精度が低くても、金属バンプ４５をリフローするだけで、溶融したバンプ材料（ボンディング用金属材料）の表面張力によって、光素子４のセルフアライメントを実現できる。

また、金属バンプ３５のリフローによって光素子４のセルフアライメントを実現できるので、光素子収納孔３１に対する光素子４の挿入位置を調整する必要が無く、光素子収納孔３１に対する光素子４の挿入作業を非常に簡単に行うことができる。
図１１（ａ）に示すように、回路基板３の複数の光素子収納孔３１にそれぞれ収納した光素子４の位置にはばらつきが許容される。そして、金属バンプ３５のリフローによって、図１１（ｂ）に示すように、複数の光素子４を、光素子４の複数の電極パッド４４のコンタクト面４４ａと端子部３４のコンタクト面３４ａとの重なりを充分に大きく確保できるように、端子部３４に対して位置合わせすることを、一括して、短時間に行うことができる。

（充填樹脂部形成工程）
光素子実装工程が完了したら、前記光素子収納孔３１内面と前記光素子４との間を埋める充填樹脂部３７を形成する充填樹脂部形成工程を行う。
この充填樹脂部形成工程は、回路基板３（光素子収納孔付き基板）の接合面３ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部を、開口部封止部材（図１２（ａ）、（ｂ）の符号７の開口部封止部材，図１３の光導波路基板２）を用いて塞いだ状態で、前記光素子収納孔３１内に液状の樹脂材料８を注入（デバイス実装面３ａ側から光素子収納孔３１に注入）して前記充填樹脂部３７を形成する。このとき、回路基板３に実装済みの光素子４の受／発光部設置面４３と開口部封止部材との間にギャップを確保することで、充填樹脂部３７とともに、該充填樹脂部３７から連続して、前記光素子４の前記受／発光部設置面４３を覆う透明樹脂層３８も形成する。この場合、充填樹脂部３７と透明樹脂層３８とは、同じ樹脂材料８によって形成される。
なお、回路基板３に実装済みの光素子４の受／発光部設置面４３と開口部封止部材との間のギャップは、端子部３４が、シート状又はプレート状の開口部封止部材が撓んで光素子収納孔３１内に入り込むことを規制することにより確保できる。

充填樹脂部形成工程が完了したら、回路基板３の接合面３ｂに被着した光導波路基板２にミラー部２４を形成するミラー部形成工程に移行する。
充填樹脂部形成工程が完了すると、既述の光素子内蔵基板６が得られる。

充填樹脂部３７及び透明樹脂層３８を形成する樹脂材料８としては、例えば、エポキシ樹脂等の、硬化後に透明性を確保できる紫外線硬化性樹脂を採用することが好ましい。
この場合、光素子収納孔３１内に注入した樹脂材料８の硬化によって、充填樹脂部３７及び透明樹脂層３８を簡単に形成することができる。

この充填樹脂部形成工程では、図１３に示すように、光素子実装工程の完了後に回路基板３の接合面３ｂに被着した光導波路基板２自体を開口部封止部材として用いても良いが、図１２（ａ）に示すように、光導波路基板２以外のシート状又はプレート状の開口部封止部材７を回路基板３の接合面３ｂに被着して、光素子収納孔３１内への液状の樹脂材料８の注入を行っても良い。

（充填樹脂部形成工程１）
まず、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して、充填樹脂部形成工程を説明する。
図１２（ａ）、（ｂ）の場合、シート状又はプレート状の開口部封止部材７を回路基板３の接合面３ｂに被着して、回路基板３（光素子収納孔付き基板）の接合面３ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部を塞いだ状態で、光素子収納孔３１内に液状の樹脂材料８を注入した後、この樹脂材料８を硬化させて、充填樹脂部３７及び透明樹脂層３８を形成する（充填樹脂部形成工程）。
開口部封止部材７としては紫外線透過性のものを採用することが好ましく、これにより、光素子収納孔３１内に注入した樹脂材料８を紫外線の照射によって硬化させる作業を、短時間で効率良く行うことができる。
開口部封止部材７としては、例えば、合成樹脂製の透明シート又は透明プレート、ガラス板等を採用することができる。合成樹脂製の透明シート又は透明プレートの形成材料としては、例えば、ポリイミド、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等を採用できる。

充填樹脂部３７及び透明樹脂層３８の形成が完了したら、図１２（ｂ）に示すように、回路基板３から開口部封止部材７を除去した後、回路基板３の接合面３ｂに光導波路基板２を被着して、ミラー部２４を形成するミラー部形成工程に移行する。
透明樹脂層３８は、光素子４の受／発光部４０１を保護するための保護層、特に、光素子内蔵基板６を光導波路基板２と貼り合わせる前まで、光素子４の受／発光部４０１を、衝突物の衝突、埃の付着による汚染等から保護するための保護層として機能する。
また、回路基板３から開口部封止部材７を除去した後、例えば、回路基板３の接合面３ｂ側での透明樹脂層３８の平坦化処理等を行うことも可能である。

なお、この充填樹脂部形成工程１にて用いる開口部封止部材７としては、回路基板３の接合面３ｂにおける光素子収納孔３１の開口部を封止して、光素子収納孔３１に注入した液状の樹脂材料８の漏出を防止する点では、回路基板３の接合面３ｂ全体に被着する必要は無く、例えば、回路基板３の接合面３ｂにおける光素子収納孔３１の開口部よりも若干大きい程度のシート状又はプレート状の部材、光素子収納孔３１の開口部に嵌合するキャップ状の部材等であっても良い。

（充填樹脂部形成工程２）
図１３の場合は、既述の通り、回路基板３の接合面３ｂに光導波路基板２を被着し、この光導波路基板２自体を開口部封止部材として用いて、充填樹脂部形成工程を行う。
この場合、光素子収納孔３１内に注入した樹脂材料８を紫外線の照射によって硬化させることに鑑みて、光導波路基板２として、該光導波路基板２の断面方向への紫外線の透過が可能なものを採用し、回路基板３とは反対の側から光素子収納孔３１内の樹脂材料８への紫外線照射を行う。

光導波路基板２は、シート状に作成済みの光導波路基板２を回路基板３に適宜接着剤を用いるなどして貼り合わせることで回路基板３に被着しても良いが、例えば、３層構造の光導波路形成体の個々の層を形成する樹脂材料を含むワニスの、回路基板３の接合面への塗布による光導波路形成体の形成、この光導波路形成体への活性エネルギー線の照射によるコア部２２の形成によって、回路基板３に被着状態に形成しても良い。

この図１３を参照して説明した充填樹脂部形成工程（充填樹脂部形成工程２）を具備する、光導波路モジュール１の製造方法によれば、充填樹脂部形成工程の完了後に開口部封止部材（光導波路基板２）を回路基板３から除去しないので、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明した充填樹脂部形成工程（充填樹脂部形成工程１）を具備する製造方法に比べて、工程数を減少できる。

上述した充填樹脂部形成工程１，２のいずれでも、透明の開口部封止部材（開口部封止部材７あるいは光導波路基板２）が回路基板３の接合面３ｂに被着された状態において、充填樹脂部３７及び透明樹脂層３８を形成するための樹脂材料８を光素子収納孔３１に注入することとなり、開口部封止部材を介して、回路基板３の接合面３ｂ側から、光素子収納孔３１内への樹脂材料８の充填状況を観察することができる。
なお、充填樹脂部形成工程１で使用する開口部封止部材７については、回路基板３の接合面３ｂにおける光素子収納孔３１の開口部を封止して、光素子収納孔３１に注入した液状の樹脂材料８の漏出を防止する点では、必ずしも透明のものに限定されず、不透明のものも採用可能である。

充填樹脂部形成工程が完了したら、光導波路基板２にミラー部２４を形成するミラー部形成工程に移行する。

（ミラー部形成工程）
ミラー部形成工程では、光導波路基板２の回路基板３（光素子内蔵基板６）とは反対の側から光導波路基板２（および透明樹脂層３８）を介して透視できる光素子４の受／発光部４０１に位置を合わせて、光導波路基板２を加工して、図２、図３等に例示するように、光導波路基板２に、その回路基板３とは反対の側からＶ字形の凹部であるミラー部２４を形成する。ミラー部２４の形成は、例えば、光導波路基板２のレーザー加工、機械加工等によって行う。
これにより、本発明に係る光導波路モジュールが得られる。

（デバイス実装工程）
また、光素子内蔵基板６に電子デバイス５が実装されている光導波路モジュール１、つまりデバイス付き光導波路モジュール１Ａの製造のためには、充填樹脂部形成工程の完了後、ミラー部形成工程の前、又は、ミラー部形成工程の後に、光素子内蔵基板６（回路基板３）に電子デバイス５を実装するデバイス実装工程を行う。
ミラー部形成工程の作業性確保の点では、デバイス実装工程は、ミラー部形成工程の後に行うことが好ましい。

（受／発光部を複数持つ光素子の採用）
本発明に係るデバイス付き光導波路モジュール１Ａ、光素子内蔵基板６に適用される光素子４としては、既述のように、受／発光部設置面４３に受／発光部４０１が複数設けられているものも採用可能である。
但し、金属バンプのリフローによる、光素子４の回路基板３に対するセルフアライメントを出来るだけ有効に機能させる点で、例えば図１４（ａ）〜（ｃ）に示すように、受／発光部設置面４３において、受／発光部４０１を介して両側に電極パッド４４が設けられている構成のものを採用することが好ましい。
図１４（ａ）〜（ｃ）の光素子４に、区別のため、符号４Ａ、４Ｂ、４Ｃを付す。

図１４（ａ）〜（ｃ）に示す例では、光素子４は、長方形の受／発光部設置面４３を有する外観直方体状のチップである。
図１４（ａ）、（ｃ）に示す光素子４Ａ、４Ｃは、長方形の受／発光部設置面４３の幅方向中央部（長方形の受／発光部設置面４３の短辺に沿った方向の中央部）に、複数の受／発光部４０１が、長方形の受／発光部設置面４３の長手方向に沿って一列に配列設置され、この複数の受／発光部４０１が配列されてなる受／発光部設置列４０１Ｌを介して両側の複数箇所に、それぞれ、電極パッド４４が設置された構成になっている。

仮に、電極パッド４４が、受／発光部設置列４０１Ｌを介して両側の内の片側のみに設けられている構成の場合は、光素子収納孔３１内に光素子を収納して、各電極パッド４４に実装しておいた金属バンプを端子部３４のコンタクト面３４ａに当接させたときに、光素子４が傾いてしまい、金属バンプをリフローしても、光素子４の回路基板３に対するセルフアライメントが有効に機能しない可能性が出てくる。これに対して、図１４（ａ）、（ｃ）に示す光素子４Ａ、４Ｃのように、受／発光部設置列４０１Ｌを介して両側の複数箇所に電極パッド４４が設置された構成であれば、光素子収納孔３１内に光素子を収納して、各電極パッド４４に実装しておいた金属バンプを端子部３４のコンタクト面３４ａに当接させたときに、光素子４に無用な傾きを与えることを防ぐことができ、金属バンプのリフローによって、光素子４の回路基板３に対するセルフアライメントを確実に行うことができる。

長方形の受／発光部設置面４３を有する光素子４において、金属バンプのリフローによって、光素子４の回路基板３に対するセルフアライメントを有効に機能させる点では、電極パッド４４が、長方形の受／発光部設置面４３の幅方向両側のそれぞれにて受／発光部設置面４３の長手方向に沿う複数箇所に設けられている構成であることが好ましい。この点、受／発光部４０１は、必ずしも、受／発光部設置列４０１Ｌを形成する配置である必要はない。例えば、受／発光部４０１を、受／発光部設置面４３の幅方向両側の、電極パッド４４が設置されている領域内に設置し、受／発光部設置面４３の幅方向中央部には設置しない、構成等を排除するものでは無い。

図１４Ｂの光素子４Ｂは、受／発光部４０１と電極パッド４４とを、長方形の受／発光部設置面４３の長手方向に沿って一列に配列設置した構成になっている。
この場合、光素子収納孔３１内に光素子を収納して、各電極パッド４４に実装しておいた金属バンプを端子部３４のコンタクト面３４ａに当接させたときには、図１４（ａ）、（ｃ）に示す光素子４Ａ、４Ｃに比べて光素子の姿勢安定性が劣るが、ボンディング用金属材料（金属バンプ）のリフローによる光素子４の回路基板３に対するセルフアライメントは問題なく実現できる。

なお、長方形の受／発光部設置面４３を有する外観直方体状のチップに形成された光素子４を採用した場合でも、光素子収納孔３１の軸心３１ａに垂直の断面を、前記光素子４における前記光素子収納孔３１の軸心３１ａに垂直の断面寸法よりも若干大きい（前記電極パッド４４のコンタクト面４４ａの寸法の５〜１９５％だけ大きくした）寸法の長方形とすることは、正方形の受／発光部設置面４３を有する光素子の場合と同様である。
また、断面長方形の光素子収納孔３１は、その断面長辺寸法を、光素子４の光素子収納孔３１の軸心３１ａ（中心軸線）に垂直の断面（断面形状は矩形。図示例では正方形）の対角線寸法よりも小さくする。

長方形の受／発光部設置面４３の長手方向に沿った複数箇所に受／発光部４０１が設けられている構成の光素子４を採用した場合、光導波路基板２として、光素子４の複数の受／発光部４０１に対応する本数（あるいは受／発光部４０１の数よりも多くても良い）のコア部２２を具備するものを採用する。また、光素子４の各受／発光部４０１に対応する位置にミラー部２４を設けて、該ミラー部２４を介して、光導波路基板２のコア部２２毎に対応する光路と受／発光部４０１とを１対１に光結合させる。
現在、市販されている、受／発光部４０１を複数持つタイプの光素子４は、長方形の受／発光部設置面４３の長手方向における受／発光部４０１の設置間隔が２５０μｍであることが一般的である。これに対応するには、光導波路基板２にて、光素子４の複数の受／発光部４０１に対応して並列に形成されるコア部２２の配列間隔も２５０μｍとする。
光導波路基板２に並列に形成されるコア部２２の配列間隔は、光素子４における長方形の受／発光部設置面４３の長手方向における受／発光部４０１の設置間隔と揃えるが、受／発光部４０１の設置間隔は２５０μｍに限定されない。２５０μｍ以外（例えば、１２５μｍ）の場合は、これに応じて、コア部２２の配列間隔も、受／発光部４０１の設置間隔と揃える。

（別態様）
次に、本発明の別態様を説明する。
ここでは、図１５に示す光導波路モジュール１０、及び、その製造方法を説明する。
図１５に示す光導波路モジュール１０は、図２に示す光導波路モジュール１の回路基板３と光導波路基板２との間に、シート状の透明部材（開口部封止部材７）が介挿された構造になっている。
開口部封止部材７は、回路基板３の接合面３ｂに被着されており、光導波路基板２は開口部封止部材７に貼り合わせて固定されている。
回路基板３の光素子４の受／発光部４０１と、この受／発光部４０１に対応させて光導波路基板２に形成されているミラー部２４との間の光路Ｈ２は開口部封止部材７を貫通する。

この光導波路モジュール１０の製造方法としては、例えば、充填樹脂部形成工程にて、図１２（ａ）に示すように、透明シート状の開口部封止部材７を回路基板３の接合面３ｂに貼り合わせ、充填樹脂部形成工程の完了後、この開口部封止部材７を回路基板３から除去することなく、回路基板３に被着したまま、光導波路基板２を、開口部封止部材７の回路基板３とは反対の側の面に積層するように被着して（図１５参照）、ミラー部形成工程に移行する。
充填樹脂部形成工程よりも前の工程は、既述の実施形態と同様に、光素子実装工程を行う。また、ミラー部形成工程以降の工程も、既述の実施形態と同様に行うことができる。

この場合の透明の開口部封止部材７としても、充填樹脂部形成工程にて、光素子収納孔３１内に注入した樹脂材料８を紫外線の照射によって硬化させることに鑑みて紫外線の透過が可能なものを採用し、回路基板３とは反対の側から光素子収納孔３１内の樹脂材料８への紫外線照射を行って、樹脂材料８を硬化させることが好ましい。この点、透明の開口部封止部材７としては、例えば、ポリイミド、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）等の合成樹脂製の透明シートを採用することが好ましい。

開口部封止部材７の、回路基板３とは反対の側の面に光導波路基板２を設ける手法としては、既述の実施形態において回路基板３の接合面３ｂに光導波路基板２を被着状態に設ける場合の手法と同様であり、作成済みの光導波路基板２の被着（例えば、適宜、接着剤を用いて貼り合わせる）の他、ワニスの塗布による光導波路形成体の形成、この光導波路形成体への活性エネルギー線の照射によるコア部２２の形成、によって開口部封止部材７自体を基材として光導波路基板２を形成することであっても良い。

この光導波路モジュール１０の製造方法によれば、充填樹脂部形成工程の完了後に開口部封止部材７を回路基板３から除去しないので、図１２（ａ）、（ｂ）を参照して説明した製造方法に比べて、工程数を減少できる、といった利点がある。

（製造方法の他の例）
本発明に係る光導波路モジュールの製造方法としては、既述のように、光素子収納孔３１を形成済みの回路基板３に光素子を組み込んでから、回路基板３に光導波路基板２を一体に設ける構成に限定されず、図１６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、光素子収納孔３１を有していない配線付き基板３００に光導波路基板２を設けてから、配線付き基板３００に光素子収納孔３１を形成して回路基板３を得る工程（光素子収納孔形成工程）を行い、この回路基板３の光素子収納孔３１に光素子を組み込んで実装する光素子実装工程を行った後、充填樹脂部形成工程、ミラー部形成工程をこの順で行っても良い。
充填樹脂部形成工程以降の工程は、既述の実施形態と同様に行うことができる。
また、ミラー部形成工程の後に、デバイス実装工程を行っても良いことは言うまでも無い。

図１６（ａ）に示すように、配線付き基板３００は、光素子収納孔３１を有していない点のみが回路基板３と異なる。光素子収納孔３１以外、配線部３２、貫通配線３３、端子部３４を具備することは、回路基板３と同じである。
但し、この配線付き基板３００において、端子部３４は、配線付き基板３００の片面（配線部３２が形成されている側の面。以下、接合面３００ｂ）に形成された配線パターンの一部として、配線付き基板３００の内層の半導体基板３９に沿って延在している。

この製造方法では、まず、図１６（ａ）に示すように、配線付き基板３００の接合面３００ｂに光導波路基板２を設ける（複合基板形成工程）。この工程により、配線付き基板３００に光導波路基板２が積層状態に設けられてなる複合基板３０１が得られる。
配線付き基板３００の接合面３００ｂに光導波路基板２を設けるには、プレート状に作成済みの光導波路基板２を被着（例えば、適宜、接着剤を用いて貼り合わせる）する。また、この他、配線付き基板３００へのワニスの塗布によって光導波路形成体を形成し、この光導波路形成体への活性エネルギー線の照射によってコア部２２の形成することで、後者の場合は、配線付き基板３００自体を基材として該配線付き基板３００に一体に光導波路基板２を形成する、といった手法も可能である。

次いで、図１６（ｂ）に示すように、配線付き基板３００に光素子収納孔３１を形成する光素子収納孔形成工程を行う。加工法としては、例えば、エキシマレーザーを用いたレーザー加工が好適である。図１６（ｂ）中、符号３０２は、加工用のレーザー光である。この他、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;RIE）等も採用可能である。
この光素子収納孔形成工程により、回路基板３が得られる。また、光素子収納孔３１が形成されることで、端子部３４が、前記配線部３２から前記接合面３００ｂにおける前記光素子収納孔３１の開口部に張り出された突起状となる。

光素子収納孔形成工程が完了したら、光素子収納孔３１に光素子を組み込んで実装する光素子実装工程を行う（図１６（ｃ）参照）。その後、充填樹脂部形成工程、次いでミラー部形成工程を行う。
ミラー部形成工程の完了で、図３に示す構造の光導波路モジュールを得ることができる。
得られた光導波路モジュールについては、回路基板３（光素子内蔵基板６）の接合面３００ｂとは反対側の面を、ＬＳＩ等の電子デバイスの実装用のデバイス実装面３００ａとして用いることができる。

この製造方法によれば、光素子収納孔３１を形成する前の配線付き基板３００に光導波路基板２を積層状態に設けて複合基板３０１を作成してから、配線付き基板３００に光素子収納孔３１を形成する光素子収納孔形成工程を行うので、配線付き基板３００に光導波路基板２を貼り合わせる作業を楽に行える。配線付き基板３００（詳細には接合面３００ｂ）における光素子収納孔３１の形成予定位置を含む範囲に対しても、光導波路基板２を確実に貼り合わせることができ、これにより、端子部３４と光導波路基板２との密着性を容易に確保できる。

なお、本発明は、上述の実施の形態に限定されず、適宜変更が可能である。
（ａ）本発明は、充填樹脂部３７、透明樹脂層３８を具備していない構成の光導波路モジュール、充填樹脂部３７、透明樹脂層３８の内、充填樹脂部のみを具備した構成の光導波路モジュールを含む。また、光導波路モジュールの製造方法については、充填樹脂部形成工程を具備していない構成も含む。
（ｂ）本発明に係る光導波路モジュールの製造方法は、回路基板３の接合面３ｂに光導波路基板２を被着状態に設けた後、この光導波路基板２にミラー部を形成する（ミラー部形成工程）構成に限定されず、ミラー部を形成済みの光導波路基板２を回路基板３に貼り合わせることも含む。
（ｃ）充填樹脂部３７、透明樹脂層３８の形成樹脂としては、紫外線硬化性樹脂に限定されない。例えば、熱硬化性のエポキシ等の熱硬化性樹脂を採用し、充填樹脂部形成工程にて、光素子収納孔内に注入された液状の樹脂材料の加熱硬化によって、充填樹脂部、透明樹脂部を形成することも可能である。
（ｄ）本発明に係る光素子内蔵基板としては、回路基板の光素子収納孔内に光素子が組み込まれたものであれば良く、必ずしも、充填樹脂部、透明樹脂層を具備したものに限定されない。
（ｅ）図１、図２に例示したように、上述の実施形態では、１枚の回路基板（光素子内蔵基板）と１枚の光導波路基板とを積層状態にして一体化した構成の光導波路モジュールを例示したが、本発明はこれに限定されず、例えば、１枚のシート状の光導波路基板の複数箇所に光素子内蔵基板を固定（重ね合わせて一体化）した構成も採用可能である。
（ｆ）回路基板としては、半導体基板に光素子収納孔を形成したものに限定されない。例えば、電気絶縁性の絶縁樹脂板に光素子収納孔、配線部、端子部、貫通配線を設けたもの等も採用可能である。

本発明に係る実施形態の光導波路モジュールの構造を示す正断面図である。 図１の光導波路モジュールに電子デバイス（ＬＳＩ）を実装した状態（デバイス付き光導波路モジュール）を示す正断面図である。 図１、図２の光導波路モジュールの仮想線で示した領域Ａを拡大して示した拡大断面図であり、回路基板に形成された光素子収納孔及び該光素子収納孔に組み込まれた光素子付近を拡大して示す。 回路基板の光素子収納孔に光素子を組み込む前の回路基板、光素子の電極パッドに実装された金属バンプを示す図である。 本発明に係る光導波路モジュールの光導波路基板の構造を示す斜視図である。 図５の光導波路基板の製造方法の一例を説明する図であって、（ａ）は３層の光導波路形成体を示す斜視図、（ｂ）は図６（ａ）の光導波路形成体への活性エネルギーの照射によってコア部を形成した状態を示す斜視図である。 光素子の受／発光部設置面を示す図である。 光素子の複数の電極パッド（詳細には電極パッドのコンタクト面）が、それぞれ、回路基板の端子部（詳細には端子部のコンタクト面）と重なった状態を示す平面図である。 回路基板の光素子収納孔の断面寸法と、光素子の断面寸法（特に、矩形断面の対角線寸法）との関係を示す平面図である。 光素子の金属バンプのリフローによる、回路基板の光素子収納孔内での光素子の傾動を説明する正断面図である。 （ａ）（ｂ）は、回路基板の複数の光素子収納孔における光素子のセルフアライメントを説明する図（平面図）であり、（ａ）は光素子の金属バンプのリフロー前、（ｂ）は光素子の金属バンプのリフロー後を示す。 本発明に係る光導波路モジュールの製造方法の充填樹脂部形成工程を説明する図であって、（ａ）は回路基板の接合面における光素子収納孔の開口部を開口部封止部材を用いて塞いだ状態で光素子収納孔内に液状の樹脂材料を注入する工程を説明する図、（ｂ）は、充填樹脂部及び透明樹脂層の形成後に、回路基板から開口部封止部材を除去した状態を示す図である。 本発明に係る光導波路モジュールの製造方法の充填樹脂部形成工程を説明する図であって、回路基板の接合面における光素子収納孔の開口部を光導波路基板を用いて塞いだ状態で光素子収納孔内に液状の樹脂材料を注入する工程を説明する図である。 （ａ）〜（ｃ）は、受／発光部を複数具備する光素子の例を示す図である。 本発明の別態様を説明する図であって、回路基板と光導波路基板との間に透明の開口部封止部材が介挿されている構成の光導波路モジュールの構造を示す正断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る光導波路モジュールの製造方法の他の例を説明する図である。

符号の説明

１…光導波路モジュール、１Ａ…デバイス付き光導波路モジュール、２…光導波路基板、２１…クラッド部、２２…コア部、２３…光導波路形成体、２３１…コア層、２３２…クラッド層、２５…バンプ収納孔、３…回路基板、光素子収納孔付き基板、３ａ…デバイス実装面、３ｂ…接合面、３１…光素子収納孔、３１ａ…軸心、３２…配線部、３３…貫通配線、３４…端子部、３４ａ…コンタクト面、３５…ボンディング金属部、３５１…金属バンプ、３６…ボンディング金属部、３７…充填樹脂部、３８…透明樹脂層、３９…半導体基板（シリコン基板）、３９ａ…酸化膜、４、４Ａ、４Ｂ、４Ｃ…光素子、４０１…受／発光部、４１…発光素子、４１１…発光部、４２…受光素子、４２１…受光部、４３…受／発光部設置面、４４…電極パッド、４５…金属バンプ、５…電子デバイス（ＬＳＩ）、５ａ…下面、５１…基板、５２…電子回路、５３…ビア配線、６…光素子内蔵基板、６１…電子デバイス用貫通配線、６２…金属バンプ、６３…金属バンプ、７…開口部封止部材、８…樹脂材料、９…電子機器。

Claims (12)

1. プレート状のクラッド部内に線状のコア部を有する光導波路基板と、この光導波路基板に被着された回路基板とを具備し、
   前記回路基板には、受光素子又は発光素子である光素子が、該回路基板に貫設された光素子収納孔に収納して組み込まれ、前記光素子は、前記光導波路基板に対面する端面に受／発光部を有し、
   前記光導波路基板は、前記光素子の前記受／発光部に対応する位置に、該光導波路基板の前記光導波路と前記光素子の前記受／発光部との間の光路形成用のミラー部を有し、
   前記回路基板は、前記光導波路基板に臨む接合面に形成された配線部と、該回路基板に貫設され前記配線部に電気導通可能に接続された貫通配線と、前記配線部から前記接合面における前記光素子収納孔の開口部に張り出された突起状の端子部とを具備し、
   前記光素子の前記端面に設けられている電極パッドが前記端子部にボンディングされ電気導通可能に接続され、
   前記光素子の前記電極パッドと前記端子部とが導電性のボンディング用金属材料によってボンディングされており、
   前記光素子収納孔の断面寸法が、前記光素子における前記光素子収納孔の軸心に垂直の断面寸法を、前記電極パッドのコンタクト面の寸法の５〜１９５％だけ大きくした寸法になっており、
   前記光素子収納孔および前記光素子の前記断面の形状は矩形であり、
   前記光素子収納孔の対向する内面間の距離が、前記光素子の断面の対角線寸法よりも小さく、
   前記光素子は、前記光素子収納孔内で、前記光素子収納孔の断面寸法と光素子の断面寸法との差によって設定・規制されつつ回転移動可能であり、かつ前記光素子収納孔の軸心を中心とする軸回り方向の前記光素子の回転移動の全範囲で、前記光素子の全ての電極パッドのコンタクト面が、それぞれ前記端子部のコンタクト面に平面視において重なった部分を有することを特徴とする光導波路モジュール。
2. 前記光素子収納孔内面と前記光素子との間を埋める充填樹脂部を具備し、前記光素子の前記端面が、前記充填樹脂部から連続する透明樹脂層によって覆われていることを特徴とする請求項１に記載の光導波路モジュール。
3. 前記回路基板の前記光導波路基板に臨む接合面に、前記光素子収納孔の前記接合面に開口する開口部を封止する透明の開口部封止部材が設けられていることを特徴とする請求項２記載の光導波路モジュール。
4. 前記回路基板の前記接合面に、電極パッドと、該電極パッドに実装された金属バンプとが設けられ、前記金属バンプは、前記光導波路基板に貫設されたバンプ収納孔を介して、前記光導波路基板から前記回路基板とは反対の側に突出されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の光導波路モジュール。
5. 前記光導波路基板の前記ミラー部が、前記光導波路基板の前記回路基板とは反対の側から凹む凹部によって構成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の光導波路モジュール。
6. 請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の光導波路モジュールを製造する方法であって、
   半導体基板に、該半導体基板の両面の一方又は両方に形成された配線部と、前記半導体基板に貫設された貫通配線と、前記半導体基板に貫設された貫通孔であり受光素子あるいは発光素子である光素子が組み込まれる光素子収納孔と、前記半導体基板の片面の前記配線部から前記光素子収納孔の片端の開口部内に張り出された突起状の端子部とが設けられた光素子収納孔付き基板の前記光素子収納孔に、前記光素子を組み込み、この光素子に設けられている電極パッドに予め実装しておいた金属バンプをリフローして、前記電極パッドを前記端子部に接続する光素子実装工程と、
   プレート状のクラッド部内に線状のコア部を有し、前記光素子収納孔付き基板の両面の内の前記端子部が張り出された配線部が形成されている面の側に被着した光導波路基板に、前記光素子実装工程の後に、前記光導波路基板の前記光導波路と前記光素子の前記光導波路基板に対面する端面に設けられている受／発光部との間の光路形成用のミラー部を形成するミラー部形成工程
   とを具備することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
7. 請求項６記載の光導波路モジュールの製造方法において、
   前記電極パッドを前記端子部に接続した後に、前記光素子収納孔内面と前記光素子との間を埋める充填樹脂部を形成する充填樹脂部形成工程を行ってから、ミラー部形成工程を行うことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
8. 請求項７記載の光導波路モジュールの製造方法において、
   前記充填樹脂部形成工程において、前記光素子収納孔付き基板の、前記光素子収納孔の前記端子部が設けられている開口部を、開口部封止部材を用いて塞いだ状態で、前記光素子収納孔内に液状の樹脂材料を注入して前記充填樹脂部を形成することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
9. 請求項８記載の光導波路モジュールの製造方法において、
   前記充填樹脂部形成工程にて、前記充填樹脂部から連続して、前記光素子の前記端面を覆う透明樹脂層を形成することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
10. 請求項８又は９記載の光導波路モジュールの製造方法において、
    前記充填樹脂部形成工程の完了後、前記開口部封止部材を前記光素子収納孔付き基板から除去した後に、光素子収納孔付き基板に前記光導波路基板を被着してから、前記ミラー部形成工程を行うことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
11. 請求項８〜１０のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法において、
    透明の開口部封止部材を用い、前記充填樹脂部形成工程の完了後、前記開口部封止部材が付いたままの前記光素子収納孔付き基板に前記光導波路基板を被着してから、前記ミラー部形成工程を行うことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
12. 請求項８〜１０のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法において、
    前記光素子収納孔付き基板に被着した前記光導波路基板を前記開口部封止部材として用いて前記充填樹脂部形成工程を行うことを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。

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