JP5032779B2 - 半導体ウェハ透視検査装置 - Google Patents
半導体ウェハ透視検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5032779B2 JP5032779B2 JP2006060292A JP2006060292A JP5032779B2 JP 5032779 B2 JP5032779 B2 JP 5032779B2 JP 2006060292 A JP2006060292 A JP 2006060292A JP 2006060292 A JP2006060292 A JP 2006060292A JP 5032779 B2 JP5032779 B2 JP 5032779B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- radiation
- inspection apparatus
- fluoroscopic inspection
- ray
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 147
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 56
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 73
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 claims description 18
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 16
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 133
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
本発明に係る半導体ウェハ透視検査装置は、X線、γ線、または、中性子線である放射線を発生し被検体である円盤状の半導体ウェハに向けて放出する放射線源と、半導体ウェハを保持し複数回回転操作する回転操作手段と、線状に配列された複数の感知部を有しこれら感知部の配列方向を半導体ウェハの回転軌跡に対する略々径方向として設置され半導体ウェハを透過した放射線量を各感知部ごとに検出する放射線検出器と、放射線検出器により検出された放射線強度情報を半導体ウェハの回転角度位置に対応させて各感知部ごとに順次加算する加算手段とを備え、加算手段によって加算された放射線強度情報に基づき、半導体ウェハにおける放射線透過率の異常箇所である前記半導体ウェハ内に形成された気室の位置を特定することを特徴とするものである。
本発明に係る半導体ウェハ透視検査装置は、構成1を有する半導体ウェハ透視検査装置において、複数の放射線検出器を備え、各放射線検出器は、各感知部を半導体ウェハの回転中心からの距離が互いに異なる位置として設置されていることを特徴とするものである。
図1は、本発明に係る半導体ウェハ透視検査装置の第1の実施の形態における構成を示す模式図である。
図5は、本発明に係る半導体ウェハ透視検査装置の第2の実施の形態における構成を示す模式図である。
図6は、本発明に係る半導体ウェハ透視検査装置の第3の実施の形態における構成を示す模式図である。
3 回転操作機構
4 X線検出器
4a X線検出器
4b X線検出器
4c X線検出器
5 検出器コントローラ
6 加算装置
7 画像表示装置
101 半導体ウェハ
X X線ビーム
Claims (2)
- X線、γ線、または、中性子線である放射線を発生し、被検体である円盤状の半導体ウェハに向けて放出する放射線源と、
前記半導体ウェハを保持し、複数回回転操作する回転操作手段と、
線状に配列された複数の感知部を有し、これら感知部の配列方向を前記半導体ウェハの回転軌跡に対する略々径方向として設置され、前記半導体ウェハを透過した放射線量を各感知部ごとに検出する放射線検出器と、
前記放射線検出器により検出された放射線強度情報を前記半導体ウェハの回転角度位置に対応させて各感知部ごとに順次加算する加算手段と
を備え、
前記加算手段によって加算された放射線強度情報に基づき、前記半導体ウェハにおける放射線透過率の異常箇所である前記半導体ウェハ内に形成された気室の位置を特定する
ことを特徴とする半導体ウェハ透視検査装置。 - 複数の前記放射線検出器を備え、
前記各放射線検出器は、前記各感知部を前記半導体ウェハの回転中心からの距離が互いに異なる位置として設置されている
ことを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハ透視検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006060292A JP5032779B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 半導体ウェハ透視検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006060292A JP5032779B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 半導体ウェハ透視検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007240217A JP2007240217A (ja) | 2007-09-20 |
JP5032779B2 true JP5032779B2 (ja) | 2012-09-26 |
Family
ID=38585906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006060292A Active JP5032779B2 (ja) | 2006-03-06 | 2006-03-06 | 半導体ウェハ透視検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5032779B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012172871A (ja) * | 2011-02-18 | 2012-09-10 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置および熱処理装置の温度測定方法 |
JP7175675B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2022-11-21 | 住友化学株式会社 | 検査装置および検査方法 |
JP7138515B2 (ja) * | 2017-09-08 | 2022-09-16 | 住友化学株式会社 | 検査装置 |
JP7063681B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-05-09 | 住友化学株式会社 | 異物検査装置及び異物検査方法 |
JP7150638B2 (ja) * | 2019-02-27 | 2022-10-11 | キオクシア株式会社 | 半導体欠陥検査装置、及び、半導体欠陥検査方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63153454A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-06-25 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光デイスク透明円板の欠陥検査装置 |
JPH02196948A (ja) * | 1989-01-25 | 1990-08-03 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 記録媒体の欠陥検査方法 |
JP2565440B2 (ja) * | 1991-09-30 | 1996-12-18 | 信越半導体株式会社 | Soi基板の製造方法 |
JPH05206242A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体ウエハーのボイド検出装置 |
JPH05273140A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Orc Mfg Co Ltd | メモリーディスクの欠陥検出方法及びその装置 |
JPH05302900A (ja) * | 1992-04-28 | 1993-11-16 | Fujitsu Ltd | X線撮像方法 |
JPH09257720A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 欠陥検査方法とその装置 |
JPH10253543A (ja) * | 1997-03-06 | 1998-09-25 | Kao Corp | 基板外観検査装置及び方法 |
JP3843637B2 (ja) * | 1999-02-23 | 2006-11-08 | 株式会社日立製作所 | 試料作製方法および試料作製システム |
JP3349494B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2002-11-25 | ティーディーケイ株式会社 | 円盤状体の検査方法及び検査装置 |
-
2006
- 2006-03-06 JP JP2006060292A patent/JP5032779B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007240217A (ja) | 2007-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI709745B (zh) | 用於檢測半導體晶圓的x射線檢測系統 | |
CN109791897B (zh) | 用于半导体晶片检验的三维成像 | |
JP5032779B2 (ja) | 半導体ウェハ透視検査装置 | |
JP6266574B2 (ja) | X線検査方法及びx線検査装置 | |
JP2005087592A (ja) | X線計測装置 | |
JP4684063B2 (ja) | タイヤx線撮影装置およびタイヤのx線撮影方法 | |
JP2006242737A (ja) | タイヤ側壁部の内部欠陥検査方法および装置 | |
JP2003121392A (ja) | 放射線検出装置 | |
JP5400704B2 (ja) | 配管検査装置および配管検査方法 | |
JP2003294848A (ja) | 放射線校正装置 | |
JP4926645B2 (ja) | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム | |
JP2007322384A (ja) | X線断層撮像装置及びx線断層撮像方法 | |
JP4788272B2 (ja) | X線断層撮像装置及びx線断層撮像方法 | |
JP4155866B2 (ja) | X線断層撮像装置 | |
JP4926734B2 (ja) | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム | |
JP4898364B2 (ja) | 放射線検査装置、放射線検査方法および放射線検査プログラム | |
JP4022385B2 (ja) | 放射線検出装置 | |
JP2022092996A (ja) | 検査装置、露光装置および物品製造方法 | |
JP2004354215A (ja) | 放射線透過非破壊検査装置 | |
JP2022024920A (ja) | 検査装置、その制御装置、制御方法および制御プログラム | |
JP2011069746A (ja) | シンチレータパネルの検査装置及びシンチレータパネルの検査方法 | |
JP2000111501A (ja) | 透視検査装置 | |
JP4494804B2 (ja) | コンピュータ断層撮影装置 | |
JP2017203752A (ja) | X線検査装置 | |
KR101886685B1 (ko) | 패턴 검사 장치, 패턴 촬상 장치 및 패턴 촬상 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090304 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110711 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111017 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120316 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120409 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120629 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5032779 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150706 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |