JPH06260430A

JPH06260430A - プレートヒータ及びその製法

Info

Publication number: JPH06260430A
Application number: JP4684093A
Authority: JP
Inventors: Toshiaki Kanemoto; 俊昭兼本; Takahiro Nakahigashi; 孝浩中東
Original assignee: Nissin Electric Co Ltd; Eiko KK
Current assignee: Nissin Electric Co Ltd; Eiko KK
Priority date: 1993-03-08
Filing date: 1993-03-08
Publication date: 1994-09-16

Abstract

(57)【要約】【目的】発熱線体からの赤外線透過が可能で、発熱線
体部分への周囲ガスの侵入及び発熱線体からの不純物飛
散が防止され、さらに、変形が抑制され、半導体製造装
置は勿論のこと、その他においても被処理基体の加熱に
利用できる寿命の長いプレートヒータ及びその簡単、確
実な製法を提供する。【構成】平面的配置の発熱線体３を石英板１、２で挟
み込み、これら石英板の周縁部１１、２３全周を溶接封
止したプレートヒータＡ及びその製法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、シリコンウェハ、Ｇａ
Ａｓウェハ、液晶ディスプレイのガラス基板等の基板上
に所定の薄膜を形成したり、形成した膜を所定パターン
にエッチングする等して半導体デバイスやその前駆体等
を得るためのＣＶＤ、スパッタ、エッチング等による半
導体製造装置その他に使用される被処理基体加熱用のプ
レートヒータ及びその製法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造装置を例にとって説明する
と、該装置において成膜、エッチング処理等される被処
理基板は処理の種類に応じ、加熱されることがある。例
えば基板上に、シランと酸素、或いはシランとアンモニ
アを用い、プラズマＣＶＤ法によって酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ₂）膜、窒化ケイ素（ＳｉＮ）膜を形成する場合、良
質のそれら膜を形成するために、通常、該基板が加熱さ
れる。また、例えば基板上のアモルファスシリコン（ａ
−Ｓｉ）膜、ＳｉＯ₂膜を四フッ化炭素（ＣＦ₄）と酸
素を用いてプラズマエッチングする場合にも、エッチン
グを円滑に行うために、通常、該基板が加熱される。

【０００３】このような基板の加熱は、一般に、面状ヒ
ータ、換言すればプレートヒータにて行われる。その例
を挙げると、特開平３−２２０７１８号公報に開示され
ているように、セラミックスからなる熱板の上面に渦巻
状の連続溝を形成し、その溝に沿って発熱線体を平面的
に連続配置し、さらに該熱板の上下面を熱板と同材質の
押え板にて挟み、発熱線体側の押え板の上にサセプタを
介して基板を載置し、発熱線体からの熱伝導により基板
を加熱するものがある。

【０００４】また、同公報にさらに開示されているよう
に、前記ヒータの問題点である連続発熱線体の伸長に伴
う熱板や押え板の損傷発生の恐れ、押え板が赤外線を透
過し難いセラミックスからなることよる基板急速加熱の
困難性を改良するものとして、発熱線体を分割配置する
とともに押え板として赤外線透過を許す石英板を用いた
ものもある。すなわち、上面を複数個の扇形の区画に等
分割した円板状の熱板と、この各区画毎に中心部側から
周縁部側へと、周縁部側から中心部側へと、ジグザグに
折返しつつ形成された溝と、該各溝に嵌められた発熱線
体と、該熱板上に重合された赤外線透過性の石英からな
る押え板とで構成されたものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の面状ヒータでは、発熱線体を配置した熱板と、そ
の上に被覆される押え板との相互固定はネジ止めにて行
われており、従って、熱板周縁部と押え板周縁部との間
隙を完全に閉じることができず、僅かながら間隙が残っ
てしまう。

【０００６】かかる間隙が有っても、例えば、シランと
酸素、或いはシランとアンモニアとを用いてプラズマＣ
ＶＤ法により基板上にＳｉＯ₂膜やＳｉＮ膜を形成する
ときには、原料ガスが気相中で反応してしまい、面状ヒ
ータの発熱線体部分まで反応性ガスが侵入することは実
質上なく、また、例えば、四フッ化炭素と酸素とを用い
て基板上のａ−Ｓｉ膜やＳｉＯ₂膜等の膜をプラズマエ
ッチングするときでも、これら原料ガスは気相中で反応
してしまい、面状ヒータの発熱線体部分まで反応性ガス
が侵入することは実質上ない。

【０００７】ところが最近では、例えば多結晶シリコン
膜をプラズマＣＶＤ法により形成するにあたり、シラン
ガスが単体で用いられたり、ａ−Ｓｉ膜、ＳｉＯ₂膜、
ＳｉＮ膜をプラズマエッチングするにあたり、四フッ化
炭素が単体で用いられたりすることがある。この場合、
かかる反応性ガスが面状ヒータの前記周縁部間隙から、
通常、ニクロム線よりなる発熱線体部分にまで侵入し、
該線体と反応してこれを腐食したり、延いては断線を引
き起こしたりするという問題がある。また、このような
現象に起因して面状ヒータから、形成される膜の質を悪
化させたり、エッチング不良をもたらす不純物が飛散す
るという問題も発生する。

【０００８】さらに、面状ヒータを構成している熱板と
これに被覆された押え板との材質の相違、厚みの相違、
熱板に形成された発熱線体配置用の溝の各部での寸法誤
差等に起因して、面状ヒータ各部における熱歪みに差が
生じ、これが原因で面状ヒータが変形して基板を円滑に
加熱できなくなるといった問題も生じる。この問題を少
しでも解消するため、熱板及び押え板の双方を同材質で
ある石英板で形成することも考えられるが、たとえその
ようにしても、熱板と押え板との厚みの相違、熱板に形
成された発熱線体配置用の溝の各部での寸法誤差等は依
然として残るので、これに起因して面状ヒータ各部にお
ける熱歪みに差が生じ、前述と同様の問題が発生する。
押え板表面に予め所定のフロスト（表面あれ）を形成し
ておき、これによって押え板の熱透過を各部均一化し、
基板を各部均一に加熱することも考えられるが、面状ヒ
ータが変形してしまっては、フロストによる熱透過の均
一性も悪化してしまう。

【０００９】そこで本発明は、発熱線体からの赤外線透
過が可能で、発熱線体部分への周囲ガスの侵入及び発熱
線体からの不純物飛散が防止され、さらに、変形が抑制
され、半導体製造装置は勿論のこと、その他においても
被処理基体の加熱に利用できるプレートヒータ及びその
製法を提供することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明のプレートヒータは、平面的配置の発熱線体を石英板
で挟み込み、これら石英板の周縁部全周を石英で溶接封
止したことを特徴とする。該両石英板周縁部の溶接封止
は、該周縁部に沿って配置した石英製の封止用部材の溶
接とともになされていてもよい。

【００１１】発熱線体の平面的配置の態様としては、従
来のように、渦巻状乃至螺旋状でもよいし、複数区画の
それぞれにジグザグに折返しつつ配置する態様でもよ
く、特に限定はない。また、本発明のプレートヒータ
は、使用中にその被処理基体加熱用面の各部に不均一に
発生する恐れのある表面あれによる熱透過の変化を見込
んで、安定して熱透過の均一性ができるだけ保たれるよ
うに、予め該被処理基体加熱用面を所定のフロスト状
（表面あれ状態）に加工しておいてもよい。

【００１２】一方、本発明のプレートヒータの製法は、
片面に発熱線体を平面的に配置するための発熱線体配置
用溝を形成した第１の石英板と、前記第１の石英板の前
記溝を形成した面に重合可能な第２の石英板とを準備
し、前記第１の石英板の溝に発熱線体を配置し、その上
から前記第２石英板を被せて第１石英板に重合させ、該
両石英板の周縁部全周を石英を加熱手段にて加熱溶融さ
せつつ溶接し、封止することを特徴とする。

【００１３】前記両石英板周縁部を溶接封止するにあた
っては、予め該周縁部に沿って、該両石英板とは別に準
備した石英製の封止用部材を配置しておき、これを該周
縁部に共に溶接してもよい。両石英板周縁部の溶接封止
の方法としては、前記溶接封止時に加熱手段にて加熱
溶融させる石英の少なくとも一部を前記両石英板のうち
少なくとも一方の周縁部にて提供するようにし、少なく
とも該石英板周縁部を直接加熱溶融させて溶接封止する
こと、前記溶接封止時に加熱手段にて加熱溶融させる
石英の少なくとも一部を、前記両石英板とは別に準備し
た石英からなる溶接用部材（例えば石英製溶接棒）にて
提供するようにし、少なくともこれを加熱溶融させて両
石英板周縁部を溶接し、封止すること、前記石英製の
封止用部材を用いるときは、前記溶接封止時に加熱手段
にて加熱溶融させる石英の少なくとも一部をこの封止用
部材にて提供するようにし、少なくともこれを加熱溶融
させて両石英板周縁部を溶接し、封止すること、これ
らの組み合わせ等が考えられる。

【００１４】また、少なくとも一方の石英板の周縁部に
は、溶接封止時ここに加えられる熱が石英板の他の部分
へ伝わって石英板がひび割れ等する恐れがないように、
石英板全体への熱伝導を抑制する熱切り部を形成してお
いてもよい。ここで言う「熱切り部」とは、熱伝導を抑
制する熱切り溝のようなものの他、加熱により溶融し易
く、従って溶接を速やかに行える結果、他の部分への熱
伝導がそれだけ抑制されるものも含まれる。

【００１５】このような熱切り部の例として、少なく
とも一方の石英板の周縁部に沿って形成された熱きり
溝、少なくとも一方の石英板の周縁部に沿って相手側
石英板の方へ屈曲する溶接用突出部、少なくとも一方
の石英板の周縁部に沿って石英板本体と平行又は略平行
に側方へ突出する溶接用突出部、これらの組み合わせ
等が考えられる。

【００１６】以上の他、溶接封止を確実に行うために、
前記両石英板周縁部を、その溶接封止に先立って、不純
物除去前処理しておくことが考えられる。この前処理と
しては、フッ酸等で酸処理したのち水で洗浄、乾燥処理
すること等が考えられる。また、溶接封止操作時の発熱
線体の酸化腐食等を防止するために、不活性ガスを両石
英板の間に供給して溶接封止を行うことも考えられる。

【００１７】また、溶接封止後、歪みを除去するため
に、溶接封止部分を焼きならし処理することや、全体を
加熱炉等で焼きなまし処理することも考えられる。ま
た、既に触れたように、被処理基体加熱用面をサンドブ
ラスト処理等によりフロスト処理することも考えられ
る。なお、溶接封止作業にあたっては、石英板周縁部の
各部にわたりこれを均一に行い易いように、両石英板を
所定の位置関係に維持する状態で旋盤、回転台盤等の回
転手段に支持させ、その状態で両石英板を回転させつつ
溶接封止することも考えられる。

【００１８】溶接に用いる石英加熱手段としは、例えば
酸素水素バーナ等、種々のものが考えられる。さらに、
例えば最終段階で溶接封止部分を切削加工等にて整形し
てもよい。

【００１９】

【作用】本発明プレートヒータによると、その上に被処
理基体を直接又は必要に応じ他の部材、例えば半導体製
造装置において基板支持用のサセプタを介する等して載
置し、発熱線体に通電して発熱させることにより該基体
を加熱することができる。

【００２０】発熱線体から発せられる赤外線は石英板を
透過することができるので、基体はそれだけ速く加熱さ
れる。発熱線体を挟み込んでいる石英板の周縁部は溶接
封止されているので、発熱線体部分への周囲ガスの侵入
が防止され、たとえ該周囲ガスが反応性或いは腐食性の
ガスであっても、発熱線体の腐食や断線は防止されると
ともに、発熱線体からの不純物の飛散も防止される。

【００２１】また、発熱線体を挟み込んでいる石英板の
周縁部は石英にて溶接封止してあるので、それだけ基体
加熱にともなう熱歪みによる反り等の変形や破損が生じ
難く、反り等の変形が抑制されるので、それだけ被処理
基体各部の加熱均一性が向上する。本発明のプレートヒ
ータの製法によると、片面に発熱線体を平面的に配置す
るための発熱線体配置用溝を形成した第１の石英板と、
前記第１の石英板の前記溝を形成した面に重合可能な第
２の石英板とが準備され、前記第１の石英板の溝には発
熱線体が配置され、その上から前記第２石英板が被せら
れて第１石英板に重合さる。そして、該両石英板の周縁
部全周が石英を用いて溶接封止され、前記プレートヒー
タが得られる。

【００２２】この場合、溶接封止に用いる石英は、両石
英板のうち少なくとも一方の周縁部、両石英板とは別に
準備した石英からなる溶接用部材、両石英板周縁部に石
英製の封止用部材を沿わせるときは、該封止用部材、こ
れらの組み合わせ等にて提供される。

【００２３】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係るプレートヒータの１例を示
し、（Ａ）図はその上側石英板の一部を切り欠いて示す
平面図であり、（Ｂ）図は一部を断面で示す側面図であ
る。図１のプレートヒータＡは、上下２枚の円形の石英
板１、２を備えており、下側石英板２はその上面が複数
個の扇形の区画２１に仮想的に等分割され、各区画２１
毎に石英板中心部２２側から周縁部２３側へと、周縁部
２３側から中心部２２側へと、ジグザグに折返しつつ溝
２４が形成されており、この溝に、横方向に長寸の断面
形状を有する発熱線体３が嵌入されて平面的に配置され
ている。

【００２４】上下の石英板１、２はこの発熱線体３を挟
み込んでおり、両石英板はその周縁部１１、２３におい
て互いに溶接されて相互に強固に連結固定されていると
ともに、発熱線体３部分へ周囲ガスが侵入しないように
封止されている。また、上側石英板１の表面（上面）１
０は、プレートヒータ使用中に表面各部に不均一に発生
する恐れのある表面あれによる熱透過の変化を見込ん
で、予め所定のフロスト状（表面あれ状態）に加工して
ある。

【００２５】なお、図中、４、５は発熱線体３へ通電す
るためのリード端子である。図１のプレートヒータＡは
次のようにして作成した。まず、円形の石英板１、２を
準備した。石英板の厚さは、上側のものが約３ｍｍ、下
側のものが約１０ｍｍである。下側石英板２の周縁部２
３には、上側石英板に対向する面に熱切り環状溝２５を
形成した。また、該溝より内側において、発熱線体３配
置用の前記溝２４を形成した。

【００２６】これら石英板１、２の少なくと周縁部１
１、２３をフッ酸（１２〜１３％）で酸処理し、純水に
て洗浄後、乾燥処理した。次いで下側石英板２の各溝２
４に発熱線体３を嵌入配置したのち、その上から上側石
英板１を被せ、下側石英板２上に重合した。その後、こ
れら全体を図２に示すように、ガラス旋盤のシャフト６
１、６２に取り付け、支持させた。なお、この取り付
け、支持は本例では真空チャックで行ったが、旋盤によ
っては、ポンテに樹脂接着すること等も考えられる。引
き続き該旋盤の運転にて全体を約４０ｒ．ｐ．ｍ．で回
転させつつ、両石英板の周縁部１１、２３を酸素水素ガ
スバーナを５個連ねたリングバーナ６にて順次溶融しな
がら溶接し、封止した。この溶接封止操作にあたって
は、両石英板１、２の間へ、高温酸化雰囲気中での発熱
線体３の劣化を防止するため、不活性ガス（本例では窒
素ガス）７を流し込みつつ行った。

【００２７】かくして、石英板１、２の周縁部溶接封止
が終了したあと、全体を電気炉に入れ、最高温度１１５
０℃にて焼きなまし処理（アニール処理）を行い、歪み
を取り除いた。電気炉から取り出したあと、溶接封止部
分を旋盤による切削加工にて整形した。さらにそのあ
と、上側石英板１の表面をサンドブラスト処理にて所定
のフロスト状に加工した。

【００２８】かくして図１に示すプレートヒータＡを得
た。次に、このプレートヒータを図３に示す概略を示す
高温型プラズマＣＶＤ装置８に用いて多結晶シリコン膜
を形成する例を説明する。プラズマＣＶＤ装置８は、成
膜室８１、その中に上下に対向配置された高周波電極８
２と接地電極８３を備えている。高周波電極８２にはマ
ッチングボックス８２１を介して高周波電源８２２を接
続してあり、接地電極８３は接地してある。本発明のプ
レートヒータＡは接地電極８３に納められ、その上にカ
ーボン製サセプタ８４が配置され、その上に成膜対象基
板Ｓが設置されている。

【００２９】成膜室８１には、さらに、マスフローコン
トローラ８５及び電磁開閉弁８６を介してシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）容器８７を接続してあるとともに、真空排気装置
８８を接続してある。かかるＣＶＤ装置において、次の
条件で基板Ｓ上に多結晶シリコン膜を成膜した。

【００３０】成膜条件成膜ガス：シラン（ＳｉＨ₄）ガス１００ｃ
ｃｍ基板：６インチシリコンウェハ基板温度：６００℃（プレートヒータＡの温度
９００℃）成膜真空度：１Ｔｏｒｒ基板温度均一性： ±５℃ 高周波電力：２０Ｗこの成膜条件のもと、成膜速度２００Å／ｍｉｎで多結
晶シリコン膜が形成され、その成膜均一性は±５％であ
った。

【００３１】この成膜においては、プレートヒータＡに
おける発熱線体３から発せられる赤外線は上側石英板１
を透過することができるので、基板Ｓはそれだけ速く加
熱され、成膜速度が向上した。また、発熱線体３を挟み
込んでいる石英板１、２の周縁部１１、２３は溶接封止
されているので、発熱線体３部分へのシランガスの侵入
が防止され、発熱線体３の腐食や断線が防止されるとと
もに、発熱線体３からの不純物の飛散も防止された。

【００３２】また、発熱線体３を挟み込んでいる石英板
１、２の周縁部１１、２３は石英板１、２本体と同じ石
英で溶接封止され、相互にしっかりと連結固定されてい
るので、基板加熱にともなう熱歪みによるヒータＡの破
損が発生せず、また、反り等の変形が抑制され、基板Ｓ
各部の加熱均一性も向上した。前記多結晶シリコン膜の
形成を繰り返し行ってみたが、プレートヒータＡの寿命
は約４００時間の長期にわたった。従来の面状ヒータで
は、同じ用い方をするとその寿命は約２時間程度であ
り、本発明プレートヒータＡの寿命が大幅に改善された
ことが分かる。

【００３３】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、他にも種々の態様で実施できる。例えば溶
接封止工程において、石英板１、２全体への伝熱によっ
てこれら板がひび割れ破損等する恐れを無くすための前
記下側石英板２における熱切り溝２５に代え、図４の
（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）図に示すような熱きり作用のあ
る石英板周縁部状態を採用することも考えられる。

【００３４】図４（Ａ）は、上下石英板それぞれの周縁
部１１、２３に相手側石英板の方へ突出する環状の溶接
用突出部１２、２６を形成した例であり、図４（Ｂ）
は、上側石英板周縁部１１に下側石英板２の方へ突出す
る環状の溶接用突出部１３を設けるとともに、下側石英
板２の周縁部２３に該石英板と平行に側方へ突出する環
状の溶接用突出部２７を形成した例である。図４（Ｃ）
は、上下石英板の周縁部１１、２３に沿って外側から、
別途準備した石英製の封止用環状部材２８を配置し、こ
れを周縁部１１、２３へ溶接する例である。

【００３５】また、図５は考えられる溶接封止の他の具
体例を示している。この例では、発熱線体３を挟み込ん
だ上下の石英板１、２の周縁部１１、２３に石英溶接棒
９を近づけ、これを酸水素ガスバーナＢにて溶融させつ
つ両周縁部１１、２３へ付着させることで溶接封止する
ものである。このあと、必要に応じ、図２に示すように
全体を旋盤に支持させ、リングバーナ６で溶接封止部を
加熱し、焼きならし処理してもよい。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によると、発
熱線体からの赤外線透過が可能で、発熱線体部分への周
囲ガスの侵入及び発熱線体からの不純物飛散が防止さ
れ、さらに、熱破損し難く、変形が抑制され、半導体製
造装置は勿論のこと、その他においても被処理基体の加
熱に利用できる寿命の長いプレートヒータを提供するこ
とができる。

【００３７】このプレートヒータの被処理基体加熱用面
に所定のフロスト状加工を施してあるときは、それだけ
発熱線体からの安定した各部熱透過均一性が保たれる。
また、本発明によると、かかるプレートヒータの簡単で
確実な製法を提供することができる。本発明プレートヒ
ータ製造において、発熱線体を挟み込む石英板の少なく
とも一方の周縁部に、溶接封止時に加えられる熱がその
石英板全体へ伝わることを抑制するための熱切り部を予
め形成してあるときは、それだけ石英板の破損の恐れ少
なく溶接封止を行えるとともに、石英板各部の熱歪み発
生を抑制できる。

【００３８】また、石英板周縁部を、その溶接封止に先
立って、不純物除去前処理しておくときは、それだけ円
滑、確実に溶接封止を行える。また、石英板周縁部の溶
接封止時、不活性ガスを両石英板の間に供給して溶接封
止を行うときは、溶接封止時の高温酸化雰囲気による発
熱線体の損傷や断線を抑制できる。

【００３９】また、石英板周縁部の溶接封止後、少なく
とも該溶接封止部分を焼きならし処理したり、全体を焼
きなまし処理するときは、それだけ歪みを除去しておけ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示すもので、（Ａ）図は上
側石英板の一部を切り欠いて示す平面図、（Ｂ）図は
（Ａ）図に示す実施例の一部を断面で示す側面図であ
る。

【図２】石英板周縁部の溶接封止工程の１例を示す斜視
図である。

【図３】図１の本発明プレートヒータを用いたプラズマ
ＣＶＤ装置の概略構成図である。

【図４】（Ａ）図、（Ｂ）図、（Ｃ）図はそれぞれ溶接
封止前の石英板周縁部の他の例を示す断面図である。

【図５】石英板周縁部の溶接封止工程の他の例を示す斜
視図である。

【符号の説明】

１上側石英板１０石英板１の表面１１石英板１の周縁部１２、１３石英板１周縁部の溶接用突出部２下側石英板２１石英板２上面の扇形区画２２石英板２の中心部２３石英板２の周縁部２４発熱線体嵌入用の溝２５石英板２の熱切り溝２６、２７石英板２周縁部の溶接用突出部２８封止用の環状石英部材３発熱線体４、５リード端子６１、６２ガラス旋盤シャフト７不活性ガス８プラズマＣＶＤ装置Ｓ基板９石英溶接棒Ｂバーナ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】平面的配置の発熱線体を石英板で挟み込
み、これら石英板の周縁部全周を石英で溶接封止したこ
とを特徴とするプレートヒータ。
【請求項２】前記両石英板周縁部の溶接封止が、該周
縁部に沿って配置した石英製の封止用部材の溶接ととも
になされている請求項１記載のプレートヒータ。
【請求項３】被処理基体加熱用面がフロスト状に加工
されている請求項１又は２記載のプレートヒータ。
【請求項４】片面に発熱線体を平面的に配置するため
の発熱線体配置用溝を形成した第１の石英板と、前記第
１の石英板の前記溝を形成した面に重合可能な第２の石
英板とを準備し、前記第１の石英板の溝に発熱線体を配
置し、その上から前記第２石英板を被せて第１石英板に
重合させ、該両石英板の周縁部全周を石英を加熱手段に
て加熱溶融させつつ溶接し、封止してプレートヒータを
得ることを特徴とするプレートヒータの製法。
【請求項５】前記両石英板周縁部を溶接封止するにあ
たり、予め該周縁部に沿って、該両石英板とは別に準備
した石英製の封止用部材を配置し、該封止用部材を該周
縁部に共に溶接する請求項４記載のプレートヒータの製
法。
【請求項６】前記溶接封止時に加熱手段にて加熱溶融
させる石英の少なくとも一部を前記両石英板のうち少な
くとも一方の周縁部にて提供する請求項４又は５記載の
プレートヒータの製法。
【請求項７】前記溶接封止時に加熱手段にて加熱溶融
させる石英の少なくとも一部を、前記両石英板とは別に
準備した石英からなる溶接用部材にて提供する請求項４
又は５記載のプレートヒータの製法。
【請求項８】前記溶接封止時に加熱手段にて加熱溶融
させる石英の少なくとも一部を前記封止用部材にて提供
する請求項５記載のプレートヒータの製法。
【請求項９】前記両石英板のうち、少なくとも一方の
周縁部に、溶接封止時に加えられる熱がその石英板全体
へ伝わることを抑制するための熱切り部を予め形成して
おく請求項４から８のいずれかに記載のプレートヒータ
の製法。
【請求項１０】前記両石英板周縁部を、その溶接封止
に先立って、不純物除去前処理しておく請求項４から９
のいずれかに記載のプレートヒータの製法。
【請求項１１】前記両石英板周縁部の溶接封止時、不
活性ガスを両石英板の間に供給して溶接封止を行う請求
項４から１０のいずれかに記載のプレートヒータの製
法。
【請求項１２】前記両石英板周縁部の溶接封止後、少
なくとも該溶接封止部分を焼きならし処理する請求項４
から１１のいずれかに記載のプレートヒータの製法。
【請求項１３】前記両石英板周縁部の溶接封止後、全
体を焼きなまし処理する請求項４から１２のいずれかに
記載のプレートヒータの製法。
【請求項１４】前記第２の石英板表面をフロスト状に
加工する工程を含む請求項４から１３のいずれかに記載
のプレートヒータの製法。