JP5040863B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5040863B2 JP5040863B2 JP2008225730A JP2008225730A JP5040863B2 JP 5040863 B2 JP5040863 B2 JP 5040863B2 JP 2008225730 A JP2008225730 A JP 2008225730A JP 2008225730 A JP2008225730 A JP 2008225730A JP 5040863 B2 JP5040863 B2 JP 5040863B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- semiconductor light
- sealing material
- emitting device
- top surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 87
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- 238000013041 optical simulation Methods 0.000 description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 10
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
(1)半導体発光素子20の発光スペクトルのピーク波長 446nm
(2)用いる蛍光体の発光スペクトルのピーク波長 564nm
(3)半導体発光装置900の各部の寸法(図8)
(a)半導体発光素子20の横幅W1 1000μm
(b)半導体発光素子20の高さH1 375μm
(c)封止材30の天上部の厚さH2 200μm
(d)封止材30の側壁部の厚さD1 250μm
(e)支持基板10の横幅W2 3500μm
(f)支持基板10の厚さD2 400μm
(1)半導体発光素子20の発光スペクトルのピーク波長 446nm
(2)用いる蛍光体の発光スペクトルのピーク波長 564nm
(3)半導体発光装置800の各部の寸法(図2)
(a)半導体発光素子20の横幅W1 1000μm
(b)半導体発光素子20の高さH1 375μm
(c)封止材30の天上部の厚さH2 200μm
(d)封止材40の高さH3 475μm
(e)支持基板10の横幅W2 3500μm
(f)支持基板10の厚さD2 400μm
(g)封止材30の周縁部の厚さD3 50μm
(h)封止材40の周縁部の厚さD4 50μm
(i)封止材30と封止材40の
各立ち下がり位置間の距離L1 250μm
また、半導体発光素子20の発光強度の指向特性としては、半導体発光装置900の場合と同様に図1に示すグラフ上の値を仮定した。また、蛍光体の体積密度は、第2の封止材30中の到る所で一定と仮定した。
しかしながら、この半導体発光装置800においても、上記のシフト幅の最大値Δの値は、依然として0.015と大きく、色ムラに関する更なる改善が望まれる。
即ち、本発明の第1の手段は、結晶成長基板を有する青色発光の半導体発光素子を支持基板の上に封止して構成される半導体発光装置において、その支持基板の上に上記の半導体発光素子を封止する透明な第1の封止材と、蛍光体を含有して第1の封止材を外側から更に封止する第2の封止材とを備え、上記の半導体発光素子を結晶成長基板が上を向くようにフェイスダウンで封止し、第1の封止材に、半導体発光素子の上方に位置する第1の天上面と、支持基板に接する接合部において裾野が支持基板の支持面に沿って延びた第1の山際部と、第1の天上面と第1の山際部との間に位置し、斜めに傾いた側壁からなる第1のテーパ部と、第1の天上面と第1のテーパ部とを曲面で繋ぐ第1のR部とを設け、第2の封止材に、第1の天上面の上方に位置する第2の天上面と、支持基板に接する接合部において裾野が支持基板の支持面に沿って延びた第2の山際部と、第2の天上面と第2の山際部との間に位置し、斜めに傾いた側壁からなる第2のテーパ部と、第2の天上面と第2のテーパ部とを曲面で繋ぐ第2のR部とを設け、第2の天上面に、第1の天上面に向って凸の湾曲形状の凹部を設けることである。
ただし、第1の封止材と第2の封止材の各源材料としては、生産性及び密着性の観点より、同種の透明樹脂を用いることが望ましいが、しかしながら、これらは、必ずしも同種の材料から形成する必要はない。
また、本発明の第3の手段は、上記の第1又は第2の手段において、支持基板の支持面に対する第2のテーパ部の傾斜角を、支持基板の支持面に対する第1のテーパ部の傾斜角よりも大きくすることである。
以上の本発明の手段により、前記の課題を効果的、或いは合理的に解決することができる。
即ち、本発明の第1の手段によれば、上記の第1の封止材の外形は、上記の第1の天上面と第1の山際部と第1のテーパ部と第1のR部から形成されるが、この形状は、この第1の封止材の金型を作製することを可能とする条件、即ち、封止材を金型から抜き取り易くするための条件を満たすものとなるので、所望の半導体発光装置を量産する上で非常に都合がよい。また、上記の第2の封止材の外形についても、上記の第2の天上面と第2の山際部と第2のテーパ部と第2のR部から形成されるが、この形状も、この第2の封止材の金型を作製することを可能とする条件を満たすので、所望の半導体発光装置を量産する上で非常に都合がよい。
ただし、本発明の実施形態は、以下に示す個々の実施例に限定されるものではない。
(1)半導体発光素子20の発光スペクトルのピーク波長 446nm
(2)用いる蛍光体の発光スペクトルのピーク波長 564nm
(3)半導体発光装置100の各部の寸法(図4)
(a)半導体発光素子20の横幅 1000μm
(b)半導体発光素子20の高さ 375μm
(c)封止材30の天上部の厚さH2 250μm
(d)封止材40の高さH3 475μm
(e)支持基板10の横幅W2 3500μm
(f)支持基板10の厚さD2 400μm
(g)封止材30の周縁部の厚さD3 50μm
(h)封止材40の周縁部の厚さD4 50μm
(i)封止材30と封止材40の
各立ち下がり位置間の距離L1 250μm
(j)天上面33の窪みの深さd1 90μm
(k)天上面33の窪みの幅W3 1200μm
(l)天上面33の曲率半径 1993μm
また、半導体発光素子20の発光強度の指向特性としては、半導体発光装置800の場合と同様に図1に示すグラフ上の値を仮定した。即ち、半導体発光素子20は、放射方位角が±45°付近に発光強度のピークを有する指向特性を有するものとした。また、蛍光体の体積密度は、第2の封止材30中の到る所で一定と仮定した。
また、第2のテーパ部32の傾斜角は、第1のテーパ部42の傾斜角よりも、大きく設定することが望ましい。この角度差が大き過ぎると、第2の封止材30の金型からの抜き取りが難しくなる。また、この値が小さ過ぎると、第2の山際部31付近の第2の封止材30の厚さを薄くすることが難しくなる。
なお、この凸部の高さh1が高過ぎると光軸上の発光が青色側にシフトして望ましくない。
本発明の実施形態は、上記の形態に限定されるものではなく、その他にも以下に例示される様な変形を行っても良い。この様な変形や応用によっても、本発明の作用に基づいて本発明の効果を得ることができる。
例えば、上記の各実施例では、支持基板10をセラミックス製としたが、支持基板10の材料は任意でよく、例えば樹脂基板の表面に金属被膜を成膜した板材から形成してもよい。また、上記の各実施例では、第1の封止材40や第2の封止材30をシリコーン樹脂から形成したが、これらの封止材には、透明な任意の樹脂材料を用いることができる。
10 : 支持基板
20 : 半導体発光素子
30 : 第2の封止材
31 : 第2の山際部
32 : 第2のテーパ部
33 : 第2の天上面
34 : 第2のR部
40 : 第1の封止材
41 : 第1の山際部
42 : 第1のテーパ部
43 : 第1の天上面
44 : 第1のR部
Claims (3)
- 結晶成長基板を有する青色発光の半導体発光素子を支持基板の上に封止して構成される半導体発光装置において、
前記支持基板の上に前記半導体発光素子を封止する透明な第1の封止材と、
蛍光体を含有して前記第1の封止材を外側から更に封止する第2の封止材とを有し、
前記半導体発光素子は、前記結晶成長基板が上を向くようにフェイスダウンで封止されており、
前記第1の封止材は、
前記半導体発光素子の上方に位置する第1の天上面と、
前記支持基板に接する接合部において裾野が前記支持基板の支持面に沿って延びた第1の山際部と、
前記第1の天上面と前記第1の山際部との間に位置し、斜めに傾いた側壁からなる第1のテーパ部と、
前記第1の天上面と前記第1のテーパ部とを曲面で繋ぐ第1のR部とを有し、
前記第2の封止材は、
前記第1の天上面の上方に位置する第2の天上面と、
前記支持基板に接する接合部において裾野が前記支持基板の支持面に沿って延びた第2の山際部と、
前記第2の天上面と前記第2の山際部との間に位置し、斜めに傾いた側壁からなる第2のテーパ部と、
前記第2の天上面と前記第2のテーパ部とを曲面で繋ぐ第2のR部とを有し、
前記第2の天上面は、前記第1の天上面に向って凸の湾曲形状の凹部を有する
ことを特徴とする半導体発光装置。 - 前記第1の天上面は、前記第2の天上面に向って凸の湾曲形状の凸部を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体発光装置。 - 前記支持基板の支持面に対する前記第2のテーパ部の傾斜角は、前記支持基板の支持面に対する前記第1のテーパ部の傾斜角よりも大きい
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体発光装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008225730A JP5040863B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 半導体発光装置 |
US12/585,058 US8232578B2 (en) | 2008-09-03 | 2009-09-02 | Light emitting semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008225730A JP5040863B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010062286A JP2010062286A (ja) | 2010-03-18 |
JP5040863B2 true JP5040863B2 (ja) | 2012-10-03 |
Family
ID=41723992
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008225730A Active JP5040863B2 (ja) | 2008-09-03 | 2008-09-03 | 半導体発光装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8232578B2 (ja) |
JP (1) | JP5040863B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020115799A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
JP2021090426A (ja) * | 2019-01-24 | 2021-06-17 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
US11990569B2 (en) | 2019-01-24 | 2024-05-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED lighting sheet for animal/plant growth, LED lighting module for animal/plant growth, shelf for animal/plant growth rack, animal/plant growth rack, animal/plant growth factory, and LED lighting unit for animal/plant growth |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5678629B2 (ja) * | 2010-02-09 | 2015-03-04 | ソニー株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US9039216B2 (en) * | 2010-04-01 | 2015-05-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and light unit having the same |
KR101298406B1 (ko) | 2010-05-17 | 2013-08-20 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP5498417B2 (ja) * | 2011-03-15 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US8754435B1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-06-17 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED package and related methods |
US8933478B2 (en) | 2013-02-19 | 2015-01-13 | Cooledge Lighting Inc. | Engineered-phosphor LED packages and related methods |
JP6812657B2 (ja) * | 2015-07-13 | 2021-01-13 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US10644192B2 (en) | 2015-07-13 | 2020-05-05 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method of manufacturing light-emitting device |
JP6928823B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-09-01 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュール及び照明器具 |
CN108598070B (zh) * | 2018-06-25 | 2023-07-18 | 江苏罗化新材料有限公司 | 一种双芯片的芯片级led封装结构及其制作方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5708300A (en) * | 1995-09-05 | 1998-01-13 | Woosley; Alan H. | Semiconductor device having contoured package body profile |
JP2001007257A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4239563B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2009-03-18 | 豊田合成株式会社 | 発光ダイオード及びledライト |
JP2004193394A (ja) | 2002-12-12 | 2004-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置およびその製造方法 |
JP4366161B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-11-18 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置 |
JP3983793B2 (ja) * | 2004-04-19 | 2007-09-26 | 松下電器産業株式会社 | Led照明光源の製造方法およびled照明光源 |
JP3963187B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-08-22 | 松下電工株式会社 | 発光装置 |
JP2007109948A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及びその製造方法 |
JP4473284B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2010-06-02 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
JP4357508B2 (ja) | 2006-07-28 | 2009-11-04 | 株式会社エンプラス | 発光装置、面光源装置、表示装置及び光束制御部材 |
TWI347687B (en) * | 2007-07-13 | 2011-08-21 | Lite On Technology Corp | Light-emitting device with open-loop control |
JP2007324630A (ja) | 2007-09-10 | 2007-12-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置 |
JP2008187212A (ja) * | 2008-05-07 | 2008-08-14 | Sharp Corp | 面実装型発光素子 |
US20090321758A1 (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-31 | Wen-Huang Liu | Led with improved external light extraction efficiency |
-
2008
- 2008-09-03 JP JP2008225730A patent/JP5040863B2/ja active Active
-
2009
- 2009-09-02 US US12/585,058 patent/US8232578B2/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020115799A (ja) * | 2019-01-24 | 2020-08-06 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
JP2021090426A (ja) * | 2019-01-24 | 2021-06-17 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
JP7118904B2 (ja) | 2019-01-24 | 2022-08-16 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
JP7340166B2 (ja) | 2019-01-24 | 2023-09-07 | 大日本印刷株式会社 | 動植物育成用のled照明シート、動植物育成用のled照明モジュール、動植物の育成棚用の棚板、動植物の育成棚、及び動植物育成工場 |
US11990569B2 (en) | 2019-01-24 | 2024-05-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | LED lighting sheet for animal/plant growth, LED lighting module for animal/plant growth, shelf for animal/plant growth rack, animal/plant growth rack, animal/plant growth factory, and LED lighting unit for animal/plant growth |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010062286A (ja) | 2010-03-18 |
US20100052006A1 (en) | 2010-03-04 |
US8232578B2 (en) | 2012-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5040863B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US9953956B2 (en) | Package substrate and package structure using the same | |
TWI782353B (zh) | 發光裝置 | |
US10041663B2 (en) | Light source and method of mounting light-emitting device | |
JP5393802B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5837775B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP6024352B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP7235944B2 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 | |
JP2007317816A (ja) | 発光装置 | |
TW201417342A (zh) | 發光二極體結構 | |
US20170062664A1 (en) | Light emitting diode package structure | |
JP6501564B2 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2017188278A1 (ja) | 発光装置 | |
JP2013127994A (ja) | 発光装置、発光装置モジュール及び発光装置の製造方法 | |
JP2008198782A (ja) | 発光装置 | |
JP2022095788A (ja) | 表示基板、表示基板の製造方法、表示パネル及び表示装置 | |
JP6589259B2 (ja) | 発光素子及びこれを用いた発光装置 | |
JP6822526B2 (ja) | 発光装置とその製造方法 | |
JP2019134048A (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
TWI710146B (zh) | 發光元件封裝結構 | |
JP2008021670A (ja) | 発光装置 | |
JP2022180523A (ja) | 半導体装置 | |
JP2013004840A (ja) | 発光装置 | |
JP5808973B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007317811A (ja) | 発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100927 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120612 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120625 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5040863 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150720 Year of fee payment: 3 |