JP5062168B2 - プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法 - Google Patents

プラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイ装置およびプラズマディスプレイパネルの駆動方法に関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、「パネル」と略記する)として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、1対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で5%のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
パネルを駆動する方法としては、サブフィールド法、すなわち、1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割した上で、発光させるサブフィールドの組み合わせによって階調表示を行う方法が一般に用いられている。
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有し、初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み動作に必要な壁電荷を各電極上に形成する。初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作(以下、「全セル初期化動作」と略記する)と、維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる初期化動作(以下、「選択初期化動作」と略記する)とがある。
書込み期間では、表示を行うべき放電セルに選択的に書込みパルス電圧を印加して書込み放電を発生させ壁電荷を形成する(以下、この動作を「書込み」とも記す)。そして維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に交互に維持パルスを印加し、書込み放電を起こした放電セルで維持放電を発生させ、対応する放電セルの蛍光体層を発光させることにより画像表示を行う。
また、サブフィールド法の中でも、緩やかに変化する電圧波形を用いて初期化放電を行い、さらに維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行うことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させた新規な駆動方法が開示されている。
具体的には、複数のサブフィールドのうち、1つのサブフィールドの初期化期間において全ての放電セルを放電させる全セル初期化動作を行い、他のサブフィールドの初期化期間においては維持放電を行った放電セルのみ初期化する選択初期化動作を行う。その結果、表示に関係のない発光は全セル初期化動作の放電に伴う発光のみとなりコントラストの高い画像表示が可能となる(例えば、特許文献1参照)。
このように駆動することによって、画像の表示に関係のない発光に依存して変化する黒表示領域の輝度は全セル初期化動作における微弱発光だけとなり、コントラストの高い画像表示が可能となる。
また、特許文献1には、維持期間における最後の維持パルスのパルス幅を他の維持パルスのパルス幅よりも短くし、表示電極対間の壁電荷による電位差を緩和する、いわゆる細幅消去放電についても記載されている。この細幅消去放電を安定して発生させることによって、続くサブフィールドの書込み期間において確実な書込み動作を行うことができ、コントラスト比の高いプラズマディスプレイ装置を実現することができる。
しかしながら、近年においては、パネルの高精細化、大画面化、高輝度化に伴い書込み放電が不安定となって、表示を行うべき放電セルで書込み放電が発生せず画像表示品質を劣化させる、あるいは、書込み放電を発生させるために必要な電圧が高くなる等の問題が生じてきた。
特開2000−242224号公報
本発明のプラズマディスプレイ装置は、表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有する放電セルを複数備えたパネルと、放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、放電セルで選択的に書込み放電を発生させる書込み期間と、書込み期間において選択された放電セルに輝度重みに応じた回数の維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設けてパネルを駆動する駆動回路とを備え、駆動回路は、維持期間において、ベース電位から維持放電を発生させる電位に変位する維持パルスを表示電極対に交互に印加するように構成し、かつ最後の維持放電を発生させるための維持パルスとその直前の維持パルスとの間に、表示電極対をともにベース電位とする期間を設けるように構成し、かつ最後の維持放電を発生させるための維持パルスを走査電極に印加した後、所定の時間間隔をあけて表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧を維持電極に印加し、サブフィールド毎の点灯率と輝度重みに応じて、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間または前記所定の時間間隔の少なくとも一方を変更することを特徴とする。
この構成により、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることができる。
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
(実施の形態)
図1は、本発明の実施の形態におけるパネル10の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板21上には、走査電極22と維持電極23とからなる表示電極対28が複数形成されている。そして走査電極22と維持電極23とを覆うように誘電体層24が形成され、その誘電体層24上に保護層25が形成されている。
背面板31上にはデータ電極32が複数形成され、データ電極32を覆うように誘電体層33が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁34が形成されている。そして、隔壁34の側面および誘電体層33上には赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の各色に発光する蛍光体層35が設けられている。
これら前面板21と背面板31とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対28とデータ電極32とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして放電空間には、例えばネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。放電空間は隔壁34によって複数の区画に仕切られており、表示電極対28とデータ電極32とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
なお、パネルの構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。
図2は、本発明の実施の形態におけるパネル10の電極配列図である。パネル10には、行方向に長いn本の走査電極SC1〜SCn(図1の走査電極22)およびn本の維持電極SU1〜SUn(図1の維持電極23)が配列され、列方向に長いm本のデータ電極D1〜Dm(図1のデータ電極32)が配列されている。そして、1対の走査電極SCi(i=1〜n)および維持電極SUiと1つのデータ電極Dj(j=1〜m)とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にm×n個形成されている。なお、図1、図2に示したように、走査電極SCiと維持電極SUiとは互いに平行に対をなして形成されているために、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの間に大きな電極間容量Cpが存在する。
次に、パネル10を駆動するための駆動電圧波形とその動作について説明する。本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち1フィールド期間を複数のサブフィールドに分割し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行う。それぞれのサブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。
初期化期間では初期化放電を発生し、続く書込み放電に必要な壁電荷を各電極上に形成する。このときの初期化動作には、全ての放電セルで初期化放電を発生させる全セル初期化動作と、1つ前のサブフィールドで維持放電を行った放電セルで初期化放電を発生させる選択初期化動作とがある。
書込み期間では、後に続く維持期間において発光させるべき放電セルで選択的に書込み放電を発生し壁電荷を形成する。そして維持期間では、輝度重みに比例した数の維持パルスを表示電極対28に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。このときの比例定数を「輝度倍率」と呼ぶ。
図3は、本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図である。なお、図3はサブフィールド法における1フィールド間の駆動電圧波形を略式に記したもので、それぞれのサブフィールドの駆動電圧波形は後述の駆動電圧波形と同等なものである。
図3には、1フィールドを10のサブフィールド(第1SF、第2SF、・・・、第10SF)に分割し、各サブフィールドはそれぞれ、例えば(1、2、3、6、11、18、30、44、60、80)の輝度重みを持つサブフィールド構成を示している。そして、本実施の形態では、第1SFの初期化期間では全セル初期化動作を行い、第2SF〜第10SFの初期化期間では選択初期化動作を行うものとする。また各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスが表示電極対のそれぞれに印加される。
なお、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
図4は、本発明の実施の形態におけるパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形図であり、図5は、本発明の実施の形態におけるパネル10の各電極に印加する駆動電圧波形の部分拡大図である。図4には、2つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち全セル初期化動作を行うサブフィールド(以下、「全セル初期化サブフィールド」と呼称する)と、選択初期化動作を行うサブフィールド(以下、「選択初期化サブフィールド」と呼称する)とを示しているが、他のサブフィールドにおける駆動電圧波形もほぼ同様である。また、図5は、図4の破線で囲った部分の拡大図であり、維持期間の最後の部分を示す。
まず、全セル初期化サブフィールドである第1SFについて説明する。第1SFの初期化期間前半部では、データ電極D1〜Dm、維持電極SU1〜SUnにそれぞれ0(V)を印加し、走査電極SC1〜SCnには、維持電極SU1〜SUnに対して放電開始電圧以下の電圧Vi1から、放電開始電圧を超える電圧Vi2に向かって緩やかに上昇する傾斜波形電圧(以下、「上りランプ波形電圧」と呼称する)を印加する。
この上りランプ波形電圧が上昇する間に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUn、データ電極D1〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極SC1〜SCn上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、データ電極D1〜Dm上部および維持電極SU1〜SUn上部には正の壁電圧が蓄積される。ここで、電極上部の壁電圧とは電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
初期化期間後半部では、維持電極SU1〜SUnに正の電圧Ve1を印加し、走査電極SC1〜SCnには、維持電極SU1〜SUnに対して放電開始電圧以下となる電圧Vi3から放電開始電圧を超える電圧Vi4に向かって緩やかに下降する傾斜波形電圧(以下、「下りランプ波形電圧」と呼称する)を印加する。この間に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUn、データ電極D1〜Dmとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極SC1〜SCn上部の負の壁電圧および維持電極SU1〜SUn上部の正の壁電圧が弱められ、データ電極D1〜Dm上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。以上により、全ての放電セルに対して初期化放電を行う全セル初期化動作が終了する。
続く書込み期間では、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve2を、走査電極SC1〜SCnに電圧Vcを印加する。
まず、1行目の走査電極SC1に負の走査パルス電圧Vaを印加するとともに、データ電極D1〜Dmのうち1行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Dk(k=1〜m)に正の書込みパルス電圧Vdを印加する。このときデータ電極Dk上と走査電極SC1上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差(Vd−Va)にデータ電極Dk上の壁電圧と走査電極SC1上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。そして、データ電極Dkと走査電極SC1との間および維持電極SU1と走査電極SC1との間に書込み放電が起こり、走査電極SC1上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極SU1上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Dk上にも負の壁電圧が蓄積される。
このようにして、1行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Vdを印加しなかったデータ電極D1〜Dmと走査電極SC1との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をn行目の放電セルに至るまで行い、書込み期間が終了する。
続く維持期間では、まず走査電極SC1〜SCnに正の維持パルス電圧Vsを印加するとともに維持電極SU1〜SUnにベース電位となる接地電位、すなわち0(V)を印加する。すると、前の書込み期間で書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極SCi上と維持電極SUi上との電圧差が維持パルス電圧Vsに走査電極SCi上の壁電圧と維持電極SUi上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。
そして、走査電極SCiと維持電極SUiとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層35が発光する。そして走査電極SCi上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極SUi上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Dk上にも正の壁電圧が蓄積される。書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生せず、初期化期間の終了時における壁電圧が保たれる。
続いて、走査電極SC1〜SCnにはベース電位となる0(V)を、維持電極SU1〜SUnには維持パルス電圧Vsをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極SUi上と走査電極SCi上との電圧差が放電開始電圧を超えるので再び維持電極SUiと走査電極SCiとの間に維持放電が起こり、維持電極SUi上に負の壁電圧が蓄積され走査電極SCi上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとに交互に輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを印加し、表示電極対の電極間に電位差を与えることにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して行われる。
そして、図5に示すように、維持期間の最後には、走査電極SC1〜SCnに電圧Vsを印加してから所定時間Th1後に維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を印加する。これにより、走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの間にいわゆる細幅パルス状の電圧差を与えて、データ電極Dk上の正の壁電圧を残したまま、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧の一部または全部を消去している。
具体的には、維持電極SU1〜SUnを一旦ベース電位となる0(V)に戻した後、維持電極SU1〜SUnと走査電極SC1〜SCnとをともに0(V)に保持する期間(以下、「接地期間ThG」と呼称する)をおき、走査電極SC1〜SCnに維持パルス電圧Vsを印加する。
すると、維持放電を起こした放電セルの維持電極SUiと走査電極SCiとの間で維持放電が起こる。そしてこの放電が収束する前、すなわち放電で発生した荷電粒子が放電空間内に十分残留している間に、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を印加する。これにより維持電極SUiと走査電極SCiとの間の電圧差が(Vs−Ve1)の程度まで弱まる。すると、データ電極Dk上の正の壁電荷を残したまま、走査電極SC1〜SCn上と維持電極SU1〜SUn上との間の壁電圧はそれぞれの電極に印加した電圧の差(Vs−Ve1)の程度まで弱められる。以下、この放電を「消去放電」と呼称する。また、消去放電を発生させるために表示電極対の電極間、すなわち走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの間に与える電位差は、幅の狭い細幅パルス状の電位差である。
このように、最後の維持放電、すなわち消去放電を発生させるための電圧Vsを走査電極SC1〜SCnに印加した後、所定の時間間隔(以下、「消去位相差Th1」と呼称する)の後、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧Ve1を維持電極SU1〜SUnに印加する。こうして第1SFの維持期間における維持動作が終了する。
次に、選択初期化サブフィールドである第2SFの動作について説明する。
第2SFの選択初期化期間では、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を、データ電極D1〜Dmに0(V)をそれぞれ印加したまま、走査電極SC1〜SCnに電圧Vi3’から電圧Vi4に向かって緩やかに下降する下りランプ波形電圧を印加する。
すると前のサブフィールドの維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極SCi上および維持電極SUi上の壁電圧が弱められる。またデータ電極Dkに対しては、直前の維持放電によってデータ電極Dk上に十分な正の壁電圧が蓄積されているので、この壁電圧の過剰な部分が放電され、書込み動作に適した壁電圧に調整される。
一方、前のサブフィールドで維持放電を起こさなかった放電セルについては放電することはなく、前のサブフィールドの初期化期間終了時における壁電荷がそのまま保たれる。このように選択初期化動作は、直前のサブフィールドの維持期間で維持動作を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う初期化動作である。
続く書込み期間の動作は全セル初期化サブフィールドの書込み期間の動作と同様であるため説明を省略する。続く維持期間の動作も維持パルスの数を除いて同様である。第3SF〜第10SFにおける初期化期間の動作は第2SFと同様の選択初期化動作であり、書込み期間の書込み動作も第2SFと同様である。
ここで、本実施の形態においては、維持期間の最後に表示電極対28のそれぞれに印加する電圧の消去位相差Th1およびその直前に表示電極対28をともにベース電位である接地電位に保持する接地期間ThGを、サブフィールド毎の点灯率(全放電セル数に対する発光を生じさせる放電セル数の割合のこと)によって制御している。
図6は、本発明の実施の形態における点灯率と消去位相差Th1および接地期間ThGとの関係を示す図である。図6に示すように、本実施の形態では、接地期間ThGを各サブフィールドの点灯率とあらかじめ定めた第1のしきい値(本実施の形態では、55%)との比較にもとづき切換えており、さらに、所定の輝度重みよりも大きい輝度重みを有するサブフィールド(本実施の形態では、輝度重み「5」以上のサブフィールド)においては、各サブフィールドの点灯率と第1のしきい値よりも値の小さい第2のしきい値(本実施の形態では、25%)との比較にもとづき消去位相差Th1および接地期間ThGを切換えている。
具体的には、比較的輝度重みの小さいサブフィールド(本実施の形態では、輝度重み「5」未満のサブフィールドである第1SF〜第3SF)では、点灯率55%以上で消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとし、点灯率55%未満で消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとする。
また、比較的輝度重みの大きいサブフィールド(本実施の形態では、輝度重み「5」以上のサブフィールドである第4SF〜第10SF)では、点灯率55%以上で消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとし、点灯率25%以上55%未満で消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとし、さらに、点灯率25%未満で消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとする。
このように、本実施の形態では、各サブフィールドの点灯率とあらかじめ定めた第1のしきい値(本実施の形態では、55%)との比較結果に応じて接地期間ThGを切換えるように構成する。それとともに、比較的輝度重みの大きい第4SF〜第10SFでは、さらに各サブフィールドの点灯率と第1のしきい値よりも値の小さい第2のしきい値(本実施の形態では、25%)との比較結果に応じて消去位相差Th1および接地期間ThGを切換えるように構成している。これは、次のような理由による。
上述したように、細幅パルスによる消去放電は、最後の維持放電で発生した荷電粒子が放電空間内に十分残留している間に放電空間内の電界を変化させ、この変化した電界を緩和するように荷電粒子を再配置させて壁電荷を形成することにより所望の壁電荷を形成するものである。すなわち、最後の維持放電を発生させるための電圧を走査電極に印加した後、消去位相差Th1の期間をあけて表示電極対28の電極間の電位差を緩和する電圧を維持電極に印加することにより、走査パルス電圧や書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることができる。
しかし、消去位相差Th1が長くなると、放電で発生した荷電粒子が再結合してしまい、電界を緩和するための荷電粒子が不足して所望の壁電荷が形成できなくなる。そしてその結果、次の書込み期間において放電すべき放電セルで書込み放電が発生しないという書込み不良(以下、「第1種の書込み不良」と呼称する)が増えることが確認されている。
図7Aは、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と消去位相差Th1との関係を模式的に示す図であり、横軸が消去位相差Th1を、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧を示している。そして、この図面に示すように、消去位相差Th1が長くなるにつれて、放電すべき放電セルで確実に書込み放電を発生させるためには、必要な書込みパルス電圧が高くなることが確認された。
一方で、消去位相差Th1が小さくなりすぎると安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧が高くなるということも確認された。安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧が高くなり、実際に印加する走査パルス電圧が、必要な走査パルス電圧に対して相対的に小さくなると、いずれかの行の放電セルで書込み放電を発生させている間に、選択されていない行の放電セルの壁電荷が奪われる。そうすると、本来書込み放電を発生させたいときに壁電圧が不足して書込み放電が発生しないという書込み不良(以下、「第2種の書込み不良」と呼称する)が発生する。
図7Bは、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と消去位相差Th1との関係を模式的に示す図であり、横軸が消去位相差Th1を、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧を示している。そして、この図面に示すように、消去位相差Th1が小さくなるほど、必要な走査パルス電圧が高くなることが確認された。
このように、消去位相差Th1に対して、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧とは、相反する特性を示す。したがって、消去位相差Th1を短く設定すると、必要な書込みパルス電圧を低減できる代わりに必要な走査パルス電圧が高くなってしまい、上述した第2種の書込み不良が発生しやすくなる。逆に、消去位相差Th1を長く設定すると、今度は必要な走査パルス電圧を低減できる代わりに必要な書込みパルス電圧が高くなってしまい、上述した第1種の書込み不良が発生しやすくなる。
このように、消去位相差Th1に対して第1種の書込み不良と第2種の書込み不良とは相反する特性を示すために、実用上は消去位相差Th1をどちらの書込み不良も発生しないような値に設定することが望ましい。そうすることで、走査パルス電圧や書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電を発生させることができる。そして、第1種の書込み不良、第2種の書込み不良のどちらの書込み不良も低減し、安定した書込み放電を実現するためには、消去位相差Th1を100〜150nsecに設定することが望ましいという結果が実験により得られた。
さらに検討を重ねた結果、この最適な消去位相差Th1はサブフィールドの点灯率が高くなるほど長くなることも明らかになった。
図8は、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と点灯率との関係を模式的に示す図であり、横軸が点灯率を、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧を示している。
パネル10においては、点灯率が高くなると放電電流が増加し、それに伴う電圧降下が大きくなって放電セルに印加される実効的な電圧が低下する。したがって、図8に示すように、点灯率が高くなると、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧は高くなる。すなわち、実際に印加される走査パルス電圧が点灯率にかかわらず一定の場合には、点灯率が高くなったときに放電セルに印加される実効的な電圧が低下してしまい、放電の発生が遅れる可能性がある。このとき、放電の発生に遅れが生じると消去放電を発生させる細幅状の電位差の幅が等価的に狭くなる、すなわち消去位相差Th1が短くなったのと同様の放電となる。このため、点灯率が高いサブフィールドでは点灯率が低いサブフィールドと比較して最適な消去位相差Th1は長くなる。
そして、実験により、点灯率が高い場合には消去位相差Th1を150nsecに、点灯率が低い場合には消去位相差Th1を100nsecに設定することが有効であることが確認された。
なお、これらの数値は実験に用いた表示電極対数1080の50インチのパネルの特性にもとづくものであって、実施の形態の一例を示したに過ぎない。本実施の形態はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様に応じて最適な値に設定することが望ましい。
次に、接地期間ThGについて説明する。図9は、本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と接地期間ThGとの関係を示す図であり、横軸が接地期間ThGを、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Vdを示している。そして、この図面に示すように、接地期間ThGが0〜1μsecの範囲では、接地期間ThGを大きくするほど、安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧Vdを低減できることが確認された。これは、消去放電の直前の維持放電で形成される壁電荷の状態が接地期間ThGの長さに応じて変化するためと考えられる。また、接地期間ThGが1μsec以上になるとその変化が緩やかになることも確認された。
図10は、本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と接地期間ThGとの関係を示す図であり、横軸が接地期間ThGを、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧を示している。そして、図10に示すように、安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧は、図9に示した特性とは逆に、接地期間ThGを大きくするほど上昇することが確認された。そして、接地期間ThGが0〜0.5μsecの範囲にあるときには、必要な走査パルス電圧の変化は実質的に無視できる程度であることも確認された。
このように、接地期間ThGに対しても、必要な書込みパルス電圧と必要な走査パルス電圧とは相反する特性を示すことが確認された。さらに、接地期間ThGが0〜0.5μsecの範囲内にあれば必要な走査パルス電圧に関する変化は実質的に無視できる。したがって、接地期間ThGをその範囲内に設定すれば、必要な走査パルス電圧を高めることなく必要な書込みパルス電圧を低減できることが確認された。そして、これらのことから、本実施の形態においては、接地期間ThGを0.5μsecとすることが有効であることが確認された。
なお、これらの数値は検討に用いた表示電極対数1080の50インチのパネルの特性にもとづくものであって、実施の形態の一例を示したに過ぎない。本実施の形態はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様に応じて最適な値に設定することが望ましい。
一方で、書込み期間において維持電極SU1〜SUnに印加する正の電圧Ve2の、安定した書込み放電を発生させるために必要な電圧値が、消去位相差Th1と接地期間ThGとの組み合わせにより変化することも確認された。
図11は、本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な電圧Ve2と点灯率との関係を示す図であり、横軸が点灯率を、縦軸が安定した書込み放電を発生させるために必要な電圧Ve2を示している。また、ここでは、消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとした場合と、消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとした場合と、消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとした場合との3通りの組み合わせで実験を行った。そして、図面中、実線は消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとした場合を、一点鎖線は消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとした場合を、破線は消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとした場合を示す。
なお、消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0.5μsecとする組み合わせも考えられるが、この組み合わせにおいては必要な走査パルス電圧が大きくなることが確認されたため、本実施の形態では、この組み合わせは用いていない。
そして、図面に示すとおり、必要な電圧Ve2は、どの点灯率においても、消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとしたときが最も高く、次いで消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとしたとき、そして消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとしたときが最も低くなることが確認された。また、どの組み合わせにおいても、点灯率が高くなるにつれて必要な電圧Ve2は高くなることが確認された。
そこで、本実施の形態では、必要な電圧Ve2が最も高くなる点灯率100%において、必要な電圧Ve2を最も低く抑えられる消去位相差Th1、接地期間ThGの組み合わせにおける電圧Ve2の電圧値を上限と定め、その電圧値を超えないように、消去位相差Th1、接地期間ThGの組み合わせを点灯率に応じて切換える構成とする。
すなわち、点灯率が高い(ここでは、パネル特性のばらつきおよび温度特性を考慮して、点灯率55%以上とする)ときには、必要な電圧Ve2を最も低く抑えられるように消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとする。また、点灯率が中程度(ここでは、点灯率25%以上、55%未満とする)のときには、点灯率が下がることで必要な電圧Ve2も下がっているので、必要な書込みパルス電圧を低減できる効果が高められるように消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとする。そして、点灯率が低い(ここでは、点灯率25%未満とする)ときには、さらに点灯率が下がることで必要な電圧Ve2もさらに下がっているので、必要な書込みパルス電圧を低減できる効果を最も高められるように消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとする。
これにより、必要な電圧Ve2の上限として定めた電圧値(ここでは、消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとしたときの、点灯率100%のときの電圧Ve2の電圧値)を超えることなく、点灯率に応じた消去位相差Th1、接地期間ThGの制御を行うことができ、必要な書込みパルス電圧および走査パルス電圧を低減して、安定した書込み放電を実現することができる。
一方、消去放電を発生させる際には、微弱ではあるが消去放電による発光が生じている。そして、消去位相差Th1が100nsecのときと150nsecのときとでは放電を弱めるまでの時間差に起因するわずかな発光強度の差が生じる。その差は実用的には何ら問題とはならないが、APLの低い、暗い画像を表示するとき、すなわち、輝度重みの小さいサブフィールドだけが発光するような画像を表示するときに、その差が輝度の違いとして認識される恐れがあることがわかった。
そこで、本実施の形態においては、そのような輝度の違いを低減するために、輝度重みの小さいサブフィールド(本実施の形態では、輝度重み「5」未満の第1SF〜第3SF)において、消去位相差Th1を100nsecとはしない構成とする。これにより、輝度重みの小さいサブフィールドだけが発光するようなAPLの低い画像を表示するときであっても、階調の変化を滑らかにして表示することができる。
なお、輝度重みの小さい第1SF〜第3SFでは、各サブフィールドの維持期間における維持パルス数が少ないため、維持放電の際に発生するプライミングも少なくなる。維持放電において形成されるプライミングが多いと、プライミングの増加に伴う暗電流の増加を招き、暗電流に起因する電荷抜けと呼ばれる壁電荷の消失を増加させる。しかし、輝度重みの小さい第1SF〜第3SFでは、維持放電の際に発生するプライミングが少ないため、壁電荷の消失も少なく、したがって、消去位相差Th1を100nsecにせずとも安定した書込み放電を発生させることができる。
すなわち、本実施の形態においては、点灯率が高いとき(ここでは、点灯率55%以上)には、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとし、点灯率が中程度のとき(ここでは、点灯率25%以上、55%未満)には、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとする。そして、点灯率が低いとき(ここでは、点灯率25%未満)には、所定の輝度重み(ここでは、輝度重み「5」)以上のサブフィールド(ここでは、第4SF〜第10SF)においてのみ、消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとする。そして、それよりも輝度重みの小さいサブフィールド(ここでは、第1SF〜第3SF)においては、点灯率25%未満であっても消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとはせず、上述の点灯率25%以上、55%未満のときと同様に消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecのままとする。
このような構成とすることで、本実施の形態によれば、書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧や書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電の発生を実現することができる。さらに、APLの低い画像であっても階調の変化を滑らかにして表示することが可能となる。
なお、上述した各数値は、実験に用いた表示電極対数1080対の50インチのパネルにもとづくものであって、実施の形態の一例を示したに過ぎない。本実施の形態は何らこれらの数値に限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様に応じて最適な値に設定することが望ましい。
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図12は、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置1は、パネル10、画像信号処理回路51、データ電極駆動回路52、走査電極駆動回路53、維持電極駆動回路54、タイミング発生回路55、点灯率算出回路58および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路(図示せず)を備えている。
画像信号処理回路51は、入力された画像信号sigをサブフィールド毎の発光・非発光を示す画像データに変換する。
点灯率算出回路58はサブフィールド毎の画像データにもとづいてサブフィールド毎の放電セルの点灯率、すなわち点灯する放電セル数の全放電セル数に対する割合を算出する。
タイミング発生回路55は水平同期信号H、垂直同期信号Vおよび点灯率算出回路58が算出した点灯率をもとにして各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロックへ供給する。そして、上述したように、本実施の形態においては、点灯率55%以上のときには、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1が150nsec、接地期間ThGが0μsecとなるように、点灯率25%以上、55%未満のときには、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1が150nsec、接地期間ThGが0.5μsecとなるように、点灯率25%未満のときには、第4SF〜第10SFにおいてのみ、消去位相差Th1が100nsec、接地期間ThGが0μsecとなるように制御しており、それに応じたタイミング信号を走査電極駆動回路53および維持電極駆動回路54に出力する。これにより、APLの低い画像における階調の変化を滑らかにしつつ、書込み動作を安定させる制御を行う。
データ電極駆動回路52はサブフィールド毎の画像データを各データ電極D1〜Dmに対応する信号に変換し各データ電極D1〜Dmを駆動する。
走査電極駆動回路53は、維持パルス発生回路100を備え、タイミング信号にもとづいて走査電極SC1〜SCnに駆動電圧波形を供給する。維持電極駆動回路54は、維持パルス発生回路200を備え、タイミング信号にもとづいて維持電極SU1〜SUnに駆動電圧波形を供給する。
次に、維持パルス発生回路100、維持パルス発生回路200の詳細とその動作について説明する。図13は、本発明の実施の形態における維持パルス発生回路100、維持パルス発生回路200の回路図である。なお、図13にはパネル10の電極間容量をCpとして示し、走査パルスおよび初期化電圧波形を発生させる回路は省略している。
維持パルス発生回路100は、電力回収部110とクランプ部120とを備えている。電力回収部110は、電力回収用のコンデンサC10、スイッチング素子Q11、スイッチング素子Q12、逆流防止用のダイオードD11、ダイオードD12、共振用のインダクタL10を有している。また、クランプ部120は、電圧値がVsである電源VSに走査電極SC1〜SCnをクランプするためのスイッチング素子Q13、および走査電極SC1〜SCnを接地電位にクランプするためのスイッチング素子Q14を有している。そして電力回収部110およびクランプ部120は、走査パルス発生回路(維持期間中は短絡状態となるため図示せず)を介してパネル10の電極間容量Cpの一端である走査電極SC1〜SCnに接続されている。
電力回収部110は、電極間容量CpとインダクタL10とをLC共振させて維持パルスの立ち上がりおよび立ち下がりを行う。維持パルスの立ち上がり時には、電力回収用のコンデンサC10に蓄えられている電荷をスイッチング素子Q11、ダイオードD11およびインダクタL10を介して電極間容量Cpに移動する。維持パルスの立ち下がり時には、電極間容量Cpに蓄えられた電荷を、インダクタL10、ダイオードD12およびスイッチング素子Q12を介して電力回収用のコンデンサC10に戻す。こうして走査電極SC1〜SCnへ維持パルスを印加する。このように、電力回収部110は電源から電力を供給されることなくLC共振によって走査電極SC1〜SCnの駆動を行うため、理想的には消費電力が0となる。なお、電力回収用のコンデンサC10は電極間容量Cpに比べて十分に大きい容量を持ち、電力回収部110の電源として働くように構成されており、電源VSの電圧値Vsの半分の約Vs/2に充電されている。
電圧クランプ部120は、スイッチング素子Q13を介して走査電極SC1〜SCnを電源VSに接続し、走査電極SC1〜SCnを電圧Vsにクランプする。また、スイッチング素子Q14を介して走査電極SC1〜SCnを接地し、0(V)にクランプする。このようにして電圧クランプ部120は走査電極SC1〜SCnを駆動する。したがって、電圧クランプ部120による電圧印加時のインピーダンスは小さく、強い維持放電による大きな放電電流を安定して流すことができる。
こうして維持パルス発生回路100は、スイッチング素子Q11、スイッチング素子Q12、スイッチング素子Q13、スイッチング素子Q14を制御することによって電力回収部110と電圧クランプ部120とを用いて走査電極SC1〜SCnに維持パルスを印加する。なお、これらのスイッチング素子は、MOSFETやIGBT等の一般に知られた素子を用いて構成することができる。
維持パルス発生回路200は、電力回収用のコンデンサC20、スイッチング素子Q21、スイッチング素子Q22、逆流防止用のダイオードD21、ダイオードD22、共振用のインダクタL20を有する電力回収部210と、維持電極SU1〜SUnを電圧Vsにクランプするためのスイッチング素子Q23および維持電極SU1〜SUnを接地電位にクランプするためのスイッチング素子Q24を有するクランプ部220とを備え、パネル10の電極間容量Cpの一端である維持電極SU1〜SUnに接続されている。なお、維持パルス発生回路200の動作は維持パルス発生回路100と同様であるので説明を省略する。
また、図13には、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧Ve1を発生する電源VE1、電圧Ve1を維持電極SU1〜SUnに印加するためのスイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27、電圧ΔVeを発生する電源ΔVE、逆流防止用のダイオードD30、コンデンサC30、電圧Ve1に電圧ΔVeを積み上げて電圧Ve2とするためのスイッチング素子Q28、スイッチング素子Q29もあわせて示している。例えば、図4に示した電圧Ve1を印加するタイミングでは、スイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27を導通させて維持電極SU1〜SUnにダイオードD30、スイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27を介して正の電圧Ve1を印加する。なお、このときスイッチング素子Q28を導通させ、コンデンサC30の電圧が電圧Ve1になるように充電しておく。また、図4に示した電圧Ve2を印加するタイミングでは、スイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27は導通させたまま、スイッチング素子Q28を遮断させる。それとともにスイッチング素子Q29を導通させてコンデンサC30の電圧に電圧ΔVeを重畳し、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1+ΔVe、すなわち電圧Ve2を印加する。このとき、逆流防止用のダイオードD30の働きにより、コンデンサC30から電源VE1への電流は遮断される。
なお、電力回収部110のインダクタL10とパネル10の電極間容量CpとのLC共振の周期、および電力回収部210のインダクタL20と同電極間容量CpとのLC共振の周期(以下、「共振周期」と記す)は、インダクタL10、インダクタL20のインダクタンスをそれぞれLとすれば、計算式「2π√(LCp)」によって求めることができる。そして、本実施の形態では、電力回収部110、電力回収部210における共振周期が約1100nsecになるようにインダクタL10、インダクタL20を設定しているが、この数値は実施の形態における一例に過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適な値に設定することが望ましい。
次に、維持期間における駆動電圧波形の詳細について説明する。図14は、本発明の実施の形態における維持パルス発生回路100、維持パルス発生回路200の動作を説明するためのタイミングチャートであり、図4の破線で囲った部分の詳細なタイミングチャートである。まず維持パルスの1周期を期間T1〜期間T6で示した6つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。
なお、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作をオン、遮断させる動作をオフと表記し、図面にはスイッチング素子をオンさせる信号を「ON」、オフさせる信号を「OFF」と表記する。
(期間T1)
時刻t1でスイッチング素子Q12をオンにする。すると走査電極SC1〜SCn側の電荷はインダクタL10、ダイオードD12、スイッチング素子Q12を通してコンデンサC10に流れ始め、走査電極SC1〜SCnの電圧が下がり始める。インダクタL10と電極間容量Cpとは共振回路を形成しているので、共振周期の1/2の時間経過後の時刻t2において走査電極SC1〜SCnの電圧は0(V)付近まで低下する。しかし共振回路の抵抗成分等による電力損失のため、走査電極SC1〜SCnの電圧は0(V)までは下がらない。なお、この間、スイッチング素子Q24はオンに保持する。
(期間T2)
そして時刻t2でスイッチング素子Q14をオンにする。すると走査電極SC1〜SCnはスイッチング素子Q14を通して直接に接地されるため、走査電極SC1〜SCnの電圧は強制的に0(V)に低下する。
さらに、時刻t2でスイッチング素子Q21をオンにする。すると、電力回収用のコンデンサC20からスイッチング素子Q21、ダイオードD21、インダクタL20を通して電流が流れ始め、維持電極SU1〜SUnの電圧が上がり始める。インダクタL20と電極間容量Cpとも共振回路を形成しているので、共振周期の1/2の時間経過後の時刻t3において維持電極SU1〜SUnの電圧はVs付近まで上昇するが、共振回路の抵抗成分等による電力損失のため、維持電極SU1〜SUnの電圧はVsまでは上がらない。
(期間T3)
そして時刻t3でスイッチング素子Q23をオンにする。すると維持電極SU1〜SUnはスイッチング素子Q23を通して直接に電源VSへ接続されるため、維持電極SU1〜SUnの電圧は強制的にVsまで上昇する。すると、書込み放電を起こした放電セルでは走査電極SC1〜SCn−維持電極SU1〜SUn間の電圧が放電開始電圧を超え維持放電が発生する。
(期間T4〜期間T6)
走査電極SC1〜SCnに印加される維持パルスと維持電極SU1〜SUnに印加される維持パルスとは同じ波形であり、期間T4から期間T6までの動作は、期間T1から期間T3までの動作を走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとを入れ替えて駆動する動作に等しいので説明を省略する。
なお、スイッチング素子Q12は時刻t2以降、時刻t5までにオフすればよく、スイッチング素子Q21は時刻t3以降、時刻t4までにオフすればよい。また、スイッチング素子Q22は時刻t5以降、次の時刻t2までにオフすればよく、スイッチング素子Q11は時刻t6以降、次の時刻t1までにオフすればよい。また、維持パルス発生回路100、維持パルス発生回路200の出力インピーダンスを下げるために、スイッチング素子Q24は時刻t2直前に、スイッチング素子Q13は時刻t4直前にオフにすることが望ましく、スイッチング素子Q14は時刻t5直前に、スイッチング素子Q23は時刻t4直前にオフにすることが望ましい。
維持期間においては、以上の期間T1〜期間T6の動作を、必要なパルス数に応じて繰り返す。このようにして、ベース電位である0(V)から維持放電を発生させる電位である電圧Vsに変位する維持パルスを、表示電極対のそれぞれに交互に印加して放電セルを維持放電させる。
次に、維持期間の最後の消去放電について、期間T7〜期間T11の5つの期間に分けて詳細に説明する。
(期間T7)
この期間は、維持電極SU1〜SUnに印加された維持パルスの立ち下がりであり、期間T4と同じである。すなわち、時刻t7直前にスイッチング素子Q23をオフにし時刻t7でスイッチング素子Q22をオンにすることにより、維持電極SU1〜SUn側の電荷はインダクタL20、ダイオードD22、スイッチング素子Q22を通してコンデンサC20に流れ始め、維持電極SU1〜SUnの電圧が下がり始める。
(期間T8)
時刻t8でスイッチング素子Q24をオンにして、維持電極SU1〜SUnの電圧を強制的に0(V)に低下させる。また、スイッチング素子Q14は期間T7からオンに保持され、これにより走査電極SC1〜SCnの電圧も0(V)に保持されたままなので、期間T8では、表示電極対、すなわち走査電極SC1〜SCn、維持電極SU1〜SUnはともにベース電位である接地電位0(V)に保持されている。
このようにして、最後の維持放電を発生させるための維持パルスとその直前の維持パルスとの間に、表示電極対をともにベース電位にクランプして表示電極対をともにベース電位とする期間を設け、接地期間ThGとする。
(期間T9)
時刻t9直前にスイッチング素子Q14をオフにし、時刻t9でスイッチング素子Q11をオンにする。すると、電力回収用のコンデンサC10からスイッチング素子Q11、ダイオードD11、インダクタL10を通して電流が流れ始め、走査電極SC1〜SCnの電圧が上がり始める。
(期間T10)
インダクタL10と電極間容量Cpとは共振回路を形成しているので、共振周期の1/2の時間経過後には走査電極SC1〜SCnの電圧はVs付近まで上昇するが、ここでは、電力回収部の共振の周期の1/2より短い期間、すなわち走査電極SC1〜SCnの電圧がVs付近まで上昇する以前の時刻t10でスイッチング素子Q13をオンにする。すると走査電極SC1〜SCnはスイッチング素子Q13を通して直接に電源VSへ接続されるため、走査電極SC1〜SCnの電圧は急峻にVsまで上昇し、最後の維持放電が発生する。
(期間T11)
時刻t11直前にスイッチング素子Q24をオフにし、時刻t11でスイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27をオンにする。すると維持電極SU1〜SUnはスイッチング素子Q28、スイッチング素子Q29を通して直接に消去用の電源VE1へ接続されるため、維持電極SU1〜SUnの電圧は強制的にVe1まで上昇する。この時刻t11は、期間T10で発生した放電が収束する前、すなわち放電で発生した荷電粒子が放電空間内に十分残留している時刻である。そして荷電粒子が放電空間内に十分残留している間に放電空間内の電界が変化するので、この変化した電界を緩和するように荷電粒子が再配置されて壁電荷を形成する。
このとき、維持電極SU1〜SUnに電圧Ve1を印加することで走査電極SC1〜SCnと維持電極SU1〜SUnとの電圧差が小さくなり、走査電極SC1〜SCn上および維持電極SU1〜SUn上の壁電圧は弱められる。このように、最後の維持放電を発生させる電位差は、最後の維持放電が収束する前に表示電極対の電極間に与える電位差を緩和するように変化させた細幅パルス形状の電位差であり、発生する放電は消去放電である。また、図14には示していないが、データ電極D1〜Dmはこのとき0(V)に保持されており、データ電極D1〜Dmに印加されている電圧と走査電極SC1〜SCnに印加されている電圧との電位差を緩和するように放電による荷電粒子が壁電荷を形成するので、データ電極D1〜Dm上には正の壁電圧が形成される。なお、走査電極SC1〜SCnおよび維持電極SU1〜SUn上の壁電荷の極性が変わらないように、電圧Ve1は電圧Vsよりも小さい電圧値としている。
このようにして、最後の維持放電を発生させるための維持パルスを表示電極対の一方の電極(ここでは、走査電極SC1〜SCn)に印加してから、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧を表示電極対の他方の電極(ここでは、維持電極SU1〜SUn)に印加するまでに所定の時間間隔を設け、その時間間隔を消去位相差Th1とする。
なお、本実施の形態においては、その制御は、維持放電を発生させるための電圧Vsを走査電極SC1〜SCnに印加するためのスイッチング素子Q13をオンにした後、そのサブフィールドにおける放電セルの点灯率に応じた時間間隔(本実施の形態では100nsecまたは150nsec)をあけて、表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧Ve1を維持電極SU1〜SUnに印加するスイッチング素子Q26、スイッチング素子Q27をオンにすることで行っている。したがって、スイッチング素子に制御信号を入力してから実際にスイッチング素子がスイッチング動作を開始するまでには、スイッチング素子の遅れ時間等による遅延が発生するが、実用上は、スイッチング素子に入力する制御信号の時間間隔、すなわち時刻t10から時刻t11までを消去位相差Th1とみなすことができる。
なお、電圧Ve1、電圧Ve2を印加する回路については、図13に示した回路に限定されるものではなく、例えば、電圧Ve1を発生させる電源と電圧Ve2を発生させる電源とそれぞれの電圧を維持電極SU1〜SUnに印加するための複数のスイッチング素子とを用いて、それぞれの電圧を必要なタイミングで維持電極SU1〜SUn印加する構成とすることもできる。
なお、本実施の形態において示した各数値、例えば、点灯率との比較に用いる第1のしきい値および第2のしきい値や消去位相差Th1および接地期間ThG等の各数値は、実験に用いた表示電極対数1080の50インチのパネルの特性にもとづくものであって、単に一例を示したに過ぎず、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適な値に設定することが望ましい。
なお、本発明の実施の形態では、第1SFを全セル初期化サブフィールドとし第2SF〜第10SFを選択初期化サブフィールドとするサブフィールド構成を例に挙げて説明を行ったが、必ずしもこのサブフィールド構成に限定されるものではなく、これ以外のサブフィールド構成であってもかまわない。
また、本実施の形態では、電力供給用と電力回収用とで同一のインダクタを用いる構成を説明したが、何らこの構成に限定されるものではなく、インダクタンスの異なる複数のインダクタを切換えて用いる構成としてもよい。この構成では、例えば、維持パルスの立ち上がりと立ち下がりとで共振周波数を切換えて駆動する、といったことが可能となる。
また、本実施の形態ではベース電位を接地電位とする構成を説明したが、AC型パネルは放電セルの周囲が誘電体に囲まれており各電極の駆動電圧波形は容量結合的に放電セルに印加されるため、ベース電位を含む各駆動電圧波形はDC的にレベルシフトされていてもよい。
以上説明したように、本実施の形態によれば、点灯率が高いとき(ここでは、点灯率55%以上)には、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0μsecとする。そして、点灯率が中程度のとき(ここでは、点灯率25%以上、55%未満)には、全てのサブフィールドにおいて消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecとする。そして、点灯率が低いとき(ここでは、点灯率25%未満)には、所定の輝度重み(ここでは、輝度重み「5」)以上のサブフィールド(ここでは、第4SF〜第10SF)においてのみ、消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとし、それよりも輝度重みの小さいサブフィールド(ここでは、第1SF〜第3SF)においては、点灯率25%未満であっても消去位相差Th1を100nsec、接地期間ThGを0μsecとはせず、上述の点灯率25%以上、55%未満のときと同様に消去位相差Th1を150nsec、接地期間ThGを0.5μsecのままとする。これにより、書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧や書込みパルス電圧を高くすることなく、安定した書込み放電の発生を実現することができ、さらに、APLの低い画像であっても階調の変化を滑らかにして表示することが可能となる。
本発明は、高精細化、大画面化、あるいは高輝度化されたパネルであっても、書込み放電を発生させるために必要な電圧を高くすることなく安定した書込み放電を発生させ、APLの低い画像であっても階調の変化を滑らかにして表示し、画像表示品質をよくすることが可能であり、プラズマディスプレイ装置およびパネルの駆動方法として有用である。
本発明の実施の形態におけるパネルの構造を示す分解斜視図 同パネルの電極配列図 本発明の実施の形態におけるサブフィールド構成を示す駆動波形の概略図 本発明の実施の形態におけるパネルの各電極に印加する駆動電圧波形図 同駆動電圧波形の部分拡大図 本発明の実施の形態における点灯率と消去位相差Th1および接地期間ThGとの関係を示す図 安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と消去位相差Th1との関係を模式的に示す図 安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と消去位相差Th1との関係を模式的に示す図 安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と点灯率との関係を模式的に示す図 本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な書込みパルス電圧と接地期間ThGとの関係を示す図 本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な走査パルス電圧と接地期間ThGとの関係を示す図 本発明の実施の形態における安定した書込み放電を発生させるために必要な電圧Ve2と点灯率との関係を示す図 本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図 本発明の実施の形態における維持パルス発生回路の回路図 本発明の実施の形態における維持パルス発生回路の動作を説明するためのタイミングチャート
符号の説明
1 プラズマディスプレイ装置
10 パネル
21 前面板
22 走査電極
23 維持電極
24,33 誘電体層
25 保護層
28 表示電極対
31 背面板
32 データ電極
34 隔壁
35 蛍光体層
51 画像信号処理回路
52 データ電極駆動回路
53 走査電極駆動回路
54 維持電極駆動回路
55 タイミング発生回路
58 点灯率算出回路
100,200 維持パルス発生回路
110,210 電力回収部
120,220 クランプ部
Q11,Q12,Q13,Q14,Q21,Q22,Q23,Q24,Q26,Q27,Q28,Q29 スイッチング素子
D11,D12,D21,D22,D30 ダイオード
C10,C20,C30 コンデンサ
L10,L20 インダクタ
Cp 電極間容量
VE1,ΔVE,VS 電源

Claims (2)

  1. 表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで選択的に書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み期間において選択された前記放電セルに輝度重みに応じた回数の維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設けて前記プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路と、前記放電セルの点灯率をサブフィールド毎に算出する点灯率算出回路とを備え、
    前記駆動回路は、前記維持期間において、ベース電位から維持放電を発生させる電位に変位する維持パルスを前記表示電極対に交互に印加し、最後の維持放電を発生させるための維持パルスとその直前の維持パルスとの間に、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を設け、前記最後の維持放電を発生させるための維持パルスを前記走査電極に印加した後に所定の時間間隔をあけて前記表示電極対の電極間の電位差を緩和するための電圧を前記維持電極に印加して消去放電を発生するように動作するとともに、
    前記点灯率算出回路で算出した点灯率に応じて、
    輝度重みの小さいサブフィールドでは前記点灯率が第1の閾値より低い場合は、前記所定の時間間隔を前記第1の閾値より高い場合の時間間隔と同じにし、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を前記第1の閾値より高い場合に比べて長くし、輝度重みの大きいサブフィールドでは前記点灯率が前記第1の閾値に比べて小さい第2の閾値より低い場合は、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を前記第1の閾値より高い場合の前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間と同じにし、前記所定の時間間隔を前記第2の閾値より高い場合に比べて短くすることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
  2. 表示電極対を構成する複数の走査電極および維持電極を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、前記放電セルで初期化放電を発生させる初期化期間と、前記放電セルで選択的に書込み放電を発生させる書込み期間と、前記書込み期間において選択された前記放電セルに輝度重みに応じた回数の維持放電を発生させる維持期間とを有するサブフィールドを1フィールド期間内に複数設け、
    前記維持期間において、ベース電位から維持放電を発生させる電位に変位する維持パルスを前記表示電極対に交互に印加するように構成し、かつ最後の維持放電を発生させるための維持パルスとその直前の維持パルスとの間に前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を設け、かつ最後の維持放電を発生させるための前記維持パルスを前記走査電極に印加した後、所定の時間間隔をあけて前記表示電極対の電極間の電位差を緩和して消去放電を発生させるための電圧を前記維持電極に印加するとともに、前記放電セルの点灯率をサブフィールド毎に算出し、
    輝度重みの小さいサブフィールドでは前記点灯率が第1の閾値より低い場合は、前記所定の時間間隔を前記第1の閾値より高い場合の時間間隔と同じにし、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を前記第1の閾値より高い場合に比べて長くし、輝度重みの大きいサブフィールドでは前記点灯率が前記第1の閾値に比べて小さい第2の閾値より低い場合は、前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間を前記第1の閾値より高い場合の前記表示電極対をともに前記ベース電位に接続する期間と同じにし、前記所定の時間間隔を前記第2の閾値より高い場合に比べて短くすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
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