JP2009010286A - 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム - Google Patents
半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009010286A JP2009010286A JP2007172299A JP2007172299A JP2009010286A JP 2009010286 A JP2009010286 A JP 2009010286A JP 2007172299 A JP2007172299 A JP 2007172299A JP 2007172299 A JP2007172299 A JP 2007172299A JP 2009010286 A JP2009010286 A JP 2009010286A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- defect
- defects
- region
- semiconductor
- classification
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 640
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 35
- 238000013461 design Methods 0.000 claims abstract description 55
- 230000009897 systematic effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 150
- 238000012552 review Methods 0.000 claims description 50
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000284 extract Substances 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 18
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 15
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 14
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 11
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 9
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000011960 computer-aided design Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】欠陥分類定義部221は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。欠陥分類処理部222は、欠陥レビュー装置10で取得された欠陥からサンプリングしたサンプリング欠陥データ133(233)について、その欠陥の位置が前記定義された領域のどの領域に含まれるかによって、欠陥を分類する。欠陥集計部223は、その分類された欠陥を集計し、各領域の欠陥密度を求め、ある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、システマティック欠陥判定部224は、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定する。
【選択図】図1
Description
10 欠陥検査装置
11 欠陥レビュー部
12 情報処理部
13 記憶部
14 データ入出力部
15 通信部
20 欠陥分類装置
22 情報処理部
23 記憶部
24 データ入出力部
25 通信部
30 設計データベースサーバ
40 通信ネットワーク
121 欠陥データ取得部
122 レビュー制御部
123 欠陥画像表示部
124 欠陥サンプリング部
131 欠陥データ
132 レイアウト設計データ
133 サンプリング欠陥データ
221 欠陥分類定義部
222 欠陥分類処理部
223 欠陥集計部
224 システマティック欠陥判定部
231 欠陥分類定義データ
232 レイアウト設計データ
233 サンプリング欠陥データ
234 欠陥分類データ
Claims (12)
- 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置の半導体欠陥分類方法であって、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類ステップと、
を実行すること
を特徴とする半導体欠陥分類方法。 - 前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、実行すること
を特徴とする請求項1に記載の半導体欠陥分類方法。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置であって、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義手段と、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義手段により定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類手段と、
を備えること
を特徴とする半導体欠陥分類装置。 - 前記欠陥分類手段により分類された欠陥を前記領域定義手段によって定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定手段
を、さらに、を備えること
を特徴とする請求項3に記載の半導体欠陥分類装置。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置のプログラムであって、
コンピュータに、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって分類する欠陥分類ステップと、
を実行させるためのプログラム。 - 前記コンピュータに、
前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、実行させるための請求項5に記載のプログラム。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置と、前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置とを含んで構成された半導体欠陥検査システムにおける半導体欠陥検査方法であって、
前記欠陥検査装置が、
前記検出した欠陥の中から、その一部の欠陥を抽出する欠陥サンプリングステップと、
前記欠陥サンプリングステップで抽出した欠陥について、その欠陥の近傍のレビュー画像を取得し、そのレビュー画像とそのレビュー画像に対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データとを照合することにより、前記欠陥の位置座標を取得する位置座標取得ステップと、
を実行し、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記レイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義ステップと、
前記欠陥サンプリングステップで抽出され、前記位置座標取得ステップでその座標位置が取得された欠陥について、その欠陥を、その欠陥の座標位置が前記領域定義ステップで定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって、分類する欠陥分類ステップと、
を実行すること
を特徴とする半導体欠陥検査方法。 - 前記欠陥検査装置は、
前記欠陥サンプリングステップで前記欠陥を抽出するときには、前記半導体デバイスのフロアプランに含まれるブロックごとにあらかじめ定められた抽出頻度に応じて、その欠陥を抽出すること
を特徴とする請求項7に記載の半導体欠陥検査方法。 - 前記半導体欠陥分類装置は、
前記欠陥分類ステップにおいて分類された欠陥を前記領域定義ステップで定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定ステップ
を、さらに、を実行すること
を特徴とする請求項7に記載の半導体欠陥検査方法。 - 製造過程にある半導体デバイスの欠陥を検出する欠陥検査装置と、前記欠陥検査装置によって検出された欠陥を分類する半導体欠陥分類装置とを含んで構成された半導体欠陥検査システムであって、
前記欠陥検査装置が、
前記検出した欠陥の中から、その一部の欠陥を抽出する欠陥サンプリング手段と、
前記欠陥サンプリング手段で抽出した欠陥について、その欠陥の近傍のレビュー画像を取得し、そのレビュー画像とそのレビュー画像に対応する前記半導体デバイスのレイアウト設計データとを照合することにより、前記欠陥の位置座標を取得する位置座標取得手段と、
を備え、
前記半導体欠陥分類装置が、
前記半導体デバイスに形成され、そのとき欠陥検出の対象となっているレイヤ、および、その上層または下層に形成された他のレイヤの少なくとも1つのレイヤに対応する前記レイアウト設計データを用いて、前記半導体デバイスの表面に対し、複数の領域を定義する領域定義手段と、
前記欠陥サンプリング手段で抽出され、前記位置座標取得手段でその座標位置が取得されたた欠陥について、その欠陥を、その欠陥の位置が前記領域定義手段で定義された複数の領域のいずれの領域に含まれるかによって、分類する欠陥分類手段と、
を備えること
を特徴とする半導体欠陥検査システム。 - 前記欠陥検査装置は、
前記欠陥サンプリング手段で前記欠陥を抽出するときには、前記半導体デバイスのフロアプランに含まれるブロックごとにあらかじめ定められた抽出頻度に応じて、その欠陥を抽出すること
を特徴とする請求項10に記載の半導体欠陥検査システム。 - 前記半導体欠陥分類装置は、
前記欠陥分類手段により分類された欠陥を前記領域定義手段によって定義された領域ごとに集計し、その領域ごとの欠陥密度を求め、前記領域のある領域の欠陥密度が他の領域の欠陥密度の平均値よりも有意差以上に大きい場合には、その領域の欠陥をシステマティック欠陥と判定するシステマティック欠陥判定手段
を、さらに、を備えること
を特徴とする請求項10に記載の半導体欠陥検査システム。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007172299A JP5068591B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007172299A JP5068591B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009010286A true JP2009010286A (ja) | 2009-01-15 |
JP5068591B2 JP5068591B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=40325059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007172299A Expired - Fee Related JP5068591B2 (ja) | 2007-06-29 | 2007-06-29 | 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5068591B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537199A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 実際の欠陥が潜在的にシステム的な欠陥であるか、または潜在的にランダムな欠陥であるかを判断する、コンピューターに実装された方法 |
WO2010140577A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥画像処理装置、欠陥画像処理方法、半導体欠陥分類装置および半導体欠陥分類方法 |
WO2011004534A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 半導体欠陥分類方法,半導体欠陥分類装置,半導体欠陥分類プログラム |
WO2012046665A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | システマティック欠陥判定方法およびその装置 |
JP2012518280A (ja) * | 2009-02-16 | 2012-08-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 欠陥分類における設計情報及び欠陥画像情報の使用 |
US9153020B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor device defect inspection method and system thereof |
US9582875B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect analysis assistance device, program executed by defect analysis assistance device, and defect analysis system |
US9881365B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-01-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor defect categorization device and program for semiconductor defect categorization device |
CN112444526A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 缺陷检测方法及缺陷检测*** |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100825A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法並びに欠陥検査データ処理方法及びその装置 |
JP2006098153A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥自動分類方法及び装置 |
JP2006269489A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
-
2007
- 2007-06-29 JP JP2007172299A patent/JP5068591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100825A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法並びに欠陥検査データ処理方法及びその装置 |
JP2006098153A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥自動分類方法及び装置 |
JP2006269489A (ja) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥観察装置及び欠陥観察装置を用いた欠陥観察方法 |
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010537199A (ja) * | 2007-08-20 | 2010-12-02 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 実際の欠陥が潜在的にシステム的な欠陥であるか、または潜在的にランダムな欠陥であるかを判断する、コンピューターに実装された方法 |
JP2012518280A (ja) * | 2009-02-16 | 2012-08-09 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 欠陥分類における設計情報及び欠陥画像情報の使用 |
WO2010140577A1 (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥画像処理装置、欠陥画像処理方法、半導体欠陥分類装置および半導体欠陥分類方法 |
JP2010283004A (ja) * | 2009-06-02 | 2010-12-16 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥画像処理装置、欠陥画像処理方法、半導体欠陥分類装置および半導体欠陥分類方法 |
US8995748B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect image processing apparatus, defect image processing method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying method |
WO2011004534A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 半導体欠陥分類方法,半導体欠陥分類装置,半導体欠陥分類プログラム |
JPWO2011004534A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2012-12-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体欠陥分類方法,半導体欠陥分類装置,半導体欠陥分類プログラム |
US8595666B2 (en) | 2009-07-09 | 2013-11-26 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor defect classifying method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying program |
JP2012080036A (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-19 | Hitachi High-Technologies Corp | システマティック欠陥判定方法およびその装置 |
US8621400B2 (en) | 2010-10-06 | 2013-12-31 | Hitachi High-Technologies Corporation | Method of evaluating systematic defect, and apparatus therefor |
WO2012046665A1 (ja) * | 2010-10-06 | 2012-04-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | システマティック欠陥判定方法およびその装置 |
US9153020B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor device defect inspection method and system thereof |
US9881365B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-01-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Semiconductor defect categorization device and program for semiconductor defect categorization device |
US9582875B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-02-28 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect analysis assistance device, program executed by defect analysis assistance device, and defect analysis system |
CN112444526A (zh) * | 2019-09-05 | 2021-03-05 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 缺陷检测方法及缺陷检测*** |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5068591B2 (ja) | 2012-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5068591B2 (ja) | 半導体欠陥分類方法、半導体欠陥分類装置、半導体欠陥分類装置のプログラム、半導体欠陥検査方法、および、半導体欠陥検査システム | |
US8595666B2 (en) | Semiconductor defect classifying method, semiconductor defect classifying apparatus, and semiconductor defect classifying program | |
JP5479782B2 (ja) | 欠陥画像処理装置、欠陥画像処理方法、半導体欠陥分類装置および半導体欠陥分類方法 | |
JP5021503B2 (ja) | パターン欠陥解析装置、パターン欠陥解析方法およびパターン欠陥解析プログラム | |
US6775817B2 (en) | Inspection system and semiconductor device manufacturing method | |
US7760929B2 (en) | Grouping systematic defects with feedback from electrical inspection | |
TWI564741B (zh) | 智慧型缺陷分類採樣方法、系統與電腦可讀取儲存媒體 | |
US8112241B2 (en) | Methods and systems for generating an inspection process for a wafer | |
US9563943B2 (en) | Based sampling and binning for yield critical defects | |
US8289508B2 (en) | Defect detection recipe definition | |
US9672611B2 (en) | Pattern analysis method of a semiconductor device | |
US8589108B2 (en) | Semiconductor device failure analysis method and apparatus and program | |
JP2002100660A (ja) | 欠陥検出方法と欠陥観察方法及び欠陥検出装置 | |
US10719655B2 (en) | Method and system for quickly diagnosing, classifying, and sampling in-line defects based on CAA pre-diagnosis database | |
US6928375B2 (en) | Inspection condition setting program, inspection device and inspection system | |
US20100106447A1 (en) | Defect analyzing apparatus and defect analyzing method | |
CN113272736A (zh) | 用于过程控制的管芯内量测方法和*** | |
JP2011023638A (ja) | 検査領域設定方法 | |
US7943903B2 (en) | Defect inspection method and its system | |
JP5469704B2 (ja) | 欠陥解析装置、欠陥解析方法および欠陥解析プログラム | |
US10102615B2 (en) | Method and system for detecting hotspots in semiconductor wafer | |
US20230411224A1 (en) | System and method for detecting defects on a wafer and related non-transitory computer-readable medium | |
JP5371924B2 (ja) | システマティック欠陥判定方法およびその装置 | |
CN113916903A (zh) | 缺陷检测方法及*** | |
JP2002057195A (ja) | 電子デバイスの検査における欠陥解析用データ作成方法、および、電子デバイスの検査データ解析システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120815 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5068591 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |