JP7063681B2 - 異物検査装置及び異物検査方法 - Google Patents
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Description
A2:検査対象物1および異物13による電磁波21の減衰量に対応する第1画素値
続いて、背景値設定部43は、各画素32について、背景値を設定する。この処理は、図4のステップS2に相当する。背景値設定部43が背景値を設定することによって、異物検査装置100においては、以下の効果を奏する。
B2:B2=(A2-対応する画素32の背景値)/対応する画素32の背景値
なお、理想的には、A1は対応する画素32の背景値と同じであり、B1は0となる。各第2画素値は、異物13における画素32に対応する部分の厚みに応じた値となる。
C2:C2=8*B1+1*B2
C3:C3=7*B1+2*B2
C4:C4=6*B1+3*B2
C5:C5=5*B1+4*B2
C6:C6=3*B1+6*B2
C7:C7=9*B2
上述したとおり、電磁波発生源2は、X線を、点状ではなく面状で発生させる。この結果、電磁波発生源2が電磁波21として当該X線を照射する場合、電磁波21の画像にボケが生じる。そのため、画像上の異物13の像では、ある画素32に本来反映されるべき減衰量の一部がその画素32の周辺の画素32へ反映されてしまう。
手法2:注目画素33を中心として3行3列に設けられた計9つの画素32の各第2画素値のうち、最も小さい値と、2番目に小さい値と、3番目に小さい値との平均値を、濃度値とする
手法3:注目画素33を中心として3行3列に設けられた計9つの画素32の各第2画素値の平均値を、濃度値とする
手法4:注目画素33を中心として4行4列に設けられた計16つの画素32の各第2画素値の平均値を、濃度値とする
手法5:注目画素33を中心として5行5列に設けられた計25つの画素32の各第2画素値の平均値を、濃度値とする
手法6:注目画素33を中心として5行5列に設けられた計25つの画素32の各第2画素値について、所定の正規分布に従って重み付けを行った値の平均値を、濃度値とする
手法7:注目画素33を中心として5行5列に設けられた計25つの画素32の各第2画素値について、手法6とは別の(具体的には、重み付けに用いるガウス重みの分散を変更した)正規分布に従って重み付けを行った値の平均値を、濃度値とする
そして、手法1~手法7のそれぞれについて、下記に定義される最悪S、最悪N、および最悪S/最悪N比を求めた。
最悪N:「異物無画像1」~「異物無画像13」それぞれの濃度値のうち、最も0%から遠いもの
最悪S/最悪N比:最悪Nに対する最悪Sの比率
なお、最悪S/最悪N比が1より大きければ、「異物画像1」~「異物画像4」それぞれと、「異物無画像1」~「異物無画像13」それぞれとが適切に区別されているとみなせるため、虚報(異物13が無いにも拘らず、異物13を検知したものとしてしまう現象)が無い状態における異物13の検出漏れが十分に抑制されていると言える。また、最悪S/最悪N比が大きい程、当該区別がより明確であるとみなせるため、虚報が無い状態における異物13の検出漏れの抑制効果が高いと言える。
11 コア
12 非水電解液二次電池用セパレータ
13 異物
14 テープまたはラベル
15 軸
2 電磁波発生源
21 電磁波
22 電磁波の発生部分の中心
23 四角錐
3 イメージセンサ
31 主面
32 画素
33 注目画素
34 参照画素
35 不適画素
36~38 画素群
4 画像処理装置
41 記憶部
42 画素値演算部
43 背景値設定部
44 画素値積算部
5 移動機構
6 回転機構
100、101、102 異物検査装置
Claims (8)
- 電磁波の入射側と当該電磁波の出射側との間に厚みを有する検査対象物を、当該厚みの方向に対して略垂直な方向に平行移動させる移動機構と、
上記移動機構により平行移動されており異物を含む上記検査対象物を透過した電磁波によって生成された画像を構成する、TDIセンサに設けられた多数の画素と、
上記多数の画素それぞれに対応した第1画素値を記憶する記憶部と、
上記多数の画素それぞれに対応し、上記第1画素値に基づいて得られる第2画素値を算出する画素値演算部と、
特定の連続領域に属する画素群の各第2画素値を積算する画素値積算部と、
を備える異物検査装置。 - 検査対象物を、電磁波の入射側から当該電磁波の出射側へと向かう方向に伸びる軸に従って回転させる回転機構と、
上記回転機構により回転されており異物を含む上記検査対象物を透過した電磁波によって生成された画像を構成する、TDIセンサに設けられた多数の画素と、
上記多数の画素それぞれに対応した第1画素値を記憶する記憶部と、
上記多数の画素それぞれに対応し、上記第1画素値に基づいて得られる第2画素値を算出する画素値演算部と、
特定の連続領域に属する画素群の各第2画素値を積算する画素値積算部と、
を備える異物検査装置。 - 上記異物は、上記検査対象物よりも、上記透過する電磁波をより大きく減衰させる材質を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載の異物検査装置。
- 上記画素値積算部は、上記多数の画素それぞれを注目画素とし、当該注目画素を包含する上記連続領域に属する画素群の上記各第2画素値を積算することにより当該注目画素の積算値とする請求項1~3の何れか1項に記載の異物検査装置。
- 上記特定の連続領域は、上記画像における異物のボケに対応する全ての画素を包含する領域より大きい領域である請求項1~4の何れか1項に記載の異物検査装置。
- 上記画素値積算部は、検出対象としている上記異物が想定される形状に応じて、上記各第2画素値それぞれに対して重み付けを行って積算値を得ることを特徴とする請求項1~5の何れか1項に記載の異物検査装置。
- 電磁波の入射側と当該電磁波の出射側との間に厚みを有する検査対象物を、当該厚みの方向に対して略垂直な方向に平行移動させる移動工程と、
上記移動工程において平行移動されており異物を含む上記検査対象物を透過した電磁波によって生成された画像を、TDIセンサに設けられた多数の画素によって構成する工程と、
上記多数の画素それぞれに対応した第1画素値を記憶する記憶工程と、
上記多数の画素それぞれに対応し、上記第1画素値に基づいて得られる第2画素値を算出する画素値演算工程と、
特定の連続領域に属する画素群の各第2画素値を積算する画素値積算工程と、
を含む異物検査方法。 - 検査対象物を、電磁波の入射側から当該電磁波の出射側へと向かう方向に伸びる軸に従って回転させる回転工程と、
上記回転工程において回転されており異物を含む上記検査対象物を透過した電磁波によって生成された画像を、TDIセンサに設けられた多数の画素によって構成する工程と、
上記多数の画素それぞれに対応した第1画素値を記憶する記憶工程と、
上記多数の画素それぞれに対応し、上記第1画素値に基づいて得られる第2画素値を算出する画素値演算工程と、
特定の連続領域に属する画素群の各第2画素値を積算する画素値積算工程と、
を含む異物検査方法。
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