JP5050108B2 - 表示装置及び当該表示装置を具備する電子書籍 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 68
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 224
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 22
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 208000003464 asthenopia Diseases 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 3
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N [B].[P] Chemical compound [B].[P] GDFCWFBWQUEQIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018725 Sn—Al Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
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Description
本実施の形態では、表示装置の動作の概念図、タイミングチャート、ブロック図、フローチャート図等を示し、説明する。
本実施の形態では、本明細書に開示する表示装置に適用できるトランジスタの例を示す。
本実施の形態では、液晶表示装置の外観及び断面等を示し、その構成について説明する。具体的には、トランジスタを作製し、該トランジスタを画素部、さらには駆動回路に用いて表示機能を有する液晶表示装置を作製することができる。また、トランジスタを用いた駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
本実施の形態では、上記実施の形態で示す液晶表示装置において、タッチパネル機能を付加した液晶表示装置の構成について、図10(A)、(B)を用いて説明する。
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した液晶表示装置を具備する電子機器の例について説明する。
102 第2の静止画表示期間
103 期間
104 期間
105 期間
106 期間
301 期間
400 液晶表示装置
401 表示パネル
402 ディスプレイコントローラ
403 記憶回路
404 CPU
405 外部入力機器
406 表示部
407 駆動回路部
408 ゲート線
409 ソース線
410 画素
411 トランジスタ
412 液晶素子
413 容量素子
414 ゲート線駆動回路
415 ソース線駆動回路
416 基準クロック生成回路
417 分周回路
418 切替回路
419 表示モード制御回路
420 制御信号生成回路
421 画像信号出力回路
501 ステップ
502 ステップ
503 ステップ
504 ステップ
505 ステップ
601 書籍
602 文字
611 操作ボタン
612 表示パネル
621 領域
622 領域
1200 基板
1201 ゲート電極層
1202 ゲート絶縁層
1203 半導体層
1205a ソース電極層
1205b ドレイン電極層
1246a 配線層
1246b 配線層
1207 絶縁層
1209 保護絶縁層
1210 トランジスタ
1220 トランジスタ
1227 絶縁層
1230 トランジスタ
1240 トランジスタ
1247 絶縁層
1501 液晶表示パネル
1502 タッチパネルユニット
1503 筐体
1504 液晶表示装置
1505 画素
1506 光センサ
1507 液晶素子
1508 ゲート線駆動回路
1509 信号線駆動回路
1510 光センサ用駆動回路
2600 TFT基板
2601 対向基板
2602 シール材
2603 画素部
2604 表示素子
2605 着色層
2606 偏光板
2607 偏光板
2608 配線回路部
2609 フレキシブル配線基板
2610 冷陰極管
2611 反射板
2612 回路基板
2613 拡散板
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 基板
4008 液晶層
4010 トランジスタ
4011 トランジスタ
4013 液晶素子
4015 接続端子電極
4016 端子電極
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 絶縁層
4021 絶縁層
4030 画素電極層
4031 対向電極層
4032 絶縁層
4033 絶縁層
4040 導電層
4041a 絶縁層
4041b 絶縁層
4042a 絶縁層
4042b 絶縁層
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 コンバータ
9637 コンバータ
Claims (5)
- 画素を有する表示部と、ディスプレイコントローラと、を有し、
前記画素は、酸化物半導体を有するトランジスタと、表示素子と、を有し、
前記ディスプレイコントローラは、第1の静止画表示期間と第2の静止画表示期間とを切り替える機能を有し、
前記第1の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第1の画像信号に応じた電圧が印加される第1の書き込み期間を有し、
前記第2の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第2の画像信号に応じた電圧が印加される第2の書き込み期間を有し、
前記ディスプレイコントローラは、前記第1の書き込み期間と、前記第2の書き込み期間と、の長さを異ならせる機能を有し、
前記第1の書き込み期間は、16.6m秒以下であり、
前記第2の書き込み期間は、1秒以上であることを特徴とする表示装置。 - 画素を有する表示部と、ディスプレイコントローラと、を有し、
前記画素は、酸化物半導体を有するトランジスタと、表示素子と、を有し、
前記ディスプレイコントローラは、第1の静止画表示期間と第2の静止画表示期間とを切り替える機能を有し、
前記第1の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第1の画像信号に応じた電圧が印加される第1の書き込み期間を有し、
前記第2の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第2の画像信号に応じた電圧が印加される第2の書き込み期間を有し、
前記ディスプレイコントローラは、切替回路と、表示モード制御回路と、を有し、
前記切替回路は、第1のクロック信号と第2のクロック信号とを切り替えて出力する機能を有し、
前記表示モード制御回路は、前記切替回路の出力に応じ、前記第1の書き込み期間と、前記第2の書き込み期間と、の長さを異ならせる機能を有し、
前記第1の書き込み期間は、16.6m秒以下であり、
前記第2の書き込み期間は、1秒以上であることを特徴とする表示装置。 - 画素を有する表示部と、ディスプレイコントローラと、を有し、
前記画素は、酸化物半導体を有するトランジスタと、表示素子と、を有し、
前記ディスプレイコントローラは、第1の静止画表示期間と第2の静止画表示期間とを切り替える機能を有し、
前記第1の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第1の画像信号に応じた電圧が印加される第1の書き込み期間を有し、
前記第2の静止画表示期間は、前記酸化物半導体を有するトランジスタが導通し、前記表示素子に第2の画像信号に応じた電圧が印加される第2の書き込み期間を有し、
前記ディスプレイコントローラは、基準クロック生成回路と、分周回路と、切替回路と、表示モード制御回路を有し、
前記基準クロック生成回路は、第1のクロック信号を出力する機能を有し、
前記分周回路は、前記第1のクロック信号を分周して第2のクロック信号を出力する機能を有し、
前記切替回路は、前記第1のクロック信号と前記第2のクロック信号とを切り替える機能を有し、
前記表示モード制御回路は、前記切替回路の出力に応じ、前記第1の書き込み期間と、前記第2の書き込み期間と、の長さを異ならせる機能を有し、
前記第1の書き込み期間は、16.6m秒以下であり、
前記第2の書き込み期間は、1秒以上であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記第1の静止画表示期間における前記第1の画像信号は、直前の前記第1の静止画表示期間において書き込んだ前記第1の画像信号と同じ画像信号であり、
前記第2の静止画表示期間における前記第2の画像信号は、直前の前記第1の静止画表示期間において書き込んだ前記第1の画像信号、または前記第2の静止画表示期間において書き込んだ前記第2の画像信号、と異なる画像信号であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の表示装置を具備する電子書籍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011035824A JP5050108B2 (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-22 | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子書籍 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010041987 | 2010-02-26 | ||
JP2010041987 | 2010-02-26 | ||
JP2011035824A JP5050108B2 (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-22 | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子書籍 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012162585A Division JP5777576B2 (ja) | 2010-02-26 | 2012-07-23 | 表示装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011197658A JP2011197658A (ja) | 2011-10-06 |
JP2011197658A5 JP2011197658A5 (ja) | 2012-06-07 |
JP5050108B2 true JP5050108B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=44505025
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011035824A Active JP5050108B2 (ja) | 2010-02-26 | 2011-02-22 | 表示装置及び当該表示装置を具備する電子書籍 |
JP2012162585A Expired - Fee Related JP5777576B2 (ja) | 2010-02-26 | 2012-07-23 | 表示装置 |
JP2015029212A Expired - Fee Related JP6106202B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-02-18 | 表示装置 |
JP2017040088A Active JP6385490B2 (ja) | 2010-02-26 | 2017-03-03 | 液晶表示装置 |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012162585A Expired - Fee Related JP5777576B2 (ja) | 2010-02-26 | 2012-07-23 | 表示装置 |
JP2015029212A Expired - Fee Related JP6106202B2 (ja) | 2010-02-26 | 2015-02-18 | 表示装置 |
JP2017040088A Active JP6385490B2 (ja) | 2010-02-26 | 2017-03-03 | 液晶表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8760442B2 (ja) |
JP (4) | JP5050108B2 (ja) |
KR (1) | KR101803552B1 (ja) |
CN (1) | CN102770903B (ja) |
TW (1) | TWI566226B (ja) |
WO (1) | WO2011105218A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN116168646A (zh) | 2021-09-14 | 2023-05-26 | 厦门天马显示科技有限公司 | 显示面板和显示装置 |
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-
2011
- 2011-02-03 KR KR1020127024495A patent/KR101803552B1/ko active IP Right Grant
- 2011-02-03 CN CN201180011109.XA patent/CN102770903B/zh active Active
- 2011-02-03 WO PCT/JP2011/052801 patent/WO2011105218A1/en active Application Filing
- 2011-02-15 TW TW100104913A patent/TWI566226B/zh active
- 2011-02-17 US US13/029,147 patent/US8760442B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-22 JP JP2011035824A patent/JP5050108B2/ja active Active
-
2012
- 2012-07-23 JP JP2012162585A patent/JP5777576B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-18 JP JP2015029212A patent/JP6106202B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-03-03 JP JP2017040088A patent/JP6385490B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015127822A (ja) | 2015-07-09 |
JP5777576B2 (ja) | 2015-09-09 |
JP6385490B2 (ja) | 2018-09-05 |
CN102770903A (zh) | 2012-11-07 |
US8760442B2 (en) | 2014-06-24 |
JP6106202B2 (ja) | 2017-03-29 |
KR101803552B1 (ko) | 2017-11-30 |
CN102770903B (zh) | 2015-10-07 |
WO2011105218A1 (en) | 2011-09-01 |
KR20120139749A (ko) | 2012-12-27 |
JP2012252346A (ja) | 2012-12-20 |
TW201142801A (en) | 2011-12-01 |
US20110210949A1 (en) | 2011-09-01 |
JP2017143277A (ja) | 2017-08-17 |
JP2011197658A (ja) | 2011-10-06 |
TWI566226B (zh) | 2017-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
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|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20120522 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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