JP5052206B2 - Cvd装置 - Google Patents
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(1)第1態様のCVD装置
成膜容器内に収容される成膜対象物を加熱し、該加熱された状態の成膜対象物に膜形成するCVD装置であって、前記成膜容器内において、高周波電力が供給される水平に設置された第1電極と、前記成膜対象物を支持すると共に前記成膜容器に対して搬入出可能なトレイと、前記トレイを水平に乗載する接触面を有し且つ接地されると共に銅又は銅を含む合金からなる水平に設置された第2電極を兼ねる温度均一化部材と、前記温度均一化部材の下方に設置されると共に、前記温度均一化部材との間に空間を確保した状態で前記トレイに支持される前記成膜対象物を加熱する電熱線とを備え、前記温度均一化部材は、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度を均一化するものであって前記トレイの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、前記電熱線からの赤外線を含む電磁波の輻射により、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度制御を行い、前記温度均一化部材の前記接触面の上に前記トレイを乗載して該トレイに支持される前記成膜対象物を成膜することを特徴とするCVD装置。
成膜容器内に収容される成膜対象物を加熱し、該加熱された状態の成膜対象物に膜形成するCVD装置であって、前記成膜容器内において、高周波電力が供給される水平に設置された第1電極と、前記成膜対象物を支持すると共にカーボン樹脂で形成されたトレイと、前記トレイを水平に乗載する接触面を有し且つ接地されると共に銅又は銅を含む合金からなる水平に設置された第2電極を兼ねる温度均一化部材と、前記温度均一化部材の下方に設置されると共に、前記温度均一化部材との間に空間を確保した状態で前記トレイに支持される前記成膜対象物を加熱する電熱線とを備え、前記温度均一化部材は、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度を均一化するものであって前記トレイの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、前記電熱線からの赤外線を含む電磁波の輻射により、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度制御を行い、前記温度均一化部材の前記接触面の上に前記トレイを乗載して該トレイに支持される前記成膜対象物を成膜することを特徴とするCVD装置。
本発明の第1態様及び第2態様に係るCVD装置は、成膜容器内に収容される成膜対象物を加熱し、該加熱された状態の成膜対象物に膜形成できるものであれば、何れのものにも適用できる。例えば、成膜容器内に供給される成膜原料ガスを電力印加によりプラズマ状態にし、該プラズマ状態下で前記成膜容器内に収容される成膜対象物に膜形成するプラズマCVD装置、成膜容器内に供給される成膜原料ガスに光エネルギーを与えて前記成膜容器内に収容される成膜対象物に膜形成する光CVD装置、成膜容器内に供給される成膜原料ガスを熱分解させて前記成膜容器内に収容される成膜対象物に膜形成する熱CVD装置、或いは、成膜容器内に供給される成膜原料ガスを加熱した触媒体に接触させることで得られる生成物を堆積させて前記成膜容器内に収容される成膜対象物に膜形成する触媒CVD装置などを挙げることができる。
本発明の第1態様に係るCVD装置において、前記トレイの材質は、カーボン樹脂である態様を例示できる。また、本発明の第1態様及び第2態様に係るCVD装置において、前記温度均一化部材の厚みは、1mm〜5mmである態様を例示できる。
(実施例)
本発明の実施に係るCVD装置100について、温度低下及び温度上昇に要する時間を測定したので、ヒータブロックを用いた従来のCVD装置の比較例と共に、その測定結果を以下に示す。
本発明のCVD装置の場合・・・約3時間
このように、本発明のCVD装置では、従来のCVD装置に比べ、温度低下及び温度上昇に要する時間を大幅に短縮できることが分かった。
2 発熱源
4 温度均一化部材
10 トレイ
100 CVD装置
S 成膜対象物
Claims (4)
- 成膜容器内に収容される成膜対象物を加熱し、該加熱された状態の成膜対象物に膜形成するCVD装置であって、
前記成膜容器内において、高周波電力が供給される水平に設置された第1電極と、
前記成膜対象物を支持すると共に前記成膜容器に対して搬入出可能なトレイと、
前記トレイを水平に乗載する接触面を有し且つ接地されると共に銅又は銅を含む合金からなる水平に設置された第2電極を兼ねる温度均一化部材と、
前記温度均一化部材の下方に設置されると共に、前記温度均一化部材との間に空間を確保した状態で前記トレイに支持される前記成膜対象物を加熱する電熱線と
を備え、
前記温度均一化部材は、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度を均一化するものであって前記トレイの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、
前記電熱線からの赤外線を含む電磁波の輻射により、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度制御を行い、
前記温度均一化部材の前記接触面の上に前記トレイを乗載して該トレイに支持される前記成膜対象物を成膜することを特徴とするCVD装置。 - 前記トレイの材質は、カーボン樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のCVD装置。
- 成膜容器内に収容される成膜対象物を加熱し、該加熱された状態の成膜対象物に膜形成するCVD装置であって、
前記成膜容器内において、高周波電力が供給される水平に設置された第1電極と、
前記成膜対象物を支持すると共にカーボン樹脂で形成されたトレイと、
前記トレイを水平に乗載する接触面を有し且つ接地されると共に銅又は銅を含む合金からなる水平に設置された第2電極を兼ねる温度均一化部材と、
前記温度均一化部材の下方に設置されると共に、前記温度均一化部材との間に空間を確保した状態で前記トレイに支持される前記成膜対象物を加熱する電熱線と
を備え、
前記温度均一化部材は、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度を均一化するものであって前記トレイの熱伝導率よりも大きい熱伝導率を有し、
前記電熱線からの赤外線を含む電磁波の輻射により、前記トレイに支持される前記成膜対象物の温度制御を行い、
前記温度均一化部材の前記接触面の上に前記トレイを乗載して該トレイに支持される前記成膜対象物を成膜することを特徴とするCVD装置。 - 前記温度均一化部材の厚みは、1mm〜5mmであることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のCVD装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007136957A JP5052206B2 (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | Cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007136957A JP5052206B2 (ja) | 2007-05-23 | 2007-05-23 | Cvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2008294154A JP2008294154A (ja) | 2008-12-04 |
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ID=40168582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5052206B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5550415B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-07-16 | セイコーインスツル株式会社 | 端子付電気化学セルおよび製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6146017A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜生成装置 |
JPH0830273B2 (ja) * | 1986-07-10 | 1996-03-27 | 株式会社東芝 | 薄膜形成方法及び装置 |
JP2004319863A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 製膜装置 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008294154A (ja) | 2008-12-04 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120412 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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