JP5068631B2 - 定電圧回路 - Google Patents
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Description
携帯電話器等のように、通常の消費電流で動作する動作状態とスリープモード等のように低消費電流となる待機状態とを有する機器では、高速応答性を有するボルテージレギュレータを使用すると、高速応答性を必要としない待機状態では該ボルテージレギュレータによる消費電流が必要以上に大きかった。
また、高速動作用の誤差増幅回路で制御されている出力トランジスタと、低速動作用の誤差増幅回路で制御されている出力トランジスタとが異なる場合、高速動作用の誤差増幅回路を停止させた後、低速動作用の誤差増幅回路が制御している出力トランジスタのゲート電圧を大きく変更する必要があった。しかし、低速動作用の誤差増幅回路のドライブ能力が小さいため、低速動作用の誤差増幅回路が制御している出力トランジスタのゲート容量を瞬時に充電することができず、更に前記時間が長くなるという問題があった。
前記出力端子から出力された出力電圧に比例した比例電圧が所定の基準電圧になるように対応する前記出力トランジスタの動作制御を行う、入力された制御信号に応じて作動又は動作を停止する第1の誤差増幅回路部と、
前記出力端子から出力された出力電圧に比例した比例電圧が所定の基準電圧になるように対応する前記出力トランジスタの動作制御を行う、常時作動する第2の誤差増幅回路部と、
前記制御信号に応じて前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を制御するバイアス電流制御回路部と、
を備え、
前記バイアス電流制御回路部は、前記制御信号に応じて、前記第1の誤差増幅回路部が作動している間は、前記第1の誤差増幅回路部が動作を停止しているときよりも前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を増加させるものである。
コンデンサと、
前記制御信号に応じて該コンデンサを充電する第1の定電流回路部と、
前記制御信号に応じて前記コンデンサを放電する第2の定電流回路部と、
前記コンデンサの充電電圧を所定の電圧にクランプする電圧クランプ回路部と、
前記第2の誤差増幅回路部にバイアス電流を追加供給するための第3の定電流回路部と、
前記コンデンサの充電電圧に応じて、該第3の定電流回路部からの定電流の第2の誤差増幅回路部への供給制御を行うMOSトランジスタと、
を備え、
前記電圧クランプ回路部は、前記コンデンサの充電電圧が、該MOSトランジスタが飽和動作になるゲート電圧値よりも所定の電圧値だけ大きい電圧になると、前記コンデンサの充電電圧をクランプするようにした。
第1の実施の形態.
図1は、本発明の第1の実施の形態における定電圧回路の回路例を示した図である。
図1において、定電圧回路1は、入力端子INに入力された入力電圧Vddから所定の定電圧を生成し出力電圧Voutとして出力端子OUTから出力する。
定電圧回路1は、所定の基準電圧Vrefを生成して出力する基準電圧発生回路2と、出力電圧Voutを分圧して分圧電圧Vfbを生成し出力する出力電圧検出用の抵抗R1,R2と、ゲートに入力される信号に応じて出力端子OUTに出力する電流ioutの制御を行うPMOSトランジスタからなる第1の出力トランジスタM1と、ゲートに入力される信号に応じて出力端子OUTに出力する電流ioutの制御を行うPMOSトランジスタからなる第2の出力トランジスタM2とを備えている。
制御信号Scがハイレベルになると、スイッチSW1がオフして遮断状態になり、スイッチSW2がオンして導通状態になる。このため、第1の出力トランジスタM1とPMOSトランジスタM3の各ゲートは、入力電圧Vddとの接続がそれぞれ遮断され、第2の出力トランジスタM2のゲートにそれぞれ接続される。
このように、出力電流ioutが大きい場合は、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibを増加させているが、増加させたバイアス電流ibは第1の誤差増幅回路3の消費電流よりもはるかに小さい値であることから、電力効率にほとんど影響することはない。
図2において、時刻T0で制御信号Scがハイレベルになると、第1の誤差増幅回路3は動作を開始する。同時に、バイアス電流制御回路7は、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibを第1電流値ib1から第2電流値(ib1+ib2)に増加させる。ただし、バイアス電流制御回路7は、バイアス電流ibを一瞬で増加させるのではなく、図2に示すよう時間Trをかけて増加させる。このため、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流変更に伴う出力電圧Voutの変動はほとんど発生しない。
次に、時刻T1から所定の時間Tdが経過した時刻T2では、バイアス電流制御回路7は、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibを第2電流値(ib1+ib2)から徐々に減少させ、該減少を開始させてから所定の時間Tf経過後の時刻T3でバイアス電流ibを第1電流値ib1に戻す。このように、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibを徐々に減少させることにより、該バイアス電流ibの変動に基づく出力電圧Voutの変動を抑制することができる。
図3において、第2の誤差増幅回路4の差動増幅回路部は、PMOSトランジスタM11及びM12と、NMOSトランジスタM13〜M15とで構成されている。
NMOSトランジスタM13及びM14は差動対をなしており、NMOSトランジスタM13のゲートが第2の誤差増幅回路4の反転入力端をなし、NMOSトランジスタM14のゲートが第2の誤差増幅回路4の非反転入力端をなしている。
PMOSトランジスタM21及びNMOSトランジスタM22において、各ドレインが接続されると共に各ゲートが接続され、該各ゲートには、インバータ21を介して制御信号Scが入力されている。入力電圧VddとPMOSトランジスタM21のソースとの間には電流源22が接続されており、NMOSトランジスタM22のソースと接地電圧GNDとの間には電流源23が接続されている。
時刻T3になると、コンデンサCtの電圧はNMOSトランジスタM26とM27の各ゲートしきい値電圧の和以下になり、NMOSトランジスタM26がオフする。このため、NMOSトランジスタM28のドレイン電流も0になり、第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibは第1電流値ib1のみになる。時間をかけて第2の誤差増幅回路4のバイアス電流ibを第2電流値(ib1+ib2)から第1電流値ib1に戻すことにより、前記のようなバイアス電流の変動による出力電圧Voutの変動を抑制することができる。
また、前記説明では、出力電流ioutの電流値に応じて制御信号Scを生成するようにしたが、本発明は、これに限定するものではなく、CPU等の制御回路から出力されるようにしてもよい。
2 基準電圧発生回路
3 第1の誤差増幅回路
4 第2の誤差増幅回路
5 参照電圧生成回路
6 コンパレータ
7 バイアス電流制御回路
8 インバータ
M1 第1の出力トランジスタ
M2 第2の出力トランジスタ
M3,M4 PMOSトランジスタ
SW1,SW2 スイッチ
R1〜R3 抵抗
Claims (7)
- 出力端子から出力された出力電圧に比例した比例電圧が所定の基準電圧になるように、制御電極に入力された信号に応じた電流を入力端子から出力端子に出力する少なくとも1つの出力トランジスタの動作制御を行って、前記入力端子に入力された入力電圧を所定の定電圧に変換して前記出力端子から出力する定電圧回路において、
前記出力端子から出力された出力電圧に比例した比例電圧が所定の基準電圧になるように対応する前記出力トランジスタの動作制御を行う、入力された制御信号に応じて作動又は動作を停止する第1の誤差増幅回路部と、
前記出力端子から出力された出力電圧に比例した比例電圧が所定の基準電圧になるように対応する前記出力トランジスタの動作制御を行う、常時作動する第2の誤差増幅回路部と、
前記制御信号に応じて前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を制御するバイアス電流制御回路部と、
を備え、
前記バイアス電流制御回路部は、前記制御信号に応じて、前記第1の誤差増幅回路部が作動している間は、前記第1の誤差増幅回路部が動作を停止しているときよりも前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を増加させることを特徴とする定電圧回路。 - 前記バイアス電流制御回路部は、前記第2の誤差増幅回路部に対して、前記第1の誤差増幅回路部が動作を停止している間は、バイアス電流が所定の第1電流値になるように制御し、前記第1の誤差増幅回路部が作動している間は、バイアス電流が前記第1電流値よりも大きい第2電流値になるように制御することを特徴とする請求項1記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流制御回路部は、前記制御信号によって前記第1の誤差増幅回路部が動作を停止すると、該動作を停止した時点から第1の所定時間が経過するまでは、前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を前記第2電流値に保持させることを特徴とする請求項2記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流制御回路部は、前記制御信号によって前記第1の誤差増幅回路部が動作を停止すると、前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を第2の所定時間をかけて前記第2電流値から前記第1電流値まで減少させることを特徴とする請求項2又は3記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流制御回路部は、前記制御信号によって前記第1の誤差増幅回路部が動作を開始すると、前記第2の誤差増幅回路部のバイアス電流を第3の所定時間をかけて前記第1電流値から前記第2電流値まで増加させることを特徴とする請求項2、3又は4記載の定電圧回路。
- 前記出力端子から出力される出力電流の電流値に応じた前記制御信号を生成して出力する出力電流検出回路部を備え、該出力電流検出回路部は、前記出力端子から出力される出力電流が所定値以上になると、前記第1の誤差増幅回路部を作動させ、前記出力端子から出力される出力電流が所定値未満になると、前記第1の誤差増幅回路部の動作を停止させることを特徴とする請求項1、2、3、4又は5記載の定電圧回路。
- 前記バイアス電流制御回路部は、
コンデンサと、
前記制御信号に応じて該コンデンサを充電する第1の定電流回路部と、
前記制御信号に応じて前記コンデンサを放電する第2の定電流回路部と、
前記コンデンサの充電電圧を所定の電圧にクランプする電圧クランプ回路部と、
前記第2の誤差増幅回路部にバイアス電流を追加供給するための第3の定電流回路部と、
前記コンデンサの充電電圧に応じて、該第3の定電流回路部からの定電流の第2の誤差増幅回路部への供給制御を行うMOSトランジスタと、
を備え、
前記電圧クランプ回路部は、前記コンデンサの充電電圧が、該MOSトランジスタが飽和動作になるゲート電圧値よりも所定の電圧値だけ大きい電圧になると、前記コンデンサの充電電圧をクランプすることを特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の定電圧回路。
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