JP5068591B2 - 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム - Google Patents
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Description
10 欠陥検査装置
11 欠陥レビュー部
12 情報処理部
13 記憶部
14 データ入出力部
15 通信部
20 欠陥分類装置
22 情報処理部
23 記憶部
24 データ入出力部
25 通信部
30 設計データベースサーバ
40 通信ネットワーク
121 欠陥データ取得部
122 レビュー制御部
123 欠陥画像表示部
124 欠陥サンプリング部
131 欠陥データ
132 レイアウト設計データ
133 サンプリング欠陥データ
221 欠陥分類定義部
222 欠陥分類処理部
223 欠陥集計部
224 システマティック欠陥判定部
231 欠陥分類定義データ
232 レイアウト設計データ
233 サンプリング欠陥データ
234 欠陥分類データ
Claims (12)
- 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置の半導体欠陥分類方法であって、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類ステップと、
を実行すること
を特徴とする半導体欠陥分類方法。 - 前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、実行すること
を特徴とする請求項1に記載の半導体欠陥分類方法。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置であって、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義手段と、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義手段により定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類手段と、
を備えること
を特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 前記欠陥分類手段により分類された欠陥を前記領域定義手段によって定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定手段
を、さらに、を備えること
を特徴とする請求項3に記載の半導体欠陥分類装置。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置のプログラムであって、
コンピュータに、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類ステップと、
を実行させるためのプログラム。 - 前記コンピュータに、
前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、実行させるための請求項5に記載のプログラム。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置と、前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置とを含んで構成された半導体欠陥検査システムにおける半導体欠陥検査方法であって、
前記欠陥検査装置が、
前記検出した欠陥の中から、その一部の欠陥を抽出する欠陥サンプリングステップと、
前記欠陥サンプリングステップで抽出した欠陥について、その欠陥の近傍のレビュー画像を取得し、そのレビュー画像とそのレビュー画像に対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データとを照合することにより、前記欠陥の位置座標を取得する位置座標取得ステップと、
を実行し、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記レイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥サンプリングステップで抽出され、前記位置座標取得ステップでその座標位置が取得された欠陥について、その欠陥を、その欠陥の座標位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって、分類する欠陥分類ステップと、
を実行すること
を特徴とする半導体欠陥検査方法。 - 前記欠陥検査装置は、
前記欠陥サンプリングステップで前記欠陥を抽出するときには、前記半導体デバイスのフロアプランに含まれるブロックごとにあらかじめ定められた抽出頻度に応じて、その欠陥を抽出すること
を特徴とする請求項7に記載の半導体欠陥検査方法。 - 前記半導体欠陥分類装置は、
前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、を実行すること
を特徴とする請求項7に記載の半導体欠陥検査方法。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置と、前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置とを含んで構成された半導体欠陥検査システムであって、
前記欠陥検査装置が、
前記検出した欠陥の中から、その一部の欠陥を抽出する欠陥サンプリング手段と、
前記欠陥サンプリング手段で抽出した欠陥について、その欠陥の近傍のレビュー画像を取得し、そのレビュー画像とそのレビュー画像に対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データとを照合することにより、前記欠陥の位置座標を取得する位置座標取得手段と、
を備え、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記レイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義手段と、
前記欠陥サンプリング手段で抽出され、前記位置座標取得手段でその座標位置が取得された欠陥について、その欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義手段で定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって、分類する欠陥分類手段と、
を備えること
を特徴とする半導体欠陥検査システム。 - 前記欠陥検査装置は、
前記欠陥サンプリング手段で前記欠陥を抽出するときには、前記半導体デバイスのフロアプランに含まれるブロックごとにあらかじめ定められた抽出頻度に応じて、その欠陥を抽出すること
を特徴とする請求項10に記載の半導体欠陥検査システム。 - 前記半導体欠陥分類装置は、
前記欠陥分類手段により分類された欠陥を前記領域定義手段によって定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定手段
を、さらに、を備えること
を特徴とする請求項10に記載の半導体欠陥検査システム。
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